Produkte > ROHM SEMICONDUCTOR > Alle Produkte des Herstellers ROHM SEMICONDUCTOR (102584) > Seite 1488 nach 1710
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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RRH050P03GZETB | ROHM SEMICONDUCTOR |
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RRH090P03TB1 | ROHM SEMICONDUCTOR |
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RRH100P03GZETB | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -10A; Idm: -40A; 2W; SOP8; ESD Polarisation: unipolar Case: SOP8 Kind of package: reel; tape Version: ESD Gate charge: 68nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -40A Type of transistor: P-MOSFET On-state resistance: 12.6mΩ Drain current: -10A Drain-source voltage: -30V Power dissipation: 2W Mounting: SMD Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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RRH100P03TB1 | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -10A; Idm: -40A; 2W; SOP8; ESD Polarisation: unipolar Case: SOP8 Kind of package: reel; tape Version: ESD Gate charge: 68nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -40A Type of transistor: P-MOSFET On-state resistance: 12.6mΩ Drain current: -10A Drain-source voltage: -30V Power dissipation: 2W Mounting: SMD Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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RRH140P03GZETB | ROHM SEMICONDUCTOR |
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RRH140P03TB1 | ROHM SEMICONDUCTOR |
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RRL035P03FRATR | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.5A; Idm: -14A; 1W; SOT363 Mounting: SMD Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Version: ESD Gate charge: 14nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -14A Case: SOT363 Drain-source voltage: -30V Drain current: -3.5A On-state resistance: 50mΩ Type of transistor: P-MOSFET Application: automotive industry Power dissipation: 1W Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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RRL035P03TR | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.5A; Idm: -14A; 1W; SOT363 Mounting: SMD Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Version: ESD Gate charge: 8nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -14A Case: SOT363 Drain-source voltage: -30V Drain current: -3.5A On-state resistance: 50mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 1W Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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RRQ030P03FRATR | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3A; Idm: -12A; 1.25W; SOT457 Polarisation: unipolar Type of transistor: P-MOSFET Application: automotive industry Power dissipation: 1.25W Kind of package: reel; tape Version: ESD Gate charge: 5.2nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -12A Mounting: SMD Case: SOT457 Drain-source voltage: -30V Drain current: -3A On-state resistance: 75mΩ Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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RRR030P03FRATL | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3A; Idm: -12A; 1W; SOT346 Polarisation: unipolar Type of transistor: P-MOSFET Application: automotive industry Power dissipation: 1W Kind of package: reel; tape Version: ESD Gate charge: 5.2nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -12A Mounting: SMD Case: SOT346 Drain-source voltage: -30V Drain current: -3A On-state resistance: 75mΩ Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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RRR030P03HZGTL | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3A; Idm: -12A; 1W; SOT346; ESD Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -3A Pulsed drain current: -12A Power dissipation: 1W Case: SOT346 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 75mΩ Mounting: SMD Gate charge: 5.2nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 2991 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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RRR040P03FRATL | ROHM SEMICONDUCTOR | RRR040P03FRATL SMD P channel transistors |
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RRS100P03HZGTB | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -10A; Idm: -40A; 2W; SOP8; ESD Case: SOP8 Drain-source voltage: -30V Drain current: -10A On-state resistance: 12.6mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 2W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Version: ESD Gate charge: 39nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -40A Mounting: SMD Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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RS1E150GNTB | ROHM SEMICONDUCTOR |
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RS1E220ATTB1 | ROHM SEMICONDUCTOR |
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RS1E280BNTB | ROHM SEMICONDUCTOR |
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RS1E280GNTB | ROHM SEMICONDUCTOR |
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RS1E301GNTB1 | ROHM SEMICONDUCTOR |
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RS1E321GNTB1 | ROHM SEMICONDUCTOR |
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RS1E350BNTB | ROHM SEMICONDUCTOR |
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RS1G120MNTB | ROHM SEMICONDUCTOR |
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RS1G150MNTB | ROHM SEMICONDUCTOR |
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RS1G180MNTB | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 57A; Idm: 72A; 30W; HSOP8 Case: HSOP8 Drain-source voltage: 40V Drain current: 57A On-state resistance: 9.2mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 30W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 19.5nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 72A Mounting: SMD Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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RS1G201ATTB1 | ROHM SEMICONDUCTOR |
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RS1G260MNTB | ROHM SEMICONDUCTOR |
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RS1G300GNTB | ROHM SEMICONDUCTOR |
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RS1L120GNTB | ROHM SEMICONDUCTOR |
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RS1L145GNTB | ROHM SEMICONDUCTOR |
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RS1L151ATTB1 | ROHM SEMICONDUCTOR |
