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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPreis ohne MwSt
STW 106 DKnitter-SwitchSwitch Toggle ON ON SPDT Round Lever Solder Tag 6A 250VAC 30VDC Panel Mount with Threads
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STW 106 DBKnitter-SwitchSwitch Toggle ON ON SPDT Round Lever Solder Tag 6A 250VAC 30VDC Panel Mount with Threads
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STW 106 EKnitter-SwitchSwitch Toggle ON OFF ON SPDT Round Lever Solder Tag 6A 250VAC 30VDC Panel Mount with Threads
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STW 106 EBKnitter-SwitchSwitch Toggle ON OFF ON SPDT Round Lever Solder Tag 6A 250VAC 30VDC Panel Mount with Threads
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STW 106 FKnitter-SwitchSwitch Toggle Mom ON SPDT Round Lever Solder Tag 6A 250VAC 30VDC Panel Mount with Threads
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STW 106 GKnitter-SwitchSwitch Toggle Mom OFF Mom SPDT Round Lever Solder Tag 6A 250VAC 30VDC Panel Mount with Threads
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STW 106 GBKnitter-SwitchMustang Toggle Switches
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STW 106 HKnitter-SwitchSwitch Toggle Mom OFF ON SPDT Round Lever Solder Tag 6A 250VAC 30VDC Panel Mount with Threads
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STW 160ERKOER-STW160 Insulated Pliers
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
2+37.54 EUR
Mindestbestellmenge: 2
STW 206 NBKnitter-SwitchMustang Toggle Switches
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STW 206 PKnitter-SwitchSwitch Toggle ON OFF ON DPDT Round Lever Solder Tag 6A 250VAC 30VDC Panel Mount with Threads
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STW 206 RKnitter-SwitchSwitch Toggle Mom ON DPDT Round Lever Solder Tag 6A 250VAC 30VDC Panel Mount with Threads
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STW 206 SKnitter-SwitchSwitch Toggle Mom OFF Mom DPDT Round Lever Solder Tag 6A 250VAC 30VDC Panel Mount with Threads
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STW 206 TKnitter-SwitchSwitch Toggle Mom OFF ON DPDT Round Lever Solder Tag 6A 250VAC 30VDC Panel Mount with Threads
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STW-350F188PR01-04Peerless by TymphanyDescription: SPEAKER 4.86OHM 3500W TOP 81.4DB
Packaging: Bulk
Size / Dimension: 15.000" Dia (381.00mm)
Shape: Round
Type: Subwoofer
Technology: Magnetic
Material - Cone: Paper
Material - Magnet: Ferrite
Frequency - Self Resonant: 26.55Hz
Port Location: Top
Height - Seated (Max): 10.530" (267.45mm)
Part Status: Active
Impedance: 4.86 Ohms
Power - Rated: 2500 W
Frequency Range: 20 Hz ~ 200 Hz
Efficiency - dBA: 81.40
Efficiency - Testing: 1W/1M
Efficiency - Type: Half Space Sensitivity
auf Bestellung 146 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+1128.45 EUR
5+ 1015.61 EUR
STW-602CAntaira TechnologiesDescription: 2-Port Industrial RS-232/422/485
Packaging: Retail Package
Interface: RS-232/422/485
Type: Ethernet to Serial
Part Status: Active
Number of Ports: 2
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STW-611CAntaira TechnologiesDescription: 1-port (RS-232/422/485) Industri
Packaging: Retail Package
Interface: RS-232/422/485
Type: Serial to Serial
Part Status: Active
Number of Ports: 1
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+1765.4 EUR
STW-612CICOMTECH, INC.Description: 2-PORT (RS-232/422/485) INDUSTRI
Packaging: Bulk
Interface: RS-232/422/485
Type: Ethernet to Serial
Part Status: Active
Number of Ports: 2
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STW0101NStanley Electric CoDescription: LED MOD S-TYP WH LNR STR 3300K
Packaging: Tray
Color: White, Warm
Type: LED Module
Configuration: Linear Light Strip
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 12V
Current - Test: 200mA
Lens Type: Flat
Lumens/Watt @ Current - Test: 19 lm/W
CCT (K): 3300K
Luminous Flux @ Current/Temperature: 45lm (Typ)
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STW0201NStanley Electric CoDescription: LED MOD S-TYP WH LNR STR 3300K
Packaging: Tray
Color: White, Warm
Type: LED Module
Configuration: Linear Light Strip
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 12V
Current - Test: 100mA
Lens Type: Flat
Lumens/Watt @ Current - Test: 20 lm/W
CCT (K): 3300K
Luminous Flux @ Current/Temperature: 24lm (Typ)
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STW0L8PA (W33CZ0)Seoul Semiconductor CO., LTD.5050 6V / 5000K(=CW) / 650-700lmx640mAx6,0-6,2V (at Tj=85C) / Max=1000mAx6,0W / 120deg. / CRI>70
auf Bestellung 32000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
STW0L8PA (W35CZ0)Seoul Semiconductor CO., LTD.5050 6V / 5000K(=CW) / 650-700lmx640mAx6,0-6,2V (at Tj=85C) / Max=1000mAx6,0W / 120deg. / CRI>70
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
STW0L8PA (W43EY8)Seoul Semiconductor CO., LTD.5050 6V / 4000K(=NW) / 700-750lmx640mAx5,8-6,0V (at Tj=85C) / Max=1000mAx6,0W / 120deg. / CRI>70
auf Bestellung 248 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
STW0L8PA (W43EZ0)Seoul Semiconductor CO., LTD.5050 6V / 4000K(=NW) / 700-750lmx640mAx6,0-6,2V (at Tj=85C) / Max=1000mAx6,0W / 120deg. / CRI>70
auf Bestellung 3875 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
STW0L8SA (W33CZ240)Seoul Semiconductor CO., LTD.5050 24V / 5000K(=CW) / 650-700lmx160mAx24,0-24,6V (at Tj=25C) / Max=200mAx5,0W / 120deg. / CRI>70
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
STW0L8SA (W43EZ246)Seoul Semiconductor CO., LTD.5050 24V / 4000K(=NW) / 700-750lmx160mAx24,6-25,2V (at Tj=25C) / Max=200mAx5,0W / 120deg. / CRI>70
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
STW0Q14ASeoul SemiconductorHigh Power LEDs - White White 10600mcd 3.2V 100mA
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STW0Q2PASeoul SemiconductorHigh Power LEDs - White White 10600mcd 3.2V 100mA
auf Bestellung 877 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
STW101SEALEYDescription: SEALEY - STW101 - DREHMOMENTSCHLÜSSEL, 1/4", 5-25N-M
tariffCode: 82041100
productTraceability: No
Antriebsgröße - Imperial: 0.25"
rohsCompliant: NA
Drehmoment N-m: 5Nm bis 25Nm
Drehmoment ft-lb: 3.67ft-lb bis 18.42ft-lb
euEccn: NLR
Gesamtlänge: 275mm
hazardous: false
Antriebsgröße - Metrisch: -
rohsPhthalatesCompliant: NA
Drehmomentschlüssel: Schlüssel
usEccn: EAR99
Produktpalette: Sealey - Micrometer Torque Wrenches
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
STW1011SEALEYDescription: SEALEY - STW1011 - DREHMOMENTSCHLÜSSEL, 3/8", 7-112N-M
tariffCode: 82041100
productTraceability: No
Antriebsgröße - Imperial: 0.375"
rohsCompliant: NA
Drehmoment N-m: 7Nm bis 112Nm
Drehmoment ft-lb: 0.42ft-lb bis 6.92 ft-lb
euEccn: NLR
Gesamtlänge: 370mm
hazardous: false
Antriebsgröße - Metrisch: -
rohsPhthalatesCompliant: NA
Drehmomentschlüssel: Schlüssel
usEccn: EAR99
Produktpalette: Sealey - Micrometer Torque Wrenches
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
STW1012SEALEYDescription: SEALEY - STW1012 - DREHMOMENTSCHLÜSSEL, 3/8", 2-24N-M
tariffCode: 82041100
productTraceability: No
Antriebsgröße - Imperial: 0.375"
rohsCompliant: NA
Drehmoment N-m: 2Nm bis 24Nm
Drehmoment ft-lb: 0.12ft-lb bis 1.48ft-lb
euEccn: NLR
Gesamtlänge: 275mm
hazardous: false
Antriebsgröße - Metrisch: -
rohsPhthalatesCompliant: NA
Drehmomentschlüssel: Schlüssel
usEccn: EAR99
Produktpalette: Sealey - Micrometer Torque Wrenches
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
STW102SEALEYDescription: SEALEY - STW102 - DREHMOMENTSCHLÜSSEL, 1/2", 40-210N-M
tariffCode: 82041100
productTraceability: No
Antriebsgröße - Imperial: 0.5"
rohsCompliant: NA
Drehmoment N-m: 40Nm bis 210Nm
Drehmoment ft-lb: 2.50ft-lb bis 12.92ft-lb
euEccn: NLR
Gesamtlänge: 460mm
hazardous: false
Antriebsgröße - Metrisch: -
rohsPhthalatesCompliant: NA
Drehmomentschlüssel: Schlüssel
usEccn: EAR99
Produktpalette: Sealey - Micrometer Torque Wrenches
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 2 Stücke:
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STW106GPCKnitter-SwitchSwitch Toggle Mom OFF Mom SPDT Round Lever Solder Tag 6A 250VAC 30VDC Panel Mount with Threads
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STW10N105K5STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.05kV; 3.78A; Idm: 24A; 130W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.05kV
Drain current: 3.78A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 130W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 21.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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STW10N105K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 1.05KV 6A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
STW10N105K5STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.05kV; 3.78A; Idm: 24A; 130W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.05kV
Drain current: 3.78A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 130W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 21.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
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STW10N105K5STMicroelectronicsMOSFET N-channel 1050 V, 1 Ohm typ 6 A MDmesh K5 Power MOSFETs in TO-247 package
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STW10N105K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 1050V 6A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): 30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1050 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 545 pF @ 100 V
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STW10N105K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 1.05KV 6A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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STW10N105K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 1.05KV 6A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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STW10N95K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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STW10N95K5STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 950V; 5A; Idm: 32A; 130W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 950V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 130W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.65Ω
Mounting: THT
Gate charge: 22nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
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STW10N95K5STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 950V .65Ohm typ 8A Zener-protected
auf Bestellung 315 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
6+9.1 EUR
10+ 7.64 EUR
25+ 7.2 EUR
100+ 6.19 EUR
250+ 6.03 EUR
600+ 5.02 EUR
1200+ 4.73 EUR
Mindestbestellmenge: 6
STW10N95K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 950V 8A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 100 V
auf Bestellung 598 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3+11.78 EUR
10+ 10.58 EUR
100+ 8.67 EUR
500+ 7.38 EUR
Mindestbestellmenge: 3
STW10N95K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 950V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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STW10N95K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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STW10N95K5STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 950V; 5A; Idm: 32A; 130W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 950V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 130W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.65Ω
Mounting: THT
Gate charge: 22nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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STW10N95K5STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STW10N95K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 8 A, 0.65 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 950V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperMESH 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.65ohm
SVHC: No SVHC (07-Jul-2017)
auf Bestellung 1699 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
STW10NA50
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STW10NB60STTO-247
auf Bestellung 110 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STW10NC70Z
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STW10NK60ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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STW10NK60ZSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5.7A; 156W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5.7A
Power dissipation: 156W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
28+2.56 EUR
120+ 1.57 EUR
Mindestbestellmenge: 28
STW10NK60ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
STW10NK60ZSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STW10NK60Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10 A, 0.65 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 156
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.65
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.65
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
STW10NK60ZSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5.7A; 156W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5.7A
Power dissipation: 156W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
28+2.56 EUR
Mindestbestellmenge: 28
STW10NK60ZSTTransistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 750mOhm; 10A; 156W; -55°C ~ 150°C; STW10NK60Z TSTW10NK60Z
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+4.57 EUR
Mindestbestellmenge: 10
STW10NK60ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
STW10NK60ZSTMicroelectronicsMOSFET N-Ch 600 Volt 10 Amp Zener SuperMESH
auf Bestellung 123 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
6+9.85 EUR
25+ 7.8 EUR
100+ 6.71 EUR
250+ 6.14 EUR
600+ 5.1 EUR
Mindestbestellmenge: 6
STW10NK60ZSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 10A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 25 V
auf Bestellung 421 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3+9.78 EUR
30+ 7.74 EUR
120+ 6.63 EUR
Mindestbestellmenge: 3
STW10NK60Z(Transistor)
Produktcode: 76503		Verschiedene Bauteile > Other components 3
Produkt ist nicht verfügbar
STW10NK80ZSTTransistor N-Channel MOSFET; 800V; 800V; 30V; 900mOhm; 9A; 160W; -55°C ~ 150°C; STW10NK80Z TSTW10NK80Z
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+6 EUR
Mindestbestellmenge: 5
STW10NK80ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
STW10NK80ZSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STW10NK80Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 9 A, 0.9 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 160W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.9ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
auf Bestellung 1304 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
STW10NK80ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 1700 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
27+5.89 EUR
30+ 5.06 EUR
31+ 4.8 EUR
50+ 4.57 EUR
100+ 2.72 EUR
1000+ 2.52 EUR
Mindestbestellmenge: 27
STW10NK80ZSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6A; 160W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6A
Power dissipation: 160W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
STW10NK80ZSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6A; 160W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6A
Power dissipation: 160W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
STW10NK80ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 1640 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
STW10NK80ZSTMicroelectronicsMOSFET N-Ch 800 Volt 9 Amp Zener SuperMESH
auf Bestellung 512 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
5+12.12 EUR
10+ 10.5 EUR
25+ 7.62 EUR
100+ 7.1 EUR
250+ 6.79 EUR
600+ 5.88 EUR
Mindestbestellmenge: 5
STW10NK80ZSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 800V 9A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2180 pF @ 25 V
auf Bestellung 637 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3+12.04 EUR
30+ 9.54 EUR
120+ 8.17 EUR
510+ 7.27 EUR
Mindestbestellmenge: 3
STW10NK80Z
Produktcode: 2065		STTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247
Uds,V: 800
Idd,A: 9
Rds(on), Ohm: 01.09.2000
JHGF: THT
ZCODE: 8541290010
verfügbar 15 Stück:
5 Stück - stock Köln
10 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
1+7 EUR
10+ 6.11 EUR
STW10NK80ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
STW1100STATICTECCategory: Antistatic Wirst Bands
Description: Wristband; ESD; Features: antialergic; blue; 1.8m
Type of antistatic accessories: wristband
Version: ESD
Features of antistatic elements: antialergic
Colour: blue
Length of the lengthen coiled cord: 1.8m
Kind of cord termination: banana 4mm plug; crocodile clip; female press stud 10mm
Kit contents: cable for wirstband; ESD wirstband
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
9+8.09 EUR
10+ 7.46 EUR
Mindestbestellmenge: 9
STW1100STATICTECCategory: Antistatic Wirst Bands
Description: Wristband; ESD; Features: antialergic; blue; 1.8m
Type of antistatic accessories: wristband
Version: ESD
Features of antistatic elements: antialergic
Colour: blue
Length of the lengthen coiled cord: 1.8m
Kind of cord termination: banana 4mm plug; crocodile clip; female press stud 10mm
Kit contents: cable for wirstband; ESD wirstband
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+8.09 EUR
10+ 7.46 EUR
Mindestbestellmenge: 9
STW1110STATICTECCategory: Antistatic Wirst Bands
Description: Wristband; ESD; Features: antialergic; blue; 1.8m
Type of antistatic accessories: wristband
Version: ESD
Features of antistatic elements: antialergic
Colour: blue
Length of the lengthen coiled cord: 1.8m
Kind of cord termination: female press stud 10mm x2
Kit contents: cable for wirstband; ESD wirstband
Kind of connector: press stud male 10mm
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 135 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
9+8.09 EUR
10+ 7.46 EUR
Mindestbestellmenge: 9
STW1110STATICTECCategory: Antistatic Wirst Bands
Description: Wristband; ESD; Features: antialergic; blue; 1.8m
Type of antistatic accessories: wristband
Version: ESD
Features of antistatic elements: antialergic
Colour: blue
Length of the lengthen coiled cord: 1.8m
Kind of cord termination: female press stud 10mm x2
Kit contents: cable for wirstband; ESD wirstband
Kind of connector: press stud male 10mm
auf Bestellung 135 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+8.09 EUR
10+ 7.46 EUR
Mindestbestellmenge: 9
STW1120STATICTECCategory: Antistatic Wirst Bands
Description: Wristband; ESD; Features: antialergic; red; 1.8m
Type of antistatic accessories: wristband
Version: ESD
Features of antistatic elements: antialergic
Colour: red
Length of the lengthen coiled cord: 1.8m
Kind of cord termination: banana 4mm plug; crocodile clip; female press stud 10mm
Kit contents: cable for wirstband; ESD wirstband
Produkt ist nicht verfügbar
STW1120STATICTECCategory: Antistatic Wirst Bands
Description: Wristband; ESD; Features: antialergic; red; 1.8m
Type of antistatic accessories: wristband
Version: ESD
Features of antistatic elements: antialergic
Colour: red
Length of the lengthen coiled cord: 1.8m
Kind of cord termination: banana 4mm plug; crocodile clip; female press stud 10mm
Kit contents: cable for wirstband; ESD wirstband
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
STW1130
Produktcode: 192357		Werkzeuge > Anti-Statik-Handschuhe
Produkt ist nicht verfügbar
STW1130STATICTECCategory: Antistatic Wirst Bands
Description: Wristband; ESD; Features: antialergic; red; 1.8m
Type of antistatic accessories: wristband
Version: ESD
Features of antistatic elements: antialergic
Colour: red
Length of the lengthen coiled cord: 1.8m
Kind of cord termination: female press stud 10mm x2
Kit contents: cable for wirstband; ESD wirstband
Kind of connector: press stud male 10mm
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 33 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
9+8.09 EUR
10+ 7.46 EUR
Mindestbestellmenge: 9
STW1130STATICTECCategory: Antistatic Wirst Bands
Description: Wristband; ESD; Features: antialergic; red; 1.8m
Type of antistatic accessories: wristband
Version: ESD
Features of antistatic elements: antialergic
Colour: red
Length of the lengthen coiled cord: 1.8m
Kind of cord termination: female press stud 10mm x2
Kit contents: cable for wirstband; ESD wirstband
Kind of connector: press stud male 10mm
auf Bestellung 33 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+8.09 EUR
10+ 7.46 EUR
Mindestbestellmenge: 9
STW1147ASE-TRStanley Electric CoDescription: LED WHITE DIFFUSED
Produkt ist nicht verfügbar
STW1147ASE-TRStanley Electric CoDescription: LED WHITE DIFFUSED SMD
Produkt ist nicht verfügbar
STW1147ASK-TRStanley Electric CoDescription: LED WHITE DIFFUSED SMD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Color: White
Size / Dimension: 2.40mm L x 1.85mm W
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: Standard
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 3.5V
Lens Color: Yellow
Current - Test: 40mA
Viewing Angle: 115°
Height (Max): 0.70mm
Lens Transparency: Diffused
Part Status: Obsolete
Lens Style: Round with Flat Top
Lens Size: 1.45mm Dia
Produkt ist nicht verfügbar
STW1147ASK-TRStanley Electric CoDescription: LED WHITE DIFFUSED SMD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Color: White
Size / Dimension: 2.40mm L x 1.85mm W
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: Standard
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 3.5V
Lens Color: Yellow
Current - Test: 40mA
Viewing Angle: 115°
Height (Max): 0.70mm
Lens Transparency: Diffused
Part Status: Obsolete
Lens Style: Round with Flat Top
Lens Size: 1.45mm Dia
auf Bestellung 96 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
10+2.65 EUR
16+ 1.73 EUR
Mindestbestellmenge: 10
STW1160STATICTECCategory: Antistatic Wirst Bands
Description: Wristband; ESD; Features: metal; black; 1.8m; press stud male 4mm
Type of antistatic accessories: wristband
Version: ESD
Features of antistatic elements: metal
Colour: black
Length of the lengthen coiled cord: 1.8m
Kind of cord termination: banana 4mm plug; crocodile clip; female press stud 4mm
Kit contents: cable for wirstband; ESD wirstband
Kind of connector: press stud male 4mm
Produkt ist nicht verfügbar
STW1160STATICTECCategory: Antistatic Wirst Bands
Description: Wristband; ESD; Features: metal; black; 1.8m; press stud male 4mm
Type of antistatic accessories: wristband
Version: ESD
Features of antistatic elements: metal
Colour: black
Length of the lengthen coiled cord: 1.8m
Kind of cord termination: banana 4mm plug; crocodile clip; female press stud 4mm
Kit contents: cable for wirstband; ESD wirstband
Kind of connector: press stud male 4mm
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
STW1170STATICTECCategory: Antistatic Wirst Bands
Description: Wristband; ESD; Features: metal; black; 1.8m; press stud male 10mm
Type of antistatic accessories: wristband
Version: ESD
Features of antistatic elements: metal
Colour: black
Length of the lengthen coiled cord: 1.8m
Kind of cord termination: female press stud 10mm x2
Kit contents: cable for wirstband; ESD wirstband
Kind of connector: press stud male 10mm
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+14.94 EUR
6+ 12.61 EUR
Mindestbestellmenge: 5
STW1170STATICTECCategory: Antistatic Wirst Bands
Description: Wristband; ESD; Features: metal; black; 1.8m; press stud male 10mm
Type of antistatic accessories: wristband
Version: ESD
Features of antistatic elements: metal
Colour: black
Length of the lengthen coiled cord: 1.8m
Kind of cord termination: female press stud 10mm x2
Kit contents: cable for wirstband; ESD wirstband
Kind of connector: press stud male 10mm
