Produkte > ROHM SEMICONDUCTOR > Alle Produkte des Herstellers ROHM SEMICONDUCTOR (103556) > Seite 1493 nach 1726
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
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RFUH10NS4SFHTL | ROHM SEMICONDUCTOR | RFUH10NS4SFHTL SMD universal diodes |
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RFUH10NS4STL | ROHM SEMICONDUCTOR |
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RFUH20NS6SFHTL | ROHM SEMICONDUCTOR |
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RFUH20NS6STL | ROHM SEMICONDUCTOR |
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RFUH20TF6SFHC9 | ROHM SEMICONDUCTOR |
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RFUH20TJ6SGC9 | ROHM SEMICONDUCTOR |
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RFV30TG6SGC9 | ROHM SEMICONDUCTOR | RFV30TG6SGC9 THT universal diodes |
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RFV8BM6STL | ROHM SEMICONDUCTOR |
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RFVS8TG6SGC9 | ROHM SEMICONDUCTOR |
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RGC80TSX8RGC11 | ROHM SEMICONDUCTOR |
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RGCL60TS60DGC11 | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 55W; TO247-3 Gate charge: 68nC Turn-on time: 95ns Turn-off time: 479ns Collector current: 30A Gate-emitter voltage: ±30V Power dissipation: 55W Pulsed collector current: 120A Collector-emitter voltage: 600V Type of transistor: IGBT Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Mounting: THT Case: TO247-3 Kind of package: tube Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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RGCL80TS60DGC11 | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 74W; TO247-3 Turn-off time: 565ns Type of transistor: IGBT Turn-on time: 114ns Pulsed collector current: 160A Collector current: 40A Gate-emitter voltage: ±30V Collector-emitter voltage: 600V Case: TO247-3 Mounting: THT Power dissipation: 74W Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Gate charge: 98nC Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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RGPR30BM40HRTL | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: IGBT; 430V; 30A; 125W; TO252; ESD Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 430V Collector current: 30A Power dissipation: 125W Case: TO252 Gate-emitter voltage: ±10V Mounting: SMD Gate charge: 22nC Kind of package: reel; tape Turn-on time: 1µs Turn-off time: 9.5µs Features of semiconductor devices: internally clamped; logic level Application: automotive industry; ignition systems Version: ESD Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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RGS00TS65DHRC11 | ROHM SEMICONDUCTOR |
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RGS00TS65EHRC11 | ROHM SEMICONDUCTOR |
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RGS50TSX2DHRC11 | ROHM SEMICONDUCTOR |
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RGS50TSX2HRC11 | ROHM SEMICONDUCTOR |
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RGS60TS65DHRC11 | ROHM SEMICONDUCTOR |
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auf Bestellung 428 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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RGS80TS65DHRC11 | ROHM SEMICONDUCTOR |
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RGS80TSX2DHRC11 | ROHM SEMICONDUCTOR |
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RGS80TSX2HRC11 | ROHM SEMICONDUCTOR |
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RGT16BM65DTL | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: IGBT; 650V; 8A; 47W; TO252 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 8A Power dissipation: 47W Case: TO252 Gate-emitter voltage: ±30V Pulsed collector current: 24A Mounting: SMD Gate charge: 21nC Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Turn-on time: 27ns Turn-off time: 170ns Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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RGT16NL65DGTL | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: IGBT; 650V; 8A; 47W; TO263 Collector-emitter voltage: 650V Gate-emitter voltage: ±30V Collector current: 8A Pulsed collector current: 24A Turn-on time: 27ns Turn-off time: 170ns Type of transistor: IGBT Power dissipation: 47W Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Gate charge: 21nC Mounting: SMD Case: TO263 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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RGT16NS65DGTL | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: IGBT; 650V; 8A; 47W; LPDS Collector-emitter voltage: 650V Gate-emitter voltage: ±30V Collector current: 8A Pulsed collector current: 24A Turn-on time: 27ns Turn-off time: 170ns Type of transistor: IGBT Power dissipation: 47W Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Gate charge: 21nC Mounting: SMD Case: LPDS Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke |
