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ZXMP6A17GTA

ZXMP6A17GTA Diodes Zetex

zxmp6a17g.pdf Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET P-CH 60V 3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 45000 Stücke:
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Anzahl Preis
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3000+0.3 EUR
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Technische Details ZXMP6A17GTA Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - ZXMP6A17GTA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 4.3 A, 0.125 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 4.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
ZXMP6A17GTA ZXMP6A17GTA Hersteller : Diodes Incorporated ZXMP6A17G.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 3A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 637 pF @ 30 V
auf Bestellung 13000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1000+0.41 EUR
2000+0.38 EUR
3000+0.36 EUR
5000+0.34 EUR
7000+0.32 EUR
10000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
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ZXMP6A17GTA ZXMP6A17GTA Hersteller : DIODES INCORPORATED ZXMP6A17G.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -3A; Idm: -13.7A; 2W; SOT223
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -3A
Power dissipation: 2W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -13.7A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 302 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
85+0.84 EUR
120+0.6 EUR
157+0.46 EUR
176+0.41 EUR
500+0.32 EUR
1000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 85
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ZXMP6A17GTA ZXMP6A17GTA Hersteller : DIODES INCORPORATED ZXMP6A17G.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -3A; Idm: -13.7A; 2W; SOT223
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -3A
Power dissipation: 2W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -13.7A
auf Bestellung 302 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
85+0.84 EUR
120+0.6 EUR
157+0.46 EUR
176+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 85
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ZXMP6A17GTA ZXMP6A17GTA Hersteller : Diodes Incorporated ZXMP6A17G.pdf MOSFETs 60V P-Chnl UMOS
auf Bestellung 25697 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+1.24 EUR
10+0.87 EUR
100+0.6 EUR
500+0.47 EUR
1000+0.4 EUR
2000+0.35 EUR
5000+0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 3
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ZXMP6A17GTA ZXMP6A17GTA Hersteller : Diodes Incorporated ZXMP6A17G.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 3A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 637 pF @ 30 V
auf Bestellung 13299 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
12+1.51 EUR
19+0.94 EUR
100+0.61 EUR
500+0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 12
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ZXMP6A17GTA ZXMP6A17GTA Hersteller : DIODES INC. ZXMP6A17G.pdf Description: DIODES INC. - ZXMP6A17GTA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 4.3 A, 0.125 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2514 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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ZXMP6A17GTA ZXMP6A17GTA Hersteller : DIODES INC. ZXMP6A17G.pdf Description: DIODES INC. - ZXMP6A17GTA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 4.3 A, 0.125 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2514 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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ZXMP6A17GTA ZXMP6A17GTA Hersteller : Diodes Inc zxmp6a17g.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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ZXMP6A17GTA*******
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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