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+14.94 EUR
6+ 12.61 EUR
Mindestbestellmenge: 5
STW11N80
auf Bestellung 129 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STW11NB80STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 800 Volt 11 Amp
Produkt ist nicht verfügbar
STW11NB80STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 800V 11A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
STW11NB80STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-247
Produkt ist nicht verfügbar
STW11NB80
Produktcode: 92821		Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
STW11NB80
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STW11NK100
auf Bestellung 5385 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STW11NK100ZSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 1000V 8.3A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.38Ohm @ 4.15A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 162 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
STW11NK100ZSTN-MOSFET 8.3A 1000V 230W 1.38Ω Supersedes 2SK1120 STW11NK100Z TSTW11NK100Z
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+138.31 EUR
Mindestbestellmenge: 10
STW11NK100ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 1KV 8.3A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
STW11NK100Z
Produktcode: 72114		STTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247
Uds,V: 1000 V
Idd,A: 8,3 A
Rds(on), Ohm: 1,38 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3500/113
JHGF: THT
Produkt ist nicht verfügbar
STW11NK100ZSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1000V; 8.3A; 230W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 8.3A
Power dissipation: 230W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.38Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Produkt ist nicht verfügbar
STW11NK100ZSTN-MOSFET 8.3A 1000V 230W 1.38Ω Supersedes 2SK1120 STW11NK100Z TSTW11NK100Z
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 120 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+138.31 EUR
Mindestbestellmenge: 10
STW11NK100ZSTMicroelectronicsMOSFET N-Ch 1000 Volt 8.3 A Zener SuperMESH
auf Bestellung 7684 Stücke:
Lieferzeit 126-140 Tag (e)
4+15.5 EUR
25+ 12.38 EUR
100+ 11.1 EUR
250+ 9.8 EUR
600+ 9.15 EUR
1200+ 8.68 EUR
3000+ 8.63 EUR
Mindestbestellmenge: 4
STW11NK100ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 1KV 8.3A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
STW11NK100ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 1KV 8.3A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
STW11NK100ZSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1000V; 8.3A; 230W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 8.3A
Power dissipation: 230W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.38Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
STW11NK90ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 900V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
STW11NK90ZSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 5.8A; Idm: 36.8A; 200W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 5.8A
Pulsed drain current: 36.8A
Power dissipation: 200W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 980mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
auf Bestellung 35 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
19+3.93 EUR
21+ 3.55 EUR
28+ 2.57 EUR
30+ 2.43 EUR
Mindestbestellmenge: 19
STW11NK90ZSTMicroelectronicsMOSFET N Ch 900V Zener SuperMESH 9.2A
auf Bestellung 579 Stücke:
Lieferzeit 126-140 Tag (e)
4+15.31 EUR
10+ 14.74 EUR
25+ 12.14 EUR
100+ 10.92 EUR
250+ 9.67 EUR
600+ 8.71 EUR
Mindestbestellmenge: 4
STW11NK90ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 900V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
STW11NK90ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 900V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 540 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
STW11NK90ZSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 900V 9.2A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 980mOhm @ 4.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V
auf Bestellung 550 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2+15.05 EUR
10+ 12.91 EUR
100+ 10.76 EUR
500+ 9.5 EUR
Mindestbestellmenge: 2
STW11NK90ZSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 5.8A; Idm: 36.8A; 200W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 5.8A
Pulsed drain current: 36.8A
Power dissipation: 200W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 980mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 35 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
19+3.93 EUR
21+ 3.55 EUR
28+ 2.57 EUR
30+ 2.43 EUR
Mindestbestellmenge: 19
STW11NM65NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
STW11NM80STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
STW11NM80STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 220 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
STW11NM80STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 800V 11A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1630 pF @ 25 V
auf Bestellung 93 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2+13.6 EUR
30+ 10.76 EUR
Mindestbestellmenge: 2
STW11NM80STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 8A; 150W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.35Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
STW11NM80STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 620 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
24+6.73 EUR
27+ 5.73 EUR
38+ 3.89 EUR
100+ 3.7 EUR
250+ 3.52 EUR
600+ 3.25 EUR
Mindestbestellmenge: 24
STW11NM80STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
STW11NM80STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 8A; 150W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.35Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
STW11NM80STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 620 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
24+6.75 EUR
27+ 5.75 EUR
38+ 3.9 EUR
100+ 3.71 EUR
250+ 3.53 EUR
600+ 3.26 EUR
Mindestbestellmenge: 24
STW11NM80STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
STW11NM80STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 800 Volt 11 Amp Power MDmesh
auf Bestellung 190 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
4+13.68 EUR
10+ 13.31 EUR
25+ 10.84 EUR
100+ 10.56 EUR
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STW11NM80STN-MOSFET 11A 800V 150W 0.4Ω STW11NM80 TSTW11NM80
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STW11NM80
Produktcode: 73261		Transistoren > MOSFET N-CH
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STW11NM80STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
STW12-08WV-ETJAMDescription: 1.25 MM W TO B CONNECTOR 8P DUAL
Packaging: Cut Tape (CT)
Connector Type: Header
Voltage Rating: 250VAC/DC
Current Rating (Amps): 1.5A
Mounting Type: Surface Mount
Number of Positions: 8
Number of Rows: 2
Style: Board to Cable/Wire
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Contact Type: Male Pin
Fastening Type: Locking Ramp
Number of Positions Loaded: All
Termination: Solder
Material Flammability Rating: UL94 V-0
Contact Material: Phosphor Bronze
Insulation Color: White
Pitch - Mating: 0.049" (1.25mm)
Contact Finish - Mating: Tin
Contact Finish - Post: Tin
Contact Shape: Square
Insulation Height: 0.217" (5.51mm)
Shrouding: Shrouded - 4 Wall
Insulation Material: Polyamide (PA6T), Nylon 6T, Glass Filled
Row Spacing - Mating: 0.083" (2.10mm)
Produkt ist nicht verfügbar
STW12-08WV-ETJAMDescription: 1.25 MM W TO B CONNECTOR 8P DUAL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Connector Type: Header
Voltage Rating: 250VAC/DC
Current Rating (Amps): 1.5A
Mounting Type: Surface Mount
Number of Positions: 8
Number of Rows: 2
Style: Board to Cable/Wire
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Contact Type: Male Pin
Fastening Type: Locking Ramp
Number of Positions Loaded: All
Termination: Solder
Material Flammability Rating: UL94 V-0
Contact Material: Phosphor Bronze
Insulation Color: White
Pitch - Mating: 0.049" (1.25mm)
Contact Finish - Mating: Tin
Contact Finish - Post: Tin
Contact Shape: Square
Insulation Height: 0.217" (5.51mm)
Shrouding: Shrouded - 4 Wall
Insulation Material: Polyamide (PA6T), Nylon 6T, Glass Filled
Row Spacing - Mating: 0.083" (2.10mm)
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1200+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 1200
STW12-12HGJAMDescription: 1.25 MM W TO B CONNECTOR 12P DUA
Packaging: Bulk
Connector Type: Plug
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 12
Pitch: 0.049" (1.25mm)
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Contact Type: Non-Gendered
Fastening Type: Latch Lock
Insulation Material: Polybutylene Terephthalate (PBT)
Number of Rows: 2
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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1000+ 0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 50
STW12-12WH-ETJAMDescription: 1.25 MM W TO B CONNECTOR 12P DUA
Packaging: Cut Tape (CT)
Connector Type: Header
Voltage Rating: 250VAC/DC
Current Rating (Amps): 1.2A
Mounting Type: Surface Mount, Right Angle
Number of Positions: 12
Number of Rows: 2
Style: Board to Cable/Wire
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Contact Type: Male Pin
Fastening Type: Locking Ramp
Number of Positions Loaded: All
Termination: Solder
Material Flammability Rating: UL94 V-0
Contact Material: Phosphor Bronze
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Contact Shape: Square
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Shrouding: Shrouded - 4 Wall
Insulation Material: Polyamide (PA6T), Nylon 6T, Glass Filled
Row Spacing - Mating: 0.083" (2.10mm)
Produkt ist nicht verfügbar
STW12-12WH-ETJAMDescription: 1.25 MM W TO B CONNECTOR 12P DUA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Connector Type: Header
Voltage Rating: 250VAC/DC
Current Rating (Amps): 1.2A
Mounting Type: Surface Mount, Right Angle
Number of Positions: 12
Number of Rows: 2
Style: Board to Cable/Wire
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Contact Type: Male Pin
Fastening Type: Locking Ramp
Number of Positions Loaded: All
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Material Flammability Rating: UL94 V-0
Contact Material: Phosphor Bronze
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Insulation Material: Polyamide (PA6T), Nylon 6T, Glass Filled
Row Spacing - Mating: 0.083" (2.10mm)
Produkt ist nicht verfügbar
STW12-12WV-ETJAMDescription: 1.25 MM W TO B CONNECTOR 12P DUA
Packaging: Cut Tape (CT)
Connector Type: Header
Voltage Rating: 250VAC/DC
Current Rating (Amps): 1.5A
Mounting Type: Surface Mount
Number of Positions: 12
Number of Rows: 2
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Produkt ist nicht verfügbar
STW12-12WV-ETJAMDescription: 1.25 MM W TO B CONNECTOR 12P DUA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Connector Type: Header
Voltage Rating: 250VAC/DC
Current Rating (Amps): 1.5A
Mounting Type: Surface Mount
Number of Positions: 12
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Style: Board to Cable/Wire
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
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Fastening Type: Locking Ramp
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Material Flammability Rating: UL94 V-0
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STW12-18WH-ETJAMDescription: 1.25 MM W TO B CONNECTOR 18P DUA
Packaging: Bulk
Connector Type: Header
Voltage Rating: 250VAC/DC
Current Rating (Amps): 1.2A
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Number of Positions: 18
Number of Rows: 2
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STW12-18WV-ETJAMDescription: 1.25 MM W TO B CONNECTOR 18P DUA
Packaging: Bulk
Connector Type: Header
Voltage Rating: 250VAC/DC
Current Rating (Amps): 1.5A
Mounting Type: Surface Mount
Number of Positions: 18
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Style: Board to Cable/Wire
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Fastening Type: Locking Ramp
Number of Positions Loaded: All
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Material Flammability Rating: UL94 V-0
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STW12-22WH-ETJAMDescription: 1.25 MM W TO B CONNECTOR 22P DUA
Packaging: Bulk
Connector Type: Header
Voltage Rating: 250VAC/DC
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Number of Positions: 22
Number of Rows: 2
Style: Board to Cable/Wire
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
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Fastening Type: Locking Ramp
Number of Positions Loaded: All
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Material Flammability Rating: UL94 V-0
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Insulation Material: Polyamide (PA6T), Nylon 6T, Glass Filled
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Produkt ist nicht verfügbar
STW12-22WV-ETJAMDescription: 1.25 MM W TO B CONNECTOR 22P DUA
Packaging: Bulk
Connector Type: Header
Voltage Rating: 250VAC/DC
Current Rating (Amps): 1.5A
Mounting Type: Surface Mount
Number of Positions: 22
Number of Rows: 2
Style: Board to Cable/Wire
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Contact Type: Male Pin
Fastening Type: Locking Ramp
Number of Positions Loaded: All
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Material Flammability Rating: UL94 V-0
Contact Material: Phosphor Bronze
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Insulation Material: Polyamide (PA6T), Nylon 6T, Glass Filled
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Produkt ist nicht verfügbar
STW12-24WH-ETJAMDescription: 1.25 MM W TO B CONNECTOR 24P DUA
Packaging: Cut Tape (CT)
Connector Type: Header
Voltage Rating: 250VAC/DC
Current Rating (Amps): 1.2A
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Number of Positions: 24
Number of Rows: 2
Style: Board to Cable/Wire
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Contact Type: Male Pin
Fastening Type: Locking Ramp
Number of Positions Loaded: All
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Material Flammability Rating: UL94 V-0
Contact Material: Phosphor Bronze
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Insulation Material: Polyamide (PA6T), Nylon 6T, Glass Filled
Row Spacing - Mating: 0.083" (2.10mm)
Produkt ist nicht verfügbar
STW12-24WH-ETJAMDescription: 1.25 MM W TO B CONNECTOR 24P DUA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Connector Type: Header
Voltage Rating: 250VAC/DC
Current Rating (Amps): 1.2A
Mounting Type: Surface Mount, Right Angle
Number of Positions: 24
Number of Rows: 2
Style: Board to Cable/Wire
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Contact Type: Male Pin
Fastening Type: Locking Ramp
Number of Positions Loaded: All
Termination: Solder
Material Flammability Rating: UL94 V-0
Contact Material: Phosphor Bronze
Insulation Color: White
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Contact Shape: Square
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Insulation Material: Polyamide (PA6T), Nylon 6T, Glass Filled
Row Spacing - Mating: 0.083" (2.10mm)
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STW12-24WV-ETJAMDescription: 1.25 MM W TO B CONNECTOR 24P DUA
Packaging: Cut Tape (CT)
Connector Type: Header
Voltage Rating: 250VAC/DC
Current Rating (Amps): 1.5A
Mounting Type: Surface Mount
Number of Positions: 24
Number of Rows: 2
Style: Board to Cable/Wire
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Contact Type: Male Pin
Fastening Type: Locking Ramp
Number of Positions Loaded: All
Termination: Solder
Material Flammability Rating: UL94 V-0
Contact Material: Phosphor Bronze
Insulation Color: White
Pitch - Mating: 0.049" (1.25mm)
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Contact Shape: Square
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Insulation Material: Polyamide (PA6T), Nylon 6T, Glass Filled
Row Spacing - Mating: 0.083" (2.10mm)
Produkt ist nicht verfügbar
STW12-24WV-ETJAMDescription: 1.25 MM W TO B CONNECTOR 24P DUA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Connector Type: Header
Voltage Rating: 250VAC/DC
Current Rating (Amps): 1.5A
Mounting Type: Surface Mount
Number of Positions: 24
Number of Rows: 2
Style: Board to Cable/Wire
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Contact Type: Male Pin
Fastening Type: Locking Ramp
Number of Positions Loaded: All
Termination: Solder
Material Flammability Rating: UL94 V-0
Contact Material: Phosphor Bronze
Insulation Color: White
Pitch - Mating: 0.049" (1.25mm)
Contact Finish - Mating: Tin
Contact Finish - Post: Tin
Contact Shape: Square
Insulation Height: 0.217" (5.51mm)
Shrouding: Shrouded - 4 Wall
Insulation Material: Polyamide (PA6T), Nylon 6T, Glass Filled
Row Spacing - Mating: 0.083" (2.10mm)
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1200+1.16 EUR
Mindestbestellmenge: 1200
STW12-32WH-ETJAMDescription: 1.25 MM W TO B CONNECTOR 32P DUA
Packaging: Bulk
Connector Type: Header
Voltage Rating: 250VAC/DC
Current Rating (Amps): 1.2A
Mounting Type: Surface Mount, Right Angle
Number of Positions: 32
Number of Rows: 2
Style: Board to Cable/Wire
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Contact Type: Male Pin
Fastening Type: Locking Ramp
Number of Positions Loaded: All
Termination: Solder
Material Flammability Rating: UL94 V-0
Contact Material: Phosphor Bronze
Insulation Color: White
Pitch - Mating: 0.049" (1.25mm)
Contact Finish - Mating: Tin
Contact Finish - Post: Tin
Contact Shape: Square
Insulation Height: 0.240" (6.10mm)
Shrouding: Shrouded - 4 Wall
Insulation Material: Polyamide (PA6T), Nylon 6T, Glass Filled
Row Spacing - Mating: 0.083" (2.10mm)
Produkt ist nicht verfügbar
STW12-32WV-ETJAMDescription: 1.25 MM W TO B CONNECTOR 32P DUA
Packaging: Bulk
Connector Type: Header
Voltage Rating: 250VAC/DC
Current Rating (Amps): 1.5A
Mounting Type: Surface Mount
Number of Positions: 32
Number of Rows: 2
Style: Board to Cable/Wire
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Contact Type: Male Pin
Fastening Type: Locking Ramp
Number of Positions Loaded: All
Termination: Solder
Material Flammability Rating: UL94 V-0
Contact Material: Phosphor Bronze
Insulation Color: White
Pitch - Mating: 0.049" (1.25mm)
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Contact Shape: Square
Insulation Height: 0.217" (5.51mm)
Shrouding: Shrouded - 4 Wall
Insulation Material: Polyamide (PA6T), Nylon 6T, Glass Filled
Row Spacing - Mating: 0.083" (2.10mm)
Produkt ist nicht verfügbar
STW12-34WH-ETJAMDescription: 1.25 MM W TO B CONNECTOR 34P DUA
Packaging: Cut Tape (CT)
Connector Type: Header
Voltage Rating: 250VAC/DC
Current Rating (Amps): 1.2A
Mounting Type: Surface Mount, Right Angle
Number of Positions: 34
Number of Rows: 2
Style: Board to Cable/Wire
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Contact Type: Male Pin
Fastening Type: Locking Ramp
Number of Positions Loaded: All
Termination: Solder
Material Flammability Rating: UL94 V-0
Contact Material: Phosphor Bronze
Insulation Color: White
Pitch - Mating: 0.049" (1.25mm)
Contact Finish - Mating: Tin
Contact Finish - Post: Tin
Contact Shape: Square
Insulation Height: 0.240" (6.10mm)
Shrouding: Shrouded - 4 Wall
Insulation Material: Polyamide (PA6T), Nylon 6T, Glass Filled
Row Spacing - Mating: 0.083" (2.10mm)
Produkt ist nicht verfügbar
STW12-34WH-ETJAMDescription: 1.25 MM W TO B CONNECTOR 34P DUA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Connector Type: Header
Voltage Rating: 250VAC/DC
Current Rating (Amps): 1.2A
Mounting Type: Surface Mount, Right Angle
Number of Positions: 34
Number of Rows: 2
Style: Board to Cable/Wire
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Contact Type: Male Pin
Fastening Type: Locking Ramp
Number of Positions Loaded: All
Termination: Solder
Material Flammability Rating: UL94 V-0
Contact Material: Phosphor Bronze
Insulation Color: White
Pitch - Mating: 0.049" (1.25mm)
Contact Finish - Mating: Tin
Contact Finish - Post: Tin
Contact Shape: Square
Insulation Height: 0.240" (6.10mm)
Shrouding: Shrouded - 4 Wall
Insulation Material: Polyamide (PA6T), Nylon 6T, Glass Filled
Row Spacing - Mating: 0.083" (2.10mm)
auf Bestellung 900 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
900+1.66 EUR
Mindestbestellmenge: 900
STW12-34WV-ETJAMDescription: 1.25 MM W TO B CONNECTOR 34P DUA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Connector Type: Header
Voltage Rating: 250VAC/DC
Current Rating (Amps): 1.5A
Mounting Type: Surface Mount
Number of Positions: 34
Number of Rows: 2
Style: Board to Cable/Wire
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Contact Type: Male Pin
Fastening Type: Locking Ramp
Number of Positions Loaded: All
Termination: Solder
Material Flammability Rating: UL94 V-0
Contact Material: Phosphor Bronze
Insulation Color: White
Pitch - Mating: 0.049" (1.25mm)
Contact Finish - Mating: Tin
Contact Finish - Post: Tin
Contact Shape: Square
Insulation Height: 0.217" (5.51mm)
Shrouding: Shrouded - 4 Wall
Insulation Material: Polyamide (PA6T), Nylon 6T, Glass Filled
Row Spacing - Mating: 0.083" (2.10mm)
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1200+1.44 EUR
Mindestbestellmenge: 1200
STW12-34WV-ETJAMDescription: 1.25 MM W TO B CONNECTOR 34P DUA
Packaging: Cut Tape (CT)
Connector Type: Header
Voltage Rating: 250VAC/DC
Current Rating (Amps): 1.5A
Mounting Type: Surface Mount
Number of Positions: 34
Number of Rows: 2
Style: Board to Cable/Wire
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Contact Type: Male Pin
Fastening Type: Locking Ramp
Number of Positions Loaded: All
Termination: Solder
Material Flammability Rating: UL94 V-0
Contact Material: Phosphor Bronze
Insulation Color: White
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Contact Finish - Mating: Tin
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Contact Shape: Square
Insulation Height: 0.217" (5.51mm)
Shrouding: Shrouded - 4 Wall
Insulation Material: Polyamide (PA6T), Nylon 6T, Glass Filled
Row Spacing - Mating: 0.083" (2.10mm)
Produkt ist nicht verfügbar
STW12-36HGJAMDescription: 1.25 MM W TO B CONNECTOR 36P DUA
Packaging: Bulk
Connector Type: Plug
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 36
Pitch: 0.049" (1.25mm)
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Contact Type: Non-Gendered
Fastening Type: Latch Lock
Insulation Material: Polybutylene Terephthalate (PBT)
Number of Rows: 2
Produkt ist nicht verfügbar
STW12-36WH-ETJAMDescription: 1.25 MM W TO B CONNECTOR 36P DUA
Packaging: Bulk
Connector Type: Header
Voltage Rating: 250VAC/DC
Current Rating (Amps): 1.2A
Mounting Type: Surface Mount, Right Angle
Number of Positions: 36
Number of Rows: 2
Style: Board to Cable/Wire
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Contact Type: Male Pin
Fastening Type: Locking Ramp
Number of Positions Loaded: All
Termination: Solder
Material Flammability Rating: UL94 V-0
Contact Material: Phosphor Bronze
Insulation Color: White
Pitch - Mating: 0.049" (1.25mm)
Contact Finish - Mating: Tin
Contact Finish - Post: Tin
Contact Shape: Square
Insulation Height: 0.240" (6.10mm)
Shrouding: Shrouded - 4 Wall
Insulation Material: Polyamide (PA6T), Nylon 6T, Glass Filled
Row Spacing - Mating: 0.083" (2.10mm)
Produkt ist nicht verfügbar
STW12-36WV-ETJAMDescription: 1.25 MM W TO B CONNECTOR 36P DUA
Packaging: Bulk
Connector Type: Header
Voltage Rating: 250VAC/DC
Current Rating (Amps): 1.5A
Mounting Type: Surface Mount
Number of Positions: 36
Number of Rows: 2
Style: Board to Cable/Wire
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Contact Type: Male Pin
Fastening Type: Locking Ramp
Number of Positions Loaded: All
Termination: Solder
Material Flammability Rating: UL94 V-0
Contact Material: Phosphor Bronze
Insulation Color: White
Pitch - Mating: 0.049" (1.25mm)
