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STP6NK90ZFP

STP6NK90ZFP

STP6NK90Z.pdf
Produktcode: 3320
Hersteller: ST
Gehäuse: TO-220FP
Uds,V: 900
Idd,A: 05.08.2015
Rds(on), Ohm: 1.56 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 1350/17
Bem.: Ізольований корпус
JHGF: THT
ZCODE: 8541290010
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Technische Details STP6NK90ZFP ST

  • MOSFET, N, TO-220FP
  • Transistor Type:MOSFET
  • Transistor Polarity:N
  • Typ Voltage Vds:900V
  • Cont Current Id:5.8A
  • On State Resistance:2ohm
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
  • Typ Voltage Vgs th:3.75V
  • Case Style:TO-220FP
  • Termination Type:Through Hole
  • Avalanche Single Pulse Energy Eas:300mJ
  • Current Iar:5.8A
  • Max Voltage Vds:900V
  • Max Voltage Vgs:30V
  • Max Voltage Vgs th:4.5V
  • Min Voltage Vgs th:3V
  • On State resistance @ Vgs = 10V:2ohm
  • Power Dissipation:30W
  • Power Dissipation Pd:30W
  • Pulse Current Idm:23.2A
  • Rds Measurement Voltage:10V
  • Typ Capacitance Ciss:1350pF
  • Voltage Vds:900V
  • Transistor Case Style:TO-220FP

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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STP6NK90ZFP STP6NK90ZFP Hersteller : STMicroelectronics en.cd00003175.pdf Trans MOSFET N-CH 900V 5.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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STP6NK90ZFP STP6NK90ZFP Hersteller : STMicroelectronics STP6NK90Z.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 3.65A; 30W; TO220FP; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 3.65A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
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STP6NK90ZFP STP6NK90ZFP Hersteller : STMicroelectronics en.CD00003175.pdf Description: MOSFET N-CH 900V 5.8A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 25 V
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Mindestbestellmenge: 3
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STP6NK90ZFP STP6NK90ZFP Hersteller : STMICROELECTRONICS SGST-S-A0004683653-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STP6NK90ZFP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 5.8 A, 1.56 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.56ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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STP6NK90ZFP Hersteller : ST en.CD00003175.pdf N-MOSFET 5,8A 900V 30W STP6NK90ZFP TSTP6NK90ZFP
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STP6NK90ZFP STP6NK90ZFP Hersteller : STMicroelectronics en.CD00003175.pdf MOSFETs N-Ch, 900V-1.56ohms Zener SuperMESH 5.8A
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IRF3205PBF Infineon (IR) N-Leistungs-MOSFET Transistor 200W 55V 110A 8mΩ
Produktcode: 25094
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description
IRF3205PBF Infineon (IR) N-Leistungs-MOSFET Transistor 200W 55V 110A 8mΩ
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Idd,A: 75
Rds(on), Ohm: 0.0065
Ciss, pF/Qg, nC: 3450/76
JHGF: THT
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1N4007
Produktcode: 176822
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1N4001-ds.PDF
1N4007
Hersteller: MIC
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden
Gehäuse: DO-41
Urev.,V: 1000 V
Iausricht.,А: 1 A
Beschreibung: Випрямний
Монтаж: THT
Падіння напруги Vf: 1,1 V
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Sicherung mit den Schlussfolgerungen 3А (KLS5-1005-3000, 32NM-030H), schnell
Produktcode: 3457
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31nm.JPG
Sicherung mit den Schlussfolgerungen 3А (KLS5-1005-3000, 32NM-030H), schnell
Hersteller: Hollyland
Sicherungen > Schmelzsicherungen
Funktionsbeschreibung: Schmelzsicherungen mit axialen Anschlüssen in Glas schnell 3,0А 250V 4х11m
Nennstrom, А: 3A
Größe: 4x11mm; D-Schlussflg.=0,6mm
Bemerkung: З виводами
Матеріал корпуса: Скло
Номінальна напруга: 250 VAC
Швидкодія: Швидкий
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1000uF 35V EXR 13x26mm (low imp.) (EXR102M35B-Hitano) (Elektrolytkondensator niedrige Impedanz)
Produktcode: 2455
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EXR_080421.pdf
1000uF 35V EXR 13x26mm (low imp.) (EXR102M35B-Hitano) (Elektrolytkondensator niedrige Impedanz)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 1000uF
Nennspannung: 35V
Reihe: EXR-niedrige Impedanz
Temp.Bereich: -40...+105°C
Abmessungen: 13x26mm
Lebensdauer: 5000 Stunden
№ 8: 5000 годин
8532 22 00 00
verfügbar: 3876 St.
39 St. - stock Köln
3837 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
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330uF 35V EXR 10x16mm (EXR331M35B-Hitano)
Produktcode: 2425
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EXR_080421.pdf
330uF 35V EXR 10x16mm (EXR331M35B-Hitano)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 330uF
Nennspannung: 35V
Reihe: EXR-niedrige Impedanz
Temp.Bereich: -40...+105°C
Abmessungen: 10x16mm
Lebensdauer: 5000 Stunden
№ 8: 5000 годин
8532 22 00 00
auf Bestellung 5139 St.:
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100+0.094 EUR
1000+0.081 EUR
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