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STGW60V60DF

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stgw60v60df.pdf
Produktcode: 107771
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Hersteller:
Gehäuse: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 2,15 V
Ic 25: 80 A
Ic 100: 60 A
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STGW60V60DF STGW60V60DF Hersteller : STMicroelectronics stgw60v60df.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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STGW60V60DF STGW60V60DF Hersteller : STMicroelectronics stgw60v60df.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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STGW60V60DF STGW60V60DF Hersteller : STMicroelectronics STGW60V60DF.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 375W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 60A
Power dissipation: 375W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 240A
Mounting: THT
Gate charge: 334nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
auf Bestellung 22 Stücke:
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STGW60V60DF STGW60V60DF Hersteller : STMicroelectronics en.DM00074810.pdf Description: IGBT TRENCH FS 600V 80A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 74 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 60ns/208ns
Switching Energy: 750µJ (on), 550µJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 334 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Power - Max: 375 W
auf Bestellung 512 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+7.18 EUR
30+4 EUR
120+3.3 EUR
510+2.79 EUR
Mindestbestellmenge: 3
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STGW60V60DF STGW60V60DF Hersteller : STMicroelectronics en.DM00074810.pdf IGBTs 600V 60A High Speed Trench Gate IGBT
auf Bestellung 998 Stücke:
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10+4.28 EUR
100+3.52 EUR
600+3.24 EUR
1200+2.69 EUR
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STGW60V60DF STGW60V60DF Hersteller : STMICROELECTRONICS SGST-S-A0002499399-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STGW60V60DF - IGBT, 80 A, 1.85 V, 375 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: V
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1299 Stücke:
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STGW60V60DF Hersteller : STM en.DM00074810.pdf IGBT Trench Field Stop 600V 80A 375W Through Hole TO-247 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
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Kapazität: 10 µF
Nennspannung: 400 V
Reihe: EHR
Temp.Bereich: загального призначення з широким діапазоном температур 105С
Abmessungen: -25...+105°C
Lebensdauer: 10х21mm
№ 8: 2000 годин
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Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 10uF
Nennspannung: 63V
Reihe: EXR-niedrige impedance
Temp.Bereich: -40...+105°C
Abmessungen: 5x11mm
Lebensdauer: 5000 Stunden
№ 8: 5000 годин
auf Bestellung 542 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SUD50N03-10
Hersteller: Vishay
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D-Pak
Uds,V: 30
Idd,A: 15
Rds(on), Ohm: 01.01.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 3200/55
JHGF: SMD
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Kapazität: 100uF
Nennspannung: 16V
Reihe: EHR
Temp.Bereich: -40...+105°C
Abmessungen: 5x11mm
Lebensdauer: 5х11mm
№ 8: 2000 годин
8532 22 00 00
verfügbar: 2052 St.
1982 St. - stock Köln
70 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
erwartet: 10000 St.
10000 St. - erwartet 10.08.2026
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Kapazität: 220uF
Nennspannung: 25V
Reihe: EHR
Temp.Bereich: -40...+105°C
Abmessungen: 8x12mm
Lebensdauer: 8х12mm
№ 8: 2000 годин
8532 22 00 00
verfügbar: 4560 St.
150 St. - stock Köln
4410 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
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