STN4NF03L (ST)
Produktcode: 14725
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Lieblingsprodukt
Hersteller: ST
Gehäuse: SOT-223
Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 V
Drain-Strom Idd, A: 6,5 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,039 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 330/6,5
Montage: SMD
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Weitere Produktangebote STN4NF03L (ST) nach Preis ab 0.35 EUR bis 2.24 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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STN4NF03L | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 30V 6.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
auf Bestellung 56000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STN4NF03L | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 30V 6.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
auf Bestellung 56000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STN4NF03L | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 30V 6.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
auf Bestellung 24000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STN4NF03L | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 30V 6.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
auf Bestellung 24000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STN4NF03L | STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 30V 6.5A SOT223Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 3.3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V |
auf Bestellung 8000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STN4NF03L | STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4.5A; 3.3W; SOT223; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 4.5A Power dissipation: 3.3W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 60mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD |
auf Bestellung 2124 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STN4NF03L | STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 30 Volt 6.5 Amp |
auf Bestellung 6636 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STN4NF03L | STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 30V 6.5A SOT223Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 3.3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V |
auf Bestellung 8364 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STN4NF03L | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 30V 6.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
auf Bestellung 22 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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STN4NF03L | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STN4NF03L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6.5 A, 0.05 ohm, SOT-223, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.3W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 1169 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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STN4NF03L | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STN4NF03L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6.5 A, 0.05 ohm, SOT-223, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.3W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 1169 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STN4NF03L | ST |
Tranzystor N-MOSFET; 30V; 16V; 60mOhm; 6,5A; 3,3W; -55°C ~ 150°C; HSL3002; STN4NF03L-VB; STN4NF03L; STN4NF03L TSTN4NF03LAnzahl je Verpackung: 50 Stücke |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| STN4NF03L |
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auf Bestellung 799 Stücke: Lieferzeit 7-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| STN4NF03L | STMicroelectronics |
N-канальный ПТ, Udss, В = 30, Id = 6,5 А, Ptot, Вт = 3,3, Тип монт. = smd, Qg, нКл = 9, Rds = 50 мОм @ 2 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 10 D, Входная ёмкость = 330 пФ @ 25 В,... Транзистори Корпус: SOT-223 Од. вим: штAnzahl je Verpackung: 4000 Stücke |
verfügbar 1584 Stücke: |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| STN4NF03L |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 30V 6.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 6.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 56000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 4000+ | 0.42 EUR |
| 8000+ | 0.37 EUR |
| 24000+ | 0.35 EUR |
| STN4NF03L |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 30V 6.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 6.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 56000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 4000+ | 0.42 EUR |
| 8000+ | 0.38 EUR |
| 24000+ | 0.36 EUR |
| STN4NF03L |
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Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 30V 6.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 6.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 4000+ | 0.49 EUR |
| 8000+ | 0.44 EUR |
| 24000+ | 0.42 EUR |
| STN4NF03L |
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Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 30V 6.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 6.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 4000+ | 0.49 EUR |
| 8000+ | 0.44 EUR |
| 24000+ | 0.4 EUR |
| STN4NF03L |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 30V 6.5A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 30V 6.5A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 4000+ | 0.55 EUR |
| 8000+ | 0.51 EUR |
| STN4NF03L |
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Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4.5A; 3.3W; SOT223; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4.5A
Power dissipation: 3.3W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4.5A; 3.3W; SOT223; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4.5A
Power dissipation: 3.3W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
auf Bestellung 2124 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 120+ | 0.71 EUR |
| 138+ | 0.62 EUR |
| 151+ | 0.57 EUR |
| 182+ | 0.46 EUR |
| 193+ | 0.44 EUR |
| 250+ | 0.42 EUR |
| 500+ | 0.39 EUR |
| STN4NF03L |
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Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 30 Volt 6.5 Amp