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RS1L180GNTB | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 68A; Idm: 72A; 39W; HSOP8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 68A Power dissipation: 39W Case: HSOP8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 8.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 63nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 72A Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke |
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RS1P600BETB1 | ROHM SEMICONDUCTOR |
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RS3E075ATTB | ROHM SEMICONDUCTOR |
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RS3E180ATTB1 | ROHM SEMICONDUCTOR |
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RS3G160ATTB1 | ROHM SEMICONDUCTOR |
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RS3L110ATTB1 | ROHM SEMICONDUCTOR |
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RSA6.1ENTR | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Diode: TVS array; 6.1÷7.2V; 200W; quadruple,common anode; SOT353 Mounting: SMD Breakdown voltage: 6.1...7.2V Kind of package: reel; tape Type of diode: TVS array Version: ESD Peak pulse power dissipation: 0.2kW Case: SOT353 Semiconductor structure: common anode; quadruple Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 1194 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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RSC002P03T316 | ROHM SEMICONDUCTOR |
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RSF010P05TL | ROHM SEMICONDUCTOR |
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RSF014N03TL | ROHM SEMICONDUCTOR |
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RSF015N06FRATL | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 45V; 1.5A; Idm: 6A; 800mW; TUMT3 Mounting: SMD Case: TUMT3 Drain-source voltage: 45V Drain current: 1.5A On-state resistance: 0.35Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 0.8W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 2nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 6A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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RSF015N06TL | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.5A; Idm: 6A; 800mW; TUMT3 Mounting: SMD Case: TUMT3 Drain-source voltage: 60V Drain current: 1.5A On-state resistance: 0.35Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 0.8W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 2nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 6A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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RSH065N06GZETB | ROHM SEMICONDUCTOR |
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RSH065N06TB1 | ROHM SEMICONDUCTOR |
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RSH070N05GZETB | ROHM SEMICONDUCTOR |
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RSH070N05TB1 | ROHM SEMICONDUCTOR |
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RSH070P05GZETB | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -45V; -7A; Idm: -28A; 2W; SOP8 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -45V Drain current: -7A Pulsed drain current: -28A Power dissipation: 2W Case: SOP8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 39mΩ Mounting: SMD Gate charge: 34nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke |
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RSH070P05TB1 | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -45V; -7A; Idm: -28A; 2W; SOP8 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -45V Drain current: -7A Pulsed drain current: -28A Power dissipation: 2W Case: SOP8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 39mΩ Mounting: SMD Gate charge: 34nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke |
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RSJ151P10TL | ROHM SEMICONDUCTOR |
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RSJ250P10FRATL | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -25A; Idm: -50A; 50W; TO263 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -25A Pulsed drain current: -50A Power dissipation: 50W Case: TO263 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 63mΩ Mounting: SMD Gate charge: 60nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Application: automotive industry Version: ESD Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 159 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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RSJ250P10TL | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -25A; Idm: -50A; 50W; D2PAK Drain-source voltage: -100V Drain current: -25A On-state resistance: 70mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 50W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 60nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -50A Mounting: SMD Case: D2PAK Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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RSJ400N06FRATL | ROHM SEMICONDUCTOR |
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RSJ400N10TL | ROHM SEMICONDUCTOR |
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RSJ550N10TL | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 55A; Idm: 110A; 100W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 55A Power dissipation: 100W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 18.9mΩ Mounting: SMD Gate charge: 143nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 110A Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke |
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RSJ650N10TL | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 65A; Idm: 130A; 100W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 65A Pulsed drain current: 130A Power dissipation: 100W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9.8mΩ Mounting: SMD Gate charge: 260nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke |
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RSM002N06T2L | ROHM SEMICONDUCTOR |
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RSM002P03T2L | ROHM SEMICONDUCTOR |
