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VN2460N3-G

VN2460N3-G Microchip Technology

-enhancement-mode-vertical-dmos-fet-data-sheet-20005994a.pdf Hersteller: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH Si 600V 0.16A 3-Pin TO-92 Bag
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Technische Details VN2460N3-G Microchip Technology

Description: MICROCHIP - VN2460N3-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 160 mA, 20 ohm, TO-92, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 160mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: TO-92, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: VN2460, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 20ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

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VN2460N3-G VN2460N3-G Hersteller : MICROCHIP TECHNOLOGY VN2460-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005994A.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 160mA; Idm: 0.5A; 1W; TO92
Kind of package: bulk
Case: TO92
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.16A
On-state resistance: 20Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 0.5A
Mounting: THT
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VN2460N3-G VN2460N3-G Hersteller : Microchip Technology -enhancement-mode-vertical-dmos-fet-data-sheet-20005994a.pdf Trans MOSFET N-CH Si 600V 0.16A 3-Pin TO-92 Bag
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VN2460N3-G VN2460N3-G Hersteller : Microchip Technology VN2460-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005994A.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 160MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V
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VN2460N3-G VN2460N3-G Hersteller : Microchip Technology VN2460_N_Channel_Enhancement_Mode_Vertical_DMOS_FE-3499755.pdf MOSFETs 600V 20Ohm
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VN2460N3-G VN2460N3-G Hersteller : MICROCHIP SUPRS03958-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: MICROCHIP - VN2460N3-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 160 mA, 20 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: VN2460
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 20ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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VN2460N3-G VN2460N3-G
Produktcode: 104102
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ZCODE: 8541290010
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