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| 200+ | 84.69 EUR |
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Technische Details VUM33-06PH IXYS
Category: Transistor modules MOSFET, Description: Module; diode/transistor; 600V; 50A; V1-B-Pack; FASTON connectors, Polarisation: unipolar, Gate-source voltage: ±20V, Type of module: MOSFET transistor, Semiconductor structure: diode/transistor, Case: V1-B-Pack, On-state resistance: 0.12Ω, Topology: boost chopper; single-phase diode bridge, Power dissipation: 500W, Gate charge: 165nC, Drain current: 50A, Drain-source voltage: 600V, Mechanical mounting: screw, Electrical mounting: FASTON connectors, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
Weitere Produktangebote VUM33-06PH
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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| VUM33-06PH | Hersteller : IXYS |
 Description: MODULE MOSFET BRIDGE RECT V1-BPackaging: Box Package / Case: 6-SMD, Flat Lead Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Diode Type: Single Phase (PFC Module) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: Standard Part Status: Active Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V Current - Average Rectified (Io): 106 A Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.39 V @ 50 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 600 V |
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VUM33-06PH Produktcode: 193869 |
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule |
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| VUM33-06PH | Hersteller : Littelfuse |
Bridge Rectifier Module for Power Factor Correction |
Produkt ist nicht verfügbar |
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VUM33-06PH | Hersteller : IXYS |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; diode/transistor; 600V; 50A; V1-B-Pack; FASTON connectors Polarisation: unipolar Gate-source voltage: ±20V Type of module: MOSFET transistor Semiconductor structure: diode/transistor Case: V1-B-Pack On-state resistance: 0.12Ω Topology: boost chopper; single-phase diode bridge Power dissipation: 500W Gate charge: 165nC Drain current: 50A Drain-source voltage: 600V Mechanical mounting: screw Electrical mounting: FASTON connectors Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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VUM33-06PH | Hersteller : IXYS |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; diode/transistor; 600V; 50A; V1-B-Pack; FASTON connectors Polarisation: unipolar Gate-source voltage: ±20V Type of module: MOSFET transistor Semiconductor structure: diode/transistor Case: V1-B-Pack On-state resistance: 0.12Ω Topology: boost chopper; single-phase diode bridge Power dissipation: 500W Gate charge: 165nC Drain current: 50A Drain-source voltage: 600V Mechanical mounting: screw Electrical mounting: FASTON connectors |
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