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STGW60V60DF

STGW60V60DF

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Produktcode: 107771
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Hersteller:
Gehäuse: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung Vces, V: 600 В
Sättigungsspannung Vce, V: 2,15 В
Kollektorstrom Ic bei 25°C, A: 80 А
Kollektorstrom Ic bei 100°C, A: 60 А
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
STGW60V60DF STGW60V60DF STMicroelectronics stgw60v60df.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 15510 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
600+3 EUR
Mindestbestellmenge: 600 Stücke
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STGW60V60DF STGW60V60DF STMicroelectronics stgw60v60df.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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STGW60V60DF STGW60V60DF STMicroelectronics en.DM00074810.pdf Description: IGBT TRENCH FS 600V 80A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 74 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 60ns/208ns
Switching Energy: 750µJ (on), 550µJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 334 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Power - Max: 375 W
auf Bestellung 512 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.54 EUR
30+4.76 EUR
120+3.93 EUR
510+3.32 EUR
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STGW60V60DF STGW60V60DF STMicroelectronics en.DM00074810.pdf IGBTs 600V 60A High Speed Trench Gate IGBT
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1+9.12 EUR
10+5.09 EUR
100+4.19 EUR
600+3.53 EUR
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STGW60V60DF STGW60V60DF STMICROELECTRONICS SGST-S-A0002499399-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STGW60V60DF - IGBT, 80 A, 1.85 V, 375 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: V
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1299 Stücke:
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22+11.4 EUR
40+5.89 EUR
100+5.36 EUR
500+5.3 EUR
1000+5.2 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
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Hersteller: STMicroelectronics
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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Hersteller: STMicroelectronics
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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Hersteller: STMicroelectronics
Description: IGBT TRENCH FS 600V 80A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 74 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 60ns/208ns
Switching Energy: 750µJ (on), 550µJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 334 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Power - Max: 375 W
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Hersteller: STMicroelectronics
IGBTs 600V 60A High Speed Trench Gate IGBT
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STGW60V60DF
Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STGW60V60DF - IGBT, 80 A, 1.85 V, 375 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: V
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
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Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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10uF 400V EHR 10x21mm (EHR100M2GBA-Hitano)
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Kapazität: 10 µF
Nennspannung: 400 В
Reihe: EHR
Typ: Allzweck, breiter Temperaturbereich, 105°C
Temperaturbereich: -25...+105°C
Abmessungen: 10x21 mm
Lebensdauer: 2000 Stunden
auf Bestellung 685 St.:
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2000 St. - erwartet
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10uF 63V EXR 5x11mm (EXR100M63B-Hitano) (Elektrolytkondensator)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 10 µF
Nennspannung: 63 V
Reihe: EXR
Typ: niedrige Impedanz
Temperaturbereich: -40...+105°C
Abmessungen: 5x11 mm
Lebensdauer: 5000 Stunden
auf Bestellung 40 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 10015 St.:
10000 St. - erwartet 29.10.2026
AnzahlPrivatkunde
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10+0.26 EUR
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SUD50N03-10
Produktcode: 36248
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sud50n03-10.pdf
SUD50N03-10
Hersteller: Vishay
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D-Pak (TO-252)
Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 V
Drain-Strom Idd, A: 15 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,01 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 3200/55
Montage: SMD
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AnzahlPrivatkunde
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10+1 EUR
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100uF 16V EHR 5x11mm (EHR101M16B-Hitano) (Elektrolytkondensator)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 100 µF
Nennspannung: 16 V
Reihe: EHR
Typ: Allzweck, breiter Temperaturbereich, 105°C
Temperaturbereich: -40...+105°C
Abmessungen: 5x11 mm
Lebensdauer: 2000 Stunden
Zolltarifnummer: 8532 22 00 00
verfügbar: 2133 St.
  • 1982 St. - stock Köln
  • 151 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
erwartet: 10000 St.
  • 10000 St. - erwartet 10.08.2026
AnzahlPrivatkunde
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10+0.036 EUR
100+0.02 EUR
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Reihe: EHR
Typ: Allzweck, breiter Temperaturbereich, 105°C
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Abmessungen: 8x12 mm
Lebensdauer: 2000 Stunden
Zolltarifnummer: 8532 22 00 00
verfügbar: 2314 St.
  • 150 St. - stock Köln
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erwartet: 10000 St.
  • 10000 St. - erwartet
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