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VN2222LL-G

VN2222LL-G Microchip Technology

vn2222ll20b082013.pdf Hersteller: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.23A 3-Pin TO-92 Bag
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Technische Details VN2222LL-G Microchip Technology

Description: MICROCHIP - VN2222LL-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 230 mA, 7.5 ohm, TO-92, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 230mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: TO-92, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7.5ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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VN2222LL-G VN2222LL-G Hersteller : Microchip Technology vn2222ll20b082013.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.23A 3-Pin TO-92 Bag
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VN2222LL-G VN2222LL-G Hersteller : Microchip Technology VN2222LL%20B082013.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 230MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta), 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
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VN2222LL-G VN2222LL-G Hersteller : Microchip Technology VN2222LL_B082013-3445661.pdf MOSFETs 60V 7.5Ohm
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VN2222LL-G VN2222LL-G Hersteller : MICROCHIP TECHNOLOGY VN2222LL%20B082013.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 230mA; Idm: 1A; 1W; TO92
Case: TO92
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.23A
On-state resistance: 7.5Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 1A
Mounting: THT
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VN2222LL-G VN2222LL-G
Produktcode: 103104
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VN2222LL%20B082013.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
ZCODE: 8541290010
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VN2222LL-G VN2222LL-G Hersteller : MICROCHIP 2337823.pdf Description: MICROCHIP - VN2222LL-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 230 mA, 7.5 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 230mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7.5ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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VN2222LLG vn2222ll-d.pdf
auf Bestellung 3992 Stücke:
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VN2222LLG VN2222LLG Hersteller : onsemi vn2222ll-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 150MA TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
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VN2222LLG VN2222LLG Hersteller : ON Semiconductor vn2222ll-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.15A 3-Pin TO-92 Box
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VN2222LLG VN2222LLG Hersteller : ON Semiconductor VN2222LL-D-1814918.pdf MOSFET 60V 150mA N-Channel
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