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RGT30NL65DGTL | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: IGBT; 650V; 15A; 66W; TO263 Pulsed collector current: 45A Turn-on time: 40ns Turn-off time: 204ns Type of transistor: IGBT Power dissipation: 66W Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Gate charge: 32nC Mounting: SMD Case: TO263 Collector-emitter voltage: 650V Gate-emitter voltage: ±30V Collector current: 15A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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RGT30TM65DGC9 | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: IGBT; 650V; 8A; 16W; TO220NFM Pulsed collector current: 45A Turn-on time: 40ns Turn-off time: 204ns Type of transistor: IGBT Power dissipation: 16W Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Gate charge: 32nC Mounting: THT Case: TO220NFM Collector-emitter voltage: 650V Gate-emitter voltage: ±30V Collector current: 8A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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RGT40NS65DGTL | ROHM SEMICONDUCTOR |
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RGT50NL65DGTL | ROHM SEMICONDUCTOR |
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RGT50NS65DGC9 | ROHM SEMICONDUCTOR |
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RGT50NS65DGTL | ROHM SEMICONDUCTOR |
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RGT50TM65DGC9 | ROHM SEMICONDUCTOR |
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RGT8BM65DTL | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: IGBT; 650V; 8A; 31W; TO252 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 8A Power dissipation: 31W Case: TO252 Gate-emitter voltage: ±30V Pulsed collector current: 12A Mounting: SMD Gate charge: 13.5nC Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Turn-on time: 54ns Turn-off time: 158ns Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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RGTH00TS65DGC11 | ROHM SEMICONDUCTOR |
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RGTH40TS65DGC11 | ROHM SEMICONDUCTOR |
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RGTH40TS65GC11 | ROHM SEMICONDUCTOR |
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RGTH50TS65DGC11 | ROHM SEMICONDUCTOR |
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RGTH80TS65DGC11 | ROHM SEMICONDUCTOR |
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RGTV00TS65DGC11 | ROHM SEMICONDUCTOR |
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RGTV60TK65DGVC11 | ROHM SEMICONDUCTOR |
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RGTVX6TS65GC11 | ROHM SEMICONDUCTOR |
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RGW80TS65DGC11 | ROHM SEMICONDUCTOR |
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RGWX5TS65DGC11 | ROHM SEMICONDUCTOR |
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RHK003N06FRAT146 | ROHM SEMICONDUCTOR |
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RHP020N06FRAT100 | ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2A; Idm: 8A; 2W; MPT3 Polarisation: unipolar Case: MPT3 Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Gate charge: 7nC On-state resistance: 0.34Ω Drain current: 2A Power dissipation: 2W Pulsed drain current: 8A Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 60V Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 758 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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RHP020N06T100 | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2A; Idm: 8A; 2W; MPT3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 2A Pulsed drain current: 8A Power dissipation: 2W Case: MPT3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.34Ω Mounting: SMD Gate charge: 7nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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RHP030N03T100 | ROHM SEMICONDUCTOR |
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RHU002N06FRAT106 | ROHM SEMICONDUCTOR |
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RHU003N03FRAT106 | ROHM SEMICONDUCTOR |
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RJ1G12BGNTLL | ROHM SEMICONDUCTOR |
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RJ1L12BGNTLL | ROHM SEMICONDUCTOR | RJ1L12BGNTLL SMD N channel transistors |
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RJ1P12BBDTLL | ROHM SEMICONDUCTOR |
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RJK005N03FRAT146 | ROHM SEMICONDUCTOR |
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RJP020N06FRAT100 | ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2A; Idm: 8A; 2W; MPT3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 2A Pulsed drain current: 8A Power dissipation: 2W Case: MPT3 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 0.3Ω Mounting: SMD Gate charge: 5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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RJP020N06T100 | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2A; Idm: 8A; 2W; MPT3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 2A Pulsed drain current: 8A Power dissipation: 2W Case: MPT3 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 0.3Ω Mounting: SMD Gate charge: 5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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RJU002N06FRAT106 | ROHM SEMICONDUCTOR |
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RJU003N03FRAT106 | ROHM SEMICONDUCTOR |
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RK7002AT116 | ROHM SEMICONDUCTOR |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
RK7002BMHZGT116 | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 250mA; Idm: 1A; 350mW; SST3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Power dissipation: 0.35W Case: SST3 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 60V Pulsed drain current: 1A Drain current: 0.25A On-state resistance: 12Ω Gate-source voltage: ±20V Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
