Produkte > ROHM SEMICONDUCTOR > Alle Produkte des Herstellers ROHM SEMICONDUCTOR (103556) > Seite 1495 nach 1726
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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RQ6E045BNTCR | ROHM SEMICONDUCTOR |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
RQ6E050ATTCR | ROHM SEMICONDUCTOR |
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RQ6E055BNTCR | ROHM SEMICONDUCTOR |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
RQ6E080AJTCR | ROHM SEMICONDUCTOR |
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RQ6E085BNTCR | ROHM SEMICONDUCTOR |
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RQ6L020SPTCR | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2A; Idm: -8A; 1.25W; TSMT6 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -2A Pulsed drain current: -8A Power dissipation: 1.25W Case: TSMT6 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 266mΩ Mounting: SMD Gate charge: 7.2nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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RQ6L035ATTCR | ROHM SEMICONDUCTOR |
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RQ6P015SPTR | ROHM SEMICONDUCTOR |
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RR264MM-400TR | ROHM SEMICONDUCTOR |
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auf Bestellung 6010 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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RR601BM4SFHTL | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Diode: rectifying; SMD; 400V; 6A; DPAK; Ufmax: 1.1V; Ifsm: 40A Type of diode: rectifying Case: DPAK Mounting: SMD Max. off-state voltage: 0.4kV Load current: 6A Semiconductor structure: single diode Max. forward impulse current: 40A Kind of package: reel; tape Max. forward voltage: 1.1V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
RR601BM4STL | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Diode: rectifying; SMD; 400V; 6A; DPAK; Ufmax: 1.1V; Ifsm: 40A Type of diode: rectifying Case: DPAK Mounting: SMD Max. off-state voltage: 0.4kV Load current: 6A Semiconductor structure: single diode Max. forward impulse current: 40A Kind of package: reel; tape Max. forward voltage: 1.1V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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RRD07MM4STR | ROHM SEMICONDUCTOR |
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RRE02VSM4STR | ROHM SEMICONDUCTOR |
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RRE02VSM6STR | ROHM SEMICONDUCTOR |
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RRE02VTM4SFHTR | ROHM SEMICONDUCTOR |
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RRE02VTM6SFHTR | ROHM SEMICONDUCTOR |
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RRE04EA4DFHTR | ROHM SEMICONDUCTOR |
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RRE04EA6DTR | ROHM SEMICONDUCTOR | RRE04EA6DTR SMD universal diodes |
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RRE07VSM4STR | ROHM SEMICONDUCTOR |
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RRE07VSM6STR | ROHM SEMICONDUCTOR |
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RRE07VTM4SFHTR | ROHM SEMICONDUCTOR |
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RRE07VTM6SFHTR | ROHM SEMICONDUCTOR |
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RRF015P03TL | ROHM SEMICONDUCTOR |
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auf Bestellung 1035 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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RRH050P03GZETB | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5A; Idm: -20A; 2W; SOP8; ESD Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -5A Pulsed drain current: -20A Power dissipation: 2W Case: SOP8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 50mΩ Mounting: SMD Gate charge: 17nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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RRH090P03TB1 | ROHM SEMICONDUCTOR |
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RRH100P03GZETB | ROHM SEMICONDUCTOR |
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RRH100P03TB1 | ROHM SEMICONDUCTOR |
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RRH140P03GZETB | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -14A; Idm: -56A; 2W; SOP8; ESD Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -14A Pulsed drain current: -56A Power dissipation: 2W Case: SOP8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7mΩ Mounting: SMD Gate charge: 150nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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RRH140P03TB1 | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -14A; Idm: -56A; 2W; SOP8; ESD Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -14A Pulsed drain current: -56A Power dissipation: 2W Case: SOP8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7mΩ Mounting: SMD Gate charge: 150nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke |
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RRL035P03FRATR | ROHM SEMICONDUCTOR |
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RRL035P03TR | ROHM SEMICONDUCTOR |
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RRQ030P03FRATR | ROHM SEMICONDUCTOR | RRQ030P03FRATR SMD P channel transistors |
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RRR030P03FRATL | ROHM SEMICONDUCTOR | RRR030P03FRATL SMD P channel transistors |
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RRR030P03HZGTL | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3A; Idm: -12A; 1W; SOT346; ESD Mounting: SMD Case: SOT346 Drain-source voltage: -30V Drain current: -3A On-state resistance: 75mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 1W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Version: ESD Gate charge: 5.2nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -12A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 2990 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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RRR040P03FRATL | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -4A; Idm: -16A; 1W; SOT346 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -4A Pulsed drain current: -16A Power dissipation: 1W Case: SOT346 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 45mΩ Mounting: SMD Gate charge: 10.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Application: automotive industry Version: ESD Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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RRS100P03HZGTB | ROHM SEMICONDUCTOR |
