
STW45NM50 STMicroelectronics
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Technische Details STW45NM50 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STW45NM50 - MOSFET, N-KANAL, 550V, 45A, TO-247, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 550V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 45A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 417W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote STW45NM50 nach Preis ab 6.69 EUR bis 21.84 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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STW45NM50 | Hersteller : STMicroelectronics |
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STW45NM50 | Hersteller : STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 28.4A; 390W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 390W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Technology: MDmesh™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V Mounting: THT Case: TO247 Drain-source voltage: 500V Drain current: 28.4A On-state resistance: 0.1Ω Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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STW45NM50 | Hersteller : STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 28.4A; 390W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 390W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Technology: MDmesh™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V Mounting: THT Case: TO247 Drain-source voltage: 500V Drain current: 28.4A On-state resistance: 0.1Ω |
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![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 22.5A, 10V Power Dissipation (Max): 417W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 25 V |
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STW45NM50 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 550V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 45A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 417W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
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STW45NM50 Produktcode: 73997
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