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RK7002BMT116 | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 250mA; Idm: 1A; 200/350mW; ESD Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Power dissipation: 200/350mW Drain current: 0.25A Pulsed drain current: 1A On-state resistance: 2.4Ω Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 60V Case: SOT23 Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 3166 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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RN141CMT2R | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Diode: switching; 50V; 0.1A; SOD923; single diode; Ufmax: 1V; 0.8pF Max. off-state voltage: 50V Load current: 0.1A Case: SOD923 Kind of package: reel; tape Max. forward voltage: 1V Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: PIN; RF Mounting: SMD Type of diode: switching Capacitance: 0.8pF Leakage current: 0.1µA Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 7815 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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RFUH10NS4SFHTL |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RFUH10NS4SFHTL SMD universal diodes
RFUH10NS4SFHTL SMD universal diodes
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
RFUH10NS4STL |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RFUH10NS4STL SMD universal diodes
RFUH10NS4STL SMD universal diodes
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
RFUH20NS6SFHTL |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RFUH20NS6SFHTL SMD universal diodes
RFUH20NS6SFHTL SMD universal diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
RFUH20NS6STL |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RFUH20NS6STL SMD universal diodes
RFUH20NS6STL SMD universal diodes
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
RFUH20TF6SFHC9 |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RFUH20TF6SFHC9 THT universal diodes
RFUH20TF6SFHC9 THT universal diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
RFUH20TJ6SGC9 |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RFUH20TJ6SGC9 THT universal diodes
RFUH20TJ6SGC9 THT universal diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
RFV30TG6SGC9 |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RFV30TG6SGC9 THT universal diodes
RFV30TG6SGC9 THT universal diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
RFV8BM6STL |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RFV8BM6STL SMD universal diodes
RFV8BM6STL SMD universal diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
RFVS8TG6SGC9 |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RFVS8TG6SGC9 THT universal diodes
RFVS8TG6SGC9 THT universal diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
RGC80TSX8RGC11 |
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Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RGC80TSX8RGC11 THT IGBT transistors
RGC80TSX8RGC11 THT IGBT transistors
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
RGCL60TS60DGC11 |
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Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 55W; TO247-3
Gate charge: 68nC
Turn-on time: 95ns
Turn-off time: 479ns
Collector current: 30A
Gate-emitter voltage: ±30V
Power dissipation: 55W
Pulsed collector current: 120A
Collector-emitter voltage: 600V
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 55W; TO247-3
Gate charge: 68nC
Turn-on time: 95ns
Turn-off time: 479ns
Collector current: 30A
Gate-emitter voltage: ±30V
Power dissipation: 55W
Pulsed collector current: 120A
Collector-emitter voltage: 600V
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
RGCL80TS60DGC11 |
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Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 74W; TO247-3
Turn-off time: 565ns
Type of transistor: IGBT
Turn-on time: 114ns
Pulsed collector current: 160A
Collector current: 40A
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector-emitter voltage: 600V
Case: TO247-3
Mounting: THT
Power dissipation: 74W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 98nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 74W; TO247-3
Turn-off time: 565ns
Type of transistor: IGBT
Turn-on time: 114ns
Pulsed collector current: 160A
Collector current: 40A
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector-emitter voltage: 600V
Case: TO247-3
Mounting: THT
Power dissipation: 74W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 98nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
RGPR30BM40HRTL |
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Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 430V; 30A; 125W; TO252; ESD
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 430V
Collector current: 30A
Power dissipation: 125W
Case: TO252
Gate-emitter voltage: ±10V
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 1µs
Turn-off time: 9.5µs
Features of semiconductor devices: internally clamped; logic level
Application: automotive industry; ignition systems
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 430V; 30A; 125W; TO252; ESD
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 430V
Collector current: 30A
Power dissipation: 125W
Case: TO252
Gate-emitter voltage: ±10V
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 1µs
Turn-off time: 9.5µs
Features of semiconductor devices: internally clamped; logic level
Application: automotive industry; ignition systems
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