MOSFETs N-Ch 30 Volt 6.5 Amp
auf Bestellung 6636 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 2.23 EUR |
| 10+ | 1.33 EUR |
| 100+ | 0.93 EUR |
| 500+ | 0.71 EUR |
| 1000+ | 0.65 EUR |
| 2000+ | 0.6 EUR |
| 4000+ | 0.51 EUR |
| STN4NF03L |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 30V 6.5A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 30V 6.5A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V
auf Bestellung 8364 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 10+ | 2.24 EUR |
| 15+ | 1.4 EUR |
| 100+ | 0.93 EUR |
| 500+ | 0.71 EUR |
| 1000+ | 0.65 EUR |
| 2000+ | 0.6 EUR |
| STN4NF03L |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 30V 6.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 6.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 22 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| STN4NF03L |
![]() |
Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STN4NF03L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6.5 A, 0.05 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: STMICROELECTRONICS - STN4NF03L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6.5 A, 0.05 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1169 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| STN4NF03L |
![]() |
Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STN4NF03L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6.5 A, 0.05 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: STMICROELECTRONICS - STN4NF03L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6.5 A, 0.05 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1169 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| STN4NF03L |
![]() |
Hersteller: ST
Tranzystor N-MOSFET; 30V; 16V; 60mOhm; 6,5A; 3,3W; -55°C ~ 150°C; HSL3002; STN4NF03L-VB; STN4NF03L; STN4NF03L TSTN4NF03L
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
Tranzystor N-MOSFET; 30V; 16V; 60mOhm; 6,5A; 3,3W; -55°C ~ 150°C; HSL3002; STN4NF03L-VB; STN4NF03L; STN4NF03L TSTN4NF03L
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 50+ | 0.89 EUR |
| STN4NF03L |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
N-канальный ПТ, Udss, В = 30, Id = 6,5 А, Ptot, Вт = 3,3, Тип монт. = smd, Qg, нКл = 9, Rds = 50 мОм @ 2 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 10 D, Входная ёмкость = 330 пФ @ 25 В,... Транзистори Корпус: SOT-223 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
N-канальный ПТ, Udss, В = 30, Id = 6,5 А, Ptot, Вт = 3,3, Тип монт. = smd, Qg, нКл = 9, Rds = 50 мОм @ 2 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 10 D, Входная ёмкость = 330 пФ @ 25 В,... Транзистори Корпус: SOT-223 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
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| 10 kOhm 1% 0,125W 150V 0805 (RC0805FR-0710KL /Yageo) Produktcode: 82544
4
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: Yageo
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 0805
Nennwert: 10 kOhm
Toleranz: ±1% F
P Nenn., W: 0,125 W
U Betrieb, V: 150 V
Bauform: 0805
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 0805
Nennwert: 10 kOhm
Toleranz: ±1% F
P Nenn., W: 0,125 W
U Betrieb, V: 150 V
Bauform: 0805
auf Bestellung 270441 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Kontakt für HU-xx (KLS1-2.54-T, 2542-TL) Produktcode: 8246
13
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: KLS
Steckverbinder, Reihenklemmen > Kleinleistungs Steckverbinder
Beschreibung: Kontakt für Steckverbinder mit Rastermaß 2,54mm auf Draht: 22-28AWG
Stecker/Buchse: Kontakt / Aderendhülse
Anzahl Kontakte: -
Kontaktabstand: 2,54 mm
Steckverbinder-Serie: Kontakt für HU
Montage: auf Draht
Steckverbinder, Reihenklemmen > Kleinleistungs Steckverbinder
Beschreibung: Kontakt für Steckverbinder mit Rastermaß 2,54mm auf Draht: 22-28AWG
Stecker/Buchse: Kontakt / Aderendhülse
Anzahl Kontakte: -
Kontaktabstand: 2,54 mm
Steckverbinder-Serie: Kontakt für HU
Montage: auf Draht
verfügbar: 35 St.
erwartet: 100000 St.
- 100000 St. - erwartet 22.10.2026
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 0.024 EUR |
| NE555P Produktcode: 26138
8
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: TI
IC > IC Timer
Gehäuse: DIP-8
Beschreibung: Timer; 1 Ausgang; 4.5...16 V; 500 kHz
Temperaturbereich: 0...+70°C
IC > IC Timer
Gehäuse: DIP-8
Beschreibung: Timer; 1 Ausgang; 4.5...16 V; 500 kHz
Temperaturbereich: 0...+70°C
verfügbar: 2984 St.
- 198 St. - stock Köln
- 2786 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 0.6 EUR |
| 10+ | 0.29 EUR |
| 100+ | 0.18 EUR |
| 1000+ | 0.14 EUR |
| IRLML0030TRPBF Produktcode: 37076
7
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Lieblingsprodukt
|
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Hersteller: Infineon
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-23
Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 V
Drain-Strom Idd, A: 5,3 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,027 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 382/2,6
Bemerkung: Logikpegelsteuerung
Montage: SMD
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-23
Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 V
Drain-Strom Idd, A: 5,3 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,027 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 382/2,6
Bemerkung: Logikpegelsteuerung
Montage: SMD
verfügbar: 3033 St.
- 60 St. - stock Köln
- 2973 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 0.11 EUR |
| 10+ | 0.095 EUR |
| IRFML8244TRPBF Produktcode: 94121
1
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Lieblingsprodukt
|
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Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-23
Drain-Source-Spannung Uds, V: 25 V
Drain-Strom Idd, A: 4,6 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 24 mOhm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 430/5,4
Montage: SMD
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-23
Drain-Source-Spannung Uds, V: 25 V
Drain-Strom Idd, A: 4,6 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 24 mOhm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 430/5,4
Montage: SMD
auf Bestellung 2583 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 0.12 EUR |
| 10+ | 0.095 EUR |











