Produkte > ZXM

06+;

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ZXM41N10FTA

Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3

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ZXM41N10FTA

Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3

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ZXM41N10FTA

SOT-223

auf Bestellung 30000 Stücke:

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ZXM41N10FTA

Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3

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ZXM41N10FTA

07+ SOT-223

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ZXM41N10FTC

Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3

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ZXM6

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ZXM61N02F

MOSFET

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ZXM61N02F

Description: DIODES INC. - ZXM61N02F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.7 A, 0.18 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

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ZXM61N02F

06+;

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ZXM61N02FTA

Trans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R

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ZXM61N02FTA

Trans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 27000 Stücke:

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3000+	0.14 EUR

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ZXM61N02FTA

Trans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R

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ZXM61N02FTA

Description: MOSFET N-CH 20V 1.7A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 930mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 15 V

auf Bestellung 49964 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.24 EUR
9000+	0.17 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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ZXM61N02FTA

Trans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 27000 Stücke:

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3000+	0.15 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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ZXM61N02FTA

Trans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 2460 Stücke:

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215+	0.69 EUR
275+	0.52 EUR
278+	0.50 EUR
545+	0.24 EUR
551+	0.23 EUR
557+	0.22 EUR
1000+	0.17 EUR

Mindestbestellmenge: 215

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ZXM61N02FTA

Trans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 123000 Stücke:

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3000+	0.17 EUR
30000+	0.15 EUR
60000+	0.14 EUR
90000+	0.12 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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ZXM61N02FTA
Produktcode: 127179

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Transistoren > MOSFET N-CH

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ZXM61N02FTA

Trans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R

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ZXM61N02FTA

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.3A; 0.625W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1.3A
Power dissipation: 0.625W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

auf Bestellung 2886 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

99+	0.73 EUR
171+	0.42 EUR
243+	0.29 EUR
468+	0.15 EUR
496+	0.14 EUR

Mindestbestellmenge: 99

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ZXM61N02FTA

MOSFETs 20V N-Chnl HDMOS

auf Bestellung 34972 Stücke:

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3+	0.99 EUR
10+	0.59 EUR
100+	0.39 EUR
500+	0.30 EUR
1000+	0.27 EUR

Mindestbestellmenge: 3

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ZXM61N02FTA

Trans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 2460 Stücke:

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278+	0.53 EUR
545+	0.26 EUR
551+	0.25 EUR
557+	0.24 EUR
1000+	0.18 EUR

Mindestbestellmenge: 278

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ZXM61N02FTA

Trans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 36000 Stücke:

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3000+	0.16 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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ZXM61N02FTA

Description: MOSFET N-CH 20V 1.7A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 930mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 15 V

auf Bestellung 49964 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

18+	0.99 EUR
30+	0.59 EUR
100+	0.39 EUR
500+	0.30 EUR
1000+	0.27 EUR

Mindestbestellmenge: 18

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ZXM61N02FTA

Trans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 123000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.14 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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ZXM61N02FTA

Trans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 36000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.16 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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ZXM61N02FTA N02

Transistor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 240mOhm; 1,7A; 806mW; -55°C ~ 150°C; ZXM61N02FTA TZXM61n02f
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke

auf Bestellung 169 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

100+	0.33 EUR

Mindestbestellmenge: 100

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ZXM61N02FTA/P02

auf Bestellung 1747 Stücke:

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ZXM61N02FTC

Description: MOSFET N-CH 20V 1.7A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 930mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 15 V

auf Bestellung 49801 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

18+	1.00 EUR
27+	0.67 EUR
100+	0.46 EUR
500+	0.36 EUR
1000+	0.33 EUR
2000+	0.30 EUR
5000+	0.27 EUR

Mindestbestellmenge: 18

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ZXM61N02FTC

Trans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 30000 Stücke:

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10000+	0.23 EUR

Mindestbestellmenge: 10000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXM61N02FTC

MOSFETs 20V N Chnl HDMOS

auf Bestellung 86675 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	0.90 EUR
10+	0.70 EUR
100+	0.48 EUR
500+	0.37 EUR
1000+	0.31 EUR
2500+	0.28 EUR
10000+	0.27 EUR

Mindestbestellmenge: 4

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXM61N02FTC

Description: MOSFET N-CH 20V 1.7A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 930mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 15 V

auf Bestellung 40000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

10000+	0.25 EUR

Mindestbestellmenge: 10000

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ZXM61N02FTC

Trans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXM61N02FTC

Trans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXM61N03F

Description: DIODES INC. - ZXM61N03F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.4 A, 0.22 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 6816 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXM61N03F

06+;

auf Bestellung 20000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXM61N03F

auf Bestellung 6816 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXM61N03F

MOSFETs Discrete Semiconductor Products FETs - Single - MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT23-3

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ZXM61N03FTA

Diodes Inc./Zetex

N-CH SOT-23

auf Bestellung 2190 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXM61N03FTA

Trans MOSFET N-CH 30V 1.4A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 837000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.19 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXM61N03FTA
Produktcode: 72846

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Transistoren > MOSFET N-CH

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXM61N03FTA

Description: MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 910mA, 10V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V

auf Bestellung 665362 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

34+	0.53 EUR
49+	0.37 EUR
100+	0.28 EUR
500+	0.26 EUR
1000+	0.24 EUR

Mindestbestellmenge: 34

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXM61N03FTA

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.1A; 0.625W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 1.1A
Power dissipation: 0.625W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

auf Bestellung 2732 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

139+	0.51 EUR
196+	0.37 EUR
272+	0.26 EUR
343+	0.21 EUR
363+	0.20 EUR
500+	0.19 EUR

Mindestbestellmenge: 139

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXM61N03FTA

Trans MOSFET N-CH 30V 1.4A 3-Pin SOT-23 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXM61N03FTA

Trans MOSFET N-CH 30V 1.4A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXM61N03FTA

Trans MOSFET N-CH 30V 1.4A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 24000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.19 EUR
6000+	0.14 EUR
9000+	0.13 EUR
21000+	0.12 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXM61N03FTA

MOSFETs 30V N-Chnl HDMOS

auf Bestellung 50769 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

6+	0.54 EUR
10+	0.38 EUR
100+	0.29 EUR
500+	0.26 EUR
3000+	0.25 EUR

Mindestbestellmenge: 6

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXM61N03FTA

Description: MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 910mA, 10V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V

auf Bestellung 663000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.22 EUR
21000+	0.21 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXM61N03FTA

N-MOSFET 30V 1.4A 220mΩ 625mW ZXM61N03FTA Diodes Inc TZXM61N03FTA
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke

auf Bestellung 290 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

100+	0.53 EUR

Mindestbestellmenge: 100

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXM61N03FTA

Trans MOSFET N-CH 30V 1.4A 3-Pin SOT-23 T/R

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXM61N03FTA

Trans MOSFET N-CH 30V 1.4A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 24000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.18 EUR
6000+	0.13 EUR
15000+	0.12 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXM61N03FTC

Description: MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 910mA, 10V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXM61N03FTR

auf Bestellung 1850 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXM61N03GTA

auf Bestellung 31000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXM61N03TFA

auf Bestellung 1960 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXM61P02F

06+;

auf Bestellung 20000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXM61P02F

MOSFET

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ZXM61P02F

SOT-223

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXM61P02F

Description: DIODES INC. - ZXM61P02F - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 900 mA, 0.6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 900mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 9907 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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ZXM61P02F

07+ SOT-223

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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ZXM61P02F

Trans MOSFET P-CH 20V 0.9A 3-Pin SOT-23

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ZXM61P02F

auf Bestellung 9517 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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ZXM61P02FTA

Trans MOSFET P-CH 20V 0.9A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 513000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.15 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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ZXM61P02FTA

Trans MOSFET P-CH 20V 0.9A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 1393 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

864+	0.17 EUR

Mindestbestellmenge: 864

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ZXM61P02FTA

Description: MOSFET P-CH 20V 900MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 610mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 15 V

auf Bestellung 607200 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.16 EUR
15000+	0.15 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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ZXM61P02FTA

Trans MOSFET P-CH 20V 0.9A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 1393 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

864+	0.17 EUR

Mindestbestellmenge: 864

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ZXM61P02FTA

MOSFETs 20V P-Chnl HDMOS

auf Bestellung 181277 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	0.57 EUR
10+	0.42 EUR
100+	0.23 EUR
1000+	0.21 EUR
3000+	0.17 EUR

Mindestbestellmenge: 5

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ZXM61P02FTA

Trans MOSFET P-CH 20V 0.9A 3-Pin SOT-23 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

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ZXM61P02FTA

Description: MOSFET P-CH 20V 900MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 610mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 15 V

auf Bestellung 607303 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

32+	0.56 EUR
45+	0.40 EUR
100+	0.19 EUR
500+	0.18 EUR

Mindestbestellmenge: 32

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ZXM61P02FTA

Trans MOSFET P-CH 20V 0.9A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

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ZXM61P02FTA/P

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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ZXM61P02FTC

Description: MOSFET P-CH 20V 900MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 610mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 15 V

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ZXM61P03F

Description: DIODES INC. - ZXM61P03F - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.1 A, 0.35 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 17789 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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ZXM61P03F

MOSFET

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ZXM61P03F

06+;

auf Bestellung 20000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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ZXM61P03FTA

Trans MOSFET P-CH 30V 1.1A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 270000 Stücke:

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3000+	0.09 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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ZXM61P03FTA

Description: MOSFET P-CH 30V 1.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 600mA, 10V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V

auf Bestellung 993000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.25 EUR
6000+	0.24 EUR
9000+	0.19 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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ZXM61P03FTA

Trans MOSFET P-CH 30V 1.1A 3-Pin SOT-23 T/R

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ZXM61P03FTA

Trans MOSFET P-CH 30V 1.1A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 12000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.18 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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ZXM61P03FTA

Trans MOSFET P-CH 30V 1.1A 3-Pin SOT-23 T/R

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ZXM61P03FTA

Trans MOSFET P-CH 30V 1.1A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 270000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.09 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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ZXM61P03FTA

Trans MOSFET P-CH 30V 1.1A 3-Pin SOT-23 T/R

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ZXM61P03FTA

Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 550mOhm; 1,1A; 806mW; -55°C ~ 150°C; ZXM61P03FTA TZXM61p03f
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke

auf Bestellung 48 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

50+	0.56 EUR

Mindestbestellmenge: 50

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ZXM61P03FTA

Trans MOSFET P-CH 30V 1.1A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 12000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.18 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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ZXM61P03FTA

Trans MOSFET P-CH 30V 1.1A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 123 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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ZXM61P03FTA

Description: MOSFET P-CH 30V 1.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 600mA, 10V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V

auf Bestellung 995753 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

20+	0.92 EUR
32+	0.55 EUR
100+	0.43 EUR
500+	0.33 EUR
1000+	0.29 EUR

Mindestbestellmenge: 20

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ZXM61P03FTA
Produktcode: 72847

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ZXM61P03FTA

Trans MOSFET P-CH 30V 1.1A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 372000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.17 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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ZXM61P03FTA

Trans MOSFET P-CH 30V 1.1A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 123 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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ZXM61P03FTA

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -0.9A; 0.625W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -900mA
Power dissipation: 0.625W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

auf Bestellung 1795 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

105+	0.69 EUR
172+	0.42 EUR
385+	0.19 EUR
410+	0.17 EUR

Mindestbestellmenge: 105

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ZXM61P03FTA

MOSFETs 30V P-Chnl HDMOS

auf Bestellung 26648 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	0.89 EUR
10+	0.54 EUR
100+	0.41 EUR
500+	0.32 EUR
1000+	0.30 EUR
3000+	0.27 EUR

Mindestbestellmenge: 4

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ZXM61P03FTA

Diodes Inc./Zetex

P-CH SOT-23

auf Bestellung 2590 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXM61P03FTA-P03

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXM61P03FTC

Description: MOSFET P-CH 30V 1.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 600mA, 10V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXM62M02E6

auf Bestellung 19892 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXM62N02E6

06+;

auf Bestellung 20000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXM62N02E6

SOT-223

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXM62N02E6

07+ SOT-223

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXM62N02E6TA

MOSFET 20V N-Chnl HDMOS

auf Bestellung 2515 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXM62N02E6TAPBF

auf Bestellung 36000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXM62N03E6

06+;

auf Bestellung 20000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXM62N03E6TA

auf Bestellung 26100 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXM62N03E6TA

Description: MOSFET N-CH 30V 3.2A SOT-23-6

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXM62N03E6TAPBF

auf Bestellung 36000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXM62N03G

07+ SOT223

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXM62N03G

06+;

auf Bestellung 20000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXM62N03G

SOT223

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXM62N03GTA

MOSFET 30V N-Chnl HDMOS

auf Bestellung 152 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXM62N03GTA

Description: MOSFET N-CH 30V 3.4A/4.7A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta), 4.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXM62N03GTA

auf Bestellung 20 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXM62N03GTA

Description: MOSFET N-CH 30V 3.4A/4.7A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta), 4.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXM62N03GTA

Trans MOSFET N-CH 30V 3.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXM62P02E6

06+;

auf Bestellung 20000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXM62P02E6T

auf Bestellung 2400 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXM62P02E6TA

03/04+ SOT23-6

auf Bestellung 21100 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXM62P02E6TA

Description: MOSFET P-CH 20V 2.3A SOT23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SOT-23-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320 pF @ 15 V

auf Bestellung 88362 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

16+	1.16 EUR
18+	1.00 EUR
100+	0.70 EUR
500+	0.58 EUR
1000+	0.49 EUR

Mindestbestellmenge: 16

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXM62P02E6TA

Trans MOSFET P-CH 20V 2.3A 6-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXM62P02E6TA

MOSFETs 20V P-Chnl HDMOS

auf Bestellung 7260 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.83 EUR
10+	1.16 EUR
100+	0.71 EUR
500+	0.58 EUR
1000+	0.52 EUR
3000+	0.43 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXM62P02E6TA

Description: MOSFET P-CH 20V 2.3A SOT23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SOT-23-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320 pF @ 15 V

auf Bestellung 84000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.40 EUR
6000+	0.39 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXM62P02E6TAPBF

auf Bestellung 36000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXM62P03E6

06+;

auf Bestellung 20000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXM62P03E6

Description: DIODES INC. - ZXM62P03E6 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2.6 A, 0.11 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 806mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 1607 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXM62P03E6

SOT-223

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXM62P03E6

auf Bestellung 1414 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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ZXM62P03E6

07+ SOT-223

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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ZXM62P03E6TA

MOSFETs 30V P-Chnl HDMOS

auf Bestellung 6506 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	1.20 EUR
10+	1.04 EUR
100+	0.72 EUR
500+	0.60 EUR
1000+	0.51 EUR
3000+	0.47 EUR

Mindestbestellmenge: 3

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXM62P03E6TA

Description: MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V

auf Bestellung 13539 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

16+	1.16 EUR
18+	1.00 EUR
100+	0.70 EUR
500+	0.58 EUR
1000+	0.49 EUR

Mindestbestellmenge: 16

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ZXM62P03E6TA

Description: DIODES INC. - ZXM62P03E6TA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.5 A, 0.15 ohm, SOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

auf Bestellung 2972 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXM62P03E6TA

Description: MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.45 EUR
6000+	0.42 EUR
9000+	0.40 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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ZXM62P03E6TA

Trans MOSFET P-CH 30V 1.5A 6-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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ZXM62P03E6TA

auf Bestellung 2972 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXM62P03E6TC

Description: MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 800mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXM62P03E6TC

Trans MOSFET P-CH 30V 1.5A 6-Pin SOT-23 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

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ZXM62P03E6TC

MOSFET 30V P Chnl HDMOS

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ZXM62P03G

07+ SOT223

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXM62P03G

SOT223

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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ZXM62P03GTA

auf Bestellung 200 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXM62P03GTA

Description: MOSFET P-CH 30V 2.9A SOT223

Produkt ist nicht verfügbar

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ZXM63C02

2004

auf Bestellung 744 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXM63C02X8

auf Bestellung 700 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXM63C02XTA

auf Bestellung 10000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXM63C03

2004

auf Bestellung 811 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXM63C03XTA

auf Bestellung 2600 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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ZXM63N02

auf Bestellung 102 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXM63N02E6TA

Description: MOSFET N-CH 20V 3.2A SOT-23-6

Produkt ist nicht verfügbar

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ZXM63N02E6TA

Diodes Inc.

