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Technische Details TPC8124 Toshiba
Description: TOSHIBA - TPC8124 - Leistungs-MOSFET, leistungsstark, p-Kanal, 40 V, 12 A, 0.0061 ohm, SOP, Oberflächenmontage, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40, Dauer-Drainstrom Id: 12, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 1.9, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800, Verlustleistung: 1.9, Bauform - Transistor: SOP, Anzahl der Pins: 8, Produktpalette: -, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0061, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0061, SVHC: To Be Advised.
Weitere Produktangebote TPC8124
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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TPC8124(TE12L,V,M) | TOSHIBA |
 Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -12A; 1.9W; SOP8 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -40V Drain current: -12A Power dissipation: 1.9W Case: SOP8 Gate-source voltage: -25...20V On-state resistance: 6.1mΩ Mounting: SMD Gate charge: 104nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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TPC8124 | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TPC8124 - Leistungs-MOSFET, leistungsstark, p-Kanal, 40 V, 12 A, 0.0061 ohm, SOP, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40 Dauer-Drainstrom Id: 12 Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 1.9 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800 Verlustleistung: 1.9 Bauform - Transistor: SOP Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0061 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0061 SVHC: To Be Advised |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| TPC8124(TE12L,V,M) |
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Hersteller: TOSHIBA
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -12A; 1.9W; SOP8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -12A
Power dissipation: 1.9W
Case: SOP8
Gate-source voltage: -25...20V
On-state resistance: 6.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 104nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -12A; 1.9W; SOP8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -12A
Power dissipation: 1.9W
Case: SOP8
Gate-source voltage: -25...20V
On-state resistance: 6.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 104nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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| TPC8124 |
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Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPC8124 - Leistungs-MOSFET, leistungsstark, p-Kanal, 40 V, 12 A, 0.0061 ohm, SOP, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 12
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 1.9
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800
Verlustleistung: 1.9
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0061
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0061
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - TPC8124 - Leistungs-MOSFET, leistungsstark, p-Kanal, 40 V, 12 A, 0.0061 ohm, SOP, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 12
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 1.9
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800
Verlustleistung: 1.9
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0061
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0061
SVHC: To Be Advised
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