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STP6NK90ZFP

STP6NK90ZFP

STP6NK90Z.pdf
Produktcode: 3320
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Hersteller: ST
Gehäuse: TO-220FP
Drain-Source-Spannung Uds, V: 900 V
Drain-Strom Idd, A: 5,8 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 1,56 mOhm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1350/17
Bemerkung: Isoliertes Gehäuse
Montage: THT
ZCODE: 8541290010
verfügbar: 6 St.
  • 6 St. - stock Köln
AnzahlPrivatkunde
1+4.12 EUR
10+3.8 EUR
100+3.49 EUR
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Technische Details STP6NK90ZFP ST

  • MOSFET, N, TO-220FP
  • Transistor Type:MOSFET
  • Transistor Polarity:N
  • Typ Voltage Vds:900V
  • Cont Current Id:5.8A
  • On State Resistance:2ohm
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
  • Typ Voltage Vgs th:3.75V
  • Case Style:TO-220FP
  • Termination Type:Through Hole
  • Avalanche Single Pulse Energy Eas:300mJ
  • Current Iar:5.8A
  • Max Voltage Vds:900V
  • Max Voltage Vgs:30V
  • Max Voltage Vgs th:4.5V
  • Min Voltage Vgs th:3V
  • On State resistance @ Vgs = 10V:2ohm
  • Power Dissipation:30W
  • Power Dissipation Pd:30W
  • Pulse Current Idm:23.2A
  • Rds Measurement Voltage:10V
  • Typ Capacitance Ciss:1350pF
  • Voltage Vds:900V
  • Transistor Case Style:TO-220FP