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXM63N02XTA

auf Bestellung 15000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXM63N03XTA

auf Bestellung 1600 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXM63P02

auf Bestellung 2380 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXM63P02E6TA

2004

auf Bestellung 429 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXM63P02XTA

auf Bestellung 400 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXM63P03XTA

auf Bestellung 320 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXM64N02

auf Bestellung 648 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXM64N02X

07+ MSOP8

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXM64N02X

06+;

auf Bestellung 20000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXM64N02X

MSOP8

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXM64N02XTA

MOSFET 20V P-Chnl HDMOS

auf Bestellung 1321 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXM64N02XTA

05+

auf Bestellung 77 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXM64N02XTA

Description: MOSFET N-CH 20V 5.4A 8-MSOP

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXM64N02XTA

TSSOP8

auf Bestellung 14694 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXM64N02XTA

Description: MOSFET N-CH 20V 5.4A 8-MSOP

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXM64N02XTA

09+

auf Bestellung 3681 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXM64N02XTC

Description: MOSFET N-CH 20V 5.4A 8MSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 3.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-MSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXM64N035

02+ TO-220

auf Bestellung 134 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXM64N035G

07+ SOT223

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXM64N035G

06+;

auf Bestellung 20000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXM64N035G

SOT223

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXM64N035GT

auf Bestellung 1100 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXM64N035GTA

SOT223

auf Bestellung 23790 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXM64N035GTA

Description: MOSFET N-CH 35V 6.7A SOT223

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXM64N035GTA

Description: MOSFET N-CH 35V 6.7A SOT223

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXM64N035GTA12A/35V

auf Bestellung 1990 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXM64N035L3

06+;

auf Bestellung 20000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXM64N035L3

Description: MOSFET N-CH 35V 13A TO-220-3

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXM64N035L3

TO-220 02 29

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXM64N03X

07+ MSOP8

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXM64N03X

06+;

auf Bestellung 20000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXM64N03X

MSOP8

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXM64N03XTA

auf Bestellung 441 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXM64N03XTA

Description: MOSFET N-CH 30V 5A 8-MSOP

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXM64N03XTC

Description: MOSFET N-CH 30V 5A 8MSOP

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXM64N03XTR-ND

2004

auf Bestellung 446 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXM64P02X

05+ SOP

auf Bestellung 50 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXM64P02X

07+ MSOP8

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXM64P02X

auf Bestellung 200 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXM64P02X

06+;

auf Bestellung 20000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXM64P02X

MSOP8

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXM64P02XTA

Trans MOSFET P-CH 20V 3.5A 8-Pin MSOP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXM64P02XTA

Description: MOSFET P-CH 20V 3.5A 8MSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-MSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 15 V

auf Bestellung 9645 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

9+	2.15 EUR
10+	1.76 EUR
100+	1.37 EUR
500+	1.16 EUR

Mindestbestellmenge: 9

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXM64P02XTA

MOSFETs 20V P-Chnl HDMOS

auf Bestellung 3823 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.59 EUR
10+	1.36 EUR
100+	0.97 EUR
500+	0.90 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXM64P02XTA

Description: MOSFET P-CH 20V 3.5A 8MSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-MSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 15 V

auf Bestellung 8000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1000+	0.97 EUR
2000+	0.90 EUR
3000+	0.86 EUR
5000+	0.83 EUR

Mindestbestellmenge: 1000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXM64P02XTC

Description: MOSFET P-CH 20V 3.5A 8MSOP

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXM64P035

auf Bestellung 1366 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXM64P035G

SOT223

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXM64P035G

07+ SOT223

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXM64P035G

06+;

auf Bestellung 20000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXM64P035GT

auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXM64P035GTA

Description: MOSFET P-CH 35V 3.8A SOT223

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXM64P035GTA

SOT223

auf Bestellung 5990 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXM64P035GTA

Description: MOSFET P-CH 35V 3.8A SOT223

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXM64P035GTA12A/35V

auf Bestellung 6200 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXM64P035L3

06+;

auf Bestellung 20000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXM64P035L3

Description: MOSFET P-CH 35V 12A TO-220-3

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXM64P03X

Description: DIODES INC. - ZXM64P03X - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.8 A, 0.075 ohm, MSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: MSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 620 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXM64P03X

06+;

auf Bestellung 20000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXM64P03X

MOSFET Discrete Semiconductor Products FETs - Single - MOSFET P-CH 30V 3.8A 8-MSOP

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXM64P03X

MSOP8

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXM64P03X

auf Bestellung 620 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXM64P03X

07+ MSOP8

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXM64P03XTA

Trans MOSFET P-CH 30V 3.8A 8-Pin MSOP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXM64P03XTA

Description: MOSFET P-CH 30V 3.8A 8MSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 825 pF @ 25 V

auf Bestellung 7000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1000+	1.05 EUR
2000+	0.97 EUR
3000+	0.93 EUR
5000+	0.91 EUR

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ZXM64P03XTA

Trans MOSFET P-CH 30V 3.8A 8-Pin MSOP T/R

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1000+	1.04 EUR

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ZXM64P03XTA

Trans MOSFET P-CH 30V 3.8A 8-Pin MSOP T/R

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Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1000+	0.69 EUR

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ZXM64P03XTA

Trans MOSFET P-CH 30V 3.8A 8-Pin MSOP T/R

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ZXM64P03XTA

Description: MOSFET P-CH 30V 3.8A 8MSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 825 pF @ 25 V

auf Bestellung 7884 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

8+	2.36 EUR
10+	1.93 EUR
100+	1.50 EUR
500+	1.27 EUR

Mindestbestellmenge: 8

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ZXM64P03XTA

MOSFETs 30V P Chnl HDMOS

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2+	2.45 EUR
10+	1.99 EUR
100+	1.47 EUR
500+	1.17 EUR
1000+	0.98 EUR

Mindestbestellmenge: 2

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ZXM64P03XTA

Trans MOSFET P-CH 30V 3.8A 8-Pin MSOP T/R

auf Bestellung 6000 Stücke:

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1000+	0.85 EUR

Mindestbestellmenge: 1000

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ZXM64P03XTC

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ZXM64P03XTR-ND

2004

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ZXM66N02

09+ SO-8

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ZXM66N02

auf Bestellung 400 Stücke:

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ZXM66N02N8TA

Description: MOSFET N-CH 20V 9A 8-SOIC

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ZXM66N03

09+ SO-8

auf Bestellung 2580 Stücke:

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ZXM66N03

auf Bestellung 1615 Stücke:

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ZXM66N03N8TA

Description: MOSFET N-CH 30V 9A 8-SOIC

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ZXM66P02

SO-8

auf Bestellung 10000 Stücke:

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ZXM66P02N8

06+;

auf Bestellung 20000 Stücke:

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ZXM66P02N8

SO8

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ZXM66P02N8

auf Bestellung 2152 Stücke:

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ZXM66P02N8

07+ SO8

auf Bestellung 9000 Stücke:

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ZXM66P02N8TA

Description: MOSFET P-CH 20V 6.4A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 3.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2068 pF @ 15 V

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ZXM66P02N8TA

Trans MOSFET P-CH 20V 6.4A 8-Pin SOIC T/R

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ZXM66P02N8TA

MOSFET 20V P-Chnl HDMOS

auf Bestellung 6 Stücke:

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXM66P02N8TA

Description: MOSFET P-CH 20V 6.4A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 3.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2068 pF @ 15 V

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ZXM66P02N8TA

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ZXM66P02N8TC

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ZXM66P02N8TC

Trans MOSFET P-CH 20V 6.4A 8-Pin SOIC T/R

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ZXM66P03

auf Bestellung 291 Stücke:

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ZXM66P03

auf Bestellung 65 Stücke:

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ZXM66P03

09+ SO-8

auf Bestellung 1291 Stücke:

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ZXM66P03N8

06+;

auf Bestellung 20000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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ZXM66P03N8

SO8

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ZXM66P03N8

07+ SO8

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXM66P03N8TA

Description: MOSFET P-CH 30V 6.25A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1979 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXM66P03N8TA

Description: MOSFET P-CH 30V 6.25A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1979 pF @ 25 V

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ZXMC10A816DN8TC

MOSFET

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ZXMC10A816N8

MOSFET

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ZXMC10A816N8TA

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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ZXMC10A816N8TA

100V COMPLEMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE MOSFET

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ZXMC10A816N8TA

Trans MOSFET N/P-CH 100V 2A 8-Pin SO T/R

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ZXMC10A816N8TC

Trans MOSFET N/P-CH 100V 2A 8-Pin SO T/R

auf Bestellung 20000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.55 EUR
5000+	0.52 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMC10A816N8TC

Description: MOSFET N/P-CH 100V 2A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 497pF @ 50V, 717pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active

auf Bestellung 1644 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

10+	1.95 EUR
14+	1.31 EUR
100+	0.91 EUR
500+	0.73 EUR
1000+	0.68 EUR

Mindestbestellmenge: 10

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ZXMC10A816N8TC

Trans MOSFET N/P-CH 100V 2A 8-Pin SO T/R

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ZXMC10A816N8TC

Trans MOSFET N/P-CH 100V 2A 8-Pin SO T/R

auf Bestellung 20000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.55 EUR
5000+	0.52 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

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ZXMC10A816N8TC

Description: DIODES INC. - ZXMC10A816N8TC - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 100 V, 100 V, 2.1 A, 2.1 A, 0.17 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.17ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.17ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

auf Bestellung 1825 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMC10A816N8TC

Trans MOSFET N/P-CH 100V 2A 8-Pin SO T/R

auf Bestellung 313 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

248+	0.66 EUR

Mindestbestellmenge: 248

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMC10A816N8TC
Produktcode: 184010

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMC10A816N8TC

Trans MOSFET N/P-CH 100V 2A 8-Pin SO T/R

auf Bestellung 7500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.58 EUR
5000+	0.55 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMC10A816N8TC

MOSFETs 100V COMPLEMENTARY DUAL ENHANCEMNT MODE

auf Bestellung 10619 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.80 EUR
10+	1.29 EUR
100+	0.91 EUR
500+	0.74 EUR
1000+	0.69 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMC10A816N8TC

Description: MOSFET N/P-CH 100V 2A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 497pF @ 50V, 717pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMC10A816N8TC

Trans MOSFET N/P-CH 100V 2A 8-Pin SO T/R

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMC10A816N8TC

Trans MOSFET N/P-CH 100V 2A 8-Pin SO T/R

auf Bestellung 7500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.58 EUR
5000+	0.55 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMC10A816N8TC

auf Bestellung 1825 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMC10A816N8TC

Trans MOSFET N/P-CH 100V 2A 8-Pin SO T/R

auf Bestellung 313 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

248+	0.66 EUR

Mindestbestellmenge: 248

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMC3A16

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMC3A16

03+ SMD8

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMC3A16DN8

09+

auf Bestellung 34 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMC3A16DN8

06+;

auf Bestellung 20000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMC3A16DN8

SO8

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMC3A16DN8QTA

MOSFET MOSFET BVDSS: 25V 30V SO-8 T&R 0.5K

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMC3A16DN8QTA

MOSFET BVDSS, 25V to 30V SO-8 0.5K

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMC3A16DN8TA

Trans MOSFET N/P-CH 30V 4.9A/4.1A 8-Pin SOIC T/R

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMC3A16DN8TA

Description: MOSFET N/P-CH 30V 4.9A/4.1A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A, 4.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 796pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.5nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO

auf Bestellung 44290 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

6+	3.27 EUR
10+	2.09 EUR
100+	1.41 EUR

Mindestbestellmenge: 6

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMC3A16DN8TA

Trans MOSFET N/P-CH 30V 4.9A/4.1A 8-Pin SOIC T/R

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ZXMC3A16DN8TA

MOSFETs N and P Channel

auf Bestellung 1395 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.12 EUR
10+	2.02 EUR
100+	1.37 EUR
500+	1.05 EUR
1000+	1.00 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMC3A16DN8TA

Description: MOSFET N/P-CH 30V 4.9A/4.1A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A, 4.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 796pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.5nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO

auf Bestellung 44075 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

500+	1.12 EUR
1000+	1.03 EUR
1500+	0.98 EUR
2500+	0.93 EUR
3500+	0.89 EUR

Mindestbestellmenge: 500

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMC3A16DN8TC

auf Bestellung 20000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	0.93 EUR
5000+	0.89 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMC3A16DN8TC

Trans MOSFET N/P-CH 30V 4.9A/4.1A 8-Pin SOIC T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMC3A16DN8TC

MOSFETs Cmp 30V NP Ch UMOS

auf Bestellung 3277 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	2.89 EUR
10+	1.90 EUR
100+	1.31 EUR
500+	1.06 EUR
1000+	1.00 EUR
2500+	0.91 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMC3A16DN8TC

auf Bestellung 22877 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

6+	3.27 EUR
10+	2.09 EUR
100+	1.41 EUR
500+	1.12 EUR
1000+	1.03 EUR

Mindestbestellmenge: 6

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMC3A16DN8TC

Trans MOSFET N/P-CH 30V 4.9A/4.1A 8-Pin SOIC T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMC3A16DN8TC

Trans MOSFET N/P-CH 30V 4.9A/4.1A 8-Pin SOIC T/R

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMC3A17

auf Bestellung 75 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMC3A17DN8

06+;

auf Bestellung 20000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMC3A17DN8

SO8

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMC3A17DN8

07+ SO8

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMC3A17DN8TA

Description: DIODES INC. - ZXMC3A17DN8TA - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 4.4 A, 4.4 A, 0.07 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.07ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.07ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 363 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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ZXMC3A17DN8TA

Description: MOSFET N/P-CH 30V 4.1A/3.4A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A, 3.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 7.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.2nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active

auf Bestellung 14756 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

7+	2.53 EUR
11+	1.60 EUR
100+	1.07 EUR

Mindestbestellmenge: 7

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ZXMC3A17DN8TA

Trans MOSFET N/P-CH 30V 4.1A/3.4A 8-Pin SOIC T/R

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ZXMC3A17DN8TA

auf Bestellung 168 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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ZXMC3A17DN8TA

Description: MOSFET N/P-CH 30V 4.1A/3.4A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A, 3.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 7.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.2nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active

auf Bestellung 14500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

500+	0.84 EUR
1000+	0.76 EUR
1500+	0.73 EUR
2500+	0.68 EUR
3500+	0.66 EUR
5000+	0.63 EUR
12500+	0.62 EUR

Mindestbestellmenge: 500

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ZXMC3A17DN8TA

MOSFETs 30V Enhancement Mode

auf Bestellung 969 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.27 EUR
10+	1.48 EUR
100+	1.02 EUR
500+	0.78 EUR
1000+	0.71 EUR
2500+	0.70 EUR

Mindestbestellmenge: 2

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ZXMC3A17DN8TC

Description: MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC

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ZXMC3A18

auf Bestellung 300 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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ZXMC3A18DN8

07+ SO8

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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ZXMC3A18DN8

06+;

auf Bestellung 20000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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ZXMC3A18DN8

SO8

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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ZXMC3A18DN8TA

Description: MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC

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ZXMC3A18DN8TA

Description: MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC

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ZXMC3AM832

06+;

auf Bestellung 20000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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ZXMC3AM832TA

Description: MOSFET N/P-CH 30V 2.9A/2.1A 8MLP

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ZXMC3AM832TA

Description: MOSFET N/P-CH 30V 2.9A/2.1A 8MLP

auf Bestellung 563 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

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ZXMC3AM832TA

Description: MOSFET N/P-CH 30V 2.9A/2.1A 8MLP

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ZXMC3AM832TA

auf Bestellung 200 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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ZXMC3AMCTA

Trans MOSFET N/P-CH 30V 2.9A/2.1A 8-Pin DFN EP T/R

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ZXMC3AMCTA

Description: DIODES INC. - ZXMC3AMCTA - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 2.9 A, 2.9 A, 0.1 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.1ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.45W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN3020B
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.1ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.45W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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ZXMC3AMCTA

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 3/-2.2A
Power dissipation: 1.5W
Case: DFN3020B-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18/0.33Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

auf Bestellung 2935 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

52+	1.39 EUR
71+	1.02 EUR
129+	0.55 EUR
137+	0.52 EUR
1000+	0.50 EUR

Mindestbestellmenge: 52

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ZXMC3AMCTA

Trans MOSFET N/P-CH 30V 2.9A/2.1A 8-Pin DFN EP T/R

auf Bestellung 1026 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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ZXMC3AMCTA