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RSQ015N06TR | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.5A; Idm: 6A; 1.25W; TSMT6 Mounting: SMD Case: TSMT6 Drain-source voltage: 60V Drain current: 1.5A On-state resistance: 0.35Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.25W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 2nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 6A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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RSQ015P10FRATR | ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -1.5A; Idm: -6A; 1.25W; TSMT6 Type of transistor: P-MOSFET Mounting: SMD Case: TSMT6 Drain-source voltage: -100V Drain current: -1.5A On-state resistance: 0.54Ω Power dissipation: 1.25W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 17nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -6A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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RSQ015P10HZGTR | ROHM SEMICONDUCTOR |
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RSQ020N03HZGTR | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2A; Idm: 8A; 1.25W; TSMT6 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 2A Pulsed drain current: 8A Power dissipation: 1.25W Case: TSMT6 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.235Ω Mounting: SMD Gate charge: 2.2nC Kind of channel: enhancement Kind of package: reel; tape Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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RRH050P03GZETB |
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Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RRH050P03GZETB SMD P channel transistors
RRH050P03GZETB SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
RRH090P03TB1 |
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Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RRH090P03TB1 SMD P channel transistors
RRH090P03TB1 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
RRH100P03GZETB |
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Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -10A; Idm: -40A; 2W; SOP8; ESD
Polarisation: unipolar
Case: SOP8
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Gate charge: 68nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -40A
Type of transistor: P-MOSFET
On-state resistance: 12.6mΩ
Drain current: -10A
Drain-source voltage: -30V
Power dissipation: 2W
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -10A; Idm: -40A; 2W; SOP8; ESD
Polarisation: unipolar
Case: SOP8
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Gate charge: 68nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -40A
Type of transistor: P-MOSFET
On-state resistance: 12.6mΩ
Drain current: -10A
Drain-source voltage: -30V
Power dissipation: 2W
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
RRH100P03TB1 |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -10A; Idm: -40A; 2W; SOP8; ESD
Polarisation: unipolar
Case: SOP8
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Gate charge: 68nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -40A
Type of transistor: P-MOSFET
On-state resistance: 12.6mΩ
Drain current: -10A
Drain-source voltage: -30V
Power dissipation: 2W
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -10A; Idm: -40A; 2W; SOP8; ESD
Polarisation: unipolar
Case: SOP8
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Gate charge: 68nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -40A
Type of transistor: P-MOSFET
On-state resistance: 12.6mΩ
Drain current: -10A
Drain-source voltage: -30V
Power dissipation: 2W
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
RRH140P03GZETB |
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Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RRH140P03GZETB SMD P channel transistors
RRH140P03GZETB SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
RRH140P03TB1 |
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Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RRH140P03TB1 SMD P channel transistors
RRH140P03TB1 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
RRL035P03FRATR |
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Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.5A; Idm: -14A; 1W; SOT363
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Gate charge: 14nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -14A
Case: SOT363
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.5A
On-state resistance: 50mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 1W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.5A; Idm: -14A; 1W; SOT363
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Gate charge: 14nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -14A
Case: SOT363
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.5A
On-state resistance: 50mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 1W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
RRL035P03TR |
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Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.5A; Idm: -14A; 1W; SOT363
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Gate charge: 8nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -14A
Case: SOT363
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.5A
On-state resistance: 50mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.5A; Idm: -14A; 1W; SOT363
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Gate charge: 8nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -14A
Case: SOT363
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.5A
On-state resistance: 50mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Stück im Wert von UAH
RRQ030P03FRATR |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3A; Idm: -12A; 1.25W; SOT457
Polarisation: unipolar
Type of transistor: P-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 1.25W
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Gate charge: 5.2nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -12A
Mounting: SMD
Case: SOT457
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3A
On-state resistance: 75mΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3A; Idm: -12A; 1.25W; SOT457
Polarisation: unipolar
Type of transistor: P-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 1.25W
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Gate charge: 5.2nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
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Mounting: SMD
Case: SOT457
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3A
On-state resistance: 75mΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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RRR030P03FRATL |
