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VN2460N3-G

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VN2460N3-G VN2460N3-G Hersteller : Microchip Technology -enhancement-mode-vertical-dmos-fet-data-sheet-20005994a.pdf Trans MOSFET N-CH Si 600V 0.16A 3-Pin TO-92 Bag
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VN2460N3-G VN2460N3-G Hersteller : Microchip Technology -enhancement-mode-vertical-dmos-fet-data-sheet-20005994a.pdf Trans MOSFET N-CH Si 600V 0.16A 3-Pin TO-92 Bag
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VN2460N3-G VN2460N3-G Hersteller : Microchip Technology VN2460-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005994A.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 160MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V
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VN2460N3-G VN2460N3-G Hersteller : Microchip Technology VN2460_N_Channel_Enhancement_Mode_Vertical_DMOS_FET_Data_Sheet_20005994A.pdf MOSFETs 600V 20Ohm
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VN2460N3-G VN2460N3-G Hersteller : Microchip Technology -enhancement-mode-vertical-dmos-fet-data-sheet-20005994a.pdf Trans MOSFET N-CH Si 600V 0.16A 3-Pin TO-92 Bag
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VN2460N3-G VN2460N3-G Hersteller : MICROCHIP SUPRS03958-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: MICROCHIP - VN2460N3-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 160 mA, 20 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: VN2460
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 20ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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VN2460N3-G VN2460N3-G Hersteller : Microchip Technology -enhancement-mode-vertical-dmos-fet-data-sheet-20005994a.pdf Trans MOSFET N-CH Si 600V 0.16A 3-Pin TO-92 Bag
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1N4007
Produktcode: 176822
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1N4001-ds.PDF
1N4007
Hersteller: MIC
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden
Gehäuse: DO-41
Urev.,V: 1000 V
Iausricht.,А: 1 A
Beschreibung: Випрямний
Монтаж: THT
Падіння напруги Vf: 1,1 V
auf Bestellung 79456 St.:
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68uF 450V EHL 22x30mm (EHL680M2WBA-Hitano)
Produktcode: 123483
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ehl_20160530-datasheet.pdf
68uF 450V EHL 22x30mm (EHL680M2WBA-Hitano)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 68 µF
Nennspannung: 450 V
Reihe: EHL
Temp.Bereich: Низький ESR (Equivalent Series Resistance) і довгий термін служби c широким діапазоном температур. Жорсткі виводи
Abmessungen: ...+105°C
Lebensdauer: 22х30mm
№ 8: 5000 годин
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Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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STW12NK80Z
Produktcode: 33689
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8977ferf7hfw.pdf
STW12NK80Z
Hersteller: ST
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247
Uds,V: 800
Idd,A: 10.05.2015
Rds(on), Ohm: 0.65
Ciss, pF/Qg, nC: 2620/87
JHGF: THT
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Z74J PS (Kradex) Gehause, hell-grau, 56x125x176mm, Satz
Produktcode: 33047
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Z74.PDF
Z74J PS (Kradex) Gehause, hell-grau, 56x125x176mm, Satz
+1
Hersteller: Kradex
Gehäuse, Halter, Montage- und Installationselemente > Gehäuse
Beschreibung: Gehause plastik
Reihe, Typ, Gruppe: Gehause
Material: PS (Polystyrol)
Farbe: hell-grau
Abmessungen, LхBхH: 176x126x57,4mm
Ширина, мм: 125,0 mm
Висота, мм: 57,4 mm
№ 7: 3926909290
Загальні габарити: 176,0x125,0x57,4 mm
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1+4.24 EUR
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UF5408
Produktcode: 27170
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uf5408.pdf
UF5408
Hersteller: Vishay
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Dioden superschnelle
Gehäuse: DO-27
Vrr, V: 1000
Iav, A: 3
Trr, ns: 75
verfügbar: 1328 St.
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1128 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
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