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TTA004B,Q

TTA004B,Q Toshiba

BE58B2C438EAA45626F66F1BF9E0BE7F73A2E19E651FA78BF18C5792A9C8B622.pdf Hersteller: Toshiba
Bipolar Transistors - BJT PNP -2.5A 1.5W 280 HFE -0.5V Trans
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Technische Details TTA004B,Q Toshiba

Description: TRANS PNP 160V 1.5A TO-126N, Packaging: Bag, Package / Case: TO-225AA, TO-126-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 5V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: TO-126N, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V, Power - Max: 10 W.

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TTA004B,Q TTA004B,Q Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=14399&prodName=TTA004B Description: TRANS PNP 160V 1.5A TO-126N
Packaging: Bag
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
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Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-126N
Part Status: Active
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TTA004B,Q Hersteller : Toshiba 2500952427942125008037817267tta004b_datasheet_en_20170109.pdf.pdf Trans GP BJT PNP 160V 1.5A 1500mW 3-Pin TO-126N Sack
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