Contact Finish - Mating: Tin
Contact Finish - Post: Tin
Contact Shape: Square
Insulation Height: 0.217" (5.51mm)
Shrouding: Shrouded - 4 Wall
Insulation Material: Polyamide (PA6T), Nylon 6T, Glass Filled
Row Spacing - Mating: 0.083" (2.10mm)
Produkt ist nicht verfügbar
STW1200STATICTECCategory: Antistatic Wirst Bands
Description: Wristband; ESD; Features: antialergic; blue; Kit: ESD wirstband
Type of antistatic accessories: wristband
Version: ESD
Features of antistatic elements: antialergic
Colour: blue
Kit contents: ESD wirstband
Kind of connector: press stud male 10mm
Produkt ist nicht verfügbar
STW1200STATICTECCategory: Antistatic Wirst Bands
Description: Wristband; ESD; Features: antialergic; blue; Kit: ESD wirstband
Type of antistatic accessories: wristband
Version: ESD
Features of antistatic elements: antialergic
Colour: blue
Kit contents: ESD wirstband
Kind of connector: press stud male 10mm
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
STW120NF10STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
STW120NF10STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 100V; 77A; Idm: 440A
Mounting: THT
Case: TO247
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Technology: STripFET™ II
On-state resistance: 10.5mΩ
Drain current: 77A
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Pulsed drain current: 440A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 312W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
STW120NF10STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 100V 110A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 312W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 233 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 25 V
auf Bestellung 2284 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2+15.7 EUR
10+ 14.1 EUR
100+ 11.56 EUR
500+ 9.84 EUR
1000+ 8.3 EUR
2000+ 7.88 EUR
Mindestbestellmenge: 2
STW120NF10STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
STW120NF10STMicroelectronicsMOSFET POWER MOSFET
auf Bestellung 110 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
4+14.77 EUR
10+ 13.26 EUR
100+ 10.87 EUR
600+ 9.26 EUR
1200+ 7.41 EUR
5400+ 7.12 EUR
10200+ 6.92 EUR
Mindestbestellmenge: 4
STW120NF10STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STW120NF10 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 0.009 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 312
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
euEccn: NLR
Verlustleistung: 312
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.009
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
auf Bestellung 163 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
STW120NF10STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 100V; 77A; Idm: 440A
Mounting: THT
Case: TO247
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Technology: STripFET™ II
On-state resistance: 10.5mΩ
Drain current: 77A
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Pulsed drain current: 440A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 312W
Produkt ist nicht verfügbar
STW120NF10STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
STW1220STATICTECCategory: Antistatic Wirst Bands
Description: Wristband; ESD; Features: antialergic; red; Kit: ESD wirstband
Type of antistatic accessories: wristband
Version: ESD
Features of antistatic elements: antialergic
Colour: red
Kit contents: ESD wirstband
Kind of connector: press stud male 10mm
auf Bestellung 23 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
14+5.16 EUR
15+ 4.78 EUR
16+ 4.72 EUR
17+ 4.35 EUR
Mindestbestellmenge: 14
STW1220STATICTECCategory: Antistatic Wirst Bands
Description: Wristband; ESD; Features: antialergic; red; Kit: ESD wirstband
Type of antistatic accessories: wristband
Version: ESD
Features of antistatic elements: antialergic
Colour: red
Kit contents: ESD wirstband
Kind of connector: press stud male 10mm
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 23 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
14+5.16 EUR
15+ 4.78 EUR
16+ 4.72 EUR
17+ 4.35 EUR
Mindestbestellmenge: 14
STW12N120K5STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 1200V; 7.6A; 250W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ K5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 7.6A
Power dissipation: 250W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 620mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Produkt ist nicht verfügbar
STW12N120K5STMicroelectronicsMOSFET N-channel 1200 V, 0.62 Ohm typ 12 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-247 package
auf Bestellung 575 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
3+24.78 EUR
10+ 21.24 EUR
25+ 19.24 EUR
100+ 17.71 EUR
250+ 16.67 EUR
600+ 15.63 EUR
1200+ 14.04 EUR
Mindestbestellmenge: 3
STW12N120K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 1.2KV 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
STW12N120K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 1.2KV 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
STW12N120K5STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 1200V; 7.6A; 250W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ K5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 7.6A
Power dissipation: 250W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 620mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
STW12N120K5STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STW12N120K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.2 kV, 12 A, 0.62 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 250W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh K5
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.62ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.62ohm
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
auf Bestellung 332 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
STW12N120K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 1.2KV 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
STW12N120K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 1.2KV 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
STW12N120K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 1.2KV 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+23.11 EUR
Mindestbestellmenge: 7
STW12N120K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 1200V 12A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 690mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 100 V
auf Bestellung 601 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2+24.6 EUR
30+ 19.65 EUR
120+ 17.58 EUR
510+ 15.51 EUR
Mindestbestellmenge: 2
STW12N150K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 1.5KV 7A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
STW12N150K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 1500V 7A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9Ohm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360 pF @ 100 V
auf Bestellung 558 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2+23.43 EUR
30+ 18.7 EUR
120+ 16.73 EUR
510+ 14.77 EUR
Mindestbestellmenge: 2
STW12N150K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 1.5KV 7A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
STW12N150K5STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 1500V; 4A; 250W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ K5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1500V
Drain current: 4A
Power dissipation: 250W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1600mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
auf Bestellung 56 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+14.59 EUR
7+ 10.65 EUR
8+ 10.08 EUR
Mindestbestellmenge: 5
STW12N150K5STMicroelectronicsMOSFET N-channel 1500 V, 1.6 Ohm typ 7 A MDmesh K5 Power MOSFET
auf Bestellung 575 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
3+23.61 EUR
10+ 21.06 EUR
25+ 17.13 EUR
100+ 15.99 EUR
250+ 14.72 EUR
600+ 13.36 EUR
3000+ 12.95 EUR
Mindestbestellmenge: 3
STW12N150K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 1.5KV 7A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 420 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
STW12N150K5STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 1500V; 4A; 250W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ K5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1500V
Drain current: 4A
Power dissipation: 250W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1600mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 56 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+14.59 EUR
7+ 10.65 EUR
8+ 10.08 EUR
Mindestbestellmenge: 5
STW12N150K5STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STW12N150K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.5 kV, 7 A, 1.6 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1.5kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 250W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh K5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.6ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
auf Bestellung 1983 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
STW12N170K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 1.7KV 5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
STW12N170K5STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.7kV; 3A; Idm: 10A; 250W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.7kV
Drain current: 3A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 250W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 37nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
STW12N170K5STMicroelectronicsMOSFET N-channel 1700 V, 2.3 Ohm typ 5 A MDmesh K5 Power MOSFET
auf Bestellung 505 Stücke:
Lieferzeit 126-140 Tag (e)
2+26.62 EUR
10+ 22.8 EUR
25+ 22.18 EUR
100+ 19.01 EUR
250+ 18.69 EUR
600+ 15.08 EUR
Mindestbestellmenge: 2
STW12N170K5STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.7kV; 3A; Idm: 10A; 250W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.7kV
Drain current: 3A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 250W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 37nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
STW12N170K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 1700V 5A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1380 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
STW12NA60ST
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STW12NA60STTO-247
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STW12NA60STMicroelectronicsMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
STW12NB60
auf Bestellung 38000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STW12NC50
auf Bestellung 38000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STW12NC60STTO-247
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STW12NK60ZSTMicroelectronicsMOSFET N-channel 650 V 0.53 ohm 10A
Produkt ist nicht verfügbar
STW12NK60ZSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 10A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 640mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1740 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
STW12NK60Z-HSTMicroelectronicsMOSFET Power MOSFETs, N-Channel (>400V to 650V), POWER MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
STW12NK80ZSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6.6A; 190W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6.6A
Power dissipation: 190W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.65Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+3.62 EUR
26+ 2.83 EUR
30+ 2.39 EUR
Mindestbestellmenge: 20
STW12NK80ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 10.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
27+5.81 EUR
30+ 5.05 EUR
32+ 4.62 EUR
100+ 3.99 EUR
250+ 3.38 EUR
600+ 2.91 EUR
Mindestbestellmenge: 27
STW12NK80ZSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 800V 10.5A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2620 pF @ 25 V
auf Bestellung 546 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2+14.35 EUR
30+ 11.39 EUR
120+ 9.76 EUR
510+ 8.68 EUR
Mindestbestellmenge: 2
STW12NK80ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 10.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
27+5.86 EUR
30+ 5.1 EUR
32+ 4.66 EUR
100+ 4.02 EUR
250+ 3.41 EUR
600+ 2.93 EUR
Mindestbestellmenge: 27
STW12NK80Z
Produktcode: 33689		STTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247
Uds,V: 800
Idd,A: 10.05.2015
Rds(on), Ohm: 0.65
Ciss, pF/Qg, nC: 2620/87
JHGF: THT
auf Bestellung 19 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+8 EUR
10+ 6.99 EUR
STW12NK80ZSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STW12NK80Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 10.5 A, 0.65 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.65ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
auf Bestellung 264 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
STW12NK80ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 10.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 240 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
STW12NK80ZSTMicroelectronicsMOSFET N-Ch 800 Volt 10.5 A Zener SuperMESH
auf Bestellung 429 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
4+14.12 EUR
10+ 13.21 EUR
25+ 11.26 EUR
100+ 9.67 EUR
250+ 8.66 EUR
600+ 7.12 EUR
1200+ 7.02 EUR
Mindestbestellmenge: 4
STW12NK80ZSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6.6A; 190W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6.6A
Power dissipation: 190W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.65Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20+3.62 EUR
26+ 2.83 EUR
30+ 2.39 EUR
Mindestbestellmenge: 20
STW12NK80ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 10.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
STW12NK90
auf Bestellung 85 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STW12NK90Z
Produktcode: 31985		STTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247
Uds,V: 900
Idd,A: 11
Rds(on), Ohm: 0.88
Ciss, pF/Qg, nC: 3500/113
JHGF: THT
auf Bestellung 23 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+2.46 EUR
10+ 2.14 EUR
STW12NK90ZSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STW12NK90Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 11 A, 0.72 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.72ohm
auf Bestellung 1865 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
STW12NK90ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 900V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
STW12NK90ZSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 11A; 230W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 11A
Power dissipation: 230W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 880mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 490 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
17+4.39 EUR
18+ 4 EUR
24+ 3 EUR
26+ 2.85 EUR
Mindestbestellmenge: 17
STW12NK90ZSTMicroelectronicsMOSFET N-Ch 900 Volt 11 Amp Zener SuperMESH
auf Bestellung 1194 Stücke:
Lieferzeit 126-140 Tag (e)
4+14.56 EUR
25+ 11.54 EUR
100+ 9.88 EUR
250+ 8.79 EUR
600+ 7.51 EUR
1200+ 7.07 EUR
Mindestbestellmenge: 4
STW12NK90ZSTTranzystor N-MOSFET; 900V; 30V; 880mOhm; 11A; 230W; -55°C ~ 150°C; STW12NK90Z TSTW12NK90Z
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+8.1 EUR
Mindestbestellmenge: 10
STW12NK90ZSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 11A; 230W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 11A
Power dissipation: 230W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 880mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
auf Bestellung 490 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+4.39 EUR
18+ 4 EUR
24+ 3 EUR
26+ 2.85 EUR
Mindestbestellmenge: 17
STW12NK90ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 900V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
STW12NK90ZSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 900V 11A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 880mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V
auf Bestellung 576 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2+14.46 EUR
30+ 11.46 EUR
120+ 9.82 EUR
510+ 8.73 EUR
Mindestbestellmenge: 2
STW12NK90ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 900V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
STW12NK90ZSTTranzystor N-MOSFET; 900V; 30V; 880mOhm; 11A; 230W; -55°C ~ 150°C; STW12NK90Z TSTW12NK90Z
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+8.1 EUR
Mindestbestellmenge: 10
STW12NK95
auf Bestellung 70000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STW12NK95ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 950V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
STW12NK95ZSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 950V 10A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
STW12NK95ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 950V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
STW12NK95ZSTMicroelectronicsMOSFET N-Ch 950V - 0.69 10A Zener SuperMESH
Produkt ist nicht verfügbar
STW12NK95ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 950V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
STW12NK95ZPB-FRE
auf Bestellung 1680 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STW12NM60NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 10A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 410mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
STW1300STATICTECCategory: ESD Accessories
Description: Connection cable; ESD,coiled; Features: resistor 1MΩ; blue; 1.8m
Kind of connector: banana 4mm plug; crocodile clip; press stud female 10mm
Cable length: 1.8m
Colour: blue
Type of antistatic accessories: connection cable
Features of antistatic elements: resistor 1MΩ
Antistatic elements application: earthing ESD matts to ground; earthing ESD wristbands
Version: coiled; ESD
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+6.51 EUR
Mindestbestellmenge: 11
STW1300STATICTECCategory: ESD Accessories
Description: Connection cable; ESD,coiled; Features: resistor 1MΩ; blue; 1.8m
Kind of connector: banana 4mm plug; crocodile clip; press stud female 10mm
Cable length: 1.8m
Colour: blue
Type of antistatic accessories: connection cable
Features of antistatic elements: resistor 1MΩ
Antistatic elements application: earthing ESD matts to ground; earthing ESD wristbands
Version: coiled; ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
11+6.51 EUR
Mindestbestellmenge: 11
STW13009ShindengenBipolar Transistors - BJT
Produkt ist nicht verfügbar
STW13009STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT H/V FST SWCH PW TRNS
Produkt ist nicht verfügbar
STW13009STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 400V 12A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 3A, 12A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5A, 5V
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 125 W
Produkt ist nicht verfügbar
STW13009
Produktcode: 73917		STTransistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-247
Uceo,V: 400
Ic,A: 12
ZCODE: THT
Produkt ist nicht verfügbar
STW13009; біполярний; NPN; 700V; 12A; 125W; Корпус: TO-247; ON Semi.(FAIRCHILD)
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
STW13009; биполярный; NPN; 700V; 12A; 125W; Корпус: TO-247; STM
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
STW1310STATICTECCategory: ESD Accessories
Description: Coiled earth lead; ESD; Features: 2 10mm female press stud; blue
Version: ESD
Type of antistatic accessories: coiled earth lead
Colour: blue
Cable length: 1.8m
Features of antistatic elements: 2 10mm female press stud
Antistatic elements application: for earthing ESD wristbands
auf Bestellung 43 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+6.76 EUR
13+ 5.55 EUR
Mindestbestellmenge: 11
STW1310STATICTECCategory: ESD Accessories
Description: Coiled earth lead; ESD; Features: 2 10mm female press stud; blue
Version: ESD
Type of antistatic accessories: coiled earth lead
Colour: blue
Cable length: 1.8m
Features of antistatic elements: 2 10mm female press stud
Antistatic elements application: for earthing ESD wristbands
auf Bestellung 43 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
11+6.76 EUR
13+ 5.55 EUR
Mindestbestellmenge: 11
STW1320STATICTECCategory: ESD Accessories
Description: Coiled earth lead; ESD; black; 1.8m
Version: ESD
Type of antistatic accessories: coiled earth lead
Colour: black
Cable length: 1.8m
Features of antistatic elements: banana plug 4mm; crocodile clip; one 10mm female press stud
Antistatic elements application: for earthing ESD wristbands
auf Bestellung 23 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+6.76 EUR
13+ 5.55 EUR
Mindestbestellmenge: 11
STW1320
Produktcode: 192355		Werkzeuge > Anti-Statik-Handschuhe
Produkt ist nicht verfügbar
STW1320STATICTECCategory: ESD Accessories
Description: Coiled earth lead; ESD; black; 1.8m
Version: ESD
Type of antistatic accessories: coiled earth lead
Colour: black
Cable length: 1.8m
Features of antistatic elements: banana plug 4mm; crocodile clip; one 10mm female press stud
Antistatic elements application: for earthing ESD wristbands
auf Bestellung 23 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
11+6.76 EUR
13+ 5.55 EUR
Mindestbestellmenge: 11
STW1330STATICTECCategory: ESD Accessories
Description: Connection cable; ESD,coiled; Features: resistor 1MΩ; black; 1.8m
Cable length: 1.8m
Type of antistatic accessories: connection cable
Features of antistatic elements: resistor 1MΩ
Antistatic elements application: earthing ESD matts to ground; earthing ESD wristbands
Kind of cord termination: female press stud 10mm x2
Version: coiled; ESD
Colour: black
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
STW1330STATICTECCategory: ESD Accessories
Description: Connection cable; ESD,coiled; Features: resistor 1MΩ; black; 1.8m
Cable length: 1.8m
Type of antistatic accessories: connection cable
Features of antistatic elements: resistor 1MΩ
Antistatic elements application: earthing ESD matts to ground; earthing ESD wristbands
Kind of cord termination: female press stud 10mm x2
Version: coiled; ESD
Colour: black
Produkt ist nicht verfügbar
STW1330
Produktcode: 192356		Werkzeuge > Anti-Statik-Handschuhe
Produkt ist nicht verfügbar
STW13N60M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 11A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
STW13N60M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
STW13N60M2STMicroelectronicsMOSFET PTD HIGH VOLTAGE
auf Bestellung 1043 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
STW13N60M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 337 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
110+1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 110
STW13N80K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
STW13N80K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
STW13N80K5STMicroelectronicsMOSFET N-channel 800 V, 0.37 Ohm typ 12 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-247 package
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
5+11.02 EUR
25+ 8.66 EUR
100+ 7.36 EUR
250+ 6.6 EUR
600+ 5.59 EUR
Mindestbestellmenge: 5
STW13N80K5STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SuperMESH5™; unipolar; 800V; 7.6A; 190W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMESH5™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 7.6A
Power dissipation: 190W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
12+6.05 EUR
14+ 5.45 EUR
17+ 4.2 EUR
Mindestbestellmenge: 12
STW13N80K5STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SuperMESH5™; unipolar; 800V; 7.6A; 190W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMESH5™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 7.6A
Power dissipation: 190W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12+6.05 EUR
14+ 5.45 EUR
17+ 4.2 EUR
Mindestbestellmenge: 12
STW13N80K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
