STS14N3LLH5
Produktcode: 40556
Hersteller: STGehäuse: SO-8
Uds,V: 30
Idd,A: 14
Rds(on), Ohm: 01.06.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 01.12.1500
JHGF: SMD
verfügbar 6 St.:
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 0.84 EUR |
| 10+ | 0.7 EUR |
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
|---|---|---|---|---|---|
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STS14N3LLH5 | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 30V 14A 8SOPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 7A, 10V Power Dissipation (Max): 2.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±22V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 25 V |
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STS14N3LLH5 | Hersteller : STMicroelectronics |
MOSFET N-channel 30 V |
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| 1000uF 50V EHR 13x26mm (EHR102M50BA-Hitano) Produktcode: 117408
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Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 1000 µF
Nennspannung: 50 V
Reihe: EHR
Temp.Bereich: загального призначення з широким діапазоном температур 105С
Abmessungen: -40...+105°C
Lebensdauer: 13х26mm
№ 8: 2000 годин
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 1000 µF
Nennspannung: 50 V
Reihe: EHR
Temp.Bereich: загального призначення з широким діапазоном температур 105С
Abmessungen: -40...+105°C
Lebensdauer: 13х26mm
№ 8: 2000 годин
auf Bestellung 613 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)erwartet 800 St.:
800 St. - erwartetIm Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| MBRF20200CT Produktcode: 107943
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Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Schottkydioden
Gehäuse: TO-220
Vrrm(V): 200 V
If(A): 10 A
VF@IF: 0,8 V
Bemerkung: Конструкція: два діоди в одному корпусі, загальний катод, струм 10 А на діод.
Монтаж: THT
Імпульсний струм, Ifsm: 150 A
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Schottkydioden
Gehäuse: TO-220
Vrrm(V): 200 V
If(A): 10 A
VF@IF: 0,8 V
Bemerkung: Конструкція: два діоди в одному корпусі, загальний катод, струм 10 А на діод.
Монтаж: THT
Імпульсний струм, Ifsm: 150 A
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| IRF7416TRPBF Produktcode: 25625
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|
![]() |
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 30
Id,A: 10
Rds(on),Om: 0.02
Ciss, pF/Qg, nC: 1700/61
/: SMD
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 30
Id,A: 10
Rds(on),Om: 0.02
Ciss, pF/Qg, nC: 1700/61
/: SMD
verfügbar: 443 St.
15 St. - stock Köln
428 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
428 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 0.38 EUR |
| 10+ | 0.36 EUR |
| 100+ | 0.31 EUR |
| KBU6K (Diodenbrücke) Produktcode: 19753
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Hersteller: YJ
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Diodenbrücken und Baugruppen
Gehäuse: KBU
Urew: 800V
I dir: 6A
Zus.Info: Einiphasen-Brücke
Auwechselbar:: KBU6A, KBU6B, KBU6D, KBU6G, KBU6J, KBU6005, KBU601, KBU602, KBU604, KBU606, KBU608, KBU4005, KBU401, KBU402, KBU404, KBU406, KBU408, RS401, RS402, RS403, RS404, RS405, RS406
Монтаж: THT
Імпульсний струм, А: 250 A
№ 7: 8541 10 00 10
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Diodenbrücken und Baugruppen
Gehäuse: KBU
Urew: 800V
I dir: 6A
Zus.Info: Einiphasen-Brücke
Auwechselbar:: KBU6A, KBU6B, KBU6D, KBU6G, KBU6J, KBU6005, KBU601, KBU602, KBU604, KBU606, KBU608, KBU4005, KBU401, KBU402, KBU404, KBU406, KBU408, RS401, RS402, RS403, RS404, RS405, RS406
Монтаж: THT
Імпульсний струм, А: 250 A
№ 7: 8541 10 00 10
auf Bestellung 14 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 0.46 EUR |
| 10+ | 0.42 EUR |
| 100+ | 0.31 EUR |