MOSFETs 30V COMP ENH MODE 20V VGS 3.7 IDS

auf Bestellung 12486 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.81 EUR
10+	1.34 EUR
100+	0.91 EUR
500+	0.79 EUR
1000+	0.72 EUR
3000+	0.65 EUR

Mindestbestellmenge: 2

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ZXMC3AMCTA

Description: MOSFET N/P-CH 30V 2.9A/2.1A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.7W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A, 2.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3020B-8
Part Status: Active

auf Bestellung 21700 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

8+	2.46 EUR
12+	1.55 EUR
100+	0.84 EUR
500+	0.71 EUR
1000+	0.67 EUR

Mindestbestellmenge: 8

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ZXMC3AMCTA

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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ZXMC3AMCTA

Trans MOSFET N/P-CH 30V 2.9A/2.1A 8-Pin DFN EP T/R

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ZXMC3AMCTA

Description: MOSFET N/P-CH 30V 2.9A/2.1A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.7W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A, 2.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3020B-8
Part Status: Active

auf Bestellung 15000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.61 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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ZXMC3F31DN8

MOSFET

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ZXMC3F31DN8TA

Description: MOSFET N/P-CH 30V 6.8A/4.9A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A, 4.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 608pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.9nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate, 4.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO

auf Bestellung 23000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

500+	0.59 EUR
1000+	0.53 EUR
1500+	0.50 EUR
2500+	0.47 EUR
3500+	0.45 EUR
5000+	0.43 EUR
12500+	0.40 EUR

Mindestbestellmenge: 500

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ZXMC3F31DN8TA

MOSFETs 30V S08 Dual MOSFET 20V VBR 4.5V Gate

auf Bestellung 3722 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	1.15 EUR
10+	0.95 EUR
100+	0.65 EUR
500+	0.46 EUR
1000+	0.42 EUR
2500+	0.41 EUR

Mindestbestellmenge: 3

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMC3F31DN8TA

Description: MOSFET N/P-CH 30V 6.8A/4.9A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A, 4.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 608pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.9nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate, 4.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO

auf Bestellung 23500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

10+	1.85 EUR
16+	1.15 EUR
100+	0.76 EUR

Mindestbestellmenge: 10

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ZXMC4559

SO-8

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMC4559DN8

06+;

auf Bestellung 20000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMC4559DN8

SO8

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMC4559DN8

MOSFET

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMC4559DN8

07+ SO8

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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ZXMC4559DN8TA

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 60/-60V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 60/-60V
Drain current: 3.6/-2.6A
Power dissipation: 1.25W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

auf Bestellung 147 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

42+	1.72 EUR
65+	1.11 EUR
75+	0.96 EUR
138+	0.52 EUR
146+	0.49 EUR

Mindestbestellmenge: 42

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMC4559DN8TA

Trans MOSFET N/P-CH 60V 3.6A/2.6A 8-Pin SOIC T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMC4559DN8TA

Trans MOSFET N/P-CH 60V 3.6A/2.6A 8-Pin SOIC T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

500+	0.61 EUR
1000+	0.54 EUR
2000+	0.49 EUR

Mindestbestellmenge: 500

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMC4559DN8TA

Description: MOSFET N/P-CH 60V 3.6A/2.6A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A, 2.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1063pF @ 30V, 1021pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.4nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active

auf Bestellung 457 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

6+	2.96 EUR
10+	1.89 EUR
100+	1.27 EUR

Mindestbestellmenge: 6

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMC4559DN8TA

Trans MOSFET N/P-CH 60V 3.6A/2.6A 8-Pin SOIC T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

500+	0.59 EUR
1000+	0.54 EUR
2500+	0.39 EUR

Mindestbestellmenge: 500

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMC4559DN8TA

Trans MOSFET N/P-CH 60V 3.6A/2.6A 8-Pin SOIC T/R

auf Bestellung 300 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

95+	1.57 EUR
104+	1.38 EUR
105+	1.32 EUR
128+	1.03 EUR
250+	0.67 EUR

Mindestbestellmenge: 95

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMC4559DN8TA

Trans MOSFET N/P-CH 60V 3.6A/2.6A 8-Pin SOIC T/R

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMC4559DN8TA

Trans MOSFET N/P-CH 60V 3.6A/2.6A 8-Pin SOIC T/R

auf Bestellung 300 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

104+	1.43 EUR
105+	1.37 EUR
128+	1.08 EUR
250+	0.70 EUR

Mindestbestellmenge: 104

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMC4559DN8TA

MOSFETs Comp. 60V NP-Chnl

auf Bestellung 4353 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.45 EUR
10+	1.72 EUR
100+	1.26 EUR
250+	1.23 EUR
500+	1.19 EUR
1000+	1.14 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMC4559DN8TA

Description: MOSFET N/P-CH 60V 3.6A/2.6A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A, 2.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1063pF @ 30V, 1021pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.4nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMC4559DN8TC

Trans MOSFET N/P-CH 60V 3.6A/2.6A 8-Pin SOIC T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMC4559DN8TC

Description: MOSFET N/P-CH 60V 3.6A/2.6A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A, 2.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1063pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.4nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMC4559DN8TC

Trans MOSFET N/P-CH 60V 3.6A/2.6A 8-Pin SOIC T/R

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.97 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMC4559DN8TC

Trans MOSFET N/P-CH 60V 3.6A/2.6A 8-Pin SOIC T/R

Produkt ist nicht verfügbar

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ZXMC4559DN8TC

MOSFETs 60V TRENCH MOSFET 20V VGS P-Channel

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMC4559DN8TC

Description: MOSFET N/P-CH 60V 3.6A/2.6A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A, 2.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1063pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.4nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMC4559DN8TC

Trans MOSFET N/P-CH 60V 3.6A/2.6A 8-Pin SOIC T/R

auf Bestellung 1480 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1480+	0.61 EUR

Mindestbestellmenge: 1480

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ZXMC4559DN8TC

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 60/-60V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 60/-60V
Drain current: 3.9/-4.7A
Power dissipation: 2.2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.055/0.85Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMC4A16DN8

SO8

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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ZXMC4A16DN8

07+ SO8

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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ZXMC4A16DN8TA

MOSFET 40V N/P-Channel Enhancement MOSFET

auf Bestellung 6 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

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ZXMC4A16DN8TA

Description: MOSFET N/P-CH 40V 4A/3.6A 8SOIC

auf Bestellung 2946 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMC4A16DN8TA

Description: MOSFET N/P-CH 40V 4A/3.6A 8SOIC

auf Bestellung 3500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMC4A16DN8TA

Description: MOSFET N/P-CH 40V 4A/3.6A 8SOIC

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMC4A16DN8TA

Description: MOSFET N/P-CH 40V 4A/3.6A 8SOIC

auf Bestellung 2946 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMC4A16DN8TA

Description: MOSFET N/P-CH 40V 4A/3.6A 8SOIC

auf Bestellung 3500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMC4A16DN8TA

Description: MOSFET N/P-CH 40V 4A/3.6A 8SOIC

auf Bestellung 3500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMC4A16DN8TC

Description: MOSFET N/P-CH 40V 4A/3.6A 8SOIC

Produkt ist nicht verfügbar

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ZXMC6A07T8

06+;

auf Bestellung 20000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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ZXMC6A09DN8

07+ SO8

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMC6A09DN8

06+;

auf Bestellung 20000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMC6A09DN8

SO8

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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ZXMC6A09DN8TA

Trans MOSFET N/P-CH 60V 3.9A/3.7A 8-Pin SO T/R

auf Bestellung 590 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

51+	2.92 EUR
56+	2.56 EUR
57+	2.44 EUR
100+	1.95 EUR
250+	1.86 EUR
500+	1.50 EUR

Mindestbestellmenge: 51

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ZXMC6A09DN8TA

Trans MOSFET N/P-CH 60V 3.9A/3.7A 8-Pin SO T/R

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMC6A09DN8TA

Description: MOSFET N/P-CH 60V 3.9A/3.7A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A, 3.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1407pF @ 40V, 1580pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 8.2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.2nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active

auf Bestellung 182 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

6+	3.06 EUR
10+	2.55 EUR
100+	2.03 EUR

Mindestbestellmenge: 6

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ZXMC6A09DN8TA

MOSFETs Comp. 60V NP-Chnl

auf Bestellung 868 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.96 EUR
10+	2.80 EUR
100+	1.69 EUR
250+	1.61 EUR
500+	1.53 EUR
1000+	1.46 EUR

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ZXMC6A09DN8TA

Trans MOSFET N/P-CH 60V 3.9A/3.7A 8-Pin SO T/R

auf Bestellung 590 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

51+	2.92 EUR
56+	2.56 EUR
57+	2.44 EUR
100+	1.95 EUR
250+	1.86 EUR
500+	1.50 EUR

Mindestbestellmenge: 51

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ZXMC6A09DN8TA

Trans MOSFET N/P-CH 60V 3.9A/3.7A 8-Pin SO T/R

Produkt ist nicht verfügbar

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ZXMC6A09DN8TA

Description: MOSFET N/P-CH 60V 3.9A/3.7A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A, 3.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1407pF @ 40V, 1580pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 8.2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.2nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active

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ZXMD63C02X

MSOP8

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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ZXMD63C02X

07+ MSOP8

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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ZXMD63C02XTA

Description: MOSFET N+P 20V 1.7A 8-MSOP

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ZXMD63C02XTA

09+

auf Bestellung 15018 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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ZXMD63C02XTA

Description: MOSFET N/P-CH 20V 8-MSOP

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ZXMD63C02XTA

MSOP

auf Bestellung 15100 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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ZXMD63C02XTA

Description: MOSFET N/P-CH 20V 8-MSOP

Produkt ist nicht verfügbar

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ZXMD63C02XTC

Description: MOSFET N/P-CH 20V 8MSOP

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ZXMD63C03X

MSOP8

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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ZXMD63C03X

07+ MSOP8

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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ZXMD63C03X

06+;

auf Bestellung 20000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMD63C03XTA

Description: MOSFET N/P-CH 30V 8-MSOP

auf Bestellung 13602000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMD63C03XTA

MOSFET 30V N&P Chnl HDMOS

auf Bestellung 1305 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMD63C03XTA

Description: MOSFET N/P-CH 30V 8-MSOP

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMD63C03XTA

auf Bestellung 2600 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMD63C03XTA

Description: MOSFET N/P-CH 30V 8-MSOP

auf Bestellung 13603000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMD63C03XTC

Description: MOSFET N/P-CH 30V 8MSOP

Produkt ist nicht verfügbar

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ZXMD63N02X

06+;

auf Bestellung 20000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMD63N02X

MSOP8

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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ZXMD63N02X

2004

auf Bestellung 1894 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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ZXMD63N02XTA

Description: MOSFET 2N-CH 20V 2.5A 8-MSOP

auf Bestellung 483345000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMD63N02XTA

Description: MOSFET 2N-CH 20V 2.5A 8-MSOP

auf Bestellung 483345000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMD63N02XTA

Trans MOSFET N-CH 20V 2.5A 8-Pin MSOP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMD63N02XTA

Description: MOSFET 2N-CH 20V 2.5A 8-MSOP

auf Bestellung 400045000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMD63N02XTA

MOSFET Dual 20V N Chl HDMOS

auf Bestellung 695 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMD63N02XTA

auf Bestellung 14000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMD63N02XTC

Description: MOSFET 2N-CH 20V 2.5A 8MSOP

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMD63N03X

07+ MSOP8

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMD63N03X

06+;

auf Bestellung 20000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMD63N03X

MSOP8

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMD63N03XTA

Description: MOSFET 2N-CH 30V 2.3A 8-MSOP

auf Bestellung 4000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1000+	1.85 EUR
2000+	1.73 EUR

Mindestbestellmenge: 1000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMD63N03XTA

MOSFET Dual 30V N Chl HDMOS

auf Bestellung 944 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMD63N03XTA

Description: MOSFET 2N-CH 30V 2.3A 8-MSOP

auf Bestellung 4715 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	3.78 EUR
10+	3.39 EUR
100+	2.72 EUR
500+	2.24 EUR

Mindestbestellmenge: 5

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMD63N03XTC

auf Bestellung 6500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMD63N03XTC

Description: MOSFET 2N-CH 30V 2.3A 8MSOP

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMD63P02X

MSOP8

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMD63P02X

07+ MSOP8

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMD63P02X

06+;

auf Bestellung 20000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMD63P02XTA

Trans MOSFET P-CH 20V 1.7A 8-Pin MSOP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMD63P02XTA

MOSFET Dual 20V P Chl HDMOS

auf Bestellung 843 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMD63P02XTA

SOT-223

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMD63P02XTA

07+ SOT-223

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMD63P02XTA

Description: MOSFET 2P-CH 20V 8MSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.04W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 1.2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.25nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-MSOP

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMD63P02XTC

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMD63P03X

MSOP8

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMD63P03X

07+ MSOP8

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMD63P03X

06+;

auf Bestellung 20000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMD63P03XTA

Description: MOSFET 2P-CH 30V 8-MSOP

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMD63P03XTA

MOSFET Dual 30V P Chl HDMOS

auf Bestellung 1530 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMD63P03XTA

TSSOP8

auf Bestellung 3351 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMD63P03XTC

Description: MOSFET 2P-CH 30V 8MSOP

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMD65N02

auf Bestellung 149 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMD65N02

09+ SO-8

auf Bestellung 1149 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMD65N02N8TA

Description: MOSFET 2N-CH 20V 8-SOIC

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMD65N03

09+ SO-8

auf Bestellung 1073 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMD65N03

auf Bestellung 73 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMD65N03N8

auf Bestellung 5200 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMD65N03N8TA

Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8-SOIC

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMD65P02

auf Bestellung 250 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMD65P02

09+ SO-8

auf Bestellung 1275 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMD65P02

auf Bestellung 275 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMD65P02N8

06+;

auf Bestellung 20000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMD65P02N8

SO8

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMD65P02N8

07+ SO8

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMD65P02N8TA

Description: MOSFET 2P-CH 20V 4A 8-SOIC

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMD65P02N8TA

Description: MOSFET 2P-CH 20V 4A 8-SOIC

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMD65P02N8TA

Trans MOSFET P-CH 20V 4A 8-Pin SOIC T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMD65P02N8TA

Description: MOSFET 2P-CH 20V 4A 8-SOIC

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMD65P02N8TC

Description: MOSFET 2P-CH 20V 4A 8SOIC

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMD65P03

09+ SO-8

auf Bestellung 2793 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMD65P03

auf Bestellung 1793 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMD65P03N8

06+;

auf Bestellung 20000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMD65P03N8TA

Description: MOSFET 2P-CH 30V 3.8A 8-SOIC

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMHC10A07N8TC

Description: MOSFET 2N/2P-CH 100V 0.8A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 870mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA, 680mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 138pF @ 60V, 141pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 1.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active

auf Bestellung 79393 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

6+	2.96 EUR
10+	1.88 EUR
100+	1.22 EUR
500+	0.97 EUR
1000+	0.89 EUR

Mindestbestellmenge: 6

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMHC10A07N8TC

Trans MOSFET N/P-CH 100V 0.8A/0.68A 8-Pin SO T/R

Produkt ist nicht verfügbar

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ZXMHC10A07N8TC

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET x2; unipolar; 100/-100V; 0.9/-0.7A; 0.87W
Type of transistor: N/P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100/-100V
Drain current: 0.9/-0.7A
Power dissipation: 0.87W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.9/1.45Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: MOSFET H-Bridge

auf Bestellung 2074 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

50+	1.46 EUR
59+	1.22 EUR
82+	0.87 EUR
87+	0.82 EUR
500+	0.79 EUR

Mindestbestellmenge: 50

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMHC10A07N8TC

Trans MOSFET N/P-CH 100V 0.8A/0.68A 8-Pin SO T/R

Produkt ist nicht verfügbar

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ZXMHC10A07N8TC

MOSFETs Mosfet H-Bridge 100/-100 1.1/-0.9

auf Bestellung 24009 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.99 EUR
10+	1.59 EUR
100+	1.12 EUR
500+	0.90 EUR
1000+	0.83 EUR
2500+	0.80 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMHC10A07N8TC

Description: MOSFET 2N/2P-CH 100V 0.8A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 870mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA, 680mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 138pF @ 60V, 141pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 1.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active

auf Bestellung 77500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	0.81 EUR
5000+	0.77 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMHC10A07N8TC

Diodes INC.

