STW13NK60Z STMicroelectronics
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Technische Details STW13NK60Z STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STW13NK60Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13 A, 0.48 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 13A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.48ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote STW13NK60Z nach Preis ab 2.49 EUR bis 8.54 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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STW13NK60Z | Hersteller : STMicroelectronics |
 Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; 150W; TO247; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 13A Power dissipation: 150W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.55Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD |
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STW13NK60Z | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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STW13NK60Z | Hersteller : STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 600 Volt 13 Amp Zener SuperMESH |
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STW13NK60Z | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 600V 13A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 4.5A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2030 pF @ 25 V |
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STW13NK60Z | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STW13NK60Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13 A, 0.48 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 13A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V euEccn: NLR Verlustleistung: 150W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.48ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
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| STW13NK60Z | Hersteller : ST |
N-MOSFET 13A 600V 150W STW13NK60Z TSTW13NK60z Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
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STW13NK60Z Produktcode: 82405
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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule |
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STW13NK60Z | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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