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Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3A; Idm: -12A; 1W; SOT346
Polarisation: unipolar
Type of transistor: P-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 1W
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Gate charge: 5.2nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -12A
Mounting: SMD
Case: SOT346
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3A
On-state resistance: 75mΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3A; Idm: -12A; 1W; SOT346
Polarisation: unipolar
Type of transistor: P-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 1W
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Version: ESD
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Case: SOT346
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On-state resistance: 75mΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3A; Idm: -12A; 1W; SOT346; ESD
Type of transistor: P-MOSFET
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Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3A; Idm: -12A; 1W; SOT346; ESD
Type of transistor: P-MOSFET
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Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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77+ | 0.93 EUR |
116+ | 0.62 EUR |
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RRR040P03FRATL |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RRR040P03FRATL SMD P channel transistors
RRR040P03FRATL SMD P channel transistors
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RRS100P03HZGTB |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -10A; Idm: -40A; 2W; SOP8; ESD
Case: SOP8
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -10A
On-state resistance: 12.6mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 2W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Gate charge: 39nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -40A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -10A; Idm: -40A; 2W; SOP8; ESD
Case: SOP8
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -10A
On-state resistance: 12.6mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 2W
Polarisation: unipolar
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Version: ESD
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Mounting: SMD
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RS1E150GNTB |
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Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RS1E150GNTB SMD N channel transistors
RS1E150GNTB SMD N channel transistors
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RS1E220ATTB1 |
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Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RS1E220ATTB1 SMD P channel transistors
RS1E220ATTB1 SMD P channel transistors
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RS1E280BNTB |
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Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RS1E280BNTB SMD N channel transistors
RS1E280BNTB SMD N channel transistors
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RS1E280GNTB |
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Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RS1E280GNTB SMD N channel transistors
RS1E280GNTB SMD N channel transistors
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RS1E301GNTB1 |
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Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RS1E301GNTB1 SMD N channel transistors
RS1E301GNTB1 SMD N channel transistors
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RS1E321GNTB1 |
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Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RS1E321GNTB1 SMD N channel transistors
RS1E321GNTB1 SMD N channel transistors
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RS1E350BNTB |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RS1E350BNTB SMD N channel transistors
RS1E350BNTB SMD N channel transistors
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Stück im Wert von UAH
RS1G120MNTB |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RS1G120MNTB SMD N channel transistors
RS1G120MNTB SMD N channel transistors
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Stück im Wert von UAH
RS1G150MNTB |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RS1G150MNTB SMD N channel transistors
RS1G150MNTB SMD N channel transistors
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RS1G180MNTB |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 57A; Idm: 72A; 30W; HSOP8
Case: HSOP8
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 57A
On-state resistance: 9.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 30W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 19.5nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 72A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 57A; Idm: 72A; 30W; HSOP8
Case: HSOP8
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 57A
On-state resistance: 9.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 30W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 19.5nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 72A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Stück im Wert von UAH
RS1G201ATTB1 |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RS1G201ATTB1 SMD P channel transistors
RS1G201ATTB1 SMD P channel transistors
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Stück im Wert von UAH
RS1G260MNTB |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RS1G260MNTB SMD N channel transistors
RS1G260MNTB SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
RS1G300GNTB |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RS1G300GNTB SMD N channel transistors
RS1G300GNTB SMD N channel transistors
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Stück im Wert von UAH
RS1L120GNTB |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RS1L120GNTB SMD N channel transistors
RS1L120GNTB SMD N channel transistors
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Stück im Wert von UAH
RS1L145GNTB |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RS1L145GNTB SMD N channel transistors
RS1L145GNTB SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
RS1L151ATTB1 |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RS1L151ATTB1 SMD P channel transistors
RS1L151ATTB1 SMD P channel transistors
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Stück im Wert von UAH