Транзистор польовий 2N+2P; Udss, В = 100; Id = 800 мА; Ciss, пФ @ Uds, В = 138 @ 60; Qg, нКл = 2,9 @ 10 В; Rds = 700 мОм @ 1,5 A, 10 В; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; Р, Вт = 0,87; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; Id2 = 680 мА; SOICN-8

auf Bestellung 5 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

4+	1.85 EUR
10+	1.60 EUR
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Mindestbestellmenge: 4

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ZXMHC10A07N8TC

Trans MOSFET N/P-CH 100V 0.8A/0.68A 8-Pin SO T/R

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ZXMHC10A07T8

06+;

auf Bestellung 20000 Stücke:

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ZXMHC10A07T8

SM-8

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ZXMHC10A07T8

07+ SM-8

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ZXMHC10A07T8

MOSFET

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ZXMHC10A07T8TA

Description: MOSFET 2N/2P-CH 100V SM8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-223-8
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A, 800mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 138pF @ 60V, 141pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 1.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SM8

auf Bestellung 933 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	4.36 EUR
10+	2.83 EUR
100+	1.94 EUR
500+	1.56 EUR

Mindestbestellmenge: 5

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ZXMHC10A07T8TA

MOSFETs 100V 1.4A N-Channel MOSFET H-Bridge

auf Bestellung 1827 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.06 EUR
10+	2.45 EUR
100+	1.76 EUR
250+	1.74 EUR
500+	1.43 EUR
1000+	1.37 EUR

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ZXMHC10A07T8TA

Description: MOSFET 2N/2P-CH 100V SM8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-223-8
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A, 800mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 138pF @ 60V, 141pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 1.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SM8

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ZXMHC10A07T8TA

Trans MOSFET N/P-CH 100V 1A/0.8A 8-Pin SM8 T/R

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ZXMHC10A07T8TA

Trans MOSFET N/P-CH 100V 1A/0.8A 8-Pin SM8 T/R

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ZXMHC3A01N8

MOSFET

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ZXMHC3A01N8DICT

Diodes Inc./Zetex

MOSFET 2N/2P-CH 30V 8-SOIC

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ZXMHC3A01N8TA

auf Bestellung 1900 Stücke:

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ZXMHC3A01N8TC

auf Bestellung 20000 Stücke:

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ZXMHC3A01N8TC

Trans MOSFET N/P-CH 30V 2.17A/1.64A 8-Pin SO T/R

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ZXMHC3A01N8TC

Trans MOSFET N/P-CH 30V 2.17A/1.64A 8-Pin SO T/R

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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ZXMHC3A01N8TC

Description: MOSFET 2N/2P-CH 30V 2.17A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 870mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.17A, 1.64A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190pF @ 25V, 204pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO

auf Bestellung 100035 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

7+	2.57 EUR
11+	1.62 EUR
100+	1.07 EUR
500+	0.80 EUR
1000+	0.76 EUR

Mindestbestellmenge: 7

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ZXMHC3A01N8TC

MOSFETs Mosfet H-Bridge 30/-30V 2.7/-2.1A

auf Bestellung 33916 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.20 EUR
10+	1.44 EUR
100+	1.00 EUR
500+	0.78 EUR
1000+	0.74 EUR
2500+	0.68 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMHC3A01N8TC

Description: MOSFET 2N/2P-CH 30V 2.17A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 870mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.17A, 1.64A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190pF @ 25V, 204pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO

auf Bestellung 97500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	0.70 EUR
5000+	0.65 EUR
7500+	0.64 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

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ZXMHC3A01N8TC

Trans MOSFET N/P-CH 30V 2.17A/1.64A 8-Pin SO T/R

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ZXMHC3A01T8

07+ SM-8

auf Bestellung 9000 Stücke:

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMHC3A01T8

06+;

auf Bestellung 20000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMHC3A01T8

SM-8

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMHC3A01T8TA

Trans MOSFET N/P-CH 30V 2.7A/2A 8-Pin SM T/R

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMHC3A01T8TA

Description: MOSFET 2N/2P-CH 30V 2.7A/2A SM8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-223-8
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A, 2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190pF @ 25V, 204pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SM8
Part Status: Active

auf Bestellung 29000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1000+	1.29 EUR
2000+	1.20 EUR
3000+	1.17 EUR

Mindestbestellmenge: 1000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMHC3A01T8TA

Trans MOSFET N/P-CH 30V 2.7A/2A 8-Pin SM T/R

auf Bestellung 1080 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

89+	1.67 EUR
98+	1.46 EUR
99+	1.40 EUR
111+	1.19 EUR
250+	1.13 EUR
500+	0.98 EUR
1000+	0.86 EUR

Mindestbestellmenge: 89

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ZXMHC3A01T8TA

MOSFETs 30/30V 3.1/2.3A N & P Channel

auf Bestellung 3645 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	2.85 EUR
10+	2.06 EUR
100+	1.53 EUR
250+	1.52 EUR
500+	1.32 EUR
1000+	1.26 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMHC3A01T8TA

Trans MOSFET N/P-CH 30V 2.7A/2A 8-Pin SM T/R

auf Bestellung 1080 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

89+	1.67 EUR
98+	1.46 EUR
99+	1.40 EUR
111+	1.19 EUR
250+	1.13 EUR
500+	0.98 EUR
1000+	0.86 EUR

Mindestbestellmenge: 89

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMHC3A01T8TA

auf Bestellung 200 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMHC3A01T8TA

Trans MOSFET N/P-CH 30V 2.7A/2A 8-Pin SM T/R

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1000+	1.08 EUR

Mindestbestellmenge: 1000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMHC3A01T8TA

Description: MOSFET 2N/2P-CH 30V 2.7A/2A SM8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-223-8
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A, 2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190pF @ 25V, 204pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SM8
Part Status: Active

auf Bestellung 30169 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	3.98 EUR
10+	2.49 EUR
100+	1.73 EUR
500+	1.40 EUR

Mindestbestellmenge: 5

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMHC3A01T8TA

Trans MOSFET N/P-CH 30V 2.7A/2A 8-Pin SM T/R

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1000+	1.08 EUR

Mindestbestellmenge: 1000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMHC3A01T8TA
Produktcode: 163888

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMHC3F381N8TC

Description: MOSFET 2N/2P-CH 30V 3.98A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 870mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.98A, 3.36A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430pF @ 15V, 670pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO

auf Bestellung 92500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	0.64 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMHC3F381N8TC

Description: DIODES INC. - ZXMHC3F381N8TC - Dual-MOSFET, H-Brücke, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 3.98 A, 3.98 A, 0.033 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.98A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.98A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.033ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 870mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.033ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 870mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 1610 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMHC3F381N8TC

Trans MOSFET N/P-CH 30V 3.98A/3.36A 8-Pin SO T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMHC3F381N8TC

Trans MOSFET N/P-CH 30V 3.98A/3.36A 8-Pin SO T/R

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMHC3F381N8TC

MOSFETs MOSFET H-BRIDGE SOP-8L

auf Bestellung 7595 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.59 EUR
10+	1.18 EUR
100+	0.87 EUR
500+	0.76 EUR
1000+	0.74 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMHC3F381N8TC

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET x2; unipolar; 30/-30V; 3.98/-3.36A; 0.87W
Type of transistor: N/P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 3.98/-3.36A
Power dissipation: 0.87W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: MOSFET H-Bridge
Pulsed drain current: 22.9...-19.6A

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMHC3F381N8TC

Description: MOSFET 2N/2P-CH 30V 3.98A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 870mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.98A, 3.36A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430pF @ 15V, 670pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO

auf Bestellung 92764 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

7+	2.57 EUR
11+	1.62 EUR
100+	1.08 EUR
500+	0.85 EUR
1000+	0.78 EUR

Mindestbestellmenge: 7

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMHC3F381N8TC

auf Bestellung 1610 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMHC3F381N8TC

Trans MOSFET N/P-CH 30V 3.98A/3.36A 8-Pin SO T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMHC6A07N8TC

Description: MOSFET 2N/2P-CH 60V 1.39A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 870mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.39A, 1.28A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 166pF @ 40V, 141pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO

auf Bestellung 289923 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

7+	2.66 EUR
11+	1.66 EUR
100+	1.10 EUR
500+	0.88 EUR
1000+	0.80 EUR

Mindestbestellmenge: 7

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMHC6A07N8TC

Description: DIODES INC. - ZXMHC6A07N8TC - Dual-MOSFET, Komplementär zweifach n-Kanal und zweifach p-Kanal, 60 V, 60 V, 1.39 A, 1.39 A
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.39A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.39A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.25ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 870mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.25ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementär zweifach n-Kanal und zweifach p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 870mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

auf Bestellung 5234 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMHC6A07N8TC

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMHC6A07N8TC

Trans MOSFET N/P-CH 60V 1.39A/1.28A 8-Pin SO T/R

auf Bestellung 7498 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

210+	0.70 EUR
213+	0.67 EUR
216+	0.64 EUR
220+	0.60 EUR
250+	0.57 EUR
500+	0.54 EUR
1000+	0.51 EUR
3000+	0.50 EUR
6000+	0.49 EUR

Mindestbestellmenge: 210

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMHC6A07N8TC

Trans MOSFET N/P-CH 60V 1.39A/1.28A 8-Pin SO T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMHC6A07N8TC

Trans MOSFET N/P-CH 60V 1.39A/1.28A 8-Pin SO T/R

auf Bestellung 7498 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

213+	0.69 EUR
216+	0.66 EUR
220+	0.63 EUR
250+	0.59 EUR
500+	0.56 EUR
1000+	0.53 EUR
3000+	0.50 EUR
6000+	0.49 EUR

Mindestbestellmenge: 213

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMHC6A07N8TC

MOSFETs Mosfet H-Bridge 60/-60V 1.8/-1.4A

auf Bestellung 72225 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.02 EUR
10+	1.37 EUR
100+	0.99 EUR
500+	0.83 EUR
1000+	0.77 EUR
2500+	0.75 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMHC6A07N8TC

Description: MOSFET 2N/2P-CH 60V 1.39A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 870mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.39A, 1.28A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 166pF @ 40V, 141pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO

auf Bestellung 287500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	0.72 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

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ZXMHC6A07N8TC

auf Bestellung 5234 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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ZXMHC6A07N8TC

Trans MOSFET N/P-CH 60V 1.39A/1.28A 8-Pin SO T/R

Produkt ist nicht verfügbar

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ZXMHC6A07N8TC

Trans MOSFET N/P-CH 60V 1.39A/1.28A 8-Pin SO T/R

auf Bestellung 285000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.58 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

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ZXMHC6A07T8

MOSFETs

Produkt ist nicht verfügbar

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ZXMHC6A07T8

SM-8

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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ZXMHC6A07T8

07+ SM-8

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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ZXMHC6A07T8TA

Trans MOSFET N/P-CH 60V 1.6A/1.3A 8-Pin SM T/R

Produkt ist nicht verfügbar

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ZXMHC6A07T8TA

Description: MOSFET 2N/2P-CH 60V 1.6A SM8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-223-8
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A, 1.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 166pF @ 40V, 233pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SM8

auf Bestellung 38766 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	3.98 EUR
10+	2.56 EUR
100+	1.75 EUR
500+	1.40 EUR

Mindestbestellmenge: 5

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ZXMHC6A07T8TA

Description: DIODES INC. - ZXMHC6A07T8TA - Dual-MOSFET, H-Brücke, Komplementärer n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 1.8 A, 1.8 A, 1.5 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.5ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.7W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.5ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.7W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

auf Bestellung 169 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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ZXMHC6A07T8TA

Trans MOSFET N/P-CH 60V 1.6A/1.3A 8-Pin SM T/R

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1000+	1.13 EUR

Mindestbestellmenge: 1000

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ZXMHC6A07T8TA

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET x2; unipolar; 60/-60V; 1.4/-1.2A; 1.3W
Type of transistor: N/P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60/-60V
Drain current: 1.4/-1.2A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT223-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: MOSFET H-Bridge

auf Bestellung 2762 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

41+	1.74 EUR
44+	1.66 EUR
50+	1.44 EUR
53+	1.37 EUR
500+	1.34 EUR
1000+	1.30 EUR

Mindestbestellmenge: 41

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ZXMHC6A07T8TA

Trans MOSFET N/P-CH 60V 1.6A/1.3A 8-Pin SM T/R

auf Bestellung 1 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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ZXMHC6A07T8TA

MOSFETs 60V UMOS H-Bridge

auf Bestellung 2557 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.22 EUR
10+	2.18 EUR
100+	1.65 EUR
500+	1.43 EUR
1000+	1.29 EUR
2000+	1.26 EUR

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ZXMHC6A07T8TA

Description: MOSFET 2N/2P-CH 60V 1.6A SM8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-223-8
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A, 1.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 166pF @ 40V, 233pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SM8

auf Bestellung 38000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1000+	1.29 EUR
2000+	1.20 EUR
3000+	1.17 EUR

Mindestbestellmenge: 1000

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ZXMHC6A07T8TA

Trans MOSFET N/P-CH 60V 1.6A/1.3A 8-Pin SM T/R

auf Bestellung 38000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1000+	1.07 EUR

Mindestbestellmenge: 1000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMHC6A07T8TA

Trans MOSFET N/P-CH 60V 1.6A/1.3A 8-Pin SM T/R

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMHC6A07T8TA

auf Bestellung 169 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMHC6A07T8TA

Trans MOSFET N/P-CH 60V 1.6A/1.3A 8-Pin SM T/R

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1000+	1.13 EUR

Mindestbestellmenge: 1000

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ZXMHN6A07T8

SM-8

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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ZXMHN6A07T8

07+ SM-8

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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ZXMHN6A07T8TA

MOSFET 60V 1.6A N-Channel MOSFET H-Bridge

auf Bestellung 609 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

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ZXMHN6A07T8TA

Trans MOSFET N-CH 60V 1.6A 8-Pin SM8 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

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ZXMHN6A07T8TA

Description: MOSFET 4N-CH 60V 1.4A SM8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-223-8
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 4 N-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.6W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 166pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SM8

Produkt ist nicht verfügbar

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ZXMN

auf Bestellung 13870 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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ZXMN0545FFTA

Description: MOSFET N-CH 450V SOT23F-3

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMN0545FFTA

Description: MOSFET N-CH 450V SOT23F-3

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMN0545FFTA

Description: MOSFET N-CH 450V SOT23F-3

Produkt ist nicht verfügbar

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ZXMN0545G4

SOT223

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMN0545G4

07+ SOT223

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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ZXMN0545G4TA

Trans MOSFET N-CH 450V 0.14A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

auf Bestellung 1114 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

83+	1.79 EUR
93+	1.53 EUR
128+	1.08 EUR
129+	1.03 EUR
250+	0.73 EUR
500+	0.69 EUR
1000+	0.66 EUR

Mindestbestellmenge: 83

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMN0545G4TA

Description: MOSFET N-CH 450V 140MA SOT-223

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMN0545G4TA

Trans MOSFET N-CH 450V 0.14A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMN0545G4TA

Description: MOSFET N-CH 450V 140MA SOT-223

Produkt ist nicht verfügbar

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ZXMN0545G4TA

MOSFET 450V 140mA N-Channel Enhancement MOSFET

auf Bestellung 5004 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMN0545G4TA

auf Bestellung 11000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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ZXMN0545GTA

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMN10A07F

Description: DIODES INC. - ZXMN10A07F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 640 mA, 1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 640mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 5085 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMN10A07F

auf Bestellung 5085 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMN10A07FTA

auf Bestellung 35800 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMN10A07FTA

Description: DIODES INC. - ZXMN10A07FTA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 700 mA, 0.54 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 700mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 625mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.54ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 190 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMN10A07FTA

Trans MOSFET N-CH 100V 0.7A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 913 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

261+	0.57 EUR
297+	0.46 EUR
385+	0.34 EUR
389+	0.33 EUR
500+	0.25 EUR

Mindestbestellmenge: 261

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMN10A07FTA

Description: MOSFET N-CH 100V 700MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 138 pF @ 50 V

