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ZXMC10A816N8TA


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Technische Details ZXMC10A816N8TA

Category: Multi channel transistors, Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 100/-100V, Type of transistor: N/P-MOSFET, Polarisation: unipolar, Kind of transistor: complementary pair, Drain-source voltage: 100/-100V, Drain current: 2.2/-2.1A, Pulsed drain current: 9.4A, Power dissipation: 2.4W, Case: SO8, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 0.23/0.235Ω, Mounting: SMD, Gate charge: 9.2nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhancement.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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ZXMC10A816N8TA ZXMC10A816N8TA Hersteller : Diodes Zetex zxmc10a816n8.pdf Trans MOSFET N/P-CH 100V 2A 8-Pin SO T/R
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ZXMC10A816N8TA ZXMC10A816N8TA Hersteller : DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDC9B8D5FD5AA9760CE&compId=ZXMC10A816N8.pdf?ci_sign=4dcc964adf5f7787e1ca8598dedb1ff9e01faf4c Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 100/-100V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 100/-100V
Drain current: 2.2/-2.1A
Pulsed drain current: 9.4A
Power dissipation: 2.4W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.23/0.235Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 9.2nC
Kind of package: reel; tape
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