STGW60V60F STMicroelectronics
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Technische Details STGW60V60F STMicroelectronics
Description: IGBT 600V 80A 375W TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 60A, Supplier Device Package: TO-247-3, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 60ns/208ns, Switching Energy: 750µJ (on), 550µJ (off), Test Condition: 400V, 60A, 4.7Ohm, 15V, Gate Charge: 334 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A, Power - Max: 375 W.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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STGW60V60F | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
 Description: STMICROELECTRONICS - STGW60V60F - IGBT, 80 A, 1.85 V, 375 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: 600V V Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A |
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STGW60V60F Produktcode: 166133 |
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule |
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STGW60V60F | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 375000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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STGW60V60F | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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| STGW60V60F | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 375000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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| STGW60V60F | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 375W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 60A Power dissipation: 375W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 240A Mounting: THT Gate charge: 334nC Kind of package: tube Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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STGW60V60F | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: IGBT 600V 80A 375W TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 60A Supplier Device Package: TO-247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 60ns/208ns Switching Energy: 750µJ (on), 550µJ (off) Test Condition: 400V, 60A, 4.7Ohm, 15V Gate Charge: 334 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A Power - Max: 375 W |
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| STGW60V60F | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 375W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 60A Power dissipation: 375W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 240A Mounting: THT Gate charge: 334nC Kind of package: tube |
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