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.26 EUR
6000+	0.24 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMN10A07FTA

MOSFETs 100V N-Chnl UMOS

auf Bestellung 14471 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	1.14 EUR
10+	0.71 EUR
100+	0.43 EUR
500+	0.35 EUR
1000+	0.31 EUR
3000+	0.23 EUR
9000+	0.22 EUR

Mindestbestellmenge: 3

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMN10A07FTA

auf Bestellung 190 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMN10A07FTA

Trans MOSFET N-CH 100V 0.7A 3-Pin SOT-23 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMN10A07FTA

Trans MOSFET N-CH 100V 0.7A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 913 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

297+	0.50 EUR
385+	0.37 EUR
389+	0.35 EUR
500+	0.27 EUR

Mindestbestellmenge: 297

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMN10A07FTA

Description: MOSFET N-CH 100V 700MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 138 pF @ 50 V

auf Bestellung 10785 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

16+	1.13 EUR
26+	0.69 EUR
100+	0.45 EUR
500+	0.34 EUR
1000+	0.30 EUR

Mindestbestellmenge: 16

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMN10A07FTA

Trans MOSFET N-CH 100V 0.7A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMN10A07FTC

Description: MOSFET N-CH 100V 700MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 138 pF @ 50 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMN10A07Z

06+;

auf Bestellung 20000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMN10A07ZTA

Trans MOSFET N-CH 100V 1A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMN10A07ZTA

Description: MOSFET N-CH 100V 1A SOT89-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 138 pF @ 50 V

auf Bestellung 12000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1000+	0.36 EUR
2000+	0.32 EUR
5000+	0.30 EUR
10000+	0.28 EUR

Mindestbestellmenge: 1000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMN10A07ZTA

Trans MOSFET N-CH 100V 1A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1000+	0.37 EUR

Mindestbestellmenge: 1000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMN10A07ZTA

Trans MOSFET N-CH 100V 1A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1000+	0.35 EUR
2000+	0.30 EUR

Mindestbestellmenge: 1000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMN10A07ZTA

Trans MOSFET N-CH 100V 1A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMN10A07ZTA

Trans MOSFET N-CH 100V 1A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMN10A07ZTA

Trans MOSFET N-CH 100V 1A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

auf Bestellung 3002 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

185+	0.80 EUR
247+	0.58 EUR
250+	0.55 EUR
500+	0.41 EUR
1000+	0.31 EUR
3000+	0.26 EUR

Mindestbestellmenge: 185

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMN10A07ZTA

Description: MOSFET N-CH 100V 1A SOT89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 138 pF @ 50 V

auf Bestellung 12642 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

19+	0.95 EUR
22+	0.81 EUR
100+	0.56 EUR
500+	0.44 EUR

Mindestbestellmenge: 19

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMN10A07ZTA

Trans MOSFET N-CH 100V 1A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

auf Bestellung 8000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1000+	0.25 EUR

Mindestbestellmenge: 1000

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ZXMN10A07ZTA

MOSFETs 100V N-Chnl UMOS

auf Bestellung 33840 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	1.17 EUR
10+	0.74 EUR
100+	0.51 EUR
500+	0.37 EUR
1000+	0.33 EUR
2000+	0.30 EUR

Mindestbestellmenge: 3

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ZXMN10A08

auf Bestellung 459 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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ZXMN10A08DN8

SO8

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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ZXMN10A08DN8

07+ SO8

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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ZXMN10A08DN8

06+;

auf Bestellung 20000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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ZXMN10A08DN8TA

Trans MOSFET N-CH 100V 2.1A 8-Pin SOIC T/R

Produkt ist nicht verfügbar

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ZXMN10A08DN8TA

Trans MOSFET N-CH 100V 2.1A 8-Pin SOIC T/R

Produkt ist nicht verfügbar

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ZXMN10A08DN8TA

Trans MOSFET N-CH 100V 2.1A 8-Pin SOIC T/R

auf Bestellung 100 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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ZXMN10A08DN8TA

Description: MOSFET 2N-CH 100V 1.6A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 3.2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO

auf Bestellung 81500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

500+	0.74 EUR
1000+	0.67 EUR
1500+	0.64 EUR
2500+	0.60 EUR
3500+	0.57 EUR
5000+	0.55 EUR
12500+	0.53 EUR

Mindestbestellmenge: 500

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ZXMN10A08DN8TA

MOSFETs 100V 2.1A N-Channel Enhancement MOSFET

auf Bestellung 688 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.95 EUR
10+	1.31 EUR
100+	0.90 EUR
500+	0.66 EUR
1000+	0.60 EUR

Mindestbestellmenge: 2

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ZXMN10A08DN8TA

Trans MOSFET N-CH 100V 2.1A 8-Pin SOIC T/R

auf Bestellung 100 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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ZXMN10A08DN8TA

Transistor 2xN-Channel MOSFET; 100V; 20V; 300mOhm; 2,1A; 1,8W; -55°C ~ 150°C; ZXMN10A08DN8TA TZXMN10a08dn8
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke

auf Bestellung 50 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

20+	1.51 EUR

Mindestbestellmenge: 20

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ZXMN10A08DN8TA

Trans MOSFET N-CH 100V 2.1A 8-Pin SOIC T/R

Produkt ist nicht verfügbar

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ZXMN10A08DN8TA

Description: MOSFET 2N-CH 100V 1.6A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 3.2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO

auf Bestellung 82006 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

8+	2.27 EUR
13+	1.42 EUR
100+	0.94 EUR

Mindestbestellmenge: 8

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ZXMN10A08DN8TC

Description: MOSFET 2N-CH 100V 1.6A 8SOIC

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ZXMN10A08E6

MOSFET

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ZXMN10A08E6

06+;

auf Bestellung 20000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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ZXMN10A08E6QTA

Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V SOT26 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 50 V

Produkt ist nicht verfügbar

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ZXMN10A08E6QTA

Trans MOSFET N-CH 100V 3.5A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-26 T/R

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ZXMN10A08E6QTA

MOSFET MOSFET BVDSS: 61V-100V SOT26 T&R 3K

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ZXMN10A08E6TA

Trans MOSFET N-CH 100V 3.5A 6-Pin SOT-26 T/R

auf Bestellung 5139 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

245+	0.60 EUR
248+	0.58 EUR
296+	0.46 EUR
298+	0.44 EUR
500+	0.36 EUR
1000+	0.32 EUR
3000+	0.29 EUR

Mindestbestellmenge: 245

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ZXMN10A08E6TA

Description: MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 50 V

auf Bestellung 192422 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

15+	1.18 EUR
23+	0.77 EUR
100+	0.59 EUR
500+	0.46 EUR
1000+	0.40 EUR

Mindestbestellmenge: 15

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ZXMN10A08E6TA

MOSFETs 100V N-Chnl UMOS

auf Bestellung 15757 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	1.22 EUR
10+	0.78 EUR
100+	0.56 EUR
500+	0.47 EUR
1000+	0.38 EUR
3000+	0.34 EUR
6000+	0.33 EUR

Mindestbestellmenge: 3

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ZXMN10A08E6TA

Description: DIODES INC. - ZXMN10A08E6TA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.5 A, 0.25 ohm, SOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.1W
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

auf Bestellung 1267 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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ZXMN10A08E6TA

Trans MOSFET N-CH 100V 3.5A 6-Pin SOT-26 T/R

auf Bestellung 5139 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

229+	0.65 EUR
245+	0.58 EUR
248+	0.56 EUR
296+	0.45 EUR
298+	0.43 EUR
500+	0.34 EUR
1000+	0.31 EUR
3000+	0.29 EUR

Mindestbestellmenge: 229

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ZXMN10A08E6TA

Description: MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 50 V

auf Bestellung 192000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.33 EUR
6000+	0.32 EUR
9000+	0.30 EUR
21000+	0.29 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMN10A08E6TA

Trans MOSFET N-CH 100V 3.5A 6-Pin SOT-26 T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMN10A08E6TA

auf Bestellung 1267 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMN10A08E6TA

auf Bestellung 3200 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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ZXMN10A08E6TA

Trans MOSFET N-CH 100V 3.5A 6-Pin SOT-26 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

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ZXMN10A08E6TA-50

100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

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ZXMN10A08E6TA-50

Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V SOT26 T&R
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 50 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMN10A08E6TC

Trans MOSFET N-CH 100V 3.5A 6-Pin SOT-26 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMN10A08E6TC

Trans MOSFET N-CH 100V 3.5A 6-Pin SOT-26 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMN10A08E6TC

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMN10A08E6TC

MOSFET 100V N-Chnl UMOS

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMN10A08E6TC

Trans MOSFET N-CH 100V 3.5A 6-Pin SOT-26 T/R

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ZXMN10A08GT

auf Bestellung 20500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMN10A08GTA

auf Bestellung 12500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMN10A08GTA

Description: MOSFET N-CH 100V 2A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 50 V

auf Bestellung 107000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1000+	0.49 EUR
2000+	0.45 EUR
3000+	0.43 EUR
5000+	0.41 EUR

Mindestbestellmenge: 1000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMN10A08GTA

Trans MOSFET N-CH 100V 2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMN10A08GTA

MOSFET 100V N-Channel 2A MOSFET

auf Bestellung 17038 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	1.13 EUR
10+	0.98 EUR
100+	0.69 EUR
500+	0.53 EUR
1000+	0.47 EUR
2000+	0.44 EUR
5000+	0.43 EUR

Mindestbestellmenge: 3

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMN10A08GTA

Trans MOSFET N-CH 100V 2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMN10A08GTA

Description: MOSFET N-CH 100V 2A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 50 V

auf Bestellung 108013 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

10+	1.88 EUR
15+	1.18 EUR
100+	0.77 EUR
500+	0.60 EUR

Mindestbestellmenge: 10

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMN10A08GTA

Trans MOSFET N-CH 100V 2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMN10A08T6TA

auf Bestellung 2525 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMN10A09K

06+;

auf Bestellung 20000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMN10A09K

DPAK

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMN10A09K

07+ DPAK

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMN10A09KTC

MOSFET MOSFET N-CH 100V

auf Bestellung 806 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	2.82 EUR
10+	2.34 EUR
100+	1.87 EUR
250+	1.72 EUR
500+	1.56 EUR
1000+	1.34 EUR
2500+	1.27 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMN10A09KTC

Description: MOSFET N-CH 100V 5A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 4.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.15W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1313 pF @ 50 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMN10A09KTC

Trans MOSFET N-CH 100V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 2255 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

107+	1.38 EUR
112+	1.27 EUR
124+	1.11 EUR
500+	0.98 EUR
1000+	0.85 EUR

Mindestbestellmenge: 107

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMN10A09KTC

Trans MOSFET N-CH 100V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

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ZXMN10A09KTC

Trans MOSFET N-CH 100V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMN10A09KTC

Description: MOSFET N-CH 100V 5A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 4.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.15W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1313 pF @ 50 V

auf Bestellung 1377 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

6+	2.99 EUR
10+	2.69 EUR
100+	2.16 EUR
500+	1.78 EUR
1000+	1.47 EUR

Mindestbestellmenge: 6

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMN10A11G

Description: DIODES INC. - ZXMN10A11G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.8 A, 0.6 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.9W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

auf Bestellung 1920 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMN10A11G

Description: DIODES INC. - ZXMN10A11G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.8 A, 0.6 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 3.9
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (17-Jan-2023)

auf Bestellung 1290 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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ZXMN10A11G

06+;

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ZXMN10A11GFTA

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ZXMN10A11GTA

Description: MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 274 pF @ 50 V

auf Bestellung 111874 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

10+	1.87 EUR
16+	1.17 EUR
100+	0.77 EUR
500+	0.59 EUR

Mindestbestellmenge: 10

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ZXMN10A11GTA

Trans MOSFET N-CH 100V 1.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

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ZXMN10A11GTA

Trans MOSFET N-CH 100V 1.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

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Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1000+	0.36 EUR

Mindestbestellmenge: 1000

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ZXMN10A11GTA

Description: MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 274 pF @ 50 V

auf Bestellung 111000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1000+	0.49 EUR
2000+	0.45 EUR
3000+	0.43 EUR
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ZXMN10A11GTA
Produktcode: 131543

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ZXMN10A11GTA

Trans MOSFET N-CH 100V 1.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

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1000+	0.50 EUR

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ZXMN10A11GTA

MOSFETs 100V N-Chnl UMOS

auf Bestellung 2462 Stücke:

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3+	1.16 EUR
10+	0.97 EUR
100+	0.63 EUR
500+	0.59 EUR
1000+	0.49 EUR
2000+	0.44 EUR
5000+	0.43 EUR

Mindestbestellmenge: 3

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ZXMN10A11GTA

Trans MOSFET N-CH 100V 1.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

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Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1000+	0.50 EUR

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ZXMN10A11GTA

Trans MOSFET N-CH 100V 1.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

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ZXMN10A11GTC

Description: MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT223

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ZXMN10A11K

Description: MOSFET N-CH 100V 2.4A TO252-3

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ZXMN10A11K

Description: MOSFET N-CH 100V 2.4A TO252-3

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ZXMN10A11K

Description: MOSFET N-CH 100V 2.4A TO252-3

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ZXMN10A11KT

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ZXMN10A11KTC

Trans MOSFET N-CH 100V 2.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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ZXMN10A11KTC

Description: MOSFET N-CH 100V 2.4A TO252-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.11W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 274 pF @ 50 V

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	0.49 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

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ZXMN10A11KTC

MOSFETs N-Chan 100V MOSFET (UMOS)

auf Bestellung 2217 Stücke:

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2+	1.95 EUR
2500+	0.48 EUR
5000+	0.46 EUR

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ZXMN10A11KTC

Trans MOSFET N-CH 100V 2.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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ZXMN10A11KTC

Description: MOSFET N-CH 100V 2.4A TO252-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.11W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 274 pF @ 50 V

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

12+	1.51 EUR

Mindestbestellmenge: 12

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ZXMN10A11KTC

Trans MOSFET N-CH 100V 2.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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ZXMN10A25

SOT-223

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ZXMN10A25GTA

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.7A; 2W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 3.7A
Power dissipation: 2W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

auf Bestellung 9 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

9+	7.95 EUR

Mindestbestellmenge: 9

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ZXMN10A25GTA

Trans MOSFET N-CH 100V 2.9A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

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ZXMN10A25GTA

Description: MOSFET N-CH 100V 2.9A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 859 pF @ 50 V

auf Bestellung 20000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1000+	0.85 EUR
2000+	0.80 EUR
5000+	0.76 EUR
10000+	0.73 EUR

Mindestbestellmenge: 1000

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ZXMN10A25GTA

Trans MOSFET N-CH 100V 2.9A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

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ZXMN10A25GTA

Trans MOSFET N-CH 100V 2.9A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

auf Bestellung 603 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

92+	1.61 EUR
102+	1.41 EUR
103+	1.34 EUR
130+	1.02 EUR
250+	0.97 EUR
500+	0.77 EUR

Mindestbestellmenge: 92

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ZXMN10A25GTA

Trans MOSFET N-CH 100V 2.9A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

auf Bestellung 603 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

102+	1.46 EUR
103+	1.39 EUR
130+	1.06 EUR
250+	1.01 EUR
500+	0.81 EUR

Mindestbestellmenge: 102

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMN10A25GTA

Description: MOSFET N-CH 100V 2.9A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 859 pF @ 50 V

auf Bestellung 20480 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

10+	1.94 EUR
12+	1.59 EUR
100+	1.23 EUR
500+	1.05 EUR

Mindestbestellmenge: 10

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ZXMN10A25GTA

MOSFET 100V N-Channel 2.9A MOSFET

auf Bestellung 2776 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.90 EUR
10+	1.55 EUR
100+	1.21 EUR
500+	0.95 EUR
1000+	0.82 EUR
2000+	0.79 EUR
5000+	0.78 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMN10A25K

Description: MOSFET N-CH 100V 4.2A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.11W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 859 pF @ 50 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMN10A25K

Description: MOSFET N-CH 100V 4.2A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.11W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 859 pF @ 50 V

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMN10A25KTC

Trans MOSFET N-CH 100V 4.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMN10A25KTC

