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Technische Details ZXMP6A17GTA Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - ZXMP6A17GTA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3 A, 0.096 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.096ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote ZXMP6A17GTA nach Preis ab 0.3 EUR bis 1.25 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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ZXMP6A17GTA | Hersteller : Diodes Zetex |
 Trans MOSFET P-CH 60V 3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
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ZXMP6A17GTA | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 60V 3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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ZXMP6A17GTA | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 60V 3A SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.2A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 637 pF @ 30 V |
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ZXMP6A17GTA | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -3A; Idm: -13.7A; 2W; SOT223 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -3A Pulsed drain current: -13.7A Power dissipation: 2W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.125Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 1494 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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ZXMP6A17GTA | Hersteller : Diodes Incorporated |
MOSFETs 60V P-Chnl UMOS |
auf Bestellung 43563 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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ZXMP6A17GTA | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 60V 3A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.2A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 637 pF @ 30 V |
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ZXMP6A17GTA | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXMP6A17GTA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3 A, 0.096 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.096ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
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ZXMP6A17GTA | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXMP6A17GTA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3 A, 0.096 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.096ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
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ZXMP6A17GTA | Hersteller : Diodes Inc |
Trans MOSFET P-CH 60V 3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| ZXMP6A17GTA******* |
auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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ZXMP6A17GTA | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 60V 3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
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ZXMP6A17GTA | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 60V 3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
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