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STS14N3LLH5

STS14N3LLH5

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Produktcode: 40556
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Hersteller: ST
Gehäuse: SO-8
Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 V
Drain-Strom Idd, A: 14 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,006 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1500/12
Bemerkung: -
Montage: SMD
verfügbar: 6 St.
  • 6 St. - stock Köln
AnzahlPrivatkunde
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
STS14N3LLH5 STS14N3LLH5 STMicroelectronics en.CD00176792.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 14A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±22V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
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 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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STS14N3LLH5 STS14N3LLH5 STMicroelectronics stmicroelectronics_cd00176792-1206002.pdf MOSFET N-channel 30 V
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STS14N3LLH5 en.CD00176792.pdf
STS14N3LLH5
Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 30V 14A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±22V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
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Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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STS14N3LLH5 stmicroelectronics_cd00176792-1206002.pdf
STS14N3LLH5
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 30 V
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1000uF 50V EHR 13x26mm (EHR102M50BA-Hitano)
Produktcode: 117408
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Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 1000 µF
Nennspannung: 50 В
Reihe: EHR
Typ: Allzweck, breiter Temperaturbereich, 105°C
Temperaturbereich: -40...+105°C
Abmessungen: 13x26 mm
Lebensdauer: 2000 Stunden
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erwartet: 2000 St.
  • 800 St. - erwartet 29.08.2026
  • 1200 St. - erwartet
AnzahlPrivatkunde
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10+0.43 EUR
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MBRF20200CT
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MBRF20200CT
Hersteller: ON
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Schottkydioden
Gehäuse: TO-220
Sperrspannung Vrrm, V: 200 В
Durchlassstrom (per leg) If, A: 10 А
Durchlassspannung Vf, V: 0,8 В
Bemerkung: Aufbau: zwei Dioden in einem Gehäuse, gemeinsame Kathode, Strom 10 A pro Diode.
Montage: THT
Stoßstrom Ifsm, A: 150 А
Produkt ist nicht verfügbar
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1+1.08 EUR
10+0.98 EUR
100+0.86 EUR
1000+0.76 EUR
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IRF7416TRPBF
Produktcode: 25625
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irf7416.pdf
IRF7416TRPBF
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SO-8
Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 V
Drain-Strom Id, A: 10 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,02 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1700/61
Montage: SMD
verfügbar: 15 St.
  • 15 St. - stock Köln
erwartet: 400 St.
  • 400 St. - erwartet 13.08.2026
auf Bestellung: 14 St.
  • 14 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+1.02 EUR
10+0.88 EUR
100+0.79 EUR
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KBU6K (Diodenbrücke)
Produktcode: 19753
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KBU6M.pdf
KBU6K (Diodenbrücke)
Hersteller: YJ
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Diodenbrücken und Baugruppen
Gehäuse: KBU
Sperrspannung Urev, V: 800 V
Durchlassstrom Idir, A: 6 A
Typ der Diodenbrücke: Einphasig
Kann ersetzen:: KBU6A, KBU6B, KBU6D, KBU6G, KBU6J, KBU6005, KBU601, KBU602, KBU604, KBU606, KBU608, KBU4005, KBU401, KBU402, KBU404, KBU406, KBU408, RS401, RS402, RS403, RS404, RS405, RS406
Montage: THT
Impulsstrom, A: 250 А
UKTZED: 8541 10 00 10
auf Bestellung: 14 St.
  • 14 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+0.55 EUR
10+0.5 EUR
100+0.37 EUR
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