STS14N3LLH5


en.CD00176792.pdf
Produktcode: 40556
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

Hersteller: ST
Gehäuse: SO-8
Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 V
Drain-Strom Idd, A: 14 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,006 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1500/12
Bemerkung: -
Montage: SMD
AnzahlPrivatkunde
1+1 EUR
10+0.83 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Weitere Produktangebote STS14N3LLH5

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
STS14N3LLH5 STS14N3LLH5 STMicroelectronics en.CD00176792.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 14A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±22V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STS14N3LLH5 STS14N3LLH5 STMicroelectronics stmicroelectronics_cd00176792-1206002.pdf MOSFET N-channel 30 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STS14N3LLH5 en.CD00176792.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 30V 14A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±22V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STS14N3LLH5 stmicroelectronics_cd00176792-1206002.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 30 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH

Mit diesem Produkt kaufen

1000uF 50V EHR 13x26mm (EHR102M50BA-Hitano)
Produktcode: 117408
2 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
EHR_081225.pdf
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 1000 µF
Nennspannung: 50 V
Reihe: EHR
Typ: Allzweck, weiter Temperaturbereich 105°C
Temperaturbereich: -40...+105°C
Abmessungen: 13x26 mm
Lebensdauer: 2000 Stunden
auf Bestellung 1 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 2000 St.:
800 St. - erwartet 29.10.2026
1200 St. - erwartet
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBRF20200CT
Produktcode: 107943
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
mbrf20200ct-d.pdf
Hersteller: ON
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Schottkydioden
Gehäuse: TO-220
Sperrspannung Vrrm, V: 200 V
Durchlassstrom (per leg) If, A: 10 A
Durchlassspannung Vf, V: 0,8 V
Bemerkung: Aufbau: zwei Dioden in einem Gehäuse, gemeinsame Kathode, Strom 10 A pro Diode.
Montage: THT
Stoßstrom Ifsm, A: 150 A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7416TRPBF
Produktcode: 25625
2 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
irf7416.pdf
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SO-8
Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 V
Drain-Strom Id, A: 10 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,02 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1700/61
Montage: SMD
verfügbar: 28 St.
  • 15 St. - stock Köln
  • 13 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
erwartet: 8 St.
    AnzahlPrivatkunde
    1+0.45 EUR
    10+0.43 EUR
    100+0.37 EUR
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    KBU6K (Diodenbrücke)
    Produktcode: 19753
    zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
    KBU6M.pdf
    Hersteller: YJ
    Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Diodenbrücken und Baugruppen
    Gehäuse: KBU
    Sperrspannung Urev, V: 800 V
    Durchlassstrom Idir, A: 6 A
    Typ der Diodenbrücke: Однофазний
    Kann ersetzen:: KBU6A, KBU6B, KBU6D, KBU6G, KBU6J, KBU6005, KBU601, KBU602, KBU604, KBU606, KBU608, KBU4005, KBU401, KBU402, KBU404, KBU406, KBU408, RS401, RS402, RS403, RS404, RS405, RS406
    Montage: THT
    Impulsstrom, A: 250 A
    UKTZED: 8541 10 00 10
    auf Bestellung 14 St.:
    Lieferzeit 21-28 Tag (e)
    AnzahlPrivatkunde
    1+0.55 EUR
    10+0.5 EUR
    100+0.37 EUR
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH