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STGW60V60DF

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stgw60v60df.pdf
Produktcode: 107771
Hersteller:
Gehäuse: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 2,15 V
Ic 25: 80 A
Ic 100: 60 A
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STGW60V60DF STGW60V60DF Hersteller : STMicroelectronics 218687883733406dm000.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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24+6.57 EUR
25+ 6.26 EUR
30+ 5 EUR
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250+ 3.92 EUR
600+ 3.45 EUR
Mindestbestellmenge: 24
STGW60V60DF STGW60V60DF Hersteller : STMicroelectronics 218687883733406dm000.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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STGW60V60DF STGW60V60DF Hersteller : STMicroelectronics STGW60V60DF.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 375W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 60A
Power dissipation: 375W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 240A
Mounting: THT
Gate charge: 334nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Anzahl Preis ohne MwSt
9+8.11 EUR
11+ 6.92 EUR
15+ 5.02 EUR
16+ 4.73 EUR
Mindestbestellmenge: 9
STGW60V60DF STGW60V60DF Hersteller : STMicroelectronics STGW60V60DF.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 375W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 60A
Power dissipation: 375W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 240A
Mounting: THT
Gate charge: 334nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
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STGW60V60DF STGW60V60DF Hersteller : STMicroelectronics stgw60v60df-1850726.pdf IGBT Transistors 600V 60A High Speed Trench Gate IGBT
auf Bestellung 901 Stücke:
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5+11.41 EUR
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250+ 7.57 EUR
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1200+ 6.45 EUR
Mindestbestellmenge: 5
STGW60V60DF STGW60V60DF Hersteller : STMicroelectronics en.DM00074810.pdf Description: IGBT 600V 80A 375W TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 74 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 60ns/208ns
Switching Energy: 750µJ (on), 550µJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 334 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Power - Max: 375 W
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2+13.16 EUR
30+ 10.43 EUR
120+ 8.94 EUR
510+ 7.95 EUR
1020+ 6.8 EUR
2010+ 6.41 EUR
Mindestbestellmenge: 2
STGW60V60DF STGW60V60DF Hersteller : STMicroelectronics 218687883733406dm000.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 375000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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STGW60V60DF STGW60V60DF Hersteller : STMicroelectronics 218687883733406dm000.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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STGW60V60DF STGW60V60DF Hersteller : STMICROELECTRONICS SGST-S-A0002499399-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STGW60V60DF - IGBT, 80 A, 1.85 V, 375 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: V
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
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STGW60V60DF STGW60V60DF Hersteller : STMicroelectronics 218687883733406dm000.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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STGW60V60DF en.DM00074810.pdf
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STGW60V60DF Hersteller : STMicroelectronics 218687883733406dm000.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 375000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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