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RS1E150GNTB | ROHM SEMICONDUCTOR |
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RS1E220ATTB1 | ROHM SEMICONDUCTOR |
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RS1E280BNTB | ROHM SEMICONDUCTOR |
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RS1E280GNTB | ROHM SEMICONDUCTOR |
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RS1E301GNTB1 | ROHM SEMICONDUCTOR |
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RS1E321GNTB1 | ROHM SEMICONDUCTOR |
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RS1E350BNTB | ROHM SEMICONDUCTOR |
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RS1G120MNTB | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 34A; Idm: 48A; 25W; HSOP8 Mounting: SMD Case: HSOP8 Kind of package: reel; tape Pulsed drain current: 48A Drain-source voltage: 40V Drain current: 34A On-state resistance: 20.7mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 25W Polarisation: unipolar Gate charge: 9.4nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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RS1G150MNTB | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 43A; Idm: 60A; 25W; HSOP8 Mounting: SMD Case: HSOP8 Kind of package: reel; tape Pulsed drain current: 60A Drain-source voltage: 40V Drain current: 43A On-state resistance: 13.3mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 25W Polarisation: unipolar Gate charge: 15nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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RS1G180MNTB | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 57A; Idm: 72A; 30W; HSOP8 Mounting: SMD Case: HSOP8 Kind of package: reel; tape Pulsed drain current: 72A Drain-source voltage: 40V Drain current: 57A On-state resistance: 9.2mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 30W Polarisation: unipolar Gate charge: 19.5nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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RS1G201ATTB1 | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -78A; Idm: -80A; 40W; HSOP8 Mounting: SMD Case: HSOP8 Kind of package: reel; tape Pulsed drain current: -80A Drain-source voltage: -40V Drain current: -78A On-state resistance: 6.5mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 40W Polarisation: unipolar Gate charge: 130nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke |
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RS1G260MNTB | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 80A; Idm: 104A; 35W; HSOP8 Mounting: SMD Case: HSOP8 Kind of package: reel; tape Pulsed drain current: 104A Drain-source voltage: 40V Drain current: 80A On-state resistance: 4.4mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 35W Polarisation: unipolar Gate charge: 44nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke |
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RS1G300GNTB | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 80A; Idm: 120A; 35W; HSOP8 Mounting: SMD Case: HSOP8 Kind of package: reel; tape Pulsed drain current: 120A Drain-source voltage: 40V Drain current: 80A On-state resistance: 3mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 35W Polarisation: unipolar Gate charge: 56.8nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke |
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RS1L120GNTB | ROHM SEMICONDUCTOR |
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RS1L145GNTB | ROHM SEMICONDUCTOR |
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RS1L151ATTB1 | ROHM SEMICONDUCTOR |
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RS1L180GNTB | ROHM SEMICONDUCTOR |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
RS1P600BETB1 | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 60A; Idm: 70A; 35W; HSOP8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 60A Pulsed drain current: 70A Power dissipation: 35W Case: HSOP8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9.7mΩ Mounting: SMD Gate charge: 33nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
RS3E075ATTB | ROHM SEMICONDUCTOR |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
RS3E180ATTB1 | ROHM SEMICONDUCTOR |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
RS3G160ATTB1 | ROHM SEMICONDUCTOR |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
RS3L110ATTB1 | ROHM SEMICONDUCTOR |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
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RSA6.1ENTR | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Diode: TVS array; 6.1÷7.2V; 200W; quadruple,common anode; SOT353 Mounting: SMD Semiconductor structure: common anode; quadruple Case: SOT353 Version: ESD Kind of package: reel; tape Type of diode: TVS array Breakdown voltage: 6.1...7.2V Peak pulse power dissipation: 0.2kW Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 1184 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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RSC002P03T316 | ROHM SEMICONDUCTOR |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
RQ6E045BNTCR |
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Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RQ6E045BNTCR SMD N channel transistors
RQ6E045BNTCR SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
RQ6E050ATTCR |
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Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RQ6E050ATTCR SMD P channel transistors
RQ6E050ATTCR SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
RQ6E055BNTCR |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RQ6E055BNTCR SMD N channel transistors
RQ6E055BNTCR SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
RQ6E080AJTCR |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RQ6E080AJTCR SMD N channel transistors
RQ6E080AJTCR SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
RQ6E085BNTCR |
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Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RQ6E085BNTCR SMD N channel transistors
RQ6E085BNTCR SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
RQ6L020SPTCR |
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Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2A; Idm: -8A; 1.25W; TSMT6
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -2A
Pulsed drain current: -8A
Power dissipation: 1.25W
