VMM90-09F
Produktcode: 107117
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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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| VMM90-09F |
MOSFET плечо моста, 900V, 85A@25C Силові MOSFET-модулі |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||
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VMM90-09F | IXYS |
Description: MOSFET 2N-CH 900V 85A Y3-LI Packaging: Box Package / Case: Y3-Li Mounting Type: Chassis Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 900V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 76mOhm @ 65A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 960nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 30mA Supplier Device Package: Y3-Li |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 2 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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VMM90-09F | IXYS |
MOSFET Modules 90 Amps 900V |
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| VMM90-09F |
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MOSFET плечо моста, 900V, 85A@25C Силові MOSFET-модулі
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| VMM90-09F |
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Hersteller: IXYS
Description: MOSFET 2N-CH 900V 85A Y3-LI
Packaging: Box
Package / Case: Y3-Li
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 900V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 76mOhm @ 65A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 960nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 30mA
Supplier Device Package: Y3-Li
Description: MOSFET 2N-CH 900V 85A Y3-LI
Packaging: Box
Package / Case: Y3-Li
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 900V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 76mOhm @ 65A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 960nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 30mA
Supplier Device Package: Y3-Li
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| VMM90-09F |
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Hersteller: IXYS
MOSFET Modules 90 Amps 900V
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