Description: DIODES INC. - ZXMN10A25KTC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 6.4 A, 0.125 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 9.85W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

auf Bestellung 1194 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMN10A25KTC

auf Bestellung 7209 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

6+	3.13 EUR
10+	2.00 EUR
100+	1.35 EUR
500+	1.07 EUR
1000+	0.98 EUR

Mindestbestellmenge: 6

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMN10A25KTC

auf Bestellung 78000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMN10A25KTC

Trans MOSFET N-CH 100V 4.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

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ZXMN10A25KTC

MOSFETs N-Chan 100V MOSFET (UMOS)

auf Bestellung 4391 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.15 EUR
10+	1.71 EUR
100+	1.19 EUR
500+	0.96 EUR
1000+	0.89 EUR
2500+	0.86 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMN10A25KTC

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	0.88 EUR
5000+	0.84 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMN10A25KTC

auf Bestellung 2344 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMN10A25KTC

Trans MOSFET N-CH 100V 4.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMN10B08E6

09+ SOP

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMN10B08E6

06+;

auf Bestellung 20000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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ZXMN10B08E6QTA

MOSFET MOSFET BVDSS: 61V 100V SOT26 T&R 3K

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMN10B08E6QTA

ZXMN10B08E6QTA

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMN10B08E6QTA

Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V SOT26 T&R

Produkt ist nicht verfügbar

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ZXMN10B08E6TA

Trans MOSFET N-CH 100V 1.6A 6-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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ZXMN10B08E6TA

Trans MOSFET N-CH 100V 1.6A 6-Pin SOT-23 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

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ZXMN10B08E6TA

Description: DIODES INC. - ZXMN10B08E6TA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.6 A, 0.23 ohm, SOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.1W
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

auf Bestellung 8504 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMN10B08E6TA

Description: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.3V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 497 pF @ 50 V

auf Bestellung 306000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.46 EUR
6000+	0.44 EUR
9000+	0.41 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMN10B08E6TA

Trans MOSFET N-CH 100V 1.6A 6-Pin SOT-23 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMN10B08E6TA

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.5A; 1.1W; SOT26
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT26
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.5A
On-state resistance: 0.5Ω
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V

auf Bestellung 392 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

53+	1.36 EUR
96+	0.75 EUR
166+	0.43 EUR
175+	0.41 EUR

Mindestbestellmenge: 53

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMN10B08E6TA

MOSFETs 100V N-Chnl UMOS

auf Bestellung 3717 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.44 EUR
10+	0.98 EUR
100+	0.67 EUR
500+	0.54 EUR
1000+	0.49 EUR
3000+	0.47 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMN10B08E6TA

auf Bestellung 8504 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMN10B08E6TA

Description: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.3V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 497 pF @ 50 V

auf Bestellung 308033 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

15+	1.21 EUR
17+	1.05 EUR
100+	0.73 EUR
500+	0.61 EUR
1000+	0.52 EUR

Mindestbestellmenge: 15

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMN10B08E6TA 10B8

N-MOSFET 1.6A 100V 1.1W 0.23Ω ZXMN10B08E6 TZXMN10b08e6
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke

auf Bestellung 36 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

50+	1.03 EUR

Mindestbestellmenge: 50

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ZXMN10B08E6TC

Description: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT26

Produkt ist nicht verfügbar

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ZXMN15A27KT

auf Bestellung 78000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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ZXMN15A27KTC

Description: MOSFET N-CH 150V 1.7A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 2.15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 169 pF @ 25 V

auf Bestellung 17 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

12+	1.48 EUR

Mindestbestellmenge: 12

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ZXMN15A27KTC

MOSFET ENHANCE MODE MOSFET 150V N-CHANNEL

auf Bestellung 136 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

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ZXMN15A27KTC

auf Bestellung 6070 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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ZXMN15A27KTC

Trans MOSFET N-CH 150V 2.55A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMN15A27KTC

Description: MOSFET N-CH 150V 1.7A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 2.15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 169 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMN2069FTA

Description: MOSFET N-CH SOT23-3

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.21 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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ZXMN2088DE6

auf Bestellung 123800 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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ZXMN2088DE6TA

Trans MOSFET N-CH 20V 1.7A 6-Pin SOT-23 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMN2088DE6TA

Trans MOSFET N-CH 20V 1.7A 6-Pin SOT-23 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

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ZXMN2088DE6TA

MOSFET 20V DUAL SOT23-6 20V VBR MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

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ZXMN2088DE6TA

Description: MOSFET 2N-CH 20V 1.7A SOT-26

Produkt ist nicht verfügbar

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ZXMN20B28K

MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

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ZXMN20B28K-13

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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ZXMN20B28KT

auf Bestellung 20500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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ZXMN20B28KTC

MOSFETs ENHANCE MODE MOSFET 200V N-CHANNEL

auf Bestellung 21097 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	1.22 EUR
10+	0.99 EUR
100+	0.68 EUR
500+	0.54 EUR
1000+	0.50 EUR
2500+	0.43 EUR

Mindestbestellmenge: 3

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMN20B28KTC

Description: MOSFET N-CH 200V 1.5A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 2.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 358 pF @ 25 V

auf Bestellung 485000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	0.49 EUR
5000+	0.45 EUR
7500+	0.43 EUR
12500+	0.42 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMN20B28KTC

Description: DIODES INC. - ZXMN20B28KTC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 1.5 A, 0.65 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.2W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.65ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

auf Bestellung 3290 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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ZXMN20B28KTC

Trans MOSFET N-CH 200V 1.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMN20B28KTC

Description: MOSFET N-CH 200V 1.5A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 2.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 358 pF @ 25 V

auf Bestellung 485963 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

10+	1.90 EUR
15+	1.20 EUR
100+	0.79 EUR
500+	0.61 EUR
1000+	0.55 EUR

Mindestbestellmenge: 10

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMN20B28KTC

Trans MOSFET N-CH 200V 1.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.47 EUR
5000+	0.45 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMN20B28KTC

auf Bestellung 3290 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMN20B28KTC

10+ SOT-23

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMN20B28KTC

Trans MOSFET N-CH 200V 2.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMN20B28KTC

Trans MOSFET N-CH 200V 1.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.42 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMN20B28KTC-13

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMN2A01E6

MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

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ZXMN2A01E6

06+;

auf Bestellung 20000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMN2A01E6TA

Trans MOSFET N-CH 20V 2.5A 6-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 7266 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

585+	0.25 EUR

Mindestbestellmenge: 585

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMN2A01E6TA

MOSFETs 20V N-Chnl UMOS

auf Bestellung 5633 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	0.59 EUR
10+	0.52 EUR
100+	0.41 EUR
500+	0.36 EUR
1000+	0.33 EUR

Mindestbestellmenge: 5

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMN2A01E6TA

Description: MOSFET N-CH 20V 2.5A SOT23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SOT-23-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 303 pF @ 15 V

auf Bestellung 1633 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

18+	1.02 EUR
20+	0.89 EUR
100+	0.68 EUR
500+	0.54 EUR
1000+	0.43 EUR

Mindestbestellmenge: 18

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMN2A01E6TA

Description: DIODES INC. - ZXMN2A01E6TA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.5 A, 0.12 ohm, SOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.1W
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMN2A01E6TA

Trans MOSFET N-CH 20V 2.5A 6-Pin SOT-23 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMN2A01E6TA

auf Bestellung 967 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMN2A01E6TA

Description: MOSFET N-CH 20V 2.5A SOT23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SOT-23-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 303 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMN2A01E6TA

Trans MOSFET N-CH 20V 2.5A 6-Pin SOT-23 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMN2A01E6TA

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMN2A01E6TC

Description: MOSFET N-CH 20V 2.5A SOT23-6

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMN2A01F

06+;

auf Bestellung 20000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMN2A01F

MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMN2A01FTA

Trans MOSFET N-CH 20V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMN2A01FTA

Description: MOSFET N-CH 20V 1.9A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 303 pF @ 15 V

auf Bestellung 508143 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

20+	0.88 EUR
28+	0.63 EUR
100+	0.47 EUR
500+	0.35 EUR
1000+	0.27 EUR

Mindestbestellmenge: 20

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMN2A01FTA

Trans MOSFET N-CH 20V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 27000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.21 EUR
6000+	0.18 EUR
15000+	0.17 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMN2A01FTA

Trans MOSFET N-CH 20V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 2750 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

315+	0.47 EUR
422+	0.34 EUR
426+	0.32 EUR
552+	0.24 EUR
1000+	0.18 EUR

Mindestbestellmenge: 315

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMN2A01FTA

Trans MOSFET N-CH 20V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 1478 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

244+	0.61 EUR
325+	0.44 EUR
328+	0.42 EUR
500+	0.32 EUR
1000+	0.18 EUR

Mindestbestellmenge: 244

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMN2A01FTA

MOSFETs 20V N-Chnl UMOS

auf Bestellung 11331 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	0.89 EUR
10+	0.53 EUR
100+	0.27 EUR
500+	0.23 EUR

Mindestbestellmenge: 4

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMN2A01FTA

Description: MOSFET N-CH 20V 1.9A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 303 pF @ 15 V

auf Bestellung 507000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.21 EUR
9000+	0.20 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMN2A01FTA

Trans MOSFET N-CH 20V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 2750 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

260+	0.57 EUR
307+	0.46 EUR
315+	0.44 EUR
422+	0.31 EUR
426+	0.30 EUR
552+	0.22 EUR
1000+	0.16 EUR

Mindestbestellmenge: 260

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMN2A01FTA

Description: DIODES INC. - ZXMN2A01FTA - Leistungs-MOSFET, Niederspannung, n-Kanal, 20 V, 2.2 A, 0.12 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 806
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 11885 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMN2A01FTA

Trans MOSFET N-CH 20V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 27000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.21 EUR
6000+	0.18 EUR
15000+	0.17 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMN2A01FTA

Trans MOSFET N-CH 20V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.21 EUR
6000+	0.19 EUR
12000+	0.17 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMN2A01FTA

Trans MOSFET N-CH 20V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.19 EUR
6000+	0.17 EUR
15000+	0.15 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMN2A01FTA

Description: DIODES INC. - ZXMN2A01FTA - Leistungs-MOSFET, Niederspannung, n-Kanal, 20 V, 2.2 A, 0.12 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.2
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 806
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700
euEccn: NLR
Verlustleistung: 806
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.12
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 11885 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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ZXMN2A01FTA 7N2

Trans MOSFET N-CH 20V 2.2A Automotive 3-Pin SOT-23 ZXMN2A01FTA TZXMN2a01fta
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

200+	0.25 EUR

Mindestbestellmenge: 200

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ZXMN2A01FTC

Description: MOSFET N-CH 20V 1.9A SOT23-3

Produkt ist nicht verfügbar

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ZXMN2A02

auf Bestellung 938 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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ZXMN2A02F

auf Bestellung 12000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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ZXMN2A02N8

07+ SO8

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMN2A02N8

06+;

auf Bestellung 20000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMN2A02N8

SO8

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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ZXMN2A02N8TA

MOSFET 20V N Chnl UMOS

auf Bestellung 416 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMN2A02N8TA

Description: MOSFET N-CH 20V 8.3A 8-SOIC

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

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ZXMN2A02N8TA

Trans MOSFET N-CH 20V 10.2A 8-Pin SOIC T/R

Produkt ist nicht verfügbar

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ZXMN2A02N8TA

Description: MOSFET N-CH 20V 8.3A 8-SOIC

auf Bestellung 749 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMN2A02X8

06+;

auf Bestellung 20000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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ZXMN2A02X8

MSOP8

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMN2A02X8

07+ MSOP8

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMN2A02X8TA

auf Bestellung 2080 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMN2A02X8TA

Description: MOSFET N-CH 20V 6.2A 8-MSOP

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMN2A02X8TA

Description: MOSFET N-CH 20V 6.2A 8-MSOP

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMN2A02X8TA

Description: MOSFET N-CH 20V 6.2A 8-MSOP

auf Bestellung 93 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMN2A02X8TC

Description: MOSFET N-CH 20V 6.2A 8-MSOP

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ZXMN2A03

auf Bestellung 1126 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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ZXMN2A03E6

06+;

auf Bestellung 20000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMN2A03E6TA

Description: MOSFET N-CH 20V 3.7A SOT23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 7.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SOT-23-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 837 pF @ 10 V

auf Bestellung 18409 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

13+	1.37 EUR
15+	1.18 EUR
100+	0.81 EUR
500+	0.68 EUR
1000+	0.58 EUR

Mindestbestellmenge: 13

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ZXMN2A03E6TA

Trans MOSFET N-CH 20V 4.6A Automotive 6-Pin SOT-23 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

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ZXMN2A03E6TA

MOSFETs N Channel

auf Bestellung 1764 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	1.37 EUR
10+	1.18 EUR
100+	0.81 EUR
500+	0.64 EUR
1000+	0.57 EUR
3000+	0.52 EUR

Mindestbestellmenge: 3

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMN2A03E6TA

Description: MOSFET N-CH 20V 3.7A SOT23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 7.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SOT-23-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 837 pF @ 10 V

auf Bestellung 15000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.52 EUR
6000+	0.49 EUR
9000+	0.45 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMN2A03E6TC

Description: MOSFET N-CH 20V 3.7A SOT23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 7.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SOT-23-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 837 pF @ 10 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMN2A04D

09+ SO-8

auf Bestellung 1021 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMN2A04D

auf Bestellung 21 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMN2A04DN8

06+;

auf Bestellung 20000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMN2A04DN8TA

Trans MOSFET N-CH 20V 7.7A 8-Pin SOIC T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMN2A04DN8TA

Description: MOSFET 2N-CH 20V 5.9A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1880pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5.9A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.1nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active

auf Bestellung 12579 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

6+	3.20 EUR
10+	2.65 EUR
100+	2.11 EUR

Mindestbestellmenge: 6

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMN2A04DN8TA

MOSFETs Dl 20V N-Chnl UMOS

auf Bestellung 494 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.08 EUR
10+	2.57 EUR
100+	2.04 EUR
500+	1.52 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMN2A04DN8TA

Trans MOSFET N-CH 20V 7.7A 8-Pin SOIC T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMN2A04DN8TA

SOP 08+PBF

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMN2A04DN8TA

Description: MOSFET 2N-CH 20V 5.9A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1880pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5.9A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.1nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active

auf Bestellung 12500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

500+	1.79 EUR
1000+	1.52 EUR
2500+	1.44 EUR
5000+	1.39 EUR

Mindestbestellmenge: 500

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMN2A04DN8TA

Trans MOSFET N-CH 20V 7.7A 8-Pin SOIC T/R

auf Bestellung 320 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

111+	1.34 EUR
131+	1.10 EUR
136+	1.02 EUR

Mindestbestellmenge: 111

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMN2A04DN8TC

Description: MOSFET 2N-CH 20V 5.9A 8SOIC

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMN2A14F

TOSHIBA

auf Bestellung 18000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMN2A14F

06+;

auf Bestellung 20000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMN2A14FTA

Description: MOSFET N-CH 20V 3.4A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 544 pF @ 10 V

auf Bestellung 85246 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

19+	0.95 EUR
26+	0.70 EUR
100+	0.47 EUR
500+	0.34 EUR
1000+	0.32 EUR

Mindestbestellmenge: 19

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMN2A14FTA

Trans MOSFET N-CH 20V 3.4A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 2696 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

229+	0.65 EUR
293+	0.49 EUR
295+	0.47 EUR
500+	0.37 EUR
1000+	0.28 EUR

Mindestbestellmenge: 229

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMN2A14FTA

Trans MOSFET N-CH 20V 4.1A 3-Pin SOT-23 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMN2A14FTA

N-MOSFET 20V 3.4A ZXMN2A14FTA DIODES TZXMN2a14f
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

100+	0.36 EUR

Mindestbestellmenge: 100

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMN2A14FTA

Description: MOSFET N-CH 20V 3.4A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 544 pF @ 10 V

auf Bestellung 81000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.29 EUR
6000+	0.28 EUR
15000+	0.27 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMN2A14FTA

Trans MOSFET N-CH 20V 3.4A 3-Pin SOT-23 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMN2A14FTA

MOSFETs N Channel

auf Bestellung 74263 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	0.97 EUR
10+	0.70 EUR
100+	0.47 EUR
500+	0.35 EUR
1000+	0.32 EUR
3000+	0.30 EUR

Mindestbestellmenge: 3

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMN2A14FTA

Trans MOSFET N-CH 20V 3.4A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 2696 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