Case: TSMT6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 266mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2A; Idm: -8A; 1.25W; TSMT6
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -2A
Pulsed drain current: -8A
Power dissipation: 1.25W
Case: TSMT6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 266mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
RQ6L035ATTCR |
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Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RQ6L035ATTCR SMD P channel transistors
RQ6L035ATTCR SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
RQ6P015SPTR |
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Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RQ6P015SPTR SMD P channel transistors
RQ6P015SPTR SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
RR264MM-400TR |
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Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RR264MM-400TR SMD universal diodes
RR264MM-400TR SMD universal diodes
auf Bestellung 6010 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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118+ | 0.61 EUR |
857+ | 0.084 EUR |
906+ | 0.079 EUR |
RR601BM4SFHTL |
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Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 400V; 6A; DPAK; Ufmax: 1.1V; Ifsm: 40A
Type of diode: rectifying
Case: DPAK
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.4kV
Load current: 6A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 40A
Kind of package: reel; tape
Max. forward voltage: 1.1V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 400V; 6A; DPAK; Ufmax: 1.1V; Ifsm: 40A
Type of diode: rectifying
Case: DPAK
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.4kV
Load current: 6A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 40A
Kind of package: reel; tape
Max. forward voltage: 1.1V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
RR601BM4STL |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 400V; 6A; DPAK; Ufmax: 1.1V; Ifsm: 40A
Type of diode: rectifying
Case: DPAK
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.4kV
Load current: 6A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 40A
Kind of package: reel; tape
Max. forward voltage: 1.1V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 400V; 6A; DPAK; Ufmax: 1.1V; Ifsm: 40A
Type of diode: rectifying
Case: DPAK
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.4kV
Load current: 6A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 40A
Kind of package: reel; tape
Max. forward voltage: 1.1V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
RRD07MM4STR |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RRD07MM4STR SMD universal diodes
RRD07MM4STR SMD universal diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
RRE02VSM4STR |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RRE02VSM4STR SMD universal diodes
RRE02VSM4STR SMD universal diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
RRE02VSM6STR |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RRE02VSM6STR SMD universal diodes
RRE02VSM6STR SMD universal diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
RRE02VTM4SFHTR |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RRE02VTM4SFHTR SMD universal diodes
RRE02VTM4SFHTR SMD universal diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
RRE02VTM6SFHTR |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RRE02VTM6SFHTR SMD universal diodes
RRE02VTM6SFHTR SMD universal diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
RRE04EA4DFHTR |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RRE04EA4DFHTR SMD universal diodes
RRE04EA4DFHTR SMD universal diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
RRE04EA6DTR |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RRE04EA6DTR SMD universal diodes
RRE04EA6DTR SMD universal diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
RRE07VSM4STR |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RRE07VSM4STR SMD universal diodes
RRE07VSM4STR SMD universal diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
RRE07VSM6STR |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RRE07VSM6STR SMD universal diodes
RRE07VSM6STR SMD universal diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
RRE07VTM4SFHTR |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RRE07VTM4SFHTR SMD universal diodes
RRE07VTM4SFHTR SMD universal diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
RRE07VTM6SFHTR |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RRE07VTM6SFHTR SMD universal diodes
RRE07VTM6SFHTR SMD universal diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
RRF015P03TL |
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Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RRF015P03TL SMD P channel transistors
RRF015P03TL SMD P channel transistors
auf Bestellung 1035 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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122+ | 0.59 EUR |
426+ | 0.17 EUR |
451+ | 0.16 EUR |
9000+ | 0.15 EUR |
RRH050P03GZETB |
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Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5A; Idm: -20A; 2W; SOP8; ESD
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -5A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 2W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5A; Idm: -20A; 2W; SOP8; ESD
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -5A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 2W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Stück im Wert von UAH
RRH090P03TB1 |
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Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RRH090P03TB1 SMD P channel transistors
RRH090P03TB1 SMD P channel transistors
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Stück im Wert von UAH
RRH100P03GZETB |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RRH100P03GZETB SMD P channel transistors
RRH100P03GZETB SMD P channel transistors
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Stück im Wert von UAH
RRH100P03TB1 |
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Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RRH100P03TB1 SMD P channel transistors
RRH100P03TB1 SMD P channel transistors
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Stück im Wert von UAH
RRH140P03GZETB |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -14A; Idm: -56A; 2W; SOP8; ESD
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -14A