RGS00TS65DHRC11 |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RGS00TS65DHRC11 THT IGBT transistors
RGS00TS65DHRC11 THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
RGS00TS65EHRC11 |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RGS00TS65EHRC11 THT IGBT transistors
RGS00TS65EHRC11 THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
RGS50TSX2DHRC11 |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RGS50TSX2DHRC11 THT IGBT transistors
RGS50TSX2DHRC11 THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
RGS50TSX2HRC11 |
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Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RGS50TSX2HRC11 THT IGBT transistors
RGS50TSX2HRC11 THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
RGS60TS65DHRC11 |
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Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RGS60TS65DHRC11 THT IGBT transistors
RGS60TS65DHRC11 THT IGBT transistors
auf Bestellung 428 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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9+ | 7.95 EUR |
14+ | 5.15 EUR |
450+ | 5.09 EUR |
RGS80TS65DHRC11 |
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Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RGS80TS65DHRC11 THT IGBT transistors
RGS80TS65DHRC11 THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
RGS80TSX2DHRC11 |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RGS80TSX2DHRC11 THT IGBT transistors
RGS80TSX2DHRC11 THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
RGS80TSX2HRC11 |
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Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RGS80TSX2HRC11 THT IGBT transistors
RGS80TSX2HRC11 THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
RGT16BM65DTL |
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Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 8A; 47W; TO252
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 8A
Power dissipation: 47W
Case: TO252
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 24A
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 27ns
Turn-off time: 170ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 8A; 47W; TO252
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 8A
Power dissipation: 47W
Case: TO252
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 24A
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 27ns
Turn-off time: 170ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Stück im Wert von UAH
RGT16NL65DGTL |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 8A; 47W; TO263
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector current: 8A
Pulsed collector current: 24A
Turn-on time: 27ns
Turn-off time: 170ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 47W
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 21nC
Mounting: SMD
Case: TO263
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 8A; 47W; TO263
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector current: 8A
Pulsed collector current: 24A
Turn-on time: 27ns
Turn-off time: 170ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 47W
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 21nC
Mounting: SMD
Case: TO263
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Stück im Wert von UAH
RGT16NS65DGTL |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 8A; 47W; LPDS
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector current: 8A
Pulsed collector current: 24A
Turn-on time: 27ns
Turn-off time: 170ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 47W
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 21nC
Mounting: SMD
Case: LPDS
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 8A; 47W; LPDS
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector current: 8A
Pulsed collector current: 24A
Turn-on time: 27ns
Turn-off time: 170ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 47W
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 21nC
Mounting: SMD
Case: LPDS
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
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RGT30NL65DGTL |
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Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 15A; 66W; TO263
Pulsed collector current: 45A
Turn-on time: 40ns
Turn-off time: 204ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 66W
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 32nC
Mounting: SMD
Case: TO263
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector current: 15A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 15A; 66W; TO263
Pulsed collector current: 45A
Turn-on time: 40ns
Turn-off time: 204ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 66W
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 32nC
Mounting: SMD
Case: TO263
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector current: 15A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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RGT30TM65DGC9 |
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Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 8A; 16W; TO220NFM
Pulsed collector current: 45A
Turn-on time: 40ns
Turn-off time: 204ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 16W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 32nC
Mounting: THT
Case: TO220NFM
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector current: 8A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 8A; 16W; TO220NFM
Pulsed collector current: 45A
Turn-on time: 40ns
