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STW13NK60Z

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Produktcode: 82405
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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
STW13NK60Z STW13NK60Z STMicroelectronics en.cd00002816.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 3388 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
61+2.9 EUR
Mindestbestellmenge: 61 Stücke
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STW13NK60Z STW13NK60Z STMicroelectronics STB13NK60ZT4.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; 150W; TO247; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Power dissipation: 150W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
auf Bestellung 122 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+5.47 EUR
20+4.26 EUR
30+4.05 EUR
120+3.59 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
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STW13NK60Z STW13NK60Z STMicroelectronics en.cd00002816.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 3393 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
22+8.37 EUR
32+5.4 EUR
100+3.65 EUR
600+3.44 EUR
1200+3.27 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
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STW13NK60Z STW13NK60Z STMicroelectronics en.CD00002816.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 13A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2030 pF @ 25 V
auf Bestellung 481 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+11.04 EUR
30+6.25 EUR
120+5.19 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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STW13NK60Z STW13NK60Z STMicroelectronics en.CD00002816.pdf MOSFETs N-Ch 600 Volt 13 Amp Zener SuperMESH
auf Bestellung 135 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.08 EUR
10+6.26 EUR
100+5.21 EUR
600+4.61 EUR
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STW13NK60Z STW13NK60Z STMICROELECTRONICS SGSTS31365-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STW13NK60Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13 A, 0.48 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.48ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 47 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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STW13NK60Z ST en.CD00002816.pdf N-MOSFET 13A 600V 150W STW13NK60Z TSTW13NK60z
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 65 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+7.32 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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STW13NK60Z
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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AnzahlPrivatkunde
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STW13NK60Z STB13NK60ZT4.pdf
STW13NK60Z
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; 150W; TO247; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Power dissipation: 150W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
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20+4.26 EUR
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Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 3393 Stücke:
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32+5.4 EUR
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600+3.44 EUR
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STW13NK60Z
Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 13A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2030 pF @ 25 V
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MOSFETs N-Ch 600 Volt 13 Amp Zener SuperMESH
auf Bestellung 135 Stücke:
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10+6.26 EUR
100+5.21 EUR
600+4.61 EUR
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STW13NK60Z SGSTS31365-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
STW13NK60Z
Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STW13NK60Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13 A, 0.48 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.48ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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Hersteller: ST
N-MOSFET 13A 600V 150W STW13NK60Z TSTW13NK60z
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
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