198+	0.75 EUR
227+	0.63 EUR
229+	0.60 EUR
293+	0.45 EUR
295+	0.43 EUR
500+	0.34 EUR
1000+	0.25 EUR

Mindestbestellmenge: 198

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMN2AM832

06+;

auf Bestellung 20000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMN2AM832TA

Description: MOSFET 2N-CH 20V 2.9A 8MLP

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMN2AM832TA

auf Bestellung 746 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMN2AM832TA

Description: MOSFET 2N-CH 20V 2.9A 8MLP

auf Bestellung 3401 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMN2AMCTA

Description: MOSFET 2N-CH 20V 3.7A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.7W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 299pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3020B-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 4 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMN2AMCTA

MOSFET 20V DUAL N-CH ENH 12V VGS 3.7 IDS

auf Bestellung 1900 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMN2AMCTA

Trans MOSFET N-CH 20V 3.7A Automotive 8-Pin DFN EP T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.61 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMN2AMCTA

Description: MOSFET 2N-CH 20V 3.7A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.7W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 299pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3020B-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMN2AMCTA

Trans MOSFET N-CH 20V 2.9A 8-Pin DFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMN2AN8

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMN2B01F

Description: DIODES INC. - ZXMN2B01F - Leistungs-MOSFET, Niederspannung, n-Kanal, 20 V, 2.4 A, 0.1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 806mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 1348 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMN2B01F

auf Bestellung 12000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMN2B01F

auf Bestellung 1919 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMN2B01FTA

MOSFETs 20V N-Channel MOSFET w/low gate drive cap

auf Bestellung 18309 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	0.92 EUR
10+	0.58 EUR
100+	0.37 EUR
500+	0.29 EUR
1000+	0.27 EUR

Mindestbestellmenge: 4

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMN2B01FTA

Trans MOSFET N-CH 20V 2.1A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 2022 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

332+	0.45 EUR
456+	0.31 EUR
460+	0.30 EUR
594+	0.22 EUR
1000+	0.17 EUR

Mindestbestellmenge: 332

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMN2B01FTA

Trans MOSFET N-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMN2B01FTA

Trans MOSFET N-CH 20V 2.1A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 2022 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

277+	0.53 EUR
330+	0.43 EUR
332+	0.41 EUR
456+	0.29 EUR
460+	0.28 EUR
594+	0.20 EUR
1000+	0.16 EUR

Mindestbestellmenge: 277

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMN2B01FTA

Description: MOSFET N-CH 20V 2.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 10 V

auf Bestellung 82203 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

20+	0.90 EUR
31+	0.57 EUR
100+	0.38 EUR
500+	0.29 EUR
1000+	0.26 EUR

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ZXMN2B01FTA

Trans MOSFET N-CH 20V 2.1A 3-Pin SOT-23 T/R

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ZXMN2B01FTA

Description: MOSFET N-CH 20V 2.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 10 V

auf Bestellung 81000 Stücke:

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3000+	0.25 EUR

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ZXMN2B03E6

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ZXMN2B03E6TA

Trans MOSFET N-CH 20V 5.4A 6-Pin SOT-23 T/R

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ZXMN2B03E6TA

Trans MOSFET N-CH 20V 5.4A Automotive 6-Pin SOT-23 T/R

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ZXMN2B03E6TA

Description: MOSFET N-CH 20V 4.3A SOT23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 10 V

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ZXMN2B03E6TA

MOSFET 20V N-Ch 4.6 MOSFET w/low gate drive cap

auf Bestellung 8780 Stücke:

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ZXMN2B03E6TA

Description: MOSFET N-CH 20V 4.3A SOT23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 10 V

auf Bestellung 2994 Stücke:

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13+	1.36 EUR
15+	1.19 EUR
100+	0.91 EUR
500+	0.72 EUR
1000+	0.58 EUR

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ZXMN2B03E6TA

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ZXMN2B14FH

MOSFETs

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ZXMN2B14FH

auf Bestellung 12000 Stücke:

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ZXMN2B14FHTA

Trans MOSFET N-CH 20V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 2668 Stücke:

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129+	1.15 EUR
147+	0.97 EUR
148+	0.93 EUR
194+	0.68 EUR
250+	0.65 EUR
500+	0.49 EUR
1000+	0.37 EUR

Mindestbestellmenge: 129

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ZXMN2B14FHTA

Description: MOSFET N-CH 20V 3.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 3.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 872 pF @ 10 V

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.54 EUR
6000+	0.50 EUR
15000+	0.48 EUR
30000+	0.46 EUR

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ZXMN2B14FHTA

Trans MOSFET N-CH 20V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R

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ZXMN2B14FHTA

MOSFETs 20V N-Channel MOSFET w/low gate drive cap

auf Bestellung 3502 Stücke:

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3+	1.04 EUR
10+	1.03 EUR
100+	0.72 EUR
500+	0.59 EUR
1000+	0.54 EUR
3000+	0.46 EUR

Mindestbestellmenge: 3

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ZXMN2B14FHTA

Trans MOSFET N-CH 20V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 2668 Stücke:

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147+	1.01 EUR
148+	0.96 EUR
194+	0.71 EUR
250+	0.68 EUR
500+	0.51 EUR
1000+	0.39 EUR

Mindestbestellmenge: 147

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMN2B14FHTA

Description: MOSFET N-CH 20V 3.5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 3.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 872 pF @ 10 V

auf Bestellung 33397 Stücke:

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13+	1.39 EUR
15+	1.23 EUR
100+	0.94 EUR
500+	0.74 EUR
1000+	0.59 EUR

Mindestbestellmenge: 13

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ZXMN2F30FH

auf Bestellung 12000 Stücke:

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ZXMN2F30FH

MOSFET

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ZXMN2F30FHQTA

Trans MOSFET N-CH 20V 4.9A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMN2F30FHQTA

Description: MOSFET N-CH 20V 4.9A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.4W
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 452 pF @ 10 V

auf Bestellung 2970 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

24+	0.76 EUR
29+	0.61 EUR
100+	0.42 EUR
500+	0.31 EUR
1000+	0.24 EUR

Mindestbestellmenge: 24

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ZXMN2F30FHQTA

Trans MOSFET N-CH 20V 4.9A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMN2F30FHQTA

Description: MOSFET N-CH 20V 4.9A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.4W
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 452 pF @ 10 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMN2F30FHQTA

Trans MOSFET N-CH 20V 4.9A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

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ZXMN2F30FHQTA

MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V

auf Bestellung 8145 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	0.74 EUR
10+	0.60 EUR
100+	0.41 EUR
500+	0.31 EUR
1000+	0.23 EUR
3000+	0.19 EUR

Mindestbestellmenge: 4

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ZXMN2F30FHTA

Trans MOSFET N-CH 20V 4.1A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 4 Stücke:

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ZXMN2F30FHTA

Trans MOSFET N-CH 20V 4.1A 3-Pin SOT-23 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMN2F30FHTA

Description: MOSFET N-CH 20V 4.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 452 pF @ 10 V

auf Bestellung 184462 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

25+	0.70 EUR
32+	0.55 EUR
100+	0.33 EUR
500+	0.31 EUR
1000+	0.21 EUR

Mindestbestellmenge: 25

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMN2F30FHTA

Trans MOSFET N-CH 20V 4.1A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 54000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.15 EUR
6000+	0.14 EUR
12000+	0.13 EUR
45000+	0.12 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMN2F30FHTA

MOSFETs 20V N-Channel Enhance. Mode MOSFET

auf Bestellung 106574 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	0.69 EUR
10+	0.46 EUR
100+	0.23 EUR
1000+	0.20 EUR
3000+	0.16 EUR

Mindestbestellmenge: 5

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMN2F30FHTA

Trans MOSFET N-CH 20V 4.1A 3-Pin SOT-23 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMN2F30FHTA

Transistor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 65mOhm; 4,9A; 1,4W; -55°C ~ 150°C; ZXMN2F30FHTA TZXMN2f30fh
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke

auf Bestellung 100 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

50+	0.63 EUR

Mindestbestellmenge: 50

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMN2F30FHTA

Description: MOSFET N-CH 20V 4.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 452 pF @ 10 V

auf Bestellung 183000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.19 EUR
6000+	0.18 EUR
9000+	0.17 EUR
30000+	0.16 EUR
75000+	0.15 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMN2F30FHTA

Trans MOSFET N-CH 20V 4.1A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 36000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.14 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMN2F30FHTA

Trans MOSFET N-CH 20V 4.1A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 54000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.15 EUR
6000+	0.13 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMN2F34FH

MOSFETs

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ZXMN2F34FH

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMN2F34FHTA

Trans MOSFET N-CH 20V 3.4A 3-Pin SOT-23 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMN2F34FHTA

Description: DIODES INC. - ZXMN2F34FHTA - Leistungs-MOSFET, Niederspannung, n-Kanal, 20 V, 4 A, 0.06 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 1368 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMN2F34FHTA

Trans MOSFET N-CH 20V 3.4A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 2950 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

286+	0.52 EUR
398+	0.36 EUR
428+	0.32 EUR
523+	0.25 EUR
1000+	0.17 EUR

Mindestbestellmenge: 286

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMN2F34FHTA

Description: MOSFET N-CH 20V 3.4A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 277 pF @ 10 V

auf Bestellung 112155 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

24+	0.76 EUR
29+	0.61 EUR
100+	0.42 EUR
500+	0.31 EUR
1000+	0.24 EUR

Mindestbestellmenge: 24

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMN2F34FHTA

Trans MOSFET N-CH 20V 3.4A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 2950 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

221+	0.67 EUR
265+	0.54 EUR
286+	0.48 EUR
398+	0.33 EUR
428+	0.30 EUR
523+	0.23 EUR
1000+	0.16 EUR

Mindestbestellmenge: 221

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMN2F34FHTA

Trans MOSFET N-CH 20V 3.4A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 12000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.15 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMN2F34FHTA

MOSFETs 20V N-Channel Enhance. Mode MOSFET

auf Bestellung 91026 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

6+	0.55 EUR
10+	0.39 EUR
100+	0.25 EUR
1000+	0.22 EUR
3000+	0.18 EUR
9000+	0.17 EUR

Mindestbestellmenge: 6

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMN2F34FHTA

Description: MOSFET N-CH 20V 3.4A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 277 pF @ 10 V

auf Bestellung 108000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.22 EUR
6000+	0.20 EUR
15000+	0.19 EUR
30000+	0.17 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMN2F34FHTA

auf Bestellung 1368 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMN2F34MATA

Description: MOSFET N-CH 20V 4A DFN-2X2

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMN2F34MATA

Description: MOSFET N-CH 20V 4A DFN-2X2

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ZXMN2F34MATA

Trans MOSFET N-CH 20V 8.5A 3-Pin DFN T/R

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ZXMN2N02

auf Bestellung 128 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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ZXMN3804

auf Bestellung 300 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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ZXMN3A01E6

06+;

auf Bestellung 20000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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ZXMN3A01E6

MOSFET

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ZXMN3A01E6TA

Description: MOSFET N-CH 30V 2.4A SOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 25 V

auf Bestellung 270000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.34 EUR
6000+	0.32 EUR
9000+	0.30 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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ZXMN3A01E6TA

Trans MOSFET N-CH 30V 2.4A 6-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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ZXMN3A01E6TA

auf Bestellung 3200 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMN3A01E6TA

Description: MOSFET N-CH 30V 2.4A SOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 25 V

auf Bestellung 282397 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

20+	0.88 EUR
23+	0.77 EUR
100+	0.53 EUR
500+	0.44 EUR
1000+	0.38 EUR

Mindestbestellmenge: 20

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ZXMN3A01E6TA

MOSFETs 30V N-Chnl UMOS

auf Bestellung 7976 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	0.87 EUR
10+	0.75 EUR
100+	0.54 EUR
500+	0.46 EUR
1000+	0.40 EUR
3000+	0.36 EUR

Mindestbestellmenge: 4

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ZXMN3A01E6TC

Description: MOSFET N-CH 30V 2.4A SOT23-6

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ZXMN3A01F

Description: DIODES INC. - ZXMN3A01F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2 A, 0.12 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 806mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 4876 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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ZXMN3A01F

06+;

auf Bestellung 20000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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ZXMN3A01F

auf Bestellung 4851 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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ZXMN3A01FQTA

MOSFET BVDSS, 25V to 30V SOT23

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ZXMN3A01FTA

Description: MOSFET N-CH 30V 1.8A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 25 V

auf Bestellung 90000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.25 EUR
6000+	0.24 EUR
9000+	0.22 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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ZXMN3A01FTA

Trans MOSFET N-CH 30V 1.8A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 72000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.22 EUR
6000+	0.20 EUR
15000+	0.18 EUR
30000+	0.15 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMN3A01FTA

Trans MOSFET N-CH 30V 1.8A 3-Pin SOT-23 T/R

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ZXMN3A01FTA

Trans MOSFET N-CH 30V 1.8A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 516 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

297+	0.50 EUR
356+	0.40 EUR
359+	0.38 EUR

Mindestbestellmenge: 297

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ZXMN3A01FTA

MOSFETs 30V N-Chnl UMOS

auf Bestellung 75564 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	0.62 EUR
10+	0.44 EUR
100+	0.29 EUR
500+	0.25 EUR
1000+	0.24 EUR
3000+	0.22 EUR

Mindestbestellmenge: 5

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ZXMN3A01FTA

Trans MOSFET N-CH 30V 1.8A 3-Pin SOT-23 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMN3A01FTA

Description: MOSFET N-CH 30V 1.8A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 25 V

auf Bestellung 91741 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

24+	0.74 EUR
28+	0.63 EUR
100+	0.44 EUR
500+	0.34 EUR
1000+	0.28 EUR

Mindestbestellmenge: 24

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ZXMN3A01FTA

Trans MOSFET N-CH 30V 1.8A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 516 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

242+	0.61 EUR
294+	0.49 EUR
297+	0.46 EUR
356+	0.37 EUR
359+	0.35 EUR

Mindestbestellmenge: 242

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ZXMN3A01FTA

Trans MOSFET N-CH 30V 1.8A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 72000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.19 EUR
6000+	0.18 EUR
9000+	0.17 EUR
15000+	0.16 EUR
30000+	0.15 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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ZXMN3A01FTC

Trans MOSFET N-CH 30V 1.8A 3-Pin SOT-23 T/R

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ZXMN3A01FTC

Description: MOSFET N-CH 30V 1.8A SOT23-3

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ZXMN3A01ZTA

Trans MOSFET N-CH 30V 3.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

auf Bestellung 723 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

216+	0.69 EUR
262+	0.54 EUR
265+	0.52 EUR
345+	0.38 EUR
359+	0.35 EUR
500+	0.28 EUR

Mindestbestellmenge: 216

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ZXMN3A01ZTA

MOSFETs 30V N-Ch ENH Mode 120mOhm 10VGS 3.3A

auf Bestellung 2321 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	0.74 EUR
10+	0.63 EUR
100+	0.33 EUR
500+	0.29 EUR
1000+	0.24 EUR
2000+	0.22 EUR

Mindestbestellmenge: 4

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMN3A01ZTA

Description: DIODES INC. - ZXMN3A01ZTA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.3 A, 0.106 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 970mW
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.106ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

auf Bestellung 45 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMN3A01ZTA

Description: MOSFET N-CH 30V 2.2A SOT89
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 970mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 186 pF @ 25 V

auf Bestellung 32000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1000+	0.28 EUR
2000+	0.25 EUR
5000+	0.24 EUR
10000+	0.22 EUR

Mindestbestellmenge: 1000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMN3A01ZTA

Trans MOSFET N-CH 30V 3.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

auf Bestellung 723 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

265+	0.56 EUR
345+	0.41 EUR
359+	0.38 EUR
500+	0.30 EUR

Mindestbestellmenge: 265

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMN3A01ZTA

auf Bestellung 45 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMN3A01ZTA

Trans MOSFET N-CH 30V 3.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMN3A01ZTA

Trans MOSFET N-CH 30V 3.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMN3A01ZTA

Description: MOSFET N-CH 30V 2.2A SOT89
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 970mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 186 pF @ 25 V

auf Bestellung 33974 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

24+	0.74 EUR
28+	0.63 EUR
100+	0.44 EUR
500+	0.34 EUR

Mindestbestellmenge: 24

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMN3A01ZTA

Trans MOSFET N-CH 30V 3.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1000+	0.19 EUR