Pulsed drain current: -56A
Power dissipation: 2W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 150nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -14A; Idm: -56A; 2W; SOP8; ESD
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -14A
Pulsed drain current: -56A
Power dissipation: 2W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 150nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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RRH140P03TB1 |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -14A; Idm: -56A; 2W; SOP8; ESD
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -14A
Pulsed drain current: -56A
Power dissipation: 2W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 150nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -14A; Idm: -56A; 2W; SOP8; ESD
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -14A
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Power dissipation: 2W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 150nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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Stück im Wert von UAH
RRL035P03FRATR |
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Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RRL035P03FRATR SMD P channel transistors
RRL035P03FRATR SMD P channel transistors
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Stück im Wert von UAH
RRL035P03TR |
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Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RRL035P03TR SMD P channel transistors
RRL035P03TR SMD P channel transistors
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RRQ030P03FRATR |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RRQ030P03FRATR SMD P channel transistors
RRQ030P03FRATR SMD P channel transistors
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RRR030P03FRATL |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RRR030P03FRATL SMD P channel transistors
RRR030P03FRATL SMD P channel transistors
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Stück im Wert von UAH
RRR030P03HZGTL |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3A; Idm: -12A; 1W; SOT346; ESD
Mounting: SMD
Case: SOT346
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3A
On-state resistance: 75mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Gate charge: 5.2nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -12A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3A; Idm: -12A; 1W; SOT346; ESD
Mounting: SMD
Case: SOT346
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3A
On-state resistance: 75mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Gate charge: 5.2nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -12A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2990 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
77+ | 0.93 EUR |
116+ | 0.62 EUR |
237+ | 0.3 EUR |
252+ | 0.28 EUR |
6000+ | 0.27 EUR |
RRR040P03FRATL |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -4A; Idm: -16A; 1W; SOT346
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -4A
Pulsed drain current: -16A
Power dissipation: 1W
Case: SOT346
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -4A; Idm: -16A; 1W; SOT346
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -4A
Pulsed drain current: -16A
Power dissipation: 1W
Case: SOT346
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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RRS100P03HZGTB |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RRS100P03HZGTB SMD P channel transistors
RRS100P03HZGTB SMD P channel transistors
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RS1E150GNTB |
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Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RS1E150GNTB SMD N channel transistors
RS1E150GNTB SMD N channel transistors
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RS1E220ATTB1 |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RS1E220ATTB1 SMD P channel transistors
RS1E220ATTB1 SMD P channel transistors
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Stück im Wert von UAH
RS1E280BNTB |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RS1E280BNTB SMD N channel transistors
RS1E280BNTB SMD N channel transistors
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RS1E280GNTB |
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Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RS1E280GNTB SMD N channel transistors
RS1E280GNTB SMD N channel transistors
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RS1E301GNTB1 |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RS1E301GNTB1 SMD N channel transistors
RS1E301GNTB1 SMD N channel transistors
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RS1E321GNTB1 |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RS1E321GNTB1 SMD N channel transistors
RS1E321GNTB1 SMD N channel transistors
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Stück im Wert von UAH
RS1E350BNTB |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RS1E350BNTB SMD N channel transistors
RS1E350BNTB SMD N channel transistors
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Stück im Wert von UAH
RS1G120MNTB |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 34A; Idm: 48A; 25W; HSOP8
Mounting: SMD
Case: HSOP8
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 48A
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 34A
On-state resistance: 20.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 25W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 9.4nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 34A; Idm: 48A; 25W; HSOP8
Mounting: SMD
Case: HSOP8
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 48A
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 34A
On-state resistance: 20.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 25W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 9.4nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Stück im Wert von UAH
RS1G150MNTB |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 43A; Idm: 60A; 25W; HSOP8
Mounting: SMD
Case: HSOP8
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 60A
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 43A
On-state resistance: 13.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 25W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 15nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 43A; Idm: 60A; 25W; HSOP8
Mounting: SMD
Case: HSOP8