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
STP6NK90ZFP STP6NK90ZFP STMicroelectronics en.cd00003175.pdf description Trans MOSFET N-CH 900V 5.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
69+2.53 EUR
Mindestbestellmenge: 69 Stücke
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STP6NK90ZFP STP6NK90ZFP STMicroelectronics en.cd00003175.pdf description Trans MOSFET N-CH 900V 5.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
67+2.59 EUR
100+2.44 EUR
Mindestbestellmenge: 67 Stücke
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STP6NK90ZFP STP6NK90ZFP STMicroelectronics en.cd00003175.pdf description Trans MOSFET N-CH 900V 5.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
226+2.89 EUR
500+2.7 EUR
1000+2.5 EUR
Mindestbestellmenge: 226 Stücke
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STP6NK90ZFP STP6NK90ZFP STMicroelectronics en.cd00003175.pdf description Trans MOSFET N-CH 900V 5.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 5229 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+3.39 EUR
100+3 EUR
500+2.39 EUR
1000+2.26 EUR
2000+2.07 EUR
5000+1.94 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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STP6NK90ZFP STP6NK90ZFP STMicroelectronics en.cd00003175.pdf description Trans MOSFET N-CH 900V 5.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 5224 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+3.45 EUR
100+3.11 EUR
500+2.51 EUR
1000+2.44 EUR
2000+2.3 EUR
5000+2.19 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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STP6NK90ZFP STP6NK90ZFP STMicroelectronics STP6NK90Z.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 3.65A; 30W; TO220FP; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 3.65A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
auf Bestellung 172 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20+4.27 EUR
22+4.01 EUR
24+3.68 EUR
27+3.17 EUR
32+2.7 EUR
50+2.43 EUR
100+2.21 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
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STP6NK90ZFP STP6NK90ZFP STMicroelectronics en.CD00003175.pdf description Description: MOSFET N-CH 900V 5.8A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 25 V
auf Bestellung 326 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.32 EUR
50+4.26 EUR
100+3.87 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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STP6NK90ZFP STP6NK90ZFP STMicroelectronics en.CD00003175.pdf description MOSFETs N-Ch, 900V-1.56ohms Zener SuperMESH 5.8A
auf Bestellung 1974 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.51 EUR
10+5.57 EUR
100+4.14 EUR
500+3.47 EUR
1000+3.22 EUR
2000+3.01 EUR
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STP6NK90ZFP STP6NK90ZFP STMICROELECTRONICS SGST-S-A0004683653-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: STMICROELECTRONICS - STP6NK90ZFP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 5.8 A, 1.56 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
Verlustleistung: 30W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.56ohm
auf Bestellung 1339 Stücke:
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29+8.62 EUR
57+4.08 EUR
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500+2.83 EUR
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STP6NK90ZFP ST en.CD00003175.pdf description N-MOSFET 5,8A 900V 30W STP6NK90ZFP TSTP6NK90ZFP
auf Bestellung 100 Stücke:
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Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 900V 5.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 5000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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Mindestbestellmenge: 69 Stücke
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Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 900V 5.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 5000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
67+2.59 EUR
100+2.44 EUR
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Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 900V 5.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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AnzahlPrivatkunde
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500+2.7 EUR
1000+2.5 EUR
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AnzahlPrivatkunde
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100+3 EUR
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5000+1.94 EUR
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STP6NK90ZFP
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 900V 5.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 5224 Stücke:
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100+3.11 EUR
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STP6NK90ZFP
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 3.65A; 30W; TO220FP; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
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Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2Ω
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Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
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22+4.01 EUR
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Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 900V 5.8A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
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Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Tc)
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Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
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STP6NK90ZFP
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch, 900V-1.56ohms Zener SuperMESH 5.8A
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10+5.57 EUR
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1000+3.22 EUR
2000+3.01 EUR
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STP6NK90ZFP
Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STP6NK90ZFP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 5.8 A, 1.56 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
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Transistormontage: Durchsteckmontage
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Drain-Source-Spannung Vds: 900V
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
Verlustleistung: 30W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.56ohm
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57+4.08 EUR
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Mindestbestellmenge: 29 Stücke
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Hersteller: ST
N-MOSFET 5,8A 900V 30W STP6NK90ZFP TSTP6NK90ZFP
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IRF3205PBF
Produktcode: 25094
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description irf3205pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355def244190a
IRF3205PBF
Hersteller: IR/Infineon
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Idd, A: 110 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,0065 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 3450/76
Montage: THT
erwartet: 3050 St.
  • 3000 St. - erwartet 13.08.2026
  • 50 St. - erwartet
auf Bestellung: 1189 St.
  • 1189 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N4007
Produktcode: 176822
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1N4001-ds.PDF
1N4007
Hersteller: MIC
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden
Gehäuse: DO-41
Urev., V: 1000 В
Iausr., A: 1 А
Beschreibung: Gleichrichter
Montage: THT
Spannungsabfall Vf: 1,1 В
auf Bestellung: 53893 St.
  • 53893 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+0.039 EUR
10+0.031 EUR
100+0.024 EUR
1000+0.018 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HER508
Produktcode: 197873
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HER508
Hersteller: MIC
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Dioden superschnelle
Gehäuse: DO-201AD
Sperrspannung Vrr, V: 1000 В
Mittlerer Strom Iav, A: 5 А
Sperrverzögerungszeit Trr, ns: 100 ns
auf Bestellung: 615 St.
  • 615 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+0.27 EUR
10+0.24 EUR
100+0.2 EUR
1000+0.18 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
8F120C
Produktcode: 205801
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8F120C
Hersteller: JIF
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Dioden superschnelle
Gehäuse: TO-220AC
Sperrspannung Vrr, V: 1200 В
Mittlerer Strom Iav, A: 8 А
Sperrverzögerungszeit Trr, ns: 55 ns
auf Bestellung: 145 St.
  • 145 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+1.49 EUR
10+1.36 EUR
100+1.25 EUR
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1000uF 35V EXR 13x26mm (low imp.) (EXR102M35B-Hitano) (Elektrolytkondensator, niedrige Impedanz)
Produktcode: 2455
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EXR_080421.pdf
1000uF 35V EXR 13x26mm (low imp.) (EXR102M35B-Hitano) (Elektrolytkondensator, niedrige Impedanz)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 1000 µF
Nennspannung: 35 V
Reihe: EXR
Typ: niedrige Impedanz
Temperaturbereich: -40...+105°C
Abmessungen: 13x26 mm
Lebensdauer: 5000 Stunden
Zolltarifnummer: 8532 22 00 00
verfügbar: 39 St.
  • 39 St. - stock Köln
erwartet: 10000 St.
  • 10000 St. - erwartet
AnzahlPrivatkunde
1+0.36 EUR
10+0.31 EUR
100+0.29 EUR
1000+0.25 EUR
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