STW13N80K5
Produktcode: 151535		STTransistoren > MOSFET N-CH
Uds,V: 800 V
Idd,A: 12 А
Rds(on), Ohm: 0,45 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 870/29
JHGF: THT
auf Bestellung 16 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 4 Stück:
STW13N80K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
STW13N80K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 800V 12A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
STW13N80K5STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STW13N80K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 12 A, 0.37 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh K5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.37ohm
auf Bestellung 510 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
STW13N80K5
auf Bestellung 548 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
STW13N80K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
STW13N95K3
Produktcode: 57538		Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
STW13N95K3STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 950V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 295 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
33+4.81 EUR
Mindestbestellmenge: 33
STW13N95K3STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 950V 10A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
STW13N95K3STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 950V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
STW13N95K3STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 950V SuperMESH3 Zener-Protected 10A
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 378-392 Tag (e)
3+19.6 EUR
10+ 17.71 EUR
100+ 14.66 EUR
600+ 13.26 EUR
1200+ 11.7 EUR
Mindestbestellmenge: 3
STW13N95K3STMicroelectronicsSTW13N95K3 THT N channel transistors
auf Bestellung 22 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+7.21 EUR
15+ 4.92 EUR
16+ 4.65 EUR
300+ 4.63 EUR
Mindestbestellmenge: 10
STW13N95K3STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 950V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
STW13NB60
auf Bestellung 3500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STW13NB60STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-247
Produkt ist nicht verfügbar
STW13NB60STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 13A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
STW13NK100ZSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1000V; 8.2A; 350W; TO247
Mounting: THT
Case: TO247
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 8.2A
On-state resistance: 0.56Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 350W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Technology: SuperMesh™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
auf Bestellung 49 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8+9.92 EUR
10+ 7.28 EUR
11+ 6.89 EUR
Mindestbestellmenge: 8
STW13NK100ZSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1000V; 8.2A; 350W; TO247
Mounting: THT
Case: TO247
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 8.2A
On-state resistance: 0.56Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 350W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Technology: SuperMesh™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 49 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
8+9.92 EUR
10+ 7.28 EUR
11+ 6.89 EUR
Mindestbestellmenge: 8
STW13NK100ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 1KV 13A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
STW13NK100ZSTMicroelectronicsMOSFET N-Ch 1000 Volt 13A Zener SuperMESH
auf Bestellung 394 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
2+28.44 EUR
25+ 17.78 EUR
100+ 17.11 EUR
250+ 16.64 EUR
600+ 16.12 EUR
1200+ 16.09 EUR
Mindestbestellmenge: 2
STW13NK100ZSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 1000V 13A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 350W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 266 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
STW13NK100Z
Produktcode: 38847		Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
STW13NK100ZSTTransistor N-Channel MOSFET; 1000V; 1000V; 30V; 700mOhm; 13A; 350W; -55°C ~ 150°C; STW13NK100Z TSTW13NK100Z
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+14.78 EUR
Mindestbestellmenge: 4
STW13NK100ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 1KV 13A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
STW13NK100ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 1KV 13A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
STW13NK50ZSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 11A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
STW13NK60ZSTMicroelectronicsMOSFET N-Ch 600 Volt 13 Amp Zener SuperMESH
auf Bestellung 395 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
5+11.52 EUR
10+ 9.67 EUR
25+ 9.13 EUR
100+ 7.8 EUR
250+ 7.44 EUR
600+ 6.29 EUR
1200+ 6.06 EUR
Mindestbestellmenge: 5
STW13NK60ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 2247 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
56+2.81 EUR
Mindestbestellmenge: 56
STW13NK60Z
Produktcode: 82405		Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Produkt ist nicht verfügbar
STW13NK60ZSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; 150W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Power dissipation: 150W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 113 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
22+3.33 EUR
25+ 2.96 EUR
32+ 2.25 EUR
34+ 2.12 EUR
Mindestbestellmenge: 22
STW13NK60ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 1797 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
STW13NK60ZSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STW13NK60Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13 A, 0.48 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.48ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
auf Bestellung 139 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
STW13NK60ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
STW13NK60ZSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; 150W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Power dissipation: 150W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
auf Bestellung 113 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
22+3.33 EUR
25+ 2.96 EUR
32+ 2.25 EUR
34+ 2.12 EUR
Mindestbestellmenge: 22
STW13NK60ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 2247 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+3.17 EUR
Mindestbestellmenge: 50
STW13NK60ZSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 13A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2030 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
STW13NK60ZSTN-MOSFET 13A 600V 150W STW13NK60Z TSTW13NK60z
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 120 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+5.8 EUR
Mindestbestellmenge: 10
STW13NK60ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
STW13NK80ZSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 800V 12A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3480 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
STW13NK80Zst10
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STW13NK80ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
STW13NK80ZSTMicroelectronicsMOSFET N-Ch 800 Volt 12 Amp
Produkt ist nicht verfügbar
STW13NK80Z
Produktcode: 1914		STTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247
Uds,V: 800
Idd,A: 12
Rds(on), Ohm: 0.65
Ciss, pF/Qg, nC: 3480/115
JHGF: THT
ZCODE: 8541290010
auf Bestellung 18 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+2.52 EUR
10+ 2.26 EUR
STW13NM50NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 12A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
STW13NM60NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 11A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
STW1400STATICTECCategory: ESD Accessories
Description: Ground cord; ESD; Application: for earthing ESD matts to ground
Version: ESD
Cable length: 1.8m
Colour: black
Features of antistatic elements: banana plug 4mm; one 10mm female press stud
Antistatic elements application: earthing ESD matts to ground
Type of antistatic accessories: ground cord
Resistance of the coiled cord: 1MΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
9+8.58 EUR
10+ 7.45 EUR
11+ 7.05 EUR
Mindestbestellmenge: 9
STW1400STATICTECCategory: ESD Accessories
Description: Ground cord; ESD; Application: for earthing ESD matts to ground
Version: ESD
Cable length: 1.8m
Colour: black
Features of antistatic elements: banana plug 4mm; one 10mm female press stud
Antistatic elements application: earthing ESD matts to ground
Type of antistatic accessories: ground cord
Resistance of the coiled cord: 1MΩ
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+8.58 EUR
10+ 7.45 EUR
11+ 7.05 EUR
Mindestbestellmenge: 9
STW1410STATICTECCategory: ESD Accessories
Description: Ground cord; ESD; Features: 2 10mm female press stud; black; 1MΩ
Version: ESD
Cable length: 1.8m
Colour: black
Features of antistatic elements: 2 10mm female press stud
Antistatic elements application: earthing ESD matts to ground
Type of antistatic accessories: ground cord
Resistance of the coiled cord: 1MΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 39 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
9+8.58 EUR
10+ 7.45 EUR
11+ 7.05 EUR
Mindestbestellmenge: 9
STW1410STATICTECCategory: ESD Accessories
Description: Ground cord; ESD; Features: 2 10mm female press stud; black; 1MΩ
Version: ESD
Cable length: 1.8m
Colour: black
Features of antistatic elements: 2 10mm female press stud
Antistatic elements application: earthing ESD matts to ground
Type of antistatic accessories: ground cord
Resistance of the coiled cord: 1MΩ
auf Bestellung 39 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+8.58 EUR
10+ 7.45 EUR
11+ 7.05 EUR
Mindestbestellmenge: 9
STW1420STATICTECCategory: ESD Accessories
Description: Ground cord; ESD; Features: 2 10mm female press stud; black; 1MΩ
Version: ESD
Cable length: 0.25m
Colour: black
Features of antistatic elements: 2 10mm female press stud
Antistatic elements application: earthing ESD matts to ground
Type of antistatic accessories: ground cord
Resistance of the coiled cord: 1MΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
9+8.58 EUR
10+ 7.45 EUR
11+ 7.05 EUR
Mindestbestellmenge: 9
STW1420STATICTECCategory: ESD Accessories
Description: Ground cord; ESD; Features: 2 10mm female press stud; black; 1MΩ
Version: ESD
Cable length: 0.25m
Colour: black
Features of antistatic elements: 2 10mm female press stud
Antistatic elements application: earthing ESD matts to ground
Type of antistatic accessories: ground cord
Resistance of the coiled cord: 1MΩ
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+8.58 EUR
10+ 7.45 EUR
11+ 7.05 EUR
Mindestbestellmenge: 9
STW1430STATICTECCategory: ESD Accessories
Description: Ground cord; ESD; Application: earthing ESD matts to ground
Cable length: 1.8m
Type of antistatic accessories: ground cord
Antistatic elements application: earthing ESD matts to ground
Kind of cord termination: female press stud 10mm; ring terminal 5mm
Version: ESD
Resistance of the coiled cord: 1MΩ
Colour: black
auf Bestellung 63 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+8.15 EUR
10+ 7.48 EUR
11+ 6.88 EUR
Mindestbestellmenge: 9
STW1430
Produktcode: 192354		Werkzeuge > Anti-Statik-Handschuhe
Produkt ist nicht verfügbar
STW1430STATICTECCategory: ESD Accessories
Description: Ground cord; ESD; Application: earthing ESD matts to ground
Cable length: 1.8m
Type of antistatic accessories: ground cord
Antistatic elements application: earthing ESD matts to ground
Kind of cord termination: female press stud 10mm; ring terminal 5mm
Version: ESD
Resistance of the coiled cord: 1MΩ
Colour: black
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 63 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
9+8.15 EUR
10+ 7.48 EUR
11+ 6.88 EUR
Mindestbestellmenge: 9
STW1450STATICTECPRT-STW1450 ESD Accessories
Produkt ist nicht verfügbar
STW1460STATICTECPRT-STW1460 ESD Accessories
Produkt ist nicht verfügbar
STW1480STATICTECCategory: ESD Accessories
Description: Ground cord; ESD; black; 1MΩ; 2.5m
Version: ESD
Cable length: 2.5m
Colour: black
Features of antistatic elements: 5mm ring socket; four 4mm banana sockets; one 10mm male press stud
Antistatic elements application: for earthing ESD wristbands and matts
Type of antistatic accessories: ground cord
Resistance of the coiled cord: 1MΩ
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+35.75 EUR
Mindestbestellmenge: 2
STW1480STATICTECCategory: ESD Accessories
Description: Ground cord; ESD; black; 1MΩ; 2.5m
Version: ESD
Cable length: 2.5m
Colour: black
Features of antistatic elements: 5mm ring socket; four 4mm banana sockets; one 10mm male press stud
Antistatic elements application: for earthing ESD wristbands and matts
Type of antistatic accessories: ground cord
Resistance of the coiled cord: 1MΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
2+35.75 EUR
5+ 14.3 EUR
Mindestbestellmenge: 2
STW1485STATICTECCategory: ESD Accessories
Description: Universal grounding box; ESD
Kind of connector: banana 4mm socket; press stud male 10mm x6
Type of antistatic accessories: universal grounding box
Antistatic elements application: earthing ESD matts to ground; earthing ESD wristbands
Version: ESD
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+15.1 EUR
6+ 12.71 EUR
Mindestbestellmenge: 5
STW1485STATICTECCategory: ESD Accessories
Description: Universal grounding box; ESD
Kind of connector: banana 4mm socket; press stud male 10mm x6
Type of antistatic accessories: universal grounding box
Antistatic elements application: earthing ESD matts to ground; earthing ESD wristbands
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+15.1 EUR
6+ 12.71 EUR
Mindestbestellmenge: 5
STW1490STATICTECCategory: ESD Accessories
Description: Ground cord; ESD; black; 1MΩ; 2.5m
Version: ESD
Cable length: 2.5m
Colour: black
Features of antistatic elements: 2 4mm banana sockets; banana plug 4mm; one 10mm female press stud
Antistatic elements application: for earthing ESD wristbands and matts
Type of antistatic accessories: ground cord
Resistance of the coiled cord: 1MΩ
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+14.3 EUR
Mindestbestellmenge: 5
STW1490STATICTECCategory: ESD Accessories
Description: Ground cord; ESD; black; 1MΩ; 2.5m
Version: ESD
Cable length: 2.5m
Colour: black
Features of antistatic elements: 2 4mm banana sockets; banana plug 4mm; one 10mm female press stud
Antistatic elements application: for earthing ESD wristbands and matts
Type of antistatic accessories: ground cord
Resistance of the coiled cord: 1MΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+14.3 EUR
Mindestbestellmenge: 5
STW14N50
auf Bestellung 38000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STW14NC50ST
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STW14NC50STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247
Produkt ist nicht verfügbar
STW14NC50ZPB
auf Bestellung 1168 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STW14NK50ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 570 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
37+4.24 EUR
42+ 3.65 EUR
100+ 2.93 EUR
500+ 2.66 EUR
Mindestbestellmenge: 37
STW14NK50ZSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 14A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
auf Bestellung 54 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3+10.32 EUR
30+ 8.19 EUR
Mindestbestellmenge: 3
STW14NK50Z
Produktcode: 3300		STTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247
Uds,V: 500
Idd,A: 14
Rds(on), Ohm: 0.38
Ciss, pF/Qg, nC: 2000/69
JHGF: THT
ZCODE: 8541290010
verfügbar 47 Stück:
6 Stück - stock Köln
41 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
1+6 EUR
10+ 5.1 EUR
STW14NK50ZSTMicroelectronicsMOSFET N-Ch 500 Volt 14 Amp Zener SuperMESH
auf Bestellung 1708 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
8+6.5 EUR
10+ 6.47 EUR
25+ 5.93 EUR
100+ 5.38 EUR
250+ 5.33 EUR
600+ 5.07 EUR
Mindestbestellmenge: 8
STW14NK50ZSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 14A; 150W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 14A
Power dissipation: 150W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 82 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
24+3.06 EUR
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STW14NK50ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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STW14NK50ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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STW14NK50ZSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 14A; 150W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 14A
Power dissipation: 150W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
auf Bestellung 82 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
24+3.06 EUR
26+ 2.76 EUR
36+ 2 EUR
38+ 1.9 EUR
Mindestbestellmenge: 24
STW14NK50ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 570 Stücke:
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35+4.57 EUR
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STW14NK50ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 242 Stücke:
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100+ 2.35 EUR
Mindestbestellmenge: 62
STW14NK50ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 30 Stücke:
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STW14NK50ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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STW14NK50ZSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STW14NK50Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 14 A, 0.34 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.34ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
auf Bestellung 1271 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
STW14NK60ZSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 13.5A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2220 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
STW14NK60ZSTMicroelectronicsMOSFET N-Ch 600 Volt 13.5A
Produkt ist nicht verfügbar
STW14NK60Z
auf Bestellung 199950 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STW14NM50STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 550V 14A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 175W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 550 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
STW14NM50STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 500 Volt 14 Amp
Produkt ist nicht verfügbar
STW14NM50
auf Bestellung 350 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STW14NM50STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
STW14NM50FDSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 14A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
STW14NM50FDSTMicroelectronicsMOSFET N-Ch 500 Volt 12 Amp
Produkt ist nicht verfügbar
STW14NM65NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 12A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
STW14NM65NSTMicroelectronicsMOSFET N-channel 650V
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STW1500STATICTECCategory: Antistatic Shoes Grounders
Description: ESD shoe grounder; ESD; 1pcs; Features: under toes,resistor 1MΩ
Type of antistatic accessories: ESD shoe grounder
Version: ESD
Quantity in set/package: 1pcs.
Features of antistatic elements: resistor 1MΩ; under toes
Colour: black; blue
Mounting: clip
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
9+8.09 EUR
10+ 7.46 EUR
Mindestbestellmenge: 9
STW1500STATICTECCategory: Antistatic Shoes Grounders
Description: ESD shoe grounder; ESD; 1pcs; Features: under toes,resistor 1MΩ
Type of antistatic accessories: ESD shoe grounder
Version: ESD
Quantity in set/package: 1pcs.
Features of antistatic elements: resistor 1MΩ; under toes
Colour: black; blue
Mounting: clip
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+8.09 EUR
10+ 7.46 EUR
Mindestbestellmenge: 9
STW150NF55STMicroelectronicsMOSFET N-Ch, 55V-0.005ohms 120A
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STW150NF55STDO-35
auf Bestellung 200000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STW150NF55STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 55V 120A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
STW1510STATICTECCategory: Antistatic Shoes Grounders
Description: ESD shoe grounder; ESD; 1pcs; Features: under heel,resistor 1MΩ
Colour: black; blue
Version: ESD
Quantity in set/package: 1pcs.
Type of antistatic accessories: ESD shoe grounder
Features of antistatic elements: resistor 1MΩ; under heel
Mounting: clip
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 35 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
9+8.09 EUR
10+ 7.46 EUR
Mindestbestellmenge: 9
STW1510STATICTECCategory: Antistatic Shoes Grounders
Description: ESD shoe grounder; ESD; 1pcs; Features: under heel,resistor 1MΩ
Colour: black; blue
Version: ESD
Quantity in set/package: 1pcs.
Type of antistatic accessories: ESD shoe grounder
Features of antistatic elements: resistor 1MΩ; under heel
Mounting: clip
auf Bestellung 35 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+8.09 EUR
10+ 7.46 EUR
Mindestbestellmenge: 9
STW1520STATICTECCategory: Antistatic Shoes Grounders
Description: ESD shoe grounder; ESD; 1pcs; Features: under heel,resistor 1MΩ
Type of antistatic accessories: ESD shoe grounder
Version: ESD
Quantity in set/package: 1pcs.
Features of antistatic elements: resistor 1MΩ; under heel
Colour: black; blue
Mounting: clip
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+8.09 EUR
10+ 7.46 EUR
Mindestbestellmenge: 9
STW1520STATICTECCategory: Antistatic Shoes Grounders
Description: ESD shoe grounder; ESD; 1pcs; Features: under heel,resistor 1MΩ
Type of antistatic accessories: ESD shoe grounder
Version: ESD
Quantity in set/package: 1pcs.
Features of antistatic elements: resistor 1MΩ; under heel
Colour: black; blue
Mounting: clip
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
9+8.09 EUR
10+ 7.46 EUR
Mindestbestellmenge: 9
STW1550STATICTECCategory: Antistatic Shoes Grounders
Description: ESD shoe grounder; ESD; 300mm; 100pcs; yellow-black
Quantity in set/package: 100pcs.
Type of antistatic accessories: ESD shoe grounder
Features of antistatic elements: disposable; self-adhesive polyester conductive straps designed for draining electrostatic charges, fastened on a shoes
Version: ESD
Colour: yellow-black
Length: 0.3m
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 23 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
2+37.39 EUR
3+ 35.35 EUR
Mindestbestellmenge: 2
STW1550STATICTECCategory: Antistatic Shoes Grounders
Description: ESD shoe grounder; ESD; 300mm; 100pcs; yellow-black
Quantity in set/package: 100pcs.
Type of antistatic accessories: ESD shoe grounder
Features of antistatic elements: disposable; self-adhesive polyester conductive straps designed for draining electrostatic charges, fastened on a shoes
Version: ESD
Colour: yellow-black
Length: 0.3m
auf Bestellung 23 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+37.39 EUR
3+ 35.35 EUR
Mindestbestellmenge: 2
STW1555STATICTECCategory: Antistatic Shoes Grounders
Description: ESD shoe grounder; ESD; 600mm; 100pcs; yellow-black
Quantity in set/package: 100pcs.
Type of antistatic accessories: ESD shoe grounder
Features of antistatic elements: disposable; self-adhesive polyester conductive straps designed for draining electrostatic charges, fastened on a shoes
Version: ESD
Colour: yellow-black
Length: 0.6m
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+48.99 EUR
Mindestbestellmenge: 2
STW1555STATICTECCategory: Antistatic Shoes Grounders
Description: ESD shoe grounder; ESD; 600mm; 100pcs; yellow-black
Quantity in set/package: 100pcs.
