STGP8NC60KD STMicroelectronics
Hersteller: STMicroelectronicsCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 8A; 65W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 8A
Power dissipation: 65W
Case: TO220AB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
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| Anzahl | Preis |
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Technische Details STGP8NC60KD STMicroelectronics
Description: IGBT 600V 15A TO-220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 23.5 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.75V @ 15V, 3A, Supplier Device Package: TO-220, Td (on/off) @ 25°C: 17ns/72ns, Switching Energy: 55µJ (on), 85µJ (off), Test Condition: 390V, 3A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 19 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 15 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A, Power - Max: 65 W.
Weitere Produktangebote STGP8NC60KD nach Preis ab 0.86 EUR bis 3.45 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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STGP8NC60KD | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 8A; 65W; TO220AB Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 8A Power dissipation: 65W Case: TO220AB Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 30A Mounting: THT Gate charge: 19nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 56 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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STGP8NC60KD | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: IGBT 600V 15A TO-220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 23.5 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.75V @ 15V, 3A Supplier Device Package: TO-220 Td (on/off) @ 25°C: 17ns/72ns Switching Energy: 55µJ (on), 85µJ (off) Test Condition: 390V, 3A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 19 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 15 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A Power - Max: 65 W |
auf Bestellung 844 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STGP8NC60KD | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STGP8NC60KD - IGBT, 15 A, 2.2 V, 65 W, 600 V, TO-220, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 65W Bauform - Transistor: TO-220 Dauerkollektorstrom: 15A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PowerMESH Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 57 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STGP8NC60KD Produktcode: 87249
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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule |
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STGP8NC60KD | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 7A 65000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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| STGP8NC60KD | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 7A 65000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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STGP8NC60KD | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 15A 65W 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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STGP8NC60KD | Hersteller : STMicroelectronics |
IGBTs N Ch 500V 0.21 15A Pwr MOSFET |
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