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VN2460N3-G

VN2460-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005994A.pdf
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VN2460N3-G VN2460N3-G Microchip Technology -enhancement-mode-vertical-dmos-fet-data-sheet-20005994a.pdf Trans MOSFET N-CH Si 600V 0.16A 3-Pin TO-92 Bag
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VN2460N3-G VN2460N3-G Microchip Technology -enhancement-mode-vertical-dmos-fet-data-sheet-20005994a.pdf Trans MOSFET N-CH Si 600V 0.16A 3-Pin TO-92 Bag
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VN2460N3-G VN2460N3-G Microchip Technology VN2460-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005994A.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 160MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V
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VN2460N3-G VN2460N3-G Microchip Technology VN2460_N_Channel_Enhancement_Mode_Vertical_DMOS_FET_Data_Sheet_20005994A.pdf MOSFETs 600V 20Ohm
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VN2460N3-G VN2460N3-G Microchip Technology -enhancement-mode-vertical-dmos-fet-data-sheet-20005994a.pdf Trans MOSFET N-CH Si 600V 0.16A 3-Pin TO-92 Bag
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VN2460N3-G VN2460N3-G MICROCHIP SUPRS03958-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: MICROCHIP - VN2460N3-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 160 mA, 20 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: VN2460
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 20ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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Hersteller: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH Si 600V 0.16A 3-Pin TO-92 Bag
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VN2460N3-G
Hersteller: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 600V 160MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V
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Hersteller: Microchip Technology
MOSFETs 600V 20Ohm
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VN2460N3-G
Hersteller: MICROCHIP
Description: MICROCHIP - VN2460N3-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 160 mA, 20 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: VN2460
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 20ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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1N4007
Produktcode: 176822
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1N4001-ds.PDF
1N4007
Hersteller: MIC
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden
Gehäuse: DO-41
Urev., V: 1000 В
Iausr., A: 1 А
Beschreibung: Gleichrichter
Montage: THT
Spannungsabfall Vf: 1,1 В
auf Bestellung 54788 St.:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
68uF 450V EHL 22x30mm (EHL680M2WBA-Hitano)
Produktcode: 123483
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ehl_20160530-datasheet.pdf
68uF 450V EHL 22x30mm (EHL680M2WBA-Hitano)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 68 µF
Nennspannung: 450 В
Reihe: EHL
Typ: Niedriger ESR (Equivalent Series Resistance) und lange Lebensdauer mit breitem Temperaturbereich. Starre Anschlüsse
Temperaturbereich: ...+105°C
Abmessungen: 22x30 mm
Lebensdauer: 5000 Stunden
auf Bestellung 213 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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STW12NK80Z
Produktcode: 33689
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8977ferf7hfw.pdf
STW12NK80Z
Hersteller: ST
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247
Drain-Source-Spannung Uds, V: 800 V
Drain-Strom Idd, A: 10,5 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,65 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 2620/87
Montage: THT
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Z74J PS (Kradex) Gehäuse, hellgrau, 57.4x125x176mm, Satz
Produktcode: 33047
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Z74.PDF
Z74J PS (Kradex) Gehäuse, hellgrau, 57.4x125x176mm, SatzZ74J PS (Kradex) Gehäuse, hellgrau, 57.4x125x176mm, Satz
Z74J PS (Kradex) Gehäuse, hellgrau, 57.4x125x176mm, SatzZ74J PS (Kradex) Gehäuse, hellgrau, 57.4x125x176mm, Satz
Hersteller: Kradex
Gehäuse, Halter, Montage- und Installationselemente > Gehäuse
Beschreibung: Gehäuse Kunststoff-
Art, Typ, Gruppe: Dichte Gehäuse
Material: Kunststoff/PS (Polystyrol)
Farbe: Hellgrau
Länge, mm: 176,0 mm
Breite, mm: 125,0 мм
Höhe, mm: 57,4 мм
Zolltarifnummer: 3926 90 92 90
Gesamtabmessungen: 176,0x125,0x57,4 мм
Produkt ist nicht verfügbar
erwartet: 120 St.
  • 120 St. - erwartet 20.07.2026
AnzahlPrivatkunde
1+5.05 EUR
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UF5408
Produktcode: 27170
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uf5408.pdf
UF5408
Hersteller: Yangjie/MIC
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Dioden superschnelle
Gehäuse: DO-201AD
Sperrspannung Vrr, V: 1000 V
Mittlerer Strom Iav, A: 3 A
Sperrverzögerungszeit Trr, ns: 75 ns
Montage: THT
verfügbar: 1220 St.
  • 200 St. - stock Köln
  • 1020 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
AnzahlPrivatkunde
1+0.17 EUR
10+0.14 EUR
100+0.13 EUR
1000+0.084 EUR
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