VN2222LL-G Microchip Technology
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Technische Details VN2222LL-G Microchip Technology
Description: MICROCHIP - VN2222LL-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 230 mA, 7.5 ohm, TO-92, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 230mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: TO-92, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7.5ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote VN2222LL-G nach Preis ab 0.39 EUR bis 0.97 EUR
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VN2222LL-G | Hersteller : Microchip Technology |
 Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.23A 3-Pin TO-92 Bag |
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VN2222LL-G | Hersteller : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.23A 3-Pin TO-92 Bag |
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VN2222LL-G | Hersteller : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.23A 3-Pin TO-92 Bag |
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VN2222LL-G | Hersteller : Microchip Technology |
Description: MOSFET N-CH 60V 230MA TO92-3 Packaging: Bag Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 400mW (Ta), 1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V |
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VN2222LL-G | Hersteller : Microchip Technology |
MOSFETs 60V 7.5Ohm |
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VN2222LL-G | Hersteller : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.23A 3-Pin TO-92 Bag |
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VN2222LL-G | Hersteller : MICROCHIP |
Description: MICROCHIP - VN2222LL-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 230 mA, 7.5 ohm, TO-92, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 230mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: TO-92 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7.5ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
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VN2222LL-G | Hersteller : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.23A 3-Pin TO-92 Bag |
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VN2222LL-G | Hersteller : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.23A 3-Pin TO-92 Bag |
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VN2222LL-G | Hersteller : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.23A 3-Pin TO-92 Bag |
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VN2222LL-G | Hersteller : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.23A 3-Pin TO-92 Bag |
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VN2222LL-G | Hersteller : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.23A 3-Pin TO-92 Bag |
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| VN2222LLG |
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VN2222LLG | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.15A 3-Pin TO-92 Box |
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VN2222LL-G | Hersteller : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 230mA; Idm: 1A; 1W; TO92 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.23A Pulsed drain current: 1A Power dissipation: 1W Case: TO92 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 7.5Ω Mounting: THT Kind of package: bulk Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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VN2222LLG | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 60V 150MA TO92-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 400mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V |
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VN2222LLG | Hersteller : ON Semiconductor |
MOSFET 60V 150mA N-Channel |
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VN2222LL-G | Hersteller : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 230mA; Idm: 1A; 1W; TO92 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.23A Pulsed drain current: 1A Power dissipation: 1W Case: TO92 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 7.5Ω Mounting: THT Kind of package: bulk Kind of channel: enhancement |
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