Type of antistatic accessories: ESD shoe grounder
Features of antistatic elements: disposable; self-adhesive polyester conductive straps designed for draining electrostatic charges, fastened on a shoes
Version: ESD
Colour: yellow-black
Length: 0.6m
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
2+48.99 EUR
Mindestbestellmenge: 2
STW1560STATICTECCategory: Static Protection-Personal Others
Description: Bin; ESD; 300mm; yellow-black; PRT-STW1550
Type of antistatic accessories: bin
Version: ESD
Length: 0.3m
Antistatic elements application: container for self-adhesive, disposable ESD straps
Colour: yellow-black
Related items: PRT-STW1550
Caution!: The box is empty
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
STW1560STATICTECCategory: Static Protection-Personal Others
Description: Bin; ESD; 300mm; yellow-black; PRT-STW1550
Type of antistatic accessories: bin
Version: ESD
Length: 0.3m
Antistatic elements application: container for self-adhesive, disposable ESD straps
Colour: yellow-black
Related items: PRT-STW1550
Caution!: The box is empty
Produkt ist nicht verfügbar
STW1565STATICTECCategory: Static Protection-Personal Others
Description: Bin; ESD; 600mm; yellow-black; PRT-STW1555
Type of antistatic accessories: bin
Version: ESD
Length: 0.6m
Antistatic elements application: container for self-adhesive, disposable ESD straps
Colour: yellow-black
Related items: PRT-STW1555
Caution!: The box is empty
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
STW1565STATICTECCategory: Static Protection-Personal Others
Description: Bin; ESD; 600mm; yellow-black; PRT-STW1555
Type of antistatic accessories: bin
Version: ESD
Length: 0.6m
Antistatic elements application: container for self-adhesive, disposable ESD straps
Colour: yellow-black
Related items: PRT-STW1555
Caution!: The box is empty
Produkt ist nicht verfügbar
STW15N80K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
STW15N80K5STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SuperMESH5™; unipolar; 800V; 8.8A; 190W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMESH5™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 8.8A
Power dissipation: 190W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12+6.42 EUR
13+ 5.78 EUR
17+ 4.43 EUR
18+ 4.19 EUR
Mindestbestellmenge: 12
STW15N80K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
STW15N80K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+8.73 EUR
Mindestbestellmenge: 18
STW15N80K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
STW15N80K5STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STW15N80K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 14 A, 0.3 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Anzahl der Pins: 3Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
auf Bestellung 395 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
STW15N80K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 800V 14A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 375mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
STW15N80K5STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 800V 0.3Ohm 14A pwr MDmesh K5
auf Bestellung 592 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
4+13.1 EUR
10+ 7.25 EUR
100+ 7.12 EUR
250+ 7.07 EUR
600+ 6.4 EUR
10200+ 6.37 EUR
Mindestbestellmenge: 4
STW15N80K5STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SuperMESH5™; unipolar; 800V; 8.8A; 190W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMESH5™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 8.8A
Power dissipation: 190W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
12+6.42 EUR
13+ 5.78 EUR
17+ 4.43 EUR
18+ 4.19 EUR
Mindestbestellmenge: 12
STW15N80K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
STW15N95K5STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STW15N95K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 12 A, 0.41 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 950V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Anzahl der Pins: 3Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.41ohm
auf Bestellung 1780 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
STW15N95K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 950V 12A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
STW15N95K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 950V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
STW15N95K5STMicroelectronicsMOSFET N-CH 950V 0.41Ohm typ. 12A MDmesh K5
auf Bestellung 2430 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
5+12.92 EUR
25+ 9.67 EUR
100+ 8.63 EUR
250+ 8.5 EUR
600+ 7.64 EUR
1200+ 7.44 EUR
3000+ 6.45 EUR
Mindestbestellmenge: 5
STW15N95K5STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SuperMESH5™; unipolar; 950V; 7.6A; 170W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMESH5™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 950V
Drain current: 7.6A
Power dissipation: 170W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 410mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
STW15N95K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 950V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
STW15N95K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 950V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
STW15N95K5STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SuperMESH5™; unipolar; 950V; 7.6A; 170W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMESH5™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 950V
Drain current: 7.6A
Power dissipation: 170W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 410mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Produkt ist nicht verfügbar
STW15N95K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 950V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
STW15NA50STMicroelectronicsMOSFET TO-247 N-CH 500V
Produkt ist nicht verfügbar
STW15NA50
auf Bestellung 1068 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STW15NB50ST03+ FBGA
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STW15NB50STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 500 Volt 14.6 A
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STW15NB50ST
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STW15NB50STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 14.6A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 25 V
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STW15NB50STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 14.6A 3-Pin(3+Tab) TO-247
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STW15NK50ZSTMicroelectronicsMOSFET N-Ch 500 Volt 14 Amp Zener SuperMESH
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5+12.32 EUR
10+ 8.37 EUR
25+ 8.01 EUR
100+ 5.98 EUR
Mindestbestellmenge: 5
STW15NK50ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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STW15NK50ZSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 8.8A; 160W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 8.8A
Power dissipation: 160W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
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STW15NK50ZSTN-MOSFET 14A 500V 160W 0.34Ω Replacement: STW15NB50 STW15NK50Z TSTW15NK50
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
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5+6.37 EUR
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STW15NK50ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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29+5.43 EUR
38+ 4.04 EUR
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250+ 2.63 EUR
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STW15NK50ZSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 14A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2260 pF @ 25 V
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3+12.12 EUR
30+ 9.61 EUR
120+ 8.23 EUR
510+ 7.32 EUR
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STW15NK50ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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STW15NK50Z
Produktcode: 153069		Transistoren > MOSFET N-CH
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STW15NK50ZSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STW15NK50Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 7 A, 0.3 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 160W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 30V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
auf Bestellung 808 Stücke:
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STW15NK50ZSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 8.8A; 160W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 8.8A
Power dissipation: 160W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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STW15NK50ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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68+2.31 EUR
100+ 2.13 EUR
250+ 1.97 EUR
500+ 1.82 EUR
1000+ 1.69 EUR
Mindestbestellmenge: 68
STW15NK90ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 900V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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STW15NK90ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 900V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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25+6.31 EUR
28+ 5.56 EUR
29+ 5.16 EUR
50+ 4.71 EUR
100+ 4.21 EUR
1000+ 3.77 EUR
Mindestbestellmenge: 25
STW15NK90Z
Produktcode: 42480		STTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247
Uds,V: 900
Idd,A: 15
Rds(on), Ohm: 0.55
Ciss, pF/Qg, nC: 6100/190
JHGF: THT
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STW15NK90ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 900V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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STW15NK90ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 900V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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STW15NK90ZSTMicroelectronicsMOSFET N-Ch 900 Volt 15 Amp Zener SuperMESH
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3+19.79 EUR
10+ 17.21 EUR
25+ 15.73 EUR
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600+ 12.38 EUR
1200+ 11.91 EUR
3000+ 11.39 EUR
Mindestbestellmenge: 3
STW15NK90ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 900V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 3600 Stücke:
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25+6.3 EUR
28+ 5.55 EUR
29+ 5.15 EUR
50+ 4.7 EUR
100+ 4.21 EUR
1000+ 3.77 EUR
Mindestbestellmenge: 25
STW15NK90Z
Produktcode: 198553		VBsemiTransistoren > MOSFET N-CH
Uds,V: 900 V
Idd,A: 15 A
Rds(on), Ohm: 0,55 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 6100/190
JHGF: THT
auf Bestellung 14 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STW15NK90ZSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 9.5A; 350W; TO247
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 9.5A
On-state resistance: 0.4Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 350W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Technology: SuperMesh™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: THT
Case: TO247
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+71.5 EUR
STW15NK90ZSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 9.5A; 350W; TO247
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 9.5A
On-state resistance: 0.4Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 350W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Technology: SuperMesh™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: THT
Case: TO247
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1+71.5 EUR
3+ 23.84 EUR
4+ 17.88 EUR
11+ 6.51 EUR
STW15NK90ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 900V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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STW15NK90ZSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 900V 15A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 350W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 256 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100 pF @ 25 V
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STW15NM60NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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STW15NM60NSTMicroelectronicsMOSFET N Ch 600V 0.270 ohm 14A
Produkt ist nicht verfügbar
STW15NM60NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 14A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
STW15NM60NDSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 14A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 50 V
auf Bestellung 372 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2+14.48 EUR
10+ 12.42 EUR
100+ 10.35 EUR
Mindestbestellmenge: 2
STW15NM60NDSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
STW15NM60NDSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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STW15NM60NDSTMicroelectronicsMOSFET N-channel 600 V FDMesh
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STW1600STATICTECCategory: ESD Accessories
Description: Female press stud; ESD; 10pcs; crimped; press stud female 10mm
Type of antistatic accessories: female press stud
Version: ESD
Quantity in set/package: 10pcs.
Antistatic elements application: designed for ESD mats
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Mounting: crimped
Kind of connector: press stud female 10mm
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13+5.73 EUR
14+ 5.23 EUR
15+ 4.82 EUR
Mindestbestellmenge: 13
STW1600STATICTECCategory: ESD Accessories
Description: Female press stud; ESD; 10pcs; crimped; press stud female 10mm
Type of antistatic accessories: female press stud
Version: ESD
Quantity in set/package: 10pcs.
Antistatic elements application: designed for ESD mats
Related items: PRT-STW404011; PRT-STW404012; PRT-STW404013; PRT-STW404111; PRT-STW404112; PRT-STW404113
Mounting: crimped
Kind of connector: press stud female 10mm
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
13+5.73 EUR
14+ 5.23 EUR
15+ 4.82 EUR
Mindestbestellmenge: 13
STW160N75F3STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
STW160N75F3STMicroelectronicsMOSFET 75V 3.5m 120A N-Channel
Produkt ist nicht verfügbar
STW160N75F3STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 75V 120A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6750 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
STW1610STATICTECCategory: ESD Accessories
Description: Male press stud; ESD; 10pcs; Application: designed for ESD mats
Type of antistatic accessories: male press stud
Version: ESD
Quantity in set/package: 10pcs.
Antistatic elements application: designed for ESD mats
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Mounting: crimped
Kind of connector: press stud male 10mm
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
14+5.11 EUR
Mindestbestellmenge: 14
STW1610STATICTECCategory: ESD Accessories
Description: Male press stud; ESD; 10pcs; Application: designed for ESD mats
Type of antistatic accessories: male press stud
Version: ESD
Quantity in set/package: 10pcs.
Antistatic elements application: designed for ESD mats
Related items: PRT-STW404011; PRT-STW404012; PRT-STW404013; PRT-STW404111; PRT-STW404112; PRT-STW404113
Mounting: crimped
Kind of connector: press stud male 10mm
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
14+5.11 EUR
Mindestbestellmenge: 14
STW1620STATICTECCategory: ESD Accessories
Description: Male press stud; ESD; 10pcs; Application: designed for ESD mats
Type of antistatic accessories: male press stud
Version: ESD
Quantity in set/package: 10pcs.
Antistatic elements application: designed for ESD mats
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Mounting: clinch
Kind of connector: press stud male 10mm
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+7.11 EUR
12+ 5.98 EUR
Mindestbestellmenge: 11
STW1620STATICTECCategory: ESD Accessories
Description: Male press stud; ESD; 10pcs; Application: designed for ESD mats
Type of antistatic accessories: male press stud
Version: ESD
Quantity in set/package: 10pcs.
Antistatic elements application: designed for ESD mats
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Mounting: clinch
Kind of connector: press stud male 10mm
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
11+7.11 EUR
12+ 5.98 EUR
Mindestbestellmenge: 11
STW1650STATICTECCategory: ESD Accessories
Description: Punching tool; ESD; Kit: puncher,crimping tool
Type of antistatic accessories: punching tool
Version: ESD
Antistatic elements application: for attaching grounding points; for male press studs
Kit contents: crimping tool; puncher
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auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+28.13 EUR
Mindestbestellmenge: 3
STW1650STATICTECCategory: ESD Accessories
Description: Punching tool; ESD; Kit: puncher,crimping tool
Type of antistatic accessories: punching tool
Version: ESD
Antistatic elements application: for attaching grounding points; for male press studs
Kit contents: crimping tool; puncher
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Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
3+28.13 EUR
10+ 27.41 EUR
Mindestbestellmenge: 3
STW1660STATICTECCategory: ESD Accessories
Description: Nozzles set for crimping press stud; ESD
Type of antistatic accessories: nozzles set for crimping press stud
Version: ESD
Antistatic elements application: for attaching grounding points; for female press studs
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auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+71.5 EUR
STW1660STATICTECCategory: ESD Accessories
Description: Nozzles set for crimping press stud; ESD
Type of antistatic accessories: nozzles set for crimping press stud
Version: ESD
Antistatic elements application: for attaching grounding points; for female press studs
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Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1+71.5 EUR
5+ 67.61 EUR
STW1670STATICTECCategory: ESD Accessories
Description: Nozzles set for crimping press stud; ESD
Type of antistatic accessories: nozzles set for crimping press stud
Version: ESD
Antistatic elements application: for attaching grounding points; for male press studs
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Produkt ist nicht verfügbar
STW1670STATICTECCategory: ESD Accessories
Description: Nozzles set for crimping press stud; ESD
Type of antistatic accessories: nozzles set for crimping press stud
Version: ESD
Antistatic elements application: for attaching grounding points; for male press studs
Related items: PRT-STW1610; PRT-STW404011; PRT-STW404012; PRT-STW404013; PRT-STW404111; PRT-STW404112; PRT-STW404113
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
STW16N65M5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 12A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 279mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
STW16N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 650V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
STW16NA60
auf Bestellung 570 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STW16NA60STMicroelectronicsMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
STW16NB60ST
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STW16NK60ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
STW16NK60ZSTMicroelectronicsMOSFET N-Ch 600 Volt 14 Amp Zener SuperMESH
Produkt ist nicht verfügbar
STW16NK60ZSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 14A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2650 pF @ 25 V
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STW16NM50NST09+ SOP-8
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STW16NM50NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 15A TO247-3
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STW1700STATICTECCategory: ESD Accessories
Description: Banana plug / press stud adapter; ESD
Type of antistatic accessories: banana plug / press stud adapter
Version: ESD
Antistatic elements application: earthing ESD matts to ground; earthing ESD wristbands
Kind of connector: banana 4mm socket; press stud female 10mm; press stud male 10mm
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+6.51 EUR
Mindestbestellmenge: 11
STW1700STATICTECCategory: ESD Accessories
Description: Banana plug / press stud adapter; ESD
Type of antistatic accessories: banana plug / press stud adapter
Version: ESD
Antistatic elements application: earthing ESD matts to ground; earthing ESD wristbands
Kind of connector: banana 4mm socket; press stud female 10mm; press stud male 10mm
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
11+6.51 EUR
Mindestbestellmenge: 11
STW1720STATICTECCategory: ESD Accessories
Description: Male press stud; ESD; 10pcs; Application: designed for ESD mats
Type of antistatic accessories: male press stud
Version: ESD
Quantity in set/package: 10pcs.
Antistatic elements application: designed for ESD mats
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Mounting: screwed
Kind of connector: press stud male 10mm
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
2+35.75 EUR
3+ 23.84 EUR
10+ 17.43 EUR
Mindestbestellmenge: 2
STW1720STATICTECCategory: ESD Accessories
Description: Male press stud; ESD; 10pcs; Application: designed for ESD mats
Type of antistatic accessories: male press stud
Version: ESD
Quantity in set/package: 10pcs.
Antistatic elements application: designed for ESD mats
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Mounting: screwed
Kind of connector: press stud male 10mm
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+35.75 EUR
Mindestbestellmenge: 2
STW1730STATICTECCategory: ESD Accessories
Description: Universal press stud; ESD; Application: designed for ESD mats
Type of antistatic accessories: universal press stud
Version: ESD
Antistatic elements application: designed for ESD mats
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Mounting: screwed
Kind of connector: press stud female 10mm; press stud male 10mm
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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STW1730STATICTECCategory: ESD Accessories
Description: Universal press stud; ESD; Application: designed for ESD mats
Type of antistatic accessories: universal press stud
Version: ESD
Antistatic elements application: designed for ESD mats
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Mounting: screwed
Kind of connector: press stud female 10mm; press stud male 10mm
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STW1740STATICTECPRT-STW1740 ESD Accessories
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
2+35.75 EUR
3+ 23.84 EUR
6+ 11.91 EUR
10+ 7.85 EUR
Mindestbestellmenge: 2
STW1750STATICTECPRT-STW1750 ESD Accessories
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
3+23.84 EUR
7+ 10.21 EUR
10+ 7.85 EUR
Mindestbestellmenge: 3
STW17N62K3STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 620V 15.5A TO247-3
Produkt ist nicht verfügbar
STW17N62K3STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 620V .34 Ohm 15A SuperMESH3
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STW17N62K3STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 620V 15.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
STW18N60DM2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
STW18N60DM2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 12A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 295mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 100 V
auf Bestellung 104 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
4+6.81 EUR
30+ 5.4 EUR
Mindestbestellmenge: 4
STW18N60DM2STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 7.6A; 90W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.6A
Power dissipation: 90W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
STW18N60DM2STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 7.6A; 90W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.6A
Power dissipation: 90W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
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STW18N60DM2STMicroelectronicsMOSFET N-channel 600 V, 0.260 Ohm typ 12 A MDmesh DM2 Power MOSFET
auf Bestellung 1838 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
8+6.86 EUR
10+ 5.77 EUR
25+ 4.65 EUR
100+ 4.19 EUR
250+ 3.77 EUR
600+ 3.67 EUR
1200+ 3.64 EUR
Mindestbestellmenge: 8
STW18N60DM2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
STW18N60M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
STW18N60M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 13A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 791 pF @ 100 V
auf Bestellung 421 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
4+6.53 EUR
30+ 5.17 EUR
120+ 4.43 EUR
Mindestbestellmenge: 4
STW18N60M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
STW18N60M2STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 650V; 8A; 110W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ || Plus
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 110W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 255mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
STW18N60M2STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 650V; 8A; 110W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ || Plus
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 110W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 255mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Produkt ist nicht verfügbar
STW18N60M2
Produktcode: 155497		Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
STW18N60M2STMicroelectronicsMOSFET N-channel 600 V, 0.255 Ohm typ 13 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-247 package
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
8+6.58 EUR
25+ 5.23 EUR
100+ 4.47 EUR
250+ 4.13 EUR
600+ 3.64 EUR
1200+ 3.22 EUR
Mindestbestellmenge: 8
STW18N60M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
STW18N60M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
STW18N60M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
STW18N65M5STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 710V; 9.4A; Idm: 60A; 110W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 710V
Drain current: 9.4A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 110W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 198mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 31nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
STW18N65M5STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 710V; 9.4A; Idm: 60A; 110W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 710V
Drain current: 9.4A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 110W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 198mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 31nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
STW18N65M5STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 650V 0.198 Ohm 15A MDmesh FET
auf Bestellung 1770 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
6+8.84 EUR
10+ 7.44 EUR
25+ 4.76 EUR
100+ 4.6 EUR
250+ 4.45 EUR
600+ 4.32 EUR
Mindestbestellmenge: 6
STW18N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
STW18N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
STW18N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
STW18N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
STW18N65M5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 15A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1240 pF @ 100 V
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3+8.81 EUR
30+ 6.98 EUR
120+ 5.98 EUR
510+ 5.32 EUR
Mindestbestellmenge: 3
STW18NB40STTO-247
auf Bestellung 328 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STW18NB40STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 400V 18.4A 3-Pin(3+Tab) TO-247
Produkt ist nicht verfügbar
STW18NK60Z
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STW18NK60ZSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 16A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3540 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
STW18NK60ZSTMicroelectronicsMOSFET N-Ch 600 Volt 16 Amp
Produkt ist nicht verfügbar
STW18NK80STTO247 941
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STW18NK80Z
Produktcode: 1659		STTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247
JHGF: THT
auf Bestellung 1 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STW18NK80ZSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 800V 19A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 350W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
STW18NK80ZSTMicroelectronicsMOSFET N-Ch 800 Volt 18 Amp
Produkt ist nicht verfügbar
STW18NK80ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
STW18NK90
auf Bestellung 70 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STW18NM60NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
STW18NM60NSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STW18NM60N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13 A, 0.26 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 110W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.26ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.26ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
auf Bestellung 35 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
STW18NM60NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
STW18NM60NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 328 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
48+3.27 EUR
51+ 2.96 EUR
100+ 2.76 EUR
Mindestbestellmenge: 48
STW18NM60NSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8.19A; Idm: 52A; 130W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8.19A
Pulsed drain current: 52A
Power dissipation: 130W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Gate charge: 34nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
STW18NM60NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 13A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 285mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 50 V
auf Bestellung 535 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2+15.91 EUR
30+ 12.62 EUR
120+ 10.82 EUR
510+ 9.61 EUR
Mindestbestellmenge: 2
STW18NM60NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
STW18NM60NSTMicroelectronicsMOSFET N-channel 600 V 0.27ohms 13A Mdmesh
Produkt ist nicht verfügbar
STW18NM60NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 328 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
28+5.78 EUR
29+ 5.36 EUR
75+ 5 EUR
200+ 4.7 EUR
Mindestbestellmenge: 28
STW18NM60NSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8.19A; Idm: 52A; 130W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8.19A
Pulsed drain current: 52A
Power dissipation: 130W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Gate charge: 34nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
STW18NM60NDSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 13A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 50 V
auf Bestellung 254 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2+13.49 EUR
10+ 11.33 EUR
100+ 9.17 EUR
Mindestbestellmenge: 2
STW18NM60NDSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
STW18NM80STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
STW18NM80STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 10.71A; 190W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10.71A
Power dissipation: 190W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
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STW18NM80STMicroelectronicsMOSFET N-channel 800 V MDMesh
auf Bestellung 17 Stücke:
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3+18.23 EUR
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STW18NM80STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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STW18NM80STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 10.71A; 190W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10.71A