RS1L180GNTB |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 68A; Idm: 72A; 39W; HSOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 68A
Power dissipation: 39W
Case: HSOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 72A
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 68A; Idm: 72A; 39W; HSOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 68A
Power dissipation: 39W
Case: HSOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 72A
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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Stück im Wert von UAH
RS1P600BETB1 |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RS1P600BETB1 SMD N channel transistors
RS1P600BETB1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
RS3E075ATTB |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RS3E075ATTB SMD P channel transistors
RS3E075ATTB SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
RS3E180ATTB1 |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RS3E180ATTB1 SMD P channel transistors
RS3E180ATTB1 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
RS3G160ATTB1 |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RS3G160ATTB1 SMD P channel transistors
RS3G160ATTB1 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
RS3L110ATTB1 |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RS3L110ATTB1 SMD P channel transistors
RS3L110ATTB1 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
RSA6.1ENTR |
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Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 6.1÷7.2V; 200W; quadruple,common anode; SOT353
Mounting: SMD
Breakdown voltage: 6.1...7.2V
Kind of package: reel; tape
Type of diode: TVS array
Version: ESD
Peak pulse power dissipation: 0.2kW
Case: SOT353
Semiconductor structure: common anode; quadruple
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 6.1÷7.2V; 200W; quadruple,common anode; SOT353
Mounting: SMD
Breakdown voltage: 6.1...7.2V
Kind of package: reel; tape
Type of diode: TVS array
Version: ESD
Peak pulse power dissipation: 0.2kW
Case: SOT353
Semiconductor structure: common anode; quadruple
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1194 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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100+ | 0.72 EUR |
148+ | 0.48 EUR |
225+ | 0.32 EUR |
658+ | 0.11 EUR |
695+ | 0.10 EUR |
RSC002P03T316 |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RSC002P03T316 SMD P channel transistors
RSC002P03T316 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
RSF010P05TL |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RSF010P05TL SMD P channel transistors
RSF010P05TL SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
RSF014N03TL |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RSF014N03TL SMD N channel transistors
RSF014N03TL SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
RSF015N06FRATL |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 45V; 1.5A; Idm: 6A; 800mW; TUMT3
Mounting: SMD
Case: TUMT3
Drain-source voltage: 45V
Drain current: 1.5A
On-state resistance: 0.35Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.8W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 2nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 6A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 45V; 1.5A; Idm: 6A; 800mW; TUMT3
Mounting: SMD
Case: TUMT3
Drain-source voltage: 45V
Drain current: 1.5A
On-state resistance: 0.35Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.8W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 2nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 6A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
RSF015N06TL |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.5A; Idm: 6A; 800mW; TUMT3
Mounting: SMD
Case: TUMT3
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 1.5A
On-state resistance: 0.35Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.8W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 2nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 6A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.5A; Idm: 6A; 800mW; TUMT3
Mounting: SMD
Case: TUMT3
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 1.5A
On-state resistance: 0.35Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.8W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 2nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 6A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
RSH065N06GZETB |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RSH065N06GZETB SMD N channel transistors
RSH065N06GZETB SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
RSH065N06TB1 |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RSH065N06TB1 SMD N channel transistors
RSH065N06TB1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
RSH070N05GZETB |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RSH070N05GZETB SMD N channel transistors
RSH070N05GZETB SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
RSH070N05TB1 |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RSH070N05TB1 SMD N channel transistors
RSH070N05TB1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
RSH070P05GZETB |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -45V; -7A; Idm: -28A; 2W; SOP8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -45V
Drain current: -7A
Pulsed drain current: -28A
Power dissipation: 2W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 39mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 34nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -45V; -7A; Idm: -28A; 2W; SOP8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -45V
Drain current: -7A
Pulsed drain current: -28A
Power dissipation: 2W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 39mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 34nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
RSH070P05TB1 |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -45V; -7A; Idm: -28A; 2W; SOP8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -45V
Drain current: -7A
Pulsed drain current: -28A
Power dissipation: 2W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 39mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 34nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -45V; -7A; Idm: -28A; 2W; SOP8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -45V
Drain current: -7A
Pulsed drain current: -28A
