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STP6NK90ZFP

STP6NK90ZFP

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Produktcode: 3320
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Hersteller: ST
Gehäuse: TO-220FP
Uds,V: 900
Idd,A: 05.08.2015
Rds(on), Ohm: 1.56 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 1350/17
Bem.: Ізольований корпус
JHGF: THT
ZCODE: 8541290010
verfügbar: 6 St.
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    Technische Details STP6NK90ZFP ST

    • MOSFET, N, TO-220FP
    • Transistor Type:MOSFET
    • Transistor Polarity:N
    • Typ Voltage Vds:900V
    • Cont Current Id:5.8A
    • On State Resistance:2ohm
    • Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
    • Typ Voltage Vgs th:3.75V
    • Case Style:TO-220FP
    • Termination Type:Through Hole
    • Avalanche Single Pulse Energy Eas:300mJ
    • Current Iar:5.8A
    • Max Voltage Vds:900V
    • Max Voltage Vgs:30V
    • Max Voltage Vgs th:4.5V
    • Min Voltage Vgs th:3V
    • On State resistance @ Vgs = 10V:2ohm
    • Power Dissipation:30W
    • Power Dissipation Pd:30W
    • Pulse Current Idm:23.2A
    • Rds Measurement Voltage:10V
    • Typ Capacitance Ciss:1350pF
    • Voltage Vds:900V
    • Transistor Case Style:TO-220FP

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    Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
    STP6NK90ZFP STP6NK90ZFP STMicroelectronics en.cd00003175.pdf description Trans MOSFET N-CH 900V 5.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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    STP6NK90ZFP STP6NK90ZFP STMicroelectronics en.cd00003175.pdf description Trans MOSFET N-CH 900V 5.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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    STP6NK90ZFP STP6NK90ZFP STMicroelectronics en.cd00003175.pdf description Trans MOSFET N-CH 900V 5.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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    STP6NK90ZFP STP6NK90ZFP STMicroelectronics en.cd00003175.pdf description Trans MOSFET N-CH 900V 5.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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    STP6NK90ZFP STP6NK90ZFP STMicroelectronics en.cd00003175.pdf description Trans MOSFET N-CH 900V 5.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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    STP6NK90ZFP STP6NK90ZFP STMicroelectronics STP6NK90Z.pdf description Category: THT N channel transistors
    Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 3.65A; 30W; TO220FP; ESD
    Type of transistor: N-MOSFET
    Technology: SuperMesh™
    Polarisation: unipolar
    Drain-source voltage: 900V
    Drain current: 3.65A
    Power dissipation: 30W
    Case: TO220FP
    Gate-source voltage: ±30V
    On-state resistance: 2Ω
    Mounting: THT
    Kind of package: tube
    Kind of channel: enhancement
    Version: ESD
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    STP6NK90ZFP STP6NK90ZFP STMicroelectronics en.CD00003175.pdf description Description: MOSFET N-CH 900V 5.8A TO220FP
    Packaging: Tube
    Package / Case: TO-220-3 Full Pack
    Mounting Type: Through Hole
    Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    FET Type: N-Channel
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Tc)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 2.9A, 10V
    Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
    Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
    Supplier Device Package: TO-220FP
    Part Status: Active
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    Vgs (Max): ±30V
    Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60.5 nC @ 10 V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 25 V
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    STP6NK90ZFP STP6NK90ZFP STMicroelectronics en.CD00003175.pdf description MOSFETs N-Ch, 900V-1.56ohms Zener SuperMESH 5.8A
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    STP6NK90ZFP STP6NK90ZFP STMICROELECTRONICS SGST-S-A0004683653-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: STMICROELECTRONICS - STP6NK90ZFP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 5.8 A, 1.56 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
    tariffCode: 85412900
    Transistormontage: Durchsteckmontage
    Drain-Source-Spannung Vds: 900V
    rohsCompliant: YES
    Dauer-Drainstrom Id: 5.8A
    hazardous: false
    rohsPhthalatesCompliant: YES
    Qualifikation: -
    isCanonical: Y
    MSL: -
    usEccn: EAR99
    Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
    euEccn: NLR
    Verlustleistung: 30W
    Bauform - Transistor: TO-220FP
    Anzahl der Pins: 3Pin(s)
    Produktpalette: -
    productTraceability: No
    Kanaltyp: n-Kanal
    Rds(on)-Prüfspannung: 10V
    Betriebstemperatur, max.: 150°C
    Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.56ohm
    SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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    STP6NK90ZFP ST en.CD00003175.pdf description N-MOSFET 5,8A 900V 30W STP6NK90ZFP TSTP6NK90ZFP
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    Hersteller: STMicroelectronics
    Trans MOSFET N-CH 900V 5.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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    STP6NK90ZFP
    Hersteller: STMicroelectronics
    Trans MOSFET N-CH 900V 5.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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    Hersteller: STMicroelectronics
    Trans MOSFET N-CH 900V 5.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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    Hersteller: STMicroelectronics
    Category: THT N channel transistors
    Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 3.65A; 30W; TO220FP; ESD
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    STP6NK90ZFP
    Hersteller: STMicroelectronics
    Description: MOSFET N-CH 900V 5.8A TO220FP
    Packaging: Tube
    Package / Case: TO-220-3 Full Pack
    Mounting Type: Through Hole
    Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
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    STP6NK90ZFP
    Hersteller: STMicroelectronics
    MOSFETs N-Ch, 900V-1.56ohms Zener SuperMESH 5.8A
    auf Bestellung 1979 Stücke:
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    STP6NK90ZFP
    Hersteller: STMICROELECTRONICS
    Description: STMICROELECTRONICS - STP6NK90ZFP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 5.8 A, 1.56 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
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    Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
    euEccn: NLR
    Verlustleistung: 30W
    Bauform - Transistor: TO-220FP
    Anzahl der Pins: 3Pin(s)
    Produktpalette: -
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    Kanaltyp: n-Kanal
    Rds(on)-Prüfspannung: 10V
    Betriebstemperatur, max.: 150°C
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    Hersteller: ST
    N-MOSFET 5,8A 900V 30W STP6NK90ZFP TSTP6NK90ZFP
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    		description
    IRF3205PBF Infineon (IR) N-Leistungs-MOSFET Transistor 200W 55V 110A 8mΩ
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    Uds,V: 55
    Idd,A: 75
    Rds(on), Ohm: 0.0065
    Ciss, pF/Qg, nC: 3450/76
    JHGF: THT
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    1N4007
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    Urev.,V: 1000 V
    Iausricht.,А: 1 A
    Beschreibung: Випрямний
    Монтаж: THT
    Падіння напруги Vf: 1,1 V
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    Produktcode: 197873
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    Sperrspannung Vrr, V: 1200 V
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    Sperrverzögerungszeit Trr, ns: 55 ns
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    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    1000uF 35V EXR 13x26mm (low imp.) (EXR102M35B-Hitano) (Elektrolytkondensator niedrige Impedanz)
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    1000uF 35V EXR 13x26mm (low imp.) (EXR102M35B-Hitano) (Elektrolytkondensator niedrige Impedanz)
    Hersteller: Hitano
    Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
    Kapazität: 1000uF
    Nennspannung: 35V
    Reihe: EXR-niedrige Impedanz
    Temp.Bereich: -40...+105°C
    Abmessungen: 13x26mm
    Lebensdauer: 5000 Stunden
    № 8: 5000 годин
    8532 22 00 00
    verfügbar: 57 St.
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