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 60A
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 43A
On-state resistance: 13.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 25W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 15nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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Stück im Wert von UAH
RS1G180MNTB |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 57A; Idm: 72A; 30W; HSOP8
Mounting: SMD
Case: HSOP8
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 72A
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 57A
On-state resistance: 9.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 30W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 19.5nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 57A; Idm: 72A; 30W; HSOP8
Mounting: SMD
Case: HSOP8
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 72A
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 57A
On-state resistance: 9.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 30W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 19.5nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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Stück im Wert von UAH
RS1G201ATTB1 |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -78A; Idm: -80A; 40W; HSOP8
Mounting: SMD
Case: HSOP8
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: -80A
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -78A
On-state resistance: 6.5mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 40W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 130nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -78A; Idm: -80A; 40W; HSOP8
Mounting: SMD
Case: HSOP8
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: -80A
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -78A
On-state resistance: 6.5mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 40W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 130nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
RS1G260MNTB |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 80A; Idm: 104A; 35W; HSOP8
Mounting: SMD
Case: HSOP8
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 104A
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 80A
On-state resistance: 4.4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 35W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 44nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 80A; Idm: 104A; 35W; HSOP8
Mounting: SMD
Case: HSOP8
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 104A
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 80A
On-state resistance: 4.4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 35W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 44nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
RS1G300GNTB |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 80A; Idm: 120A; 35W; HSOP8
Mounting: SMD
Case: HSOP8
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 120A
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 80A
On-state resistance: 3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 35W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 56.8nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 80A; Idm: 120A; 35W; HSOP8
Mounting: SMD
Case: HSOP8
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 120A
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 80A
On-state resistance: 3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 35W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 56.8nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
RS1L120GNTB |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RS1L120GNTB SMD N channel transistors
RS1L120GNTB SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
RS1L145GNTB |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RS1L145GNTB SMD N channel transistors
RS1L145GNTB SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
RS1L151ATTB1 |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RS1L151ATTB1 SMD P channel transistors
RS1L151ATTB1 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
RS1L180GNTB |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RS1L180GNTB SMD N channel transistors
RS1L180GNTB SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
RS1P600BETB1 |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 60A; Idm: 70A; 35W; HSOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 35W
Case: HSOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 33nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 60A; Idm: 70A; 35W; HSOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 35W
Case: HSOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 33nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
RS3E075ATTB |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RS3E075ATTB SMD P channel transistors
RS3E075ATTB SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
RS3E180ATTB1 |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RS3E180ATTB1 SMD P channel transistors
RS3E180ATTB1 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
RS3G160ATTB1 |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RS3G160ATTB1 SMD P channel transistors
RS3G160ATTB1 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
RS3L110ATTB1 |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RS3L110ATTB1 SMD P channel transistors
RS3L110ATTB1 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
RSA6.1ENTR |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 6.1÷7.2V; 200W; quadruple,common anode; SOT353
Mounting: SMD
Semiconductor structure: common anode; quadruple
Case: SOT353
Version: ESD
Kind of package: reel; tape
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 6.1...7.2V
Peak pulse power dissipation: 0.2kW
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 6.1÷7.2V; 200W; quadruple,common anode; SOT353
Mounting: SMD
Semiconductor structure: common anode; quadruple
Case: SOT353
Version: ESD
Kind of package: reel; tape
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 6.1...7.2V
Peak pulse power dissipation: 0.2kW
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1184 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
120+ | 0.6 EUR |
176+ | 0.41 EUR |
266+ | 0.27 EUR |
676+ | 0.11 EUR |
715+ | 0.1 EUR |
15000+ | 0.096 EUR |
RSC002P03T316 |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RSC002P03T316 SMD P channel transistors
RSC002P03T316 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH