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STGP14NC60KD

STGP14NC60KD STMicroelectronics

stgp14nc60kd.pdf Hersteller: STMicroelectronics
Trans IGBT Chip N-CH 600V 25A 80W 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Technische Details STGP14NC60KD STMicroelectronics

Description: IGBT 600V 25A TO-220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 37 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 7A, Supplier Device Package: TO-220, Td (on/off) @ 25°C: 22.5ns/116ns, Switching Energy: 82µJ (on), 155µJ (off), Test Condition: 390V, 7A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 34.4 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 25 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 50 A, Power - Max: 80 W.

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STGP14NC60KD STGP14NC60KD Hersteller : STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE78A9EB58B1E538745&compId=STGP14NC60KD.pdf?ci_sign=c4a0654f47e8bd067e74b7be74cd74f0a913b21f Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 14A; 80W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 14A
Power dissipation: 80W
Case: TO220AB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 50A
Mounting: THT
Gate charge: 34.4nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 61 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
33+2.19 EUR
35+2.09 EUR
40+1.8 EUR
50+1.53 EUR
Mindestbestellmenge: 33
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STGP14NC60KD STGP14NC60KD Hersteller : STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE78A9EB58B1E538745&compId=STGP14NC60KD.pdf?ci_sign=c4a0654f47e8bd067e74b7be74cd74f0a913b21f Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 14A; 80W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 14A
Power dissipation: 80W
Case: TO220AB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 50A
Mounting: THT
Gate charge: 34.4nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
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STGP14NC60KD STGP14NC60KD Hersteller : STMicroelectronics en.CD00058415.pdf IGBTs PowerMESH" IGBT
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STGP14NC60KD STGP14NC60KD Hersteller : STMicroelectronics en.CD00058415.pdf Description: IGBT 600V 25A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 37 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 7A
Supplier Device Package: TO-220
Td (on/off) @ 25°C: 22.5ns/116ns
Switching Energy: 82µJ (on), 155µJ (off)
Test Condition: 390V, 7A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 34.4 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 25 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 50 A
Power - Max: 80 W
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STGP14NC60KD STGP14NC60KD Hersteller : STMicroelectronics 10193667262203265.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 25A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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STGP14NC60KD STGP14NC60KD Hersteller : STMICROELECTRONICS SGST-S-A0003328372-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STGP14NC60KD - IGBT, 25 A, 2.5 V, 80 W, 600 V, TO-220, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.5V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80W
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 25A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 240 Stücke:
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STGP14NC60KD Hersteller : ST en.CD00058415.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 25A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220   STGP14NC60KD TSTGP14nc60kd
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STGP14NC60KD
Produktcode: 181150
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