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TK15J50D


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Technische Details TK15J50D

Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 15A; 210W; TO3PN, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 500V, Drain current: 15A, Power dissipation: 210W, Case: TO3PN, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 0.4Ω, Mounting: THT, Gate charge: 38nC, Kind of package: tube, Kind of channel: enhancement.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
TK15J50D Toshiba MOSFET
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TK15J50D(F) TK15J50D(F) TOSHIBA TK15J50D.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 15A; 210W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 15A
Power dissipation: 210W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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TK15J50D
Hersteller: Toshiba
MOSFET
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TK15J50D(F) TK15J50D.pdf
TK15J50D(F)
Hersteller: TOSHIBA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 15A; 210W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 15A
Power dissipation: 210W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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