Power dissipation: 2W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 39mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 34nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
RSJ151P10TL |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RSJ151P10TL SMD P channel transistors
RSJ151P10TL SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
RSJ250P10FRATL |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -25A; Idm: -50A; 50W; TO263
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -25A
Pulsed drain current: -50A
Power dissipation: 50W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 63mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 60nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -25A; Idm: -50A; 50W; TO263
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -25A
Pulsed drain current: -50A
Power dissipation: 50W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 63mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 60nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 159 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
28+ | 2.63 EUR |
38+ | 1.90 EUR |
50+ | 1.43 EUR |
53+ | 1.36 EUR |
200+ | 1.30 EUR |
RSJ250P10TL |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -25A; Idm: -50A; 50W; D2PAK
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -25A
On-state resistance: 70mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 50W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 60nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -50A
Mounting: SMD
Case: D2PAK
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -25A; Idm: -50A; 50W; D2PAK
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -25A
On-state resistance: 70mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 50W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 60nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -50A
Mounting: SMD
Case: D2PAK
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
RSJ400N06FRATL |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RSJ400N06FRATL SMD N channel transistors
RSJ400N06FRATL SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
RSJ400N10TL |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RSJ400N10TL SMD N channel transistors
RSJ400N10TL SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
RSJ550N10TL |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 55A; Idm: 110A; 100W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 55A
Power dissipation: 100W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 143nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 110A
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 55A; Idm: 110A; 100W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 55A
Power dissipation: 100W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 143nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 110A
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
RSJ650N10TL |
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Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 65A; Idm: 130A; 100W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 65A
Pulsed drain current: 130A
Power dissipation: 100W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 260nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 65A; Idm: 130A; 100W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 65A
Pulsed drain current: 130A
Power dissipation: 100W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 260nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
RSM002N06T2L |
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Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RSM002N06T2L SMD N channel transistors
RSM002N06T2L SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
RSM002P03T2L |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RSM002P03T2L SMD P channel transistors
RSM002P03T2L SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
RSQ015N06TR |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.5A; Idm: 6A; 1.25W; TSMT6
Mounting: SMD
Case: TSMT6
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 1.5A
On-state resistance: 0.35Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.25W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 2nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 6A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.5A; Idm: 6A; 1.25W; TSMT6
Mounting: SMD
Case: TSMT6
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 1.5A
On-state resistance: 0.35Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.25W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 2nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 6A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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Stück im Wert von UAH
RSQ015P10FRATR |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -1.5A; Idm: -6A; 1.25W; TSMT6
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Case: TSMT6
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -1.5A
On-state resistance: 0.54Ω
Power dissipation: 1.25W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 17nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -6A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -1.5A; Idm: -6A; 1.25W; TSMT6
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Case: TSMT6
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -1.5A
On-state resistance: 0.54Ω
Power dissipation: 1.25W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 17nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -6A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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Stück im Wert von UAH
RSQ015P10HZGTR |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RSQ015P10HZGTR SMD P channel transistors
RSQ015P10HZGTR SMD P channel transistors
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Stück im Wert von UAH
RSQ020N03HZGTR |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2A; Idm: 8A; 1.25W; TSMT6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 1.25W
Case: TSMT6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.235Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2.2nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2A; Idm: 8A; 1.25W; TSMT6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 1.25W
Case: TSMT6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.235Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2.2nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Stück im Wert von UAH