Power dissipation: 190W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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STW18NM80STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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STW18NM80STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 800V 17A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 295mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2070 pF @ 50 V
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STW18NM80STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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STW19NM50NSTMicroelectronicsMOSFET POWER MOSFET N-CH 500V 13A
auf Bestellung 476 Stücke:
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4+16.12 EUR
10+ 13.52 EUR
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600+ 8.32 EUR
1200+ 7.85 EUR
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STW19NM50NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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STW19NM50NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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STW19NM50NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 14A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 50 V
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STW19NM50NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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STW19NM60NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 13A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 285mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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STW19NM60NSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 8.2A; Idm: 52A; 110W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8.2A
Pulsed drain current: 52A
Power dissipation: 110W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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STW19NM60NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 13A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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STW19NM60NSTMicroelectronicsMOSFET N-Ch 600 V 0.27 Ohm 13 A MDmesh(TM)
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STW19NM60NSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 8.2A; Idm: 52A; 110W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8.2A
Pulsed drain current: 52A
Power dissipation: 110W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
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STW19NM60NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 13A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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STW19NM60NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 13A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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STW19NM65NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 15.5A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 7.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 50 V
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STW2002A1
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STW2003V1
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STW2004VI
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Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STW200NF03STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 30V 120A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 350W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 280 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 25 V
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STW2040STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT NPN Power Transistor
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STW2040STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 48 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
STW2040STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 500V 20A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1.2A, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 250µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 6A, 5V
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 500 V
Power - Max: 125 W
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STW206NKnitter-SwitchSwitch Toggle ON ON DPDT Round Lever Solder Tag 6A 250VAC 30VDC Panel Mount with Threads
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STW20N50
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STW20N60M2-EPSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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STW20N60M2-EPSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CHANNEL 600V 13A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 278mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 787 pF @ 100 V
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STW20N65M5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 18A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1345 pF @ 100 V
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STW20N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
STW20N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
STW20N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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STW20N90K5STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 13A; Idm: 80A; 250W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 250W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.21Ω
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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STW20N90K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 900V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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STW20N90K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 900V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
STW20N90K5STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 13A; Idm: 80A; 250W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 250W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.21Ω
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
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STW20N90K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 900V 20A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
auf Bestellung 5400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2+16.82 EUR
30+ 13.44 EUR
120+ 12.03 EUR
510+ 10.61 EUR
1020+ 9.55 EUR
2010+ 8.95 EUR
Mindestbestellmenge: 2
STW20N90K5STMicroelectronicsMOSFET N-channel 900 V, 0.21 Ohm typ 20 A MDmesh K5 Power MOSFET
auf Bestellung 531 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
4+16.95 EUR
25+ 13.55 EUR
100+ 12.12 EUR
250+ 10.69 EUR
600+ 9.59 EUR
1200+ 9.15 EUR
Mindestbestellmenge: 4
STW20N90K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 900V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
STW20N90K5STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STW20N90K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 20 A, 0.21 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.21ohm
auf Bestellung 2606 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
STW20N95DK5STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 950V; 11A; Idm: 72A; 250W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 950V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 250W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 275mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 50.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
STW20N95DK5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 950V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
STW20N95DK5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 950V 18A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 100 V
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2+19.86 EUR
30+ 15.84 EUR
120+ 14.18 EUR
510+ 12.51 EUR
Mindestbestellmenge: 2
STW20N95DK5STMicroelectronicsMOSFET N-channel 950 V, 275 mOhm typ 18 A MDmesh DK5 Power MOSFET
auf Bestellung 593 Stücke:
Lieferzeit 126-140 Tag (e)
3+19.99 EUR
25+ 15.96 EUR
100+ 14.3 EUR
250+ 12.61 EUR
600+ 11.34 EUR
Mindestbestellmenge: 3
STW20N95DK5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 950V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
STW20N95DK5STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 950V; 11A; Idm: 72A; 250W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 950V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 250W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 275mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 50.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
STW20N95DK5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 950V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
STW20N95K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 950V 17.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
STW20N95K5STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 950V 2.75 Ohm 17.5A MDmesh K5
Produkt ist nicht verfügbar
STW20N95K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 950V 17.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 550 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
14+11.35 EUR
18+ 8.46 EUR
50+ 6.78 EUR
100+ 6.17 EUR
200+ 5.64 EUR
500+ 5.25 EUR
Mindestbestellmenge: 14
STW20N95K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 950V 17.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
STW20N95K5STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SuperMESH5™; unipolar; 950V; 11A; 250W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMESH5™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 950V
Drain current: 11A
Power dissipation: 250W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 275mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
STW20N95K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 950V 17.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
STW20N95K5STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STW20N95K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 17.5 A, 0.275 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 950V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.275ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
auf Bestellung 1771 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
STW20N95K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 950V 17.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 120 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+6.22 EUR
Mindestbestellmenge: 30
STW20N95K5STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SuperMESH5™; unipolar; 950V; 11A; 250W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMESH5™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 950V
Drain current: 11A
Power dissipation: 250W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 275mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
STW20N95K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 950V 17.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 127 Stücke:
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STW20N95K5
Produktcode: 184909		Transistoren > MOSFET N-CH
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STW20N95K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 950V 17.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 120 Stücke:
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120+6.24 EUR
Mindestbestellmenge: 120
STW20N95K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 950V 17.5A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
auf Bestellung 561 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2+15.76 EUR
30+ 12.57 EUR
120+ 11.25 EUR
510+ 9.92 EUR
Mindestbestellmenge: 2
STW20NB50
Produktcode: 103431		Transistoren > MOSFET N-CH
ZCODE: 8541290010
Produkt ist nicht verfügbar
STW20NB50STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 20A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
STW20NB50STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 500 Volt 20 Amp
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STW20NC50STMicroelectronicsMOSFET
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STW20NC50
Produktcode: 117146		Transistoren > MOSFET N-CH
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STW20NC50
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STW20NK50
auf Bestellung 6075 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STW20NK50ZSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STW20NK50Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 17 A, 0.23 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STW
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
auf Bestellung 4847 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
STW20NK50Z
auf Bestellung 922 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
STW20NK50ZSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12.6A; 190W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12.6A
Power dissipation: 190W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
auf Bestellung 856 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
24+3.1 EUR
25+ 2.87 EUR
33+ 2.22 EUR
35+ 2.09 EUR
120+ 2.04 EUR
Mindestbestellmenge: 24
STW20NK50ZSTN-MOSFET 17A 500V 190W STW20NK50Z TSTW20NK50z
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 65 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+5.77 EUR
Mindestbestellmenge: 10
STW20NK50ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
STW20NK50ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
STW20NK50Z
Produktcode: 2710		STTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247
Uds,V: 500
Idd,A: 18
Rds(on), Ohm: 0.27
Ciss, pF/Qg, nC: 2600/95
JHGF: THT
auf Bestellung 189 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+1.94 EUR
10+ 1.68 EUR
STW20NK50ZSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12.6A; 190W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12.6A
Power dissipation: 190W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 856 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
24+3.1 EUR
25+ 2.87 EUR
33+ 2.22 EUR
35+ 2.09 EUR
120+ 2.04 EUR
Mindestbestellmenge: 24
STW20NK50ZSTMicroelectronicsMOSFET N-Ch 500 Volt 17 Amp Zener SuperMESH
auf Bestellung 1182 Stücke:
Lieferzeit 126-140 Tag (e)
6+9.15 EUR
10+ 8.16 EUR
25+ 7.25 EUR
100+ 6.21 EUR
250+ 5.54 EUR
600+ 5.23 EUR
Mindestbestellmenge: 6
STW20NK50ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
STW20NK50ZSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 17A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 119 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V
auf Bestellung 540 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3+9.07 EUR
30+ 7.2 EUR
120+ 6.17 EUR
510+ 5.48 EUR
Mindestbestellmenge: 3
STW20NK50Z ; 20A; 500V; 190W; 0,23R; N-канальний; корпус: TO-247; STM
auf Bestellung 79 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
STW20NK70ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 700V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
STW20NK70Z
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STW20NK70ZSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 700V 20A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 285mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 350W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
STW20NM50
Produktcode: 32074		Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
STW20NM50STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 550V 20A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 550 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
STW20NM50STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 500 Volt 20 Amp
Produkt ist nicht verfügbar
STW20NM50STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
STW20NM50STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 550V; 20A; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 550V
Drain current: 20A
Case: TO247
Mounting: THT
Produkt ist nicht verfügbar
STW20NM50.STW20NM50FD
auf Bestellung 18684 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STW20NM50FDSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 165 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20+7.93 EUR
25+ 6.66 EUR
30+ 5.99 EUR
100+ 5.57 EUR
120+ 5.08 EUR
Mindestbestellmenge: 20
STW20NM50FDSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 165 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
STW20NM50FDSTTransistor N-Channel MOSFET; 500V; 500V; 30V; 250mOhm; 20A; 214W; -65°C ~ 150°C; STW20NM50FD TSTW20NM50FD
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+8.86 EUR
Mindestbestellmenge: 5
STW20NM50FDSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; FDmesh™; unipolar; 500V; 14A; 214W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: FDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 14A
Power dissipation: 214W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
STW20NM50FDSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 165 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20+7.9 EUR
25+ 6.64 EUR
30+ 5.98 EUR
100+ 5.55 EUR
120+ 5.07 EUR
Mindestbestellmenge: 20
STW20NM50FD
Produktcode: 180604		Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
STW20NM50FDSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; FDmesh™; unipolar; 500V; 14A; 214W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: FDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 14A
Power dissipation: 214W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
STW20NM50FDSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STW20NM50FD - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 20 A, 0.25 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
auf Bestellung 1150 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
STW20NM50FDSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 20A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1380 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
STW20NM50FDSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
STW20NM50FDSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
STW20NM50FDSTMicroelectronicsMOSFET N-Ch 500 Volt 20 Amp
auf Bestellung 1128 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
3+18.51 EUR
25+ 12.01 EUR
100+ 11.49 EUR
250+ 10.97 EUR
600+ 10.4 EUR
1200+ 10.04 EUR
Mindestbestellmenge: 3
STW20NM60
Produktcode: 161796		Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
STW20NM60STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 3605 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
28+5.43 EUR
31+ 4.71 EUR
100+ 4.33 EUR
250+ 3.87 EUR
600+ 3.31 EUR
Mindestbestellmenge: 28
STW20NM60STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 20A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 192W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 25 V
auf Bestellung 544 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2+14.66 EUR
30+ 11.71 EUR
120+ 10.47 EUR
510+ 9.24 EUR
Mindestbestellmenge: 2
STW20NM60STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 3605 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
STW20NM60STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12.6A; 192W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.6A
Power dissipation: 192W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 33 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
17+4.43 EUR
18+ 3.98 EUR
24+ 3.05 EUR
25+ 2.89 EUR
Mindestbestellmenge: 17
STW20NM60STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 600 Volt 20 Amp
auf Bestellung 1090 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
5+11.36 EUR
25+ 9.83 EUR
100+ 9.23 EUR
250+ 8.55 EUR
600+ 7.98 EUR
Mindestbestellmenge: 5
STW20NM60STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
STW20NM60STW20NM60 Транзисторы MOS FET
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
STW20NM60STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 3605 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
28+5.41 EUR
31+ 4.69 EUR
100+ 4.32 EUR
250+ 3.85 EUR
600+ 3.3 EUR
Mindestbestellmenge: 28
STW20NM60STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12.6A; 192W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.6A
Power dissipation: 192W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 33 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+4.43 EUR
18+ 3.98 EUR
24+ 3.05 EUR
25+ 2.89 EUR
Mindestbestellmenge: 17
STW20NM60FDSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; FDmesh™; unipolar; 600V; 12.6A; 214W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: FDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.6A
Power dissipation: 214W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
STW20NM60FDSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
STW20NM60FDSTMicroelectronicsMOSFET N-Ch 600 Volt 20 Amp
auf Bestellung 244 Stücke:
Lieferzeit 126-140 Tag (e)
4+16.25 EUR
25+ 12.97 EUR
100+ 11.6 EUR
250+ 10.24 EUR
600+ 9.23 EUR
Mindestbestellmenge: 4
STW20NM60FDSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
STW20NM60FDSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
STW20NM60FDSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; FDmesh™; unipolar; 600V; 12.6A; 214W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: FDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.6A
Power dissipation: 214W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
STW20NM60FDSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
STW20NM60FD
Produktcode: 1135		STTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247
Uds,V: 600
Idd,A: 20
Rds(on), Ohm: 0.29
JHGF: THT
Produkt ist nicht verfügbar
STW20NM60FDSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 20A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
STW20NM60FDSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
STW20NM65NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 19A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
STW2100STATICTECCategory: ESD Accessories
Description: Earthing plug; ESD; 1MΩ; Plug: EU
Type of antistatic accessories: earthing plug
Version: ESD
Antistatic elements application: earthing ESD matts to ground; earthing ESD wristbands
Resistance: 1MΩ
Plug variant: EU
Caution!: Before connecting make sure that pin terminal in the mains socket is correctly earthed
Kind of connector: banana 4mm socket x2; press stud male 10mm
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+14.47 EUR
6+ 13.67 EUR
Mindestbestellmenge: 5
STW2100STATICTECCategory: ESD Accessories
Description: Earthing plug; ESD; 1MΩ; Plug: EU
Type of antistatic accessories: earthing plug
Version: ESD
Antistatic elements application: earthing ESD matts to ground; earthing ESD wristbands
Resistance: 1MΩ
Plug variant: EU
Caution!: Before connecting make sure that pin terminal in the mains socket is correctly earthed
Kind of connector: banana 4mm socket x2; press stud male 10mm
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+14.47 EUR
6+ 13.67 EUR
Mindestbestellmenge: 5
STW2100UKSTATICTECCategory: ESD Accessories
Description: Earthing plug; ESD; 1MΩ; Plug: UK
Plug variant: UK
Version: ESD
Caution!: Before connecting make sure that pin terminal in the mains socket is correctly earthed
Type of antistatic accessories: earthing plug
Antistatic elements application: earthing ESD matts to ground; earthing ESD wristbands
Kind of connector: banana 4mm socket x2; press stud male 10mm
Resistance: 1MΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
STW2100UKSTATICTECCategory: ESD Accessories
Description: Earthing plug; ESD; 1MΩ; Plug: UK
Plug variant: UK
Version: ESD
Caution!: Before connecting make sure that pin terminal in the mains socket is correctly earthed
Type of antistatic accessories: earthing plug
Antistatic elements application: earthing ESD matts to ground; earthing ESD wristbands
Kind of connector: banana 4mm socket x2; press stud male 10mm
Resistance: 1MΩ
Produkt ist nicht verfügbar
STW2110STATICTECPRT-STW2110 ESD Accessories
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+14.47 EUR
6+ 13.69 EUR
Mindestbestellmenge: 5
STW2110UKSTATICTECCategory: ESD Accessories
Description: Earthing plug; ESD; 1MΩ; Plug: UK; press stud male 10mm x3
Plug variant: UK
Version: ESD
Caution!: Before connecting make sure that pin terminal in the mains socket is correctly earthed
Type of antistatic accessories: earthing plug
Antistatic elements application: earthing ESD matts to ground; earthing ESD wristbands
Kind of connector: press stud male 10mm x3
Resistance: 1MΩ
Produkt ist nicht verfügbar
STW2110UKSTATICTECCategory: ESD Accessories
Description: Earthing plug; ESD; 1MΩ; Plug: UK; press stud male 10mm x3
Plug variant: UK
Version: ESD
Caution!: Before connecting make sure that pin terminal in the mains socket is correctly earthed
Type of antistatic accessories: earthing plug
Antistatic elements application: earthing ESD matts to ground; earthing ESD wristbands
Kind of connector: press stud male 10mm x3
Resistance: 1MΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
STW2130STATICTECPRT-STW2130 ESD Accessories
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+14.47 EUR
6+ 13.69 EUR
Mindestbestellmenge: 5
STW2130UKSTATICTECCategory: ESD Accessories
Description: Earthing plug; ESD; 1MΩ; Plug: UK; screw M5 with nut x2
Plug variant: UK
Version: ESD
Caution!: Before connecting make sure that pin terminal in the mains socket is correctly earthed
Type of antistatic accessories: earthing plug
Antistatic elements application: earthing ESD matts to ground; earthing ESD wristbands
Kind of connector: screw M5 with nut x2
Resistance: 1MΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
STW2130UKSTATICTECCategory: ESD Accessories
Description: Earthing plug; ESD; 1MΩ; Plug: UK; screw M5 with nut x2
Plug variant: UK
Version: ESD
Caution!: Before connecting make sure that pin terminal in the mains socket is correctly earthed
Type of antistatic accessories: earthing plug
Antistatic elements application: earthing ESD matts to ground; earthing ESD wristbands
Kind of connector: screw M5 with nut x2
Resistance: 1MΩ
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STW21N150K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 1500V 14A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3145 pF @ 100 V
auf Bestellung 539 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+32.32 EUR
30+ 26.16 EUR
120+ 24.62 EUR
510+ 22.31 EUR
STW21N150K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 1.5KV 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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STW21N150K5STMicroelectronicsSTW21N150K5 THT N channel transistors
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+23.74 EUR
5+ 14.91 EUR
Mindestbestellmenge: 4
STW21N150K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 1.5KV 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
STW21N150K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 1.5KV 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
STW21N150K5STMicroelectronicsMOSFET N-channel 1500 V, 0.7 Ohm typ 14 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-247 packge
auf Bestellung 559 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
2+37.47 EUR
10+ 33.02 EUR
25+ 30.32 EUR
100+ 28.47 EUR
250+ 25.87 EUR
600+ 25.74 EUR
1200+ 23.71 EUR
Mindestbestellmenge: 2
STW21N50T3
auf Bestellung 70000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STW21N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 650V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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STW21N65M5
auf Bestellung 1350 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STW21N65M5
Produktcode: 61395		Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 2
Produkt ist nicht verfügbar
STW21N65M5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 17A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 100 V
auf Bestellung 74 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3+9.2 EUR
10+ 8.27 EUR
Mindestbestellmenge: 3
STW21N90K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 900V 18.5A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1645 pF @ 100 V
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STW21N90K5STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 900V 0.25 Ohm 18.5A MDmesh K5
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STW21N90K5STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SuperMESH5™; unipolar; 900V; 11.6A; 250W
On-state resistance: 0.25Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 250W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Technology: SuperMESH5™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: THT
Case: TO247
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 11.6A
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+11.41 EUR
9+ 8.29 EUR
10+ 7.85 EUR
Mindestbestellmenge: 7
STW21N90K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 900V 18.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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STW21N90K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 900V 18.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
STW21N90K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 900V 18.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 780 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
STW21N90K5STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SuperMESH5™; unipolar; 900V; 11.6A; 250W
On-state resistance: 0.25Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 250W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Technology: SuperMESH5™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: THT
Case: TO247
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 11.6A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
7+11.41 EUR
9+ 8.29 EUR
10+ 7.85 EUR
Mindestbestellmenge: 7
STW21NM50NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
STW21NM50NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 18A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
STW21NM50NSTMicroelectronicsMOSFET N-Ch 500 V 0.15 Ohm 18 A 2nd Gen MDmesh
Produkt ist nicht verfügbar
STW21NM50N
Produktcode: 57941		Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247
Uds,V: 500
Idd,A: 18
Bem.: MOSFET N-CH
JHGF: THT
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STW21NM50N-HSTMicroelectronicsMOSFET POWER MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
STW21NM60
auf Bestellung 700 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STW21NM60NSTMicroelectronicsMOSFET N-Ch 600 V 0.18 Ohm 16 A 2nd Gen MDmesh
Produkt ist nicht verfügbar
STW21NM60N
auf Bestellung 539 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STW21NM60NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 17A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
STW21NM60NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
STW21NM60N(1238)STMicroelectronicsMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
STW21NM60NDSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 17A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
STW21NM60NDSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; FDmesh™ II; unipolar; 600V; 10A; 140W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: FDmesh™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10A
Power dissipation: 140W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.17Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
STW21NM60NDSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
STW21NM60NDSTMicroelectronicsMOSFET N-channel 600V, 17A FDMesh II
Produkt ist nicht verfügbar
STW21NM60NDSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; FDmesh™ II; unipolar; 600V; 10A; 140W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: FDmesh™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10A
Power dissipation: 140W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.17Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
STW21NM60NDSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
STW2200STATICTECCategory: ESD Accessories
Description: Grounding of cable systems; ESD; 1MΩ; 2m
Type of antistatic accessories: Grounding of cable systems
Version: ESD
Antistatic elements application: earthing ESD matts to ground; earthing ESD wristbands
Resistance: 1MΩ
Cable length: 2m
Kind of connector: banana 4mm socket x2; press stud male 10mm
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+18.88 EUR