Turn-off time: 204ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 16W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 32nC
Mounting: THT
Case: TO220NFM
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector current: 8A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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RGT40NS65DGTL |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RGT40NS65DGTL SMD IGBT transistors
RGT40NS65DGTL SMD IGBT transistors
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RGT50NL65DGTL |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RGT50NL65DGTL SMD IGBT transistors
RGT50NL65DGTL SMD IGBT transistors
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RGT50NS65DGC9 |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RGT50NS65DGC9 THT IGBT transistors
RGT50NS65DGC9 THT IGBT transistors
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RGT50NS65DGTL |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RGT50NS65DGTL SMD IGBT transistors
RGT50NS65DGTL SMD IGBT transistors
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RGT50TM65DGC9 |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RGT50TM65DGC9 SMD IGBT transistors
RGT50TM65DGC9 SMD IGBT transistors
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RGT8BM65DTL |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 8A; 31W; TO252
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 8A
Power dissipation: 31W
Case: TO252
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 12A
Mounting: SMD
Gate charge: 13.5nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 158ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 8A; 31W; TO252
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 8A
Power dissipation: 31W
Case: TO252
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 12A
Mounting: SMD
Gate charge: 13.5nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 158ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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RGTH00TS65DGC11 |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RGTH00TS65DGC11 THT IGBT transistors
RGTH00TS65DGC11 THT IGBT transistors
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Stück im Wert von UAH
RGTH40TS65DGC11 |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RGTH40TS65DGC11 THT IGBT transistors
RGTH40TS65DGC11 THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
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Stück im Wert von UAH
RGTH40TS65GC11 |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RGTH40TS65GC11 THT IGBT transistors
RGTH40TS65GC11 THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
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Stück im Wert von UAH
RGTH50TS65DGC11 |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RGTH50TS65DGC11 THT IGBT transistors
RGTH50TS65DGC11 THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
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Stück im Wert von UAH
RGTH80TS65DGC11 |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RGTH80TS65DGC11 THT IGBT transistors
RGTH80TS65DGC11 THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
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Stück im Wert von UAH
RGTV00TS65DGC11 |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RGTV00TS65DGC11 THT IGBT transistors
RGTV00TS65DGC11 THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
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Stück im Wert von UAH
RGTV60TK65DGVC11 |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RGTV60TK65DGVC11 THT IGBT transistors
RGTV60TK65DGVC11 THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
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Stück im Wert von UAH
RGTVX6TS65GC11 |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RGTVX6TS65GC11 THT IGBT transistors
RGTVX6TS65GC11 THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
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Stück im Wert von UAH
RGW80TS65DGC11 |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RGW80TS65DGC11 THT IGBT transistors
RGW80TS65DGC11 THT IGBT transistors
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Stück im Wert von UAH
RGWX5TS65DGC11 |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RGWX5TS65DGC11 THT IGBT transistors
RGWX5TS65DGC11 THT IGBT transistors
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
RHK003N06FRAT146 |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RHK003N06FRAT146 SMD N channel transistors
RHK003N06FRAT146 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
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Stück im Wert von UAH
RHP020N06FRAT100 |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2A; Idm: 8A; 2W; MPT3
Polarisation: unipolar
Case: MPT3
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 7nC
On-state resistance: 0.34Ω
Drain current: 2A
Power dissipation: 2W
Pulsed drain current: 8A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2A; Idm: 8A; 2W; MPT3
Polarisation: unipolar
Case: MPT3
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 7nC
On-state resistance: 0.34Ω
Drain current: 2A
Power dissipation: 2W
Pulsed drain current: 8A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 758 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
167+ | 0.43 EUR |
176+ | 0.41 EUR |
198+ | 0.36 EUR |
215+ | 0.33 EUR |
228+ | 0.31 EUR |
1000+ | 0.3 EUR |
RHP020N06T100 |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2A; Idm: 8A; 2W; MPT3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 2W
