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STGW60V60DF

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stgw60v60df.pdf
Produktcode: 107771
Hersteller:
Gehäuse: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 2,15 V
Ic 25: 80 A
Ic 100: 60 A
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STGW60V60DF STGW60V60DF Hersteller : STMicroelectronics 218687883733406dm000.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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600+2.24 EUR
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STGW60V60DF STGW60V60DF Hersteller : STMicroelectronics 218687883733406dm000.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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600+2.32 EUR
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STGW60V60DF STGW60V60DF Hersteller : STMicroelectronics 218687883733406dm000.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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20+7.18 EUR
36+3.82 EUR
100+3.11 EUR
250+2.60 EUR
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STGW60V60DF STGW60V60DF Hersteller : STMicroelectronics 218687883733406dm000.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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250+2.58 EUR
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STGW60V60DF STGW60V60DF Hersteller : STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7899EA6D8C607C745&compId=STGW60V60DF.pdf?ci_sign=35b7cf364427073e4df7a683963fd9e46492178d Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 375W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 60A
Power dissipation: 375W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 240A
Mounting: THT
Gate charge: 334nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
9+8.11 EUR
11+6.92 EUR
15+5.02 EUR
16+4.75 EUR
30+4.73 EUR
Mindestbestellmenge: 9
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STGW60V60DF STGW60V60DF Hersteller : STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7899EA6D8C607C745&compId=STGW60V60DF.pdf?ci_sign=35b7cf364427073e4df7a683963fd9e46492178d Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 375W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 60A
Power dissipation: 375W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 240A
Mounting: THT
Gate charge: 334nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
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STGW60V60DF STGW60V60DF Hersteller : STMicroelectronics en.DM00074810.pdf Description: IGBT TRENCH FS 600V 80A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 74 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 60ns/208ns
Switching Energy: 750µJ (on), 550µJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 334 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Power - Max: 375 W
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3+8.40 EUR
30+4.73 EUR
120+3.92 EUR
510+3.33 EUR
1020+3.17 EUR
Mindestbestellmenge: 3
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STGW60V60DF STGW60V60DF Hersteller : STMicroelectronics stgw60v60df-1850726.pdf IGBTs 600V 60A High Speed Trench Gate IGBT
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1+8.75 EUR
10+8.69 EUR
25+4.98 EUR
100+4.19 EUR
250+3.59 EUR
600+3.57 EUR
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STGW60V60DF STGW60V60DF Hersteller : STMicroelectronics 218687883733406dm000.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 375000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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STGW60V60DF STGW60V60DF Hersteller : STMICROELECTRONICS SGST-S-A0002499399-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STGW60V60DF - IGBT, 80 A, 1.85 V, 375 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: V
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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STGW60V60DF Hersteller : STMicroelectronics 218687883733406dm000.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 375000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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