5+ 17.85 EUR
10+ 17.39 EUR
Mindestbestellmenge: 4
STW2200STATICTECCategory: ESD Accessories
Description: Grounding of cable systems; ESD; 1MΩ; 2m
Type of antistatic accessories: Grounding of cable systems
Version: ESD
Antistatic elements application: earthing ESD matts to ground; earthing ESD wristbands
Resistance: 1MΩ
Cable length: 2m
Kind of connector: banana 4mm socket x2; press stud male 10mm
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+18.88 EUR
5+ 17.85 EUR
10+ 17.39 EUR
Mindestbestellmenge: 4
STW220NF75STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 75V 120A TO247-3
Produkt ist nicht verfügbar
STW220NF75
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STW2210STATICTECCategory: ESD Accessories
Description: Grounding of cable systems; ESD; 1MΩ; 2m; banana 4mm socket x3
Type of antistatic accessories: Grounding of cable systems
Version: ESD
Antistatic elements application: earthing ESD matts to ground; earthing ESD wristbands
Resistance: 1MΩ
Cable length: 2m
Kind of connector: banana 4mm socket x3
auf Bestellung 43 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+18.88 EUR
5+ 17.85 EUR
10+ 17.39 EUR
Mindestbestellmenge: 4
STW2210STATICTECCategory: ESD Accessories
Description: Grounding of cable systems; ESD; 1MΩ; 2m; banana 4mm socket x3
Type of antistatic accessories: Grounding of cable systems
Version: ESD
Antistatic elements application: earthing ESD matts to ground; earthing ESD wristbands
Resistance: 1MΩ
Cable length: 2m
Kind of connector: banana 4mm socket x3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 43 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+18.88 EUR
5+ 17.85 EUR
10+ 17.39 EUR
Mindestbestellmenge: 4
STW2220STATICTECCategory: ESD Accessories
Description: Grounding of cable systems; ESD; 1MΩ; 2m
Type of antistatic accessories: Grounding of cable systems
Version: ESD
Antistatic elements application: earthing ESD matts to ground; earthing ESD wristbands
Resistance: 1MΩ
Cable length: 2m
Kind of connector: press stud male 10mm x3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+18.88 EUR
5+ 17.85 EUR
10+ 17.39 EUR
Mindestbestellmenge: 4
STW2220STATICTECCategory: ESD Accessories
Description: Grounding of cable systems; ESD; 1MΩ; 2m
Type of antistatic accessories: Grounding of cable systems
Version: ESD
Antistatic elements application: earthing ESD matts to ground; earthing ESD wristbands
Resistance: 1MΩ
Cable length: 2m
Kind of connector: press stud male 10mm x3
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+18.88 EUR
5+ 17.85 EUR
Mindestbestellmenge: 4
STW2240STATICTECCategory: ESD Accessories
Description: Grounding of cable systems; ESD; 1MΩ; 2m; for wall mounting
Type of antistatic accessories: Grounding of cable systems
Version: ESD
Antistatic elements application: earthing ESD matts to ground; earthing ESD wristbands
Resistance: 1MΩ
Cable length: 2m
Mounting: for wall mounting
Kind of connector: screw M5 with nut
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+17.88 EUR
Mindestbestellmenge: 4
STW2240STATICTECCategory: ESD Accessories
Description: Grounding of cable systems; ESD; 1MΩ; 2m; for wall mounting
Type of antistatic accessories: Grounding of cable systems
Version: ESD
Antistatic elements application: earthing ESD matts to ground; earthing ESD wristbands
Resistance: 1MΩ
Cable length: 2m
Mounting: for wall mounting
Kind of connector: screw M5 with nut
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+17.88 EUR
10+ 13.8 EUR
Mindestbestellmenge: 4
STW2250STATICTECCategory: ESD Accessories
Description: Grounding of cable systems; ESD; 1MΩ; 2m; press stud male 10mm
Type of antistatic accessories: Grounding of cable systems
Version: ESD
Antistatic elements application: earthing ESD matts to ground; earthing ESD wristbands
Resistance: 1MΩ
Cable length: 2m
Kind of connector: press stud male 10mm
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+35.75 EUR
Mindestbestellmenge: 2
STW2250STATICTECCategory: ESD Accessories
Description: Grounding of cable systems; ESD; 1MΩ; 2m; press stud male 10mm
Type of antistatic accessories: Grounding of cable systems
Version: ESD
Antistatic elements application: earthing ESD matts to ground; earthing ESD wristbands
Resistance: 1MΩ
Cable length: 2m
Kind of connector: press stud male 10mm
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
2+35.75 EUR
4+ 17.88 EUR
10+ 13.8 EUR
Mindestbestellmenge: 2
STW2260STATICTECCategory: ESD Accessories
Description: Grounding of cable systems; ESD; Features: copper tape 2m; 1MΩ
Version: ESD
Related items: PRT-STW41490100
Cable length: 2m
Type of antistatic accessories: Grounding of cable systems
Features of antistatic elements: copper tape 2m
Antistatic elements application: earthing ESD matts to ground
Kind of connector: screw M5 with nut
Resistance: 1MΩ
auf Bestellung 34 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+26.33 EUR
5+ 26.31 EUR
10+ 25.65 EUR
Mindestbestellmenge: 3
STW2260STATICTECCategory: ESD Accessories
Description: Grounding of cable systems; ESD; Features: copper tape 2m; 1MΩ
Version: ESD
Related items: PRT-STW41490100
Cable length: 2m
Type of antistatic accessories: Grounding of cable systems
Features of antistatic elements: copper tape 2m
Antistatic elements application: earthing ESD matts to ground
Kind of connector: screw M5 with nut
Resistance: 1MΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 34 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
3+26.33 EUR
5+ 26.31 EUR
10+ 25.65 EUR
Mindestbestellmenge: 3
STW2270STATICTECPRT-STW2270 ESD Accessories
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STW2275STATICTECPRT-STW2275 ESD Accessories
Produkt ist nicht verfügbar
STW2280STATICTECPRT-STW2280 ESD Accessories
Produkt ist nicht verfügbar
STW2285STATICTECPRT-STW2285 ESD Accessories
Produkt ist nicht verfügbar
STW22N95K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 950V 17.5A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 590 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2+17.97 EUR
10+ 15.38 EUR
100+ 12.82 EUR
500+ 11.31 EUR
Mindestbestellmenge: 2
STW22N95K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 950V 17.5A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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STW22N95K5STMicroelectronicsSTW22N95K5 THT N channel transistors
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STW22N95K5STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 950V .28Ohm typ 17.5A Zener-protect
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
STW22NM60NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
STW22NM60NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 16A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 50 V
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STW23N80K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
STW23N80K5STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 10A; Idm: 64A; 190W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 64A
Power dissipation: 190W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 33nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
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STW23N80K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
STW23N80K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 800V 16A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 100 V
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2+15.42 EUR
30+ 12.22 EUR
120+ 10.47 EUR
510+ 9.31 EUR
Mindestbestellmenge: 2
STW23N80K5STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 10A; Idm: 64A; 190W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 64A
Power dissipation: 190W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 33nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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STW23N80K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 398 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
23+7.02 EUR
26+ 5.85 EUR
100+ 4.51 EUR
Mindestbestellmenge: 23
STW23N80K5STMicroelectronicsMOSFET N-channel 800 V, 0.23 Ohm typ 16 A MDmesh K5 Power MOSFET
auf Bestellung 334 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
4+15.52 EUR
10+ 13.47 EUR
25+ 11.26 EUR
100+ 10.37 EUR
250+ 8.01 EUR
600+ 7.54 EUR
Mindestbestellmenge: 4
STW23N80K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
STW23N85K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 850V 19A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 275mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 850 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
STW23N85K5STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 850V; 12.4A; Idm: 250A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ K5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 850V
Drain current: 12.4A
Pulsed drain current: 250A
Power dissipation: 250W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 275mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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STW23N85K5STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 850V 0.2Ohm typ 19A Zener-protected
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
STW23N85K5STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 850V; 12.4A; Idm: 250A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ K5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 850V
Drain current: 12.4A
Pulsed drain current: 250A
Power dissipation: 250W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 275mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
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STW23NM50NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
STW23NM50NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 17A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
STW23NM50NSTMicroelectronicsMOSFET N-Ch 500V 0.162 Ohm 17A MDmesh II PWR
auf Bestellung 454 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
STW23NM50NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
STW23NM60NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 19A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
STW23NM60NSTMicroelectronicsMOSFET N-Channel 600V Power MDmesh
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STW23NM60N.STW21NM60N
auf Bestellung 8900 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STW23NM60NDSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 19.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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STW23NM60NDST
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STW23NM60NDSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 19.5A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
STW23NM60NDSTMicroelectronicsMOSFET N-channel 600V, 20A FDMesh II
Produkt ist nicht verfügbar
STW240N10F7STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 100V 180A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11550 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
STW240N10F7STMicroelectronicsMOSFET LGS LV MOSFET
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
STW240N10F7STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
STW24N60DM2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
STW24N60DM2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 18A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1055 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
STW24N60DM2STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 600V 0.175 Ohm typ. 18A MDmesh DM2
auf Bestellung 191 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
5+11.34 EUR
10+ 9.52 EUR
25+ 8.32 EUR
250+ 6.73 EUR
600+ 5.64 EUR
1200+ 5.28 EUR
3000+ 5.15 EUR
Mindestbestellmenge: 5
STW24N60DM2STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STW24N60DM2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 18 A, 0.175 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: FDmesh II Plus
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.175ohm
SVHC: No SVHC (07-Jul-2017)
auf Bestellung 35 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
STW24N60DM2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 188 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
47+3.39 EUR
Mindestbestellmenge: 47
STW24N60DM2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
STW24N60DM2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
STW24N60DM2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 160 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
47+3.36 EUR
Mindestbestellmenge: 47
STW24N60DM2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 160 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
47+3.36 EUR
Mindestbestellmenge: 47
STW24N60M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
STW24N60M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
STW24N60M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 588 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
51+3.11 EUR
53+ 2.87 EUR
55+ 2.66 EUR
100+ 2.47 EUR
250+ 2.3 EUR
500+ 2.15 EUR
Mindestbestellmenge: 51
STW24N60M2STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 600V; 12A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ || Plus
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
Power dissipation: 150W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 168mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Produkt ist nicht verfügbar
STW24N60M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 590 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
STW24N60M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 18A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 100 V
auf Bestellung 562 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
4+6.76 EUR
30+ 5.37 EUR
120+ 4.61 EUR
510+ 4.09 EUR
Mindestbestellmenge: 4
STW24N60M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
STW24N60M2STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 600V 0.168Ohm 18A MDmesh M2
auf Bestellung 718 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
8+6.81 EUR
10+ 5.95 EUR
25+ 5.41 EUR
100+ 4.65 EUR
250+ 4.13 EUR
600+ 3.85 EUR
1200+ 3.33 EUR
Mindestbestellmenge: 8
STW24N60M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 590 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
29+5.45 EUR
32+ 4.72 EUR
100+ 3.76 EUR
250+ 3.51 EUR
Mindestbestellmenge: 29
STW24N60M2STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 600V; 12A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ || Plus
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
Power dissipation: 150W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 168mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
STW24N60M2STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STW24N60M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 18 A, 0.168 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh II Plus
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.168ohm
SVHC: No SVHC (07-Jul-2017)
auf Bestellung 1035 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
STW24N60M6STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10.7A; Idm: 52.5A; 130W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10.7A
Pulsed drain current: 52.5A
Power dissipation: 130W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 162mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 23nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
STW24N60M6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tj)
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Produkt ist nicht verfügbar
STW24N60M6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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STW24N60M6STMicroelectronicsMOSFET N-channel 600 V, 162 mOhm typ 17 A MDmesh M6 Power MOSFET
auf Bestellung 734 Stücke:
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7+8.55 EUR
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STW24N60M6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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STW24N60M6STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10.7A; Idm: 52.5A; 130W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10.7A
Pulsed drain current: 52.5A
Power dissipation: 130W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 162mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 23nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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STW24N60M6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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STW24NK55ZSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 550V 23A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 11.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 285W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 550 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4397.5 pF @ 25 V
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STW24NM60NSTMicroelectronicsMOSFET N-Ch 600V 0.18 Ohm 17A MDmesh II
auf Bestellung 575 Stücke:
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4+14.27 EUR
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1200+ 7.51 EUR
5400+ 7.23 EUR
Mindestbestellmenge: 4
STW24NM60NSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; 125W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Power dissipation: 125W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 168mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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STW24NM60NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 17A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 50 V
auf Bestellung 160 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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STW24NM60NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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STW24NM60NSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; 125W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Power dissipation: 125W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 168mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
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STW24NM60NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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STW24NM65NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 19A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 50 V
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STW24NM65NSTMicroelectronicsMOSFET N-channel 650V
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STW24NM65N
auf Bestellung 11589 Stücke:
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STW25A60
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STW25N60M2-EPSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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STW25N60M2-EPSTMicroelectronicsMOSFET N-channel 600 V, 0.175 Ohm typ 18 A MDmesh M2 EP Power MOSFET
auf Bestellung 144 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
7+8.22 EUR
10+ 6.92 EUR
25+ 6.79 EUR
100+ 5.59 EUR
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600+ 4.97 EUR
1200+ 3.98 EUR
Mindestbestellmenge: 7
STW25N60M2-EPSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11.3A; Idm: 72A; 150W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11.3A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 150W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.175Ω
Mounting: THT
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
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STW25N60M2-EPSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CHANNEL 600V 18A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 188mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1090 pF @ 100 V
auf Bestellung 598 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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100+ 5.14 EUR
Mindestbestellmenge: 4
STW25N60M2-EPSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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STW25N60M2-EPSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11.3A; Idm: 72A; 150W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11.3A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 150W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.175Ω
Mounting: THT
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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STW25N80K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 19.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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STW25N80K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 800V 19.5A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 19.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 100 V
auf Bestellung 590 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2+15.55 EUR
30+ 12.32 EUR
120+ 10.56 EUR
510+ 9.39 EUR
Mindestbestellmenge: 2
STW25N80K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 19.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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STW25N80K5STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SuperMESH5™; unipolar; 800V; 12.3A; 250W
Mounting: THT
Case: TO247
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Technology: SuperMESH5™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 12.3A
On-state resistance: 0.19Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 250W
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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STW25N80K5STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 800V 0.19 Ohm 19.5 A MDmesh K5
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
4+15.65 EUR
10+ 13.13 EUR
25+ 12.4 EUR
100+ 10.61 EUR
250+ 10.04 EUR
600+ 9.46 EUR
1200+ 8.09 EUR
Mindestbestellmenge: 4
STW25N80K5STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SuperMESH5™; unipolar; 800V; 12.3A; 250W
Mounting: THT
Case: TO247
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Technology: SuperMESH5™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 12.3A
On-state resistance: 0.19Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 250W
Polarisation: unipolar
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STW25N80K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 19.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 260 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
STW25N95K3STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 950V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
STW25N95K3STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 950V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
STW25N95K3STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 950V 22A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3680 pF @ 100 V
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STW25NM50NST
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STW25NM50NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 22A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2565 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
STW25NM50NSTMicroelectronicsMOSFET IGBT MOSFET Driver Power MDmesh
Produkt ist nicht verfügbar
STW25NM50NSTMICROELETO-247 07+
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STW25NM50NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
STW25NM50N-HSTMicroelectronicsMOSFET POWER MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
STW25NM60
auf Bestellung 29550 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STW25NM60NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
STW25NM60NSTM
auf Bestellung 4020 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STW25NM60NSTMicroelectronicsMOSFET N-Ch 600 V 0.14 Ohm 20 A 2nd Gen MDmesh
Produkt ist nicht verfügbar
STW25NM60NST
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STW25NM60NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 21A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
STW25NM60N(1235)STMicroelectronicsMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
STW25NM60N(1235)
auf Bestellung 15752 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STW25NM60NDSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
STW25NM60NDSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 21A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
STW25NM60NDSTTransistor N-Channel MOSFET; 600V; 25V; 160mOhm; 21A; 160W; -55°C ~ 150°C; STW25NM60ND TSTW25NM60ND
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+13.88 EUR
Mindestbestellmenge: 4
STW25NM60ND
Produktcode: 118445		Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
STW25NM60NDSTMicroelectronicsMOSFET N-channel 600V, 21A FDMesh II
auf Bestellung 38 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
3+22.41 EUR
10+ 20.25 EUR
25+ 19.32 EUR
100+ 16.77 EUR
Mindestbestellmenge: 3
STW25NM60NDSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
STW25NM6ON
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STW26N60M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
STW26N60M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 20A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 169W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360 pF @ 100 V
auf Bestellung 547 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
4+7.51 EUR
10+ 6.3 EUR
100+ 5.1 EUR
Mindestbestellmenge: 4
STW26N60M2STMicroelectronicsMOSFET N-channel 600 V, 0.14 Ohm typ 20 A MDmesh M2 Power MOSFET
auf Bestellung 566 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
7+7.57 EUR
10+ 6.37 EUR
25+ 6.01 EUR
100+ 5.15 EUR
250+ 4.86 EUR
600+ 4.34 EUR
1200+ 3.69 EUR
Mindestbestellmenge: 7
STW26N60M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
STW26N60M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
STW26N65DM2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
STW26N65DM2STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 12.6A; Idm: 53A; 170W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 12.6A
Pulsed drain current: 53A
Power dissipation: 170W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 156mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 35.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
STW26N65DM2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 20A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
STW26N65DM2STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 12.6A; Idm: 53A; 170W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 12.6A
Pulsed drain current: 53A
Power dissipation: 170W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 156mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 35.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
STW26N65DM2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
STW26N65DM2STMicroelectronicsMOSFET N-channel 650 V, 0.156 Ohm typ 20 A MDmesh DM2 Power MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
STW26NM50STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 18.9A; 313W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 18.9A
Power dissipation: 313W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 48 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+7.14 EUR
12+ 6.42 EUR
15+ 4.99 EUR
16+ 4.72 EUR
Mindestbestellmenge: 11
STW26NM50STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+15.15 EUR
25+ 12.82 EUR
Mindestbestellmenge: 10
STW26NM50STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 30A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 313W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V
auf Bestellung 328 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2+25.92 EUR
30+ 21 EUR
120+ 19.76 EUR
Mindestbestellmenge: 2
STW26NM50STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 18.9A; 313W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 18.9A
Power dissipation: 313W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 48 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
11+7.14 EUR
12+ 6.42 EUR
15+ 4.99 EUR
16+ 4.72 EUR
Mindestbestellmenge: 11
STW26NM50STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STW26NM50 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 30 A, 0.12 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: NO
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 313W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
auf Bestellung 791 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
STW26NM50STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 550 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
STW26NM50STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 500 Volt 30 Amp
auf Bestellung 555 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
2+26.1 EUR
10+ 25.17 EUR
25+ 18.56 EUR
50+ 18.51 EUR
100+ 17.81 EUR
250+ 16.87 EUR
600+ 16.43 EUR
Mindestbestellmenge: 2
STW26NM50 (TO-247, ST)
Produktcode: 130997		STTransistoren > MOSFET N-CH
Uds,V: 500 V
Idd,A: 30 A
Rds(on), Ohm: 0,12 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3000/76
JHGF: THT
auf Bestellung 28 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STW26NM60STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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STW26NM60STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 600 Volt 30 Amp
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STW26NM60STO402
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STW26NM60
Produktcode: 40763		Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 2
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STW26NM60STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 30A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 313W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
STW26NM60ST
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STW26NM60NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 2736 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
24+6.32 EUR
28+ 5.34 EUR
100+ 4.74 EUR
250+ 2.19 EUR
600+ 2.08 EUR
Mindestbestellmenge: 24
STW26NM60NSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STW26NM60N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.135 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.135ohm
auf Bestellung 6412 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
STW26NM60NSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 12.6A; 140W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.6A
Power dissipation: 140W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 177 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
9+8.02 EUR
11+ 6.91 EUR
16+ 4.56 EUR
17+ 4.32 EUR
Mindestbestellmenge: 9
STW26NM60NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
STW26NM60NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 2737 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
22+7.28 EUR
23+ 6.84 EUR
26+ 5.78 EUR
100+ 5.13 EUR
250+ 2.37 EUR
600+ 2.25 EUR
Mindestbestellmenge: 22
STW26NM60NSTMicroelectronicsDescription: N-channel 600 V, 0.135 Ohm typ.,
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 50 V
auf Bestellung 195 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2+17.32 EUR
30+ 13.81 EUR
120+ 12.36 EUR
Mindestbestellmenge: 2
STW26NM60NSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 12.6A; 140W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.6A
Power dissipation: 140W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 177 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+8.02 EUR
11+ 6.91 EUR
16+ 4.56 EUR
17+ 4.32 EUR
Mindestbestellmenge: 9
STW26NM60NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 2107 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
STW26NM60NSTMicroelectronicsMOSFET N-channel 600 V Mdmesh II Power
auf Bestellung 429 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
4+16.69 EUR
10+ 16.59 EUR
25+ 13.49 EUR
100+ 12.17 EUR
250+ 11.23 EUR
600+ 9.44 EUR
Mindestbestellmenge: 4
STW26NM60NSTTransistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 165mOhm; 20A; 140W; -55°C ~ 150°C; STW26NM60N TSTW26NM60N
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+7.62 EUR
Mindestbestellmenge: 5
STW26NM60NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
STW26NM60N (600V, 20A)
Produktcode: 42872		Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 2
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STW26NM60N.STMicroelectronicsSTW26NM60N.