Case: MPT3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.34Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2A; Idm: 8A; 2W; MPT3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 2W
Case: MPT3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.34Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
RHP030N03T100 |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RHP030N03T100 SMD N channel transistors
RHP030N03T100 SMD N channel transistors
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Stück im Wert von UAH
RHU002N06FRAT106 |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RHU002N06FRAT106 SMD N channel transistors
RHU002N06FRAT106 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
RHU003N03FRAT106 |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RHU003N03FRAT106 SMD N channel transistors
RHU003N03FRAT106 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
RJ1G12BGNTLL |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RJ1G12BGNTLL SMD N channel transistors
RJ1G12BGNTLL SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
RJ1L12BGNTLL |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RJ1L12BGNTLL SMD N channel transistors
RJ1L12BGNTLL SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
RJ1P12BBDTLL |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RJ1P12BBDTLL SMD N channel transistors
RJ1P12BBDTLL SMD N channel transistors
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Stück im Wert von UAH
RJK005N03FRAT146 |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RJK005N03FRAT146 SMD N channel transistors
RJK005N03FRAT146 SMD N channel transistors
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Stück im Wert von UAH
RJP020N06FRAT100 |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2A; Idm: 8A; 2W; MPT3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 2W
Case: MPT3
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2A; Idm: 8A; 2W; MPT3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 2A
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Power dissipation: 2W
Case: MPT3
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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Stück im Wert von UAH
RJP020N06T100 |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2A; Idm: 8A; 2W; MPT3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 2W
Case: MPT3
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2A; Idm: 8A; 2W; MPT3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 2W
Case: MPT3
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
RJU002N06FRAT106 |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RJU002N06FRAT106 SMD N channel transistors
RJU002N06FRAT106 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
RJU003N03FRAT106 |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RJU003N03FRAT106 SMD N channel transistors
RJU003N03FRAT106 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
RK7002AT116 |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RK7002AT116 SMD N channel transistors
RK7002AT116 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
RK7002BMHZGT116 |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 250mA; Idm: 1A; 350mW; SST3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.35W
Case: SST3
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 60V
Pulsed drain current: 1A
Drain current: 0.25A
On-state resistance: 12Ω
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 250mA; Idm: 1A; 350mW; SST3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.35W
Case: SST3
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 60V
Pulsed drain current: 1A
Drain current: 0.25A
On-state resistance: 12Ω
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
RK7002BMT116 |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 250mA; Idm: 1A; 200/350mW; ESD
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 200/350mW
Drain current: 0.25A
Pulsed drain current: 1A
On-state resistance: 2.4Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Case: SOT23
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 250mA; Idm: 1A; 200/350mW; ESD
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 200/350mW
Drain current: 0.25A
Pulsed drain current: 1A
On-state resistance: 2.4Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Case: SOT23
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3166 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
417+ | 0.17 EUR |
582+ | 0.12 EUR |
685+ | 0.1 EUR |
958+ | 0.075 EUR |
1112+ | 0.064 EUR |
1916+ | 0.037 EUR |
2025+ | 0.035 EUR |
RN141CMT2R |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 50V; 0.1A; SOD923; single diode; Ufmax: 1V; 0.8pF
Max. off-state voltage: 50V
Load current: 0.1A
Case: SOD923
Kind of package: reel; tape
Max. forward voltage: 1V
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: PIN; RF
Mounting: SMD
Type of diode: switching
Capacitance: 0.8pF
Leakage current: 0.1µA
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 50V; 0.1A; SOD923; single diode; Ufmax: 1V; 0.8pF
Max. off-state voltage: 50V
Load current: 0.1A
Case: SOD923
Kind of package: reel; tape
Max. forward voltage: 1V
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: PIN; RF
Mounting: SMD
Type of diode: switching
Capacitance: 0.8pF
Leakage current: 0.1µA
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 7815 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
250+ | 0.29 EUR |
305+ | 0.23 EUR |
348+ | 0.21 EUR |
407+ | 0.18 EUR |
506+ | 0.14 EUR |
848+ | 0.084 EUR |
893+ | 0.08 EUR |