Mindestbestellmenge: 1000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMN3A02N8

SO8

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMN3A02N8

07+ SO8

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMN3A02N8

06+;

auf Bestellung 20000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMN3A02N8TA

Description: MOSFET N-CH 30V 5.3A 8-SOIC

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMN3A02N8TA

Description: MOSFET N-CH 30V 5.3A 8-SOIC

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMN3A02N8TA

auf Bestellung 200 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMN3A02N8TA

Description: MOSFET N-CH 30V 5.3A 8-SOIC

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMN3A02X8

06+;

auf Bestellung 20000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMN3A02X8

MSOP8

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMN3A02X8

07+ MSOP8

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMN3A02X8TA

auf Bestellung 780 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMN3A02X8TA

Description: MOSFET N-CH 30V 5.3A 8MSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

8+	2.46 EUR

Mindestbestellmenge: 8

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMN3A02X8TA

Description: DIODES INC. - ZXMN3A02X8TA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5.3 A, 0.025 ohm, MSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.1W
Bauform - Transistor: MSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

auf Bestellung 988 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMN3A02X8TA

MOSFETs 30V N Chnl UMOS

auf Bestellung 15286 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.36 EUR
10+	1.94 EUR
100+	1.50 EUR
500+	1.27 EUR
1000+	0.95 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMN3A02X8TA

Description: MOSFET N-CH 30V 5.3A 8MSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1000+	1.08 EUR

Mindestbestellmenge: 1000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMN3A02X8TA

auf Bestellung 988 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMN3A02X8TC

Description: MOSFET N-CH 30V 5.3A 8MSOP

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMN3A03E6

Description: DIODES INC. - ZXMN3A03E6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4.6 A, 0.05 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 2669 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMN3A03E6

MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMN3A03E6

06+;

auf Bestellung 20000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMN3A03E6

auf Bestellung 2669 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMN3A03E6TA

Trans MOSFET N-CH 30V 3.7A 6-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 33000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.41 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMN3A03E6TA

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4.6A; 1.1W; SOT26
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4.6A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT26
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMN3A03E6TA

Description: MOSFET N-CH 30V 3.7A SOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V

auf Bestellung 37420 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

10+	1.83 EUR
15+	1.24 EUR
100+	0.82 EUR
500+	0.64 EUR
1000+	0.58 EUR

Mindestbestellmenge: 10

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ZXMN3A03E6TA

Trans MOSFET N-CH 30V 3.7A 6-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 1927 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

308+	0.48 EUR
500+	0.43 EUR
1000+	0.39 EUR

Mindestbestellmenge: 308

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ZXMN3A03E6TA

Trans MOSFET N-CH 30V 4.6A 6-Pin SOT-23 T/R

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ZXMN3A03E6TA

Trans MOSFET N-CH 30V 3.7A 6-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 1927 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

308+	0.48 EUR

Mindestbestellmenge: 308

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ZXMN3A03E6TA

Description: MOSFET N-CH 30V 3.7A SOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V

auf Bestellung 36000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.50 EUR
6000+	0.47 EUR
9000+	0.46 EUR
15000+	0.45 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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ZXMN3A03E6TA

Trans MOSFET N-CH 30V 3.7A 6-Pin SOT-23 T/R

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ZXMN3A03E6TA

MOSFETs 30V N Chnl UMOS

auf Bestellung 64484 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	0.95 EUR
10+	0.84 EUR
100+	0.61 EUR
500+	0.53 EUR
1000+	0.50 EUR
3000+	0.47 EUR

Mindestbestellmenge: 3

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ZXMN3A03E6TC

Description: MOSFET N-CH 30V 3.7A SOT23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V

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ZXMN3A04D

auf Bestellung 1200 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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ZXMN3A04D

09+ SO-8

auf Bestellung 1109 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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ZXMN3A04D

auf Bestellung 109 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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ZXMN3A04D

ZXMN

04+ SMD8

auf Bestellung 1120 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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ZXMN3A04DN8

07+ SO8

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMN3A04DN8

06+;

auf Bestellung 20000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMN3A04DN8

SO8

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMN3A04DN8TA

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMN3A04DN8TA

Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.81W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1890pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 12.6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36.8nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active

auf Bestellung 23500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

500+	1.19 EUR
1000+	1.14 EUR

Mindestbestellmenge: 500

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ZXMN3A04DN8TA

MOSFETs Dl 30V N-Chnl UMOS

auf Bestellung 930 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	2.85 EUR
10+	2.31 EUR
100+	1.64 EUR
250+	1.63 EUR
500+	1.28 EUR

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ZXMN3A04DN8TA

Trans MOSFET N-CH 30V 8.5A 8-Pin SOIC T/R

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ZXMN3A04DN8TA

Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.81W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1890pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 12.6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36.8nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active

auf Bestellung 23886 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	3.84 EUR
10+	2.42 EUR
100+	1.63 EUR

Mindestbestellmenge: 5

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ZXMN3A04DN8TC

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ZXMN3A04DN8TC

auf Bestellung 50000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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ZXMN3A04K

07+ DPAK

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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ZXMN3A04K

06+;

auf Bestellung 20000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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ZXMN3A04K

DPAK

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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ZXMN3A04KTC

Description: MOSFET N-CH 30V 18.4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.15W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250mA
Supplier Device Package: TO-252-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1890 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 9580 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	3.75 EUR
10+	2.56 EUR
100+	1.83 EUR
500+	1.50 EUR
1000+	1.40 EUR

Mindestbestellmenge: 5

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMN3A04KTC

MOSFET N-Ch 30 Volt 18.4A

auf Bestellung 1549 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.45 EUR
10+	3.12 EUR
100+	2.50 EUR
500+	2.06 EUR
1000+	1.70 EUR
2500+	1.58 EUR
10000+	1.48 EUR

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ZXMN3A04KTC

auf Bestellung 9990 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	4.59 EUR
10+	2.98 EUR
100+	2.05 EUR
500+	1.66 EUR
1000+	1.53 EUR

Mindestbestellmenge: 4

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMN3A04KTC

auf Bestellung 25000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMN3A04KTC

Trans MOSFET N-CH 30V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMN3A04KTC

Description: MOSFET N-CH 30V 18.4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.15W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250mA
Supplier Device Package: TO-252-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1890 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 7500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	1.42 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

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ZXMN3A05N8TA

Description: MOSFET N-CH 30V 12A 8-SOIC

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ZXMN3A06D

auf Bestellung 367 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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ZXMN3A06DN8

07+ SO8

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMN3A06DN8

SO8

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMN3A06DN8

06+;

auf Bestellung 20000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMN3A06DN8

09+

auf Bestellung 397 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMN3A06DN8TA

Dual N-Channel 30 V 0.035 Ohm Power MOSFET ZXMN3A06DN8TA DIODES TZXMN3a06dn8
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke

auf Bestellung 8 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

10+	2.82 EUR

Mindestbestellmenge: 10

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMN3A06DN8TA

Description: MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8-SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 796pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.5nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active

auf Bestellung 514 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

9+	2.01 EUR
10+	1.80 EUR
100+	1.40 EUR

Mindestbestellmenge: 9

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMN3A06DN8TA

Description: MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8-SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 796pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.5nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

500+	1.16 EUR

Mindestbestellmenge: 500

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMN3A06DN8TA

Trans MOSFET N-CH 30V 6.2A 8-Pin SOIC T/R

auf Bestellung 4000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMN3A06DN8TA

MOSFETs Dl 30V N-Chnl UMOS

auf Bestellung 200 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.24 EUR
10+	1.50 EUR
100+	1.22 EUR
500+	0.84 EUR
1000+	0.83 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMN3A06DN8TC

Description: MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8SOIC

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMN3A06N8TA

Description: MOSFET 2N-CH 30V 8SOIC

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMN3A13FTA

auf Bestellung 1503 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMN3A14F

06+;

auf Bestellung 20000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMN3A14F

SOT23

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMN3A14F

MOSFETs

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMN3A14F

07+ SOT23

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMN3A14FPBF

auf Bestellung 700 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMN3A14FQTA

MOSFET MOSFET BVDSS 25V-30V

auf Bestellung 19671 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	1.22 EUR
10+	1.08 EUR
100+	0.83 EUR
500+	0.65 EUR
1000+	0.52 EUR
3000+	0.49 EUR
9000+	0.44 EUR

Mindestbestellmenge: 3

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMN3A14FQTA

30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMN3A14FQTA

Description: MOSFET N-CH 30V 3.9A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 448 pF @ 15 V

auf Bestellung 2975 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

14+	1.32 EUR
16+	1.15 EUR
100+	0.89 EUR
500+	0.70 EUR
1000+	0.56 EUR

Mindestbestellmenge: 14

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMN3A14FQTA

Description: MOSFET N-CH 30V 3.9A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 448 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMN3A14FTA

Description: MOSFET N-CH 30V 3.2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 448 pF @ 15 V

auf Bestellung 483000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.36 EUR
6000+	0.35 EUR
15000+	0.33 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMN3A14FTA

SOT23 08+

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMN3A14FTA

Description: DIODES INC. - ZXMN3A14FTA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.2 A, 0.048 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 2931 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMN3A14FTA

Trans MOSFET N-CH 30V 3.2A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 525 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

215+	0.69 EUR
260+	0.55 EUR
275+	0.50 EUR
500+	0.40 EUR

Mindestbestellmenge: 215

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMN3A14FTA

Trans MOSFET N-CH 30V 3.2A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 525 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

185+	0.80 EUR
207+	0.69 EUR
215+	0.64 EUR
260+	0.51 EUR
275+	0.46 EUR
500+	0.37 EUR

Mindestbestellmenge: 185

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMN3A14FTA

08+ SOP8

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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ZXMN3A14FTA

MOSFETs N Channel

auf Bestellung 54610 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	0.94 EUR
10+	0.67 EUR
100+	0.52 EUR
500+	0.45 EUR
1000+	0.43 EUR
3000+	0.36 EUR

Mindestbestellmenge: 4

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMN3A14FTA

Description: MOSFET N-CH 30V 3.2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 448 pF @ 15 V

auf Bestellung 485996 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

19+	0.93 EUR
28+	0.65 EUR
100+	0.49 EUR
500+	0.46 EUR
1000+	0.40 EUR

Mindestbestellmenge: 19

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMN3A14FTA

Trans MOSFET N-CH 30V 3.2A 3-Pin SOT-23 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMN3A14FTA

auf Bestellung 2931 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMN3A14FTA

Trans MOSFET N-CH 30V 3.2A 3-Pin SOT-23 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

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ZXMN3AM832

06+;

auf Bestellung 20000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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ZXMN3AM832TA

Description: MOSFET 2N-CH 30V 2.9A 8MLP

auf Bestellung 3169 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMN3AM832TA

2004

auf Bestellung 12000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMN3AM832TA

Description: MOSFET 2N-CH 30V 2.9A 8MLP

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMN3AM832TA

Description: MOSFET 2N-CH 30V 2.9A 8MLP

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMN3AMCTA

Description: MOSFET 2N-CH 30V 3.7A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.7W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3020B-8
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 41 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

13+	1.41 EUR
15+	1.22 EUR

Mindestbestellmenge: 13

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMN3AMCTA

MOSFET 30V DUAL N-CH ENH 20V VGS 3.7 IDS

auf Bestellung 625 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMN3AMCTA

Trans MOSFET N-CH 30V 2.9A 8-Pin DFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMN3AMCTA

Description: MOSFET 2N-CH 30V 3.7A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.7W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3020B-8
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMN3B01F

06+;

auf Bestellung 20000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMN3B01FTA

Trans MOSFET N-CH 30V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.26 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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ZXMN3B01FTA

Trans MOSFET N-CH 30V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMN3B01FTA

Description: MOSFET N-CH 30V 1.7A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.93 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 258 pF @ 15 V

auf Bestellung 537000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.30 EUR
6000+	0.28 EUR
9000+	0.26 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMN3B01FTA

Trans MOSFET N-CH 30V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMN3B01FTA

Trans MOSFET N-CH 30V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.26 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMN3B01FTA

MOSFETs 30V N Chnl UMOS

auf Bestellung 4627 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	1.15 EUR
10+	0.75 EUR
100+	0.47 EUR
500+	0.39 EUR
1000+	0.35 EUR
3000+	0.29 EUR

Mindestbestellmenge: 3

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMN3B01FTA

Trans MOSFET N-CH 30V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMN3B01FTA

Description: MOSFET N-CH 30V 1.7A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.93 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 258 pF @ 15 V

auf Bestellung 538991 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

20+	0.88 EUR
24+	0.75 EUR
100+	0.52 EUR
500+	0.41 EUR
1000+	0.33 EUR

Mindestbestellmenge: 20

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMN3B01FTA

Trans MOSFET N-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMN3B01FTC

MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V SOT23 T&R 10K

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMN3B04N8

07+ SO8

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMN3B04N8

06+;

auf Bestellung 20000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMN3B04N8

SO8

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMN3B04N8TA

MOSFET 30V N-Chnl UMOS

auf Bestellung 4357 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.99 EUR
10+	1.78 EUR
100+	1.39 EUR
500+	1.05 EUR
1000+	0.90 EUR
2500+	0.84 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMN3B04N8TA

Description: MOSFET N-CH 30V 7.2A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2480 pF @ 15 V

auf Bestellung 2697 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

10+	1.87 EUR
12+	1.53 EUR
100+	1.19 EUR

Mindestbestellmenge: 10

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMN3B04N8TA

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMN3B04N8TA

Description: MOSFET N-CH 30V 7.2A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2480 pF @ 15 V

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

500+	1.01 EUR
1000+	0.82 EUR
2500+	0.78 EUR

Mindestbestellmenge: 500

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMN3B04N8TA

Trans MOSFET N-CH 30V 7.2A 8-Pin SOIC T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMN3B04N8TAPBF

auf Bestellung 467 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMN3B04N8TC

Description: MOSFET N-CH 30V 7.2A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2480 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMN3B14F

06+;

auf Bestellung 20000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMN3B14F

MOSFETs

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMN3B14FTA

Description: DIODES INC. - ZXMN3B14FTA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.9 A, 0.08 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 2320 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMN3B14FTA

Trans MOSFET N-CH 30V 2.9A 3-Pin SOT-23 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMN3B14FTA

MOSFETs 30V N Chnl UMOS

auf Bestellung 28740 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	1.00 EUR
10+	0.83 EUR
100+	0.60 EUR
500+	0.46 EUR
1000+	0.42 EUR
3000+	0.36 EUR

Mindestbestellmenge: 3

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMN3B14FTA

Description: MOSFET N-CH 30V 2.9A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 568 pF @ 15 V

auf Bestellung 135000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.36 EUR
6000+	0.34 EUR
9000+	0.33 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMN3B14FTA

auf Bestellung 2320 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMN3B14FTA

Description: MOSFET N-CH 30V 2.9A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 568 pF @ 15 V

auf Bestellung 137439 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

15+	1.25 EUR
22+	0.83 EUR
100+	0.57 EUR
500+	0.45 EUR
1000+	0.41 EUR

Mindestbestellmenge: 15

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMN3F30FH

auf Bestellung 12000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMN3F30FHTA

Trans MOSFET N-CH 30V 3.8A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 3147 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

221+	0.67 EUR
274+	0.52 EUR
276+	0.50 EUR
365+	0.36 EUR
369+	0.34 EUR
500+	0.26 EUR
1000+	0.20 EUR
3000+	0.17 EUR

Mindestbestellmenge: 221

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMN3F30FHTA

Description: MOSFET N-CH 30V 3.8A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 318 pF @ 15 V

auf Bestellung 418215 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

21+	0.84 EUR
32+	0.56 EUR
100+	0.41 EUR
500+	0.33 EUR
1000+	0.26 EUR

Mindestbestellmenge: 21

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMN3F30FHTA

Trans MOSFET N-CH 30V 3.8A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

239+	0.62 EUR
290+	0.49 EUR
385+	0.36 EUR
500+	0.27 EUR
1000+	0.20 EUR
3000+	0.17 EUR
6000+	0.15 EUR

Mindestbestellmenge: 239

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMN3F30FHTA

Trans MOSFET N-CH 30V 3.8A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.16 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ZXMN3F30FHTA