auf Bestellung 391 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
24+6.79 EUR
25+ 6.27 EUR
50+ 5.8 EUR
100+ 5.39 EUR
250+ 5.02 EUR
Mindestbestellmenge: 24
STW26NM60NDSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 21A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1817 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
STW26NM60NDSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 106 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+8.89 EUR
Mindestbestellmenge: 18
STW26NM60NDSTMicroelectronicsMOSFET N-CH 600V 0.145Ohm typ. 21A FDmesh II
auf Bestellung 414 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
STW26NM60NDSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
STW27N60M2-EPSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
STW27N60M2-EPSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; Idm: 80A; 170W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 170W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: THT
Gate charge: 33nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
STW27N60M2-EPSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; Idm: 80A; 170W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 170W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: THT
Gate charge: 33nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
STW27N60M2-EPSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
STW27N60M2-EPSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STW27N60M2-EP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.15 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 170W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh, M2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.15ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (07-Jul-2017)
auf Bestellung 525 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
STW27N60M2-EPSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 20A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 163mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1320 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
STW27N60M2-EPSTMicroelectronicsMOSFET N-channel 600 V, 0.150 Ohm typ 20 A MDmesh M2 EP Power MOSFET
auf Bestellung 516 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
7+7.7 EUR
10+ 6.45 EUR
25+ 6.08 EUR
100+ 5.23 EUR
250+ 4.78 EUR
600+ 3.98 EUR
1200+ 3.72 EUR
Mindestbestellmenge: 7
STW27NM60NSTMicroelectronicsMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
STW27NM60NDSTMicroelectronicsMOSFET N-channel 600 V FDMesh
Produkt ist nicht verfügbar
STW27NM60NDSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 21A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
STW27NM60NDSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 21A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
STW28N60DM2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
STW28N60DM2STMicroelectronicsMOSFET N-channel 600 V, 0.13 Ohm typ 21 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-247 package
auf Bestellung 595 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
6+10.04 EUR
25+ 8.42 EUR
100+ 6.81 EUR
600+ 5.04 EUR
1200+ 4.76 EUR
Mindestbestellmenge: 6
STW28N60DM2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
STW28N60DM2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
STW28N60DM2STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 650V; 14A; Idm: 84A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 84A
Power dissipation: 170W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Produkt ist nicht verfügbar
STW28N60DM2STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 650V; 14A; Idm: 84A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 84A
Power dissipation: 170W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
STW28N60DM2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 21A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
auf Bestellung 596 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3+9.75 EUR
30+ 7.72 EUR
120+ 6.62 EUR
510+ 5.88 EUR
Mindestbestellmenge: 3
STW28N60M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
STW28N60M2STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STW28N60M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 22 A, 0.135 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 170
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: MDmesh M2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.135
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.135
SVHC: No SVHC (07-Jul-2017)
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
STW28N60M2STMicroelectronicsMOSFET N-CH 600V 0.135Ohm typ. 22A MDmesh M2
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
6+8.68 EUR
10+ 8.48 EUR
25+ 6.73 EUR
100+ 5.77 EUR
250+ 5.15 EUR
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Mindestbestellmenge: 6
STW28N60M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
STW28N60M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
STW28N60M2STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 600V; 14A; 170W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ || Plus
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Power dissipation: 170W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
STW28N60M2STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 600V; 14A; 170W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ || Plus
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Power dissipation: 170W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
STW28N60M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 24A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
STW28N60M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 3 Stücke:
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STW28N60M2
Produktcode: 123683		Transistoren > MOSFET N-CH
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STW28N60M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
STW28N65M2STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 650V; 13A; Idm: 80A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 170W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
auf Bestellung 21 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
14+5.22 EUR
16+ 4.7 EUR
20+ 3.72 EUR
21+ 3.5 EUR
Mindestbestellmenge: 14
STW28N65M2STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 650V; 13A; Idm: 80A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 170W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 21 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
14+5.22 EUR
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STW28N65M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 20A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1440 pF @ 100 V
auf Bestellung 560 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3+9.88 EUR
30+ 7.83 EUR
120+ 6.71 EUR
510+ 5.96 EUR
Mindestbestellmenge: 3
STW28N65M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
STW28N65M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
STW28N65M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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STW28N65M2STMicroelectronicsMOSFET N-channel 650 V, 0.15 Ohm typ 20 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-247 package
auf Bestellung 422 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
6+9.7 EUR
10+ 8.94 EUR
25+ 7.64 EUR
100+ 6.6 EUR
250+ 5.98 EUR
600+ 5.1 EUR
1200+ 4.84 EUR
Mindestbestellmenge: 6
STW28NK60ZSTMicroelectronicsMOSFET N-Ch 600 Volt 27 Amp
Produkt ist nicht verfügbar
STW28NK60ZSTM
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STW28NK60ZSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 27A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 350W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 264 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6350 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
STW28NK60ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 27A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
STW28NM50NSTMicroelectronicsMOSFET N-Ch 500V 0.135 21A MDmesh II
auf Bestellung 1105 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
3+18.49 EUR
10+ 17.47 EUR
25+ 12.35 EUR
100+ 11.49 EUR
250+ 10.06 EUR
Mindestbestellmenge: 3
STW28NM50NSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 500V; 13A; 150W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 13A
Power dissipation: 150W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 165 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
19+3.92 EUR
21+ 3.52 EUR
27+ 2.72 EUR
28+ 2.57 EUR
Mindestbestellmenge: 19
STW28NM50NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 21A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 158mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1735 pF @ 25 V
auf Bestellung 135 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2+18.51 EUR
30+ 14.77 EUR
120+ 13.22 EUR
Mindestbestellmenge: 2
STW28NM50NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 48 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
22+7.29 EUR
Mindestbestellmenge: 22
STW28NM50NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 421 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
STW28NM50N
Produktcode: 155180		Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
STW28NM50NSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 500V; 13A; 150W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 13A
Power dissipation: 150W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 165 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
19+3.92 EUR
21+ 3.52 EUR
27+ 2.72 EUR
28+ 2.57 EUR
Mindestbestellmenge: 19
STW28NM50NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 48 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
23+6.99 EUR
Mindestbestellmenge: 23
STW28NM50NSTTransistor N-Channel MOSFET; 500V; 25V; 158mOhm; 21A; 150W; -55°C ~ 150°C; STW28NM50N TSTW28NM50N
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+7.13 EUR
Mindestbestellmenge: 5
STW28NM50NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
STW28NM60NDSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
STW28NM60NDSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; FDmesh™ II; unipolar; 600V; 14.5A; 190W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: FDmesh™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14.5A
Power dissipation: 190W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
STW28NM60NDSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
STW28NM60NDSTMicroelectronicsMOSFET N-chanel 600 V 0.120 Ohm typ 24 A
auf Bestellung 288 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
6+8.71 EUR
10+ 8.11 EUR
100+ 8.09 EUR
600+ 8.06 EUR
Mindestbestellmenge: 6
STW28NM60NDSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 23A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 11.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2090 pF @ 100 V
auf Bestellung 127 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2+16.07 EUR
10+ 13.48 EUR
100+ 10.9 EUR
Mindestbestellmenge: 2
STW28NM60NDSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 585 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
34+4.72 EUR
Mindestbestellmenge: 34
STW29NK50Z
Produktcode: 40934		Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 2
Produkt ist nicht verfügbar
STW29NK50ZSTMicroelectronicsMOSFET N-Ch 500 Volt 31 Amp Zener SuperMESH
Produkt ist nicht verfügbar
STW29NK50ZSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 31A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 15.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 350W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 266 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6110 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
STW29NK50ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
STW29NK50ZDSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 29A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 350W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6450 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
STW29NK50ZDSTMicroelectronicsMOSFET N-CHANNEL MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
STW3-15128-018Amphenol AerospaceCircular MIL Spec Connector
Produkt ist nicht verfügbar
STW3-15128-064Amphenol AerospaceCircular MIL Spec Connector
Produkt ist nicht verfügbar
STW3-15128-076Amphenol AerospaceCircular MIL Spec Connector
Produkt ist nicht verfügbar
STW3-15128-084Amphenol AerospaceCircular MIL Spec Connector
Produkt ist nicht verfügbar
STW30200CSMC DIODE SOLUTIONSCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 200V; 15Ax2; TO247-3; tube
Mounting: THT
Max. forward voltage: 0.72V
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 15A x2
Max. load current: 30A
Kind of package: tube
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Type of diode: Schottky rectifying
Max. forward impulse current: 200A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
STW30200CSMC DIODE SOLUTIONSCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 200V; 15Ax2; TO247-3; tube
Mounting: THT
Max. forward voltage: 0.72V
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 15A x2
Max. load current: 30A
Kind of package: tube
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Type of diode: Schottky rectifying
Max. forward impulse current: 200A
Produkt ist nicht verfügbar
STW3040STTO3P
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STW3040onsemiBipolar Transistors - BJT
Produkt ist nicht verfügbar
STW3040STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 400V 30A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 4A, 20A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 18 @ 6A, 5V
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 160 W
Produkt ist nicht verfügbar
STW3040
Produktcode: 178500		Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Produkt ist nicht verfügbar
STW3040STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT High voltage fast NPN power tran
Produkt ist nicht verfügbar
STW30N20STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 200V 30A TO247-3
Produkt ist nicht verfügbar
STW30N20STMTO-247 06+
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STW30N65M5STMicroelectronicsMOSFET POWER MOSFET N-CH 650V 22 A
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 291-305 Tag (e)
4+14.51 EUR
10+ 13.39 EUR
25+ 11.44 EUR
100+ 10.37 EUR
250+ 9.15 EUR
Mindestbestellmenge: 4
STW30N65M5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 22A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 139mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 100 V
auf Bestellung 503 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2+14.43 EUR
30+ 11.52 EUR
120+ 10.31 EUR
Mindestbestellmenge: 2
STW30N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 650V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
STW30N65M5STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 13A; Idm: 88A; 140W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 88A
Power dissipation: 140W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Gate charge: 64nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
STW30N65M5
Produktcode: 107383		Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
STW30N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 650V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
STW30N65M5STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 13A; Idm: 88A; 140W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 88A
Power dissipation: 140W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Gate charge: 64nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
STW30N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 650V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
STW30N65M5STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STW30N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 22 A, 0.125 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
SVHC: No SVHC (07-Jul-2017)
auf Bestellung 589 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
STW30N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 650V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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STW30N80K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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STW30N80K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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STW30N80K5STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STW30N80K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 24 A, 0.15 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 250W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh K5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.15ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
auf Bestellung 590 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
STW30N80K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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STW30N80K5STMicroelectronicsMOSFET N-channel 800 V, 0.15 Ohm typ 24 A MDmesh K5 Power MOSFET
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
3+19.68 EUR
10+ 16.87 EUR
25+ 15.34 EUR
100+ 14.07 EUR
600+ 12.4 EUR
1200+ 10.84 EUR
5400+ 10.82 EUR
Mindestbestellmenge: 3
STW30N80K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 800V 24A TO247-3
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STW30N80K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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STW30N80K5STMicroelectronicsSTW30N80K5 THT N channel transistors
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STW30NF20STMicroelectronicsMOSFET Low charge STripFET
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STW30NF20STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 200V 30A TO247-3
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STW30NF20STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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STW30NM50NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 27A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2740 pF @ 50 V
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STW30NM50N
Produktcode: 52506		Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
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STW30NM60DSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 30A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 312W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2520 pF @ 25 V
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STW30NM60D
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STW30NM60DSTMicroelectronicsMOSFET N-Ch 600 Volt 30 Amp
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STW30NM60NST09+ SSOP
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STW30NM60NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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STW30NM60NSTMicroelectronicsMOSFET N-channel 600V, 25A Power II Mdmesh
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STW30NM60NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 25A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 50 V
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STW30NM60NDSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 25A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 50 V
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STW30NM60NDSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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STW30NM60NDSTMicroelectronicsMOSFET N-channel 600V, 25A FDMesh II
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STW3100STATICTECCategory: ESD Workstations
Description: Portable service kit; ESD; L: 0.6m; W: 0.6m; blue (dark)
Type of antistatic accessories: portable service kit
Version: ESD
Length: 0.6m
Width: 0.6m
Colour: blue (dark)
Kit contents: antistatic mat; ESD wirstband; ground cord
Related items: PRT-STW1200; PRT-STW1220; PRT-STW1320; PRT-STW1330; PRT-STW1430; PRT-STW1490; PRT-STW2200
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1+71.5 EUR
STW3100STATICTECCategory: ESD Workstations
Description: Portable service kit; ESD; L: 0.6m; W: 0.6m; blue (dark)
Type of antistatic accessories: portable service kit
Version: ESD
Length: 0.6m
Width: 0.6m
Colour: blue (dark)
Kit contents: antistatic mat; ESD wirstband; ground cord
Related items: PRT-STW1200; PRT-STW1220; PRT-STW1320; PRT-STW1330; PRT-STW1430; PRT-STW1490; PRT-STW2200
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+71.5 EUR
STW31N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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STW31N65M5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 22A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 148mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 816 pF @ 100 V
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3+11.39 EUR
Mindestbestellmenge: 3
STW31N65M5STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 13.9A; 150W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ V
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13.9A
Power dissipation: 150W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 148mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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STW31N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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STW31N65M5STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 650 V 0.124 Ohm 22 A MDmesh M5
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STW31N65M5STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 13.9A; 150W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ V
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13.9A
Power dissipation: 150W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 148mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
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STW31N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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STW32N65M5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 24A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 119mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3320 pF @ 100 V
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STW32NM50NSTMicroelectronicsMOSFET N-Ch 500V 0.13 Ohm 22A MDmesh II FET
auf Bestellung 1177 Stücke:
Lieferzeit 126-140 Tag (e)
4+15.11 EUR
25+ 12.09 EUR
100+ 10.82 EUR
250+ 9.54 EUR
600+ 9.52 EUR
Mindestbestellmenge: 4
STW32NM50NSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 13.86A; Idm: 88A; 190W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 13.86A
Pulsed drain current: 88A
Power dissipation: 190W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 62.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
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STW32NM50NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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STW32NM50NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N CH 500V 22A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1973 pF @ 50 V
auf Bestellung 254 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2+15 EUR
30+ 11.99 EUR
120+ 10.72 EUR
Mindestbestellmenge: 2
STW32NM50NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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STW32NM50NSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 13.86A; Idm: 88A; 190W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 13.86A
Pulsed drain current: 88A
Power dissipation: 190W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 62.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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STW3311STATICTECCategory: Dispensers - pen & bottles
Description: Dosing bottles; 60ml; ESD; blue; Size: 26; Equipment: needle
Type of tool: dosing bottles
Capacity: 60ml
Colour: blue
Standard equipment: needle
Version: ESD
Size: 26
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
7+10.24 EUR
8+ 9.37 EUR
9+ 8.85 EUR
10+ 8.62 EUR
Mindestbestellmenge: 7
STW3311STATICTECCategory: Dispensers - pen & bottles
Description: Dosing bottles; 60ml; ESD; blue; Size: 26; Equipment: needle
Type of tool: dosing bottles
Capacity: 60ml
Colour: blue
Standard equipment: needle
Version: ESD
Size: 26
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+10.24 EUR
8+ 9.37 EUR
9+ 8.85 EUR
10+ 8.62 EUR
Mindestbestellmenge: 7
STW3312STATICTECCategory: Dispensers - pen & bottles
Description: Dosing bottles; 60ml; ESD; blue; Size: 20; Equipment: needle
Type of tool: dosing bottles
Capacity: 60ml
Colour: blue
Standard equipment: needle
Version: ESD
Size: 20
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 21 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
8+9.37 EUR
9+ 8.85 EUR
10+ 8.62 EUR
Mindestbestellmenge: 8
STW3312STATICTECCategory: Dispensers - pen & bottles
Description: Dosing bottles; 60ml; ESD; blue; Size: 20; Equipment: needle
Type of tool: dosing bottles
Capacity: 60ml
Colour: blue
Standard equipment: needle
Version: ESD
Size: 20
auf Bestellung 21 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8+9.37 EUR
9+ 8.85 EUR
10+ 8.62 EUR
Mindestbestellmenge: 8
STW3313STATICTECCategory: Dispensers - pen & bottles
Description: Dosing bottles; 60ml; ESD; blue; Size: 16; Equipment: needle
Type of tool: dosing bottles
Capacity: 60ml
Colour: blue
Standard equipment: needle
Version: ESD
Size: 16
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
7+10.24 EUR
8+ 9.37 EUR
9+ 8.85 EUR
10+ 8.62 EUR
Mindestbestellmenge: 7
STW3313STATICTECCategory: Dispensers - pen & bottles
Description: Dosing bottles; 60ml; ESD; blue; Size: 16; Equipment: needle
Type of tool: dosing bottles
Capacity: 60ml
Colour: blue
Standard equipment: needle
Version: ESD
Size: 16
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+10.24 EUR
8+ 9.37 EUR
9+ 8.85 EUR
10+ 8.62 EUR
Mindestbestellmenge: 7
STW3315STATICTECCategory: Dispensers - pen & bottles
Description: Dosing bottles; 200ml; ESD; blue; Features: built-in pump
Version: ESD
Soldering equipment features: built-in pump
Colour: blue
Capacity: 0.2l
Type of tool: dosing bottles
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 35 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
6+12.18 EUR
7+ 11.51 EUR
10+ 11.23 EUR
Mindestbestellmenge: 6
STW3315STATICTECCategory: Dispensers - pen & bottles
Description: Dosing bottles; 200ml; ESD; blue; Features: built-in pump
Version: ESD
Soldering equipment features: built-in pump
Colour: blue
Capacity: 0.2l
Type of tool: dosing bottles
auf Bestellung 35 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+12.18 EUR
7+ 11.51 EUR
10+ 11.23 EUR
Mindestbestellmenge: 6
STW3320STATICTECCategory: Dispensers - pen & bottles
Description: Dosing bottles; 250ml; ESD; blue; Features: with straw
Capacity: 0.25l
Type of tool: dosing bottles
Version: ESD
Soldering equipment features: with straw
Colour: blue
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+12.18 EUR
7+ 11.51 EUR
Mindestbestellmenge: 6
STW3320STATICTECCategory: Dispensers - pen & bottles
Description: Dosing bottles; 250ml; ESD; blue; Features: with straw
Capacity: 0.25l
Type of tool: dosing bottles
Version: ESD
Soldering equipment features: with straw
Colour: blue
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
6+12.18 EUR
7+ 11.51 EUR
Mindestbestellmenge: 6
STW3323STATICTECCategory: Dispensers - pen & bottles
Description: Dosing bottles; 500ml; ESD; blue; Features: with spray
Capacity: 0.5l
Type of tool: dosing bottles
Version: ESD
Soldering equipment features: with spray
Colour: blue
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+14.84 EUR
6+ 12.83 EUR
10+ 12.5 EUR
Mindestbestellmenge: 5
STW3323STATICTECCategory: Dispensers - pen & bottles
Description: Dosing bottles; 500ml; ESD; blue; Features: with spray
Capacity: 0.5l
Type of tool: dosing bottles
Version: ESD
Soldering equipment features: with spray
Colour: blue
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+14.84 EUR
6+ 12.83 EUR
10+ 12.5 EUR
Mindestbestellmenge: 5
STW3324STATICTECCategory: Dispensers - pen & bottles
Description: Dosing bottles; 250ml; ESD; blue
Capacity: 0.25l
Type of tool: dosing bottles
Version: ESD
Colour: blue
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+17.88 EUR
Mindestbestellmenge: 4
STW3324STATICTECCategory: Dispensers - pen & bottles
Description: Dosing bottles; 250ml; ESD; blue
Capacity: 0.25l
Type of tool: dosing bottles
Version: ESD
Colour: blue
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+17.88 EUR
Mindestbestellmenge: 4
STW333BWSTTSOP32 07+
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STW333BWST07+ TSOP32
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STW33N20STMicroelectronicsMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
STW33N20
auf Bestellung 24109 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STW33N20(Mikroschaltung TO-247)
Produktcode: 57271		Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 2
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STW33N60DM2STMicroelectronicsMOSFET N-channel 600 V, 0.110 Ohm typ 24 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-247 package
Produkt ist nicht verfügbar
STW33N60DM2STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 15.5A; Idm: 96A; 190W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 15.5A
Pulsed drain current: 96A
Power dissipation: 190W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+7.42 EUR
13+ 5.75 EUR
14+ 5.43 EUR
100+ 5.31 EUR
Mindestbestellmenge: 10
STW33N60DM2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
STW33N60DM2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
STW33N60DM2STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 15.5A; Idm: 96A; 190W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 15.5A
Pulsed drain current: 96A
Power dissipation: 190W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+7.42 EUR
13+ 5.75 EUR
14+ 5.43 EUR
Mindestbestellmenge: 10
STW33N60DM2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 24A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870 pF @ 100 V
auf Bestellung 513 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2+13.73 EUR
30+ 10.89 EUR
120+ 9.33 EUR
510+ 8.3 EUR
Mindestbestellmenge: 2
STW33N60M2STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STW33N60M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 26 A, 0.108 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh II Plus
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.108ohm
SVHC: No SVHC (07-Jul-2017)
auf Bestellung 664 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
STW33N60M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
STW33N60M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
STW33N60M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 26A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1781 pF @ 100 V
auf Bestellung 696 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3+12.32 EUR
30+ 9.75 EUR
120+ 8.36 EUR
510+ 7.43 EUR
Mindestbestellmenge: 3
STW33N60M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
STW33N60M2STMicroelectronicsMOSFET N-CH 600V 0.108Ohm typ. 26A MDmesh M2
auf Bestellung 575 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
5+12.4 EUR
10+ 11.15 EUR
25+ 9.85 EUR
100+ 8.45 EUR
250+ 7.49 EUR
600+ 6.4 EUR
1200+ 6.03 EUR
Mindestbestellmenge: 5
STW33N60M6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tj)
Supplier Device Package: TO-247-3
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Produkt ist nicht verfügbar
STW33N60M6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
STW33N60M6STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M6; unipolar; 600V; 15.8A; Idm: 78A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 15.8A
Pulsed drain current: 78A
Case: TO247
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Gate charge: 33.4nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
STW33N60M6STMicroelectronicsMOSFET N-channel 600 V, 105 mOhm typ 25 A MDmesh M6 Power MOSFET
auf Bestellung 335 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
4+14.33 EUR
10+ 12.04 EUR
100+ 9.75 EUR
600+ 8.48 EUR
1200+ 6.84 EUR
Mindestbestellmenge: 4
STW33N60M6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
STW33N60M6STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M6; unipolar; 600V; 15.8A; Idm: 78A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 15.8A
Pulsed drain current: 78A
Case: TO247
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Gate charge: 33.4nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
STW34N65M5STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 17.7A; 190W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ V
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 17.7A
Power dissipation: 190W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
STW34N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 28A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 164 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
46+3.46 EUR
Mindestbestellmenge: 46
STW34N65M5STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 650 V 0.098 Ohm 29 A MDmesh M5
auf Bestellung 884 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
4+15.18 EUR
10+ 12.79 EUR
25+ 7.85 EUR
100+ 7.83 EUR
250+ 7.62 EUR
600+ 7.46 EUR
1200+ 7.38 EUR
Mindestbestellmenge: 4
STW34N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 28A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
STW34N65M5STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 17.7A; 190W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ V
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 17.7A
Power dissipation: 190W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar