TVS430SM MICROSEMI

Hersteller: MICROSEMI
A_SQ_MELF/150 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE TVS430
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Produktrezensionen

Technische Details TVS430SM MICROSEMI

Category: Unidirectional TVS SMD diodes, Description: Diode: TVS; 0.15kW; 342V; Ch: 1; -65÷175°C, Number of channels: 1, Peak pulse power dissipation: 0.15kW, Operating temperature: -65...175°C, Max. off-state voltage: 300V, Leakage current: 1µA, Type of diode: TVS, Mounting: SMD, Breakdown voltage: 342V.

Weitere Produktangebote TVS430SM

Foto	Bezeichnung	Hersteller	Beschreibung	Verfügbarkeit	Privatkunde
	TVS430SM	Microsemi Corporation	Description: TVS DIODE 300VWM 520VC SMD	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 866 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
	TVS430SM	MICROCHIP TECHNOLOGY	Category: Unidirectional TVS SMD diodes Description: Diode: TVS; 0.15kW; 342V; Ch: 1; -65÷175°C Number of channels: 1 Peak pulse power dissipation: 0.15kW Operating temperature: -65...175°C Max. off-state voltage: 300V Leakage current: 1µA Type of diode: TVS Mounting: SMD Breakdown voltage: 342V	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TVS430SM

Hersteller: Microsemi Corporation
Description: TVS DIODE 300VWM 520VC SMD

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TVS430SM

Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.15kW; 342V; Ch: 1; -65÷175°C
Number of channels: 1
Peak pulse power dissipation: 0.15kW
Operating temperature: -65...175°C
Max. off-state voltage: 300V
Leakage current: 1µA
Type of diode: TVS
Mounting: SMD
Breakdown voltage: 342V

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