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STGP8NC60KD

STGP8NC60KD STMicroelectronics

stgp8nc60kd.pdf Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 8A; 65W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 8A
Power dissipation: 65W
Case: TO220AB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
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Technische Details STGP8NC60KD STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STGP8NC60KD - IGBT, 15 A, 2.2 V, 65 W, 600 V, TO-220, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 65W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: PowerMESH, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kontinuierlicher Kollektorstrom: 15A, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

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STGP8NC60KD STGP8NC60KD Hersteller : STMicroelectronics stgp8nc60kd.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 8A; 65W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 8A
Power dissipation: 65W
Case: TO220AB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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STGP8NC60KD STGP8NC60KD Hersteller : STMicroelectronics en.CD00171973.pdf Description: IGBT 600V 15A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 23.5 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.75V @ 15V, 3A
Supplier Device Package: TO-220
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/72ns
Switching Energy: 55µJ (on), 85µJ (off)
Test Condition: 390V, 3A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 19 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Power - Max: 65 W
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50+ 2.82 EUR
100+ 2.23 EUR
500+ 1.89 EUR
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STGP8NC60KD STGP8NC60KD Hersteller : STMicroelectronics stgb8nc60kd-1850658.pdf IGBT Transistors N Ch 500V 0.21 15A Pwr MOSFET
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Anzahl Preis ohne MwSt
15+3.54 EUR
19+ 2.86 EUR
100+ 2.25 EUR
500+ 1.91 EUR
1000+ 1.55 EUR
2000+ 1.46 EUR
5000+ 1.39 EUR
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STGP8NC60KD STGP8NC60KD Hersteller : STMICROELECTRONICS SGSTS31268-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STGP8NC60KD - IGBT, 15 A, 2.2 V, 65 W, 600 V, TO-220, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: PowerMESH
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 15A
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 1059 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
STGP8NC60KD STGP8NC60KD
Produktcode: 87249 		en.CD00171973.pdf Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
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STGP8NC60KD STGP8NC60KD Hersteller : STMicroelectronics cd0017197.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 7A 65000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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