Produkte > ROHM SEMICONDUCTOR > Alle Produkte des Herstellers ROHM SEMICONDUCTOR (102584) > Seite 1486 nach 1710
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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RGT16NL65DGTL | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: IGBT; 650V; 8A; 47W; TO263 Collector-emitter voltage: 650V Gate-emitter voltage: ±30V Collector current: 8A Pulsed collector current: 24A Turn-on time: 27ns Turn-off time: 170ns Type of transistor: IGBT Power dissipation: 47W Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Gate charge: 21nC Mounting: SMD Case: TO263 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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RGT16NS65DGTL | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: IGBT; 650V; 8A; 47W; LPDS Collector-emitter voltage: 650V Gate-emitter voltage: ±30V Collector current: 8A Pulsed collector current: 24A Turn-on time: 27ns Turn-off time: 170ns Type of transistor: IGBT Power dissipation: 47W Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Gate charge: 21nC Mounting: SMD Case: LPDS Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke |
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RGT30NL65DGTL | ROHM SEMICONDUCTOR |
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RGT30TM65DGC9 | ROHM SEMICONDUCTOR |
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RGT40NS65DGTL | ROHM SEMICONDUCTOR |
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RGT50NL65DGTL | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: IGBT; 650V; 25A; 97W; TO263 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 25A Power dissipation: 97W Case: TO263 Gate-emitter voltage: ±30V Pulsed collector current: 75A Mounting: SMD Gate charge: 49nC Kind of package: reel; tape Turn-on time: 65ns Turn-off time: 210ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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RGT50NS65DGC9 | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: IGBT; 650V; 25A; 97W; TO262 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 25A Power dissipation: 97W Case: TO262 Gate-emitter voltage: ±30V Pulsed collector current: 75A Mounting: THT Gate charge: 49nC Kind of package: tube Turn-on time: 65ns Turn-off time: 210ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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RGT50NS65DGTL | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: IGBT; 650V; 25A; 97W; LPDS Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 25A Power dissipation: 97W Case: LPDS Gate-emitter voltage: ±30V Pulsed collector current: 75A Mounting: SMD Gate charge: 49nC Kind of package: reel; tape Turn-on time: 65ns Turn-off time: 210ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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RGT50TM65DGC9 | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: IGBT; 650V; 13A; 23W; TO220NFM Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 13A Power dissipation: 23W Case: TO220NFM Gate-emitter voltage: ±30V Pulsed collector current: 75A Mounting: SMD Gate charge: 49nC Kind of package: tube Turn-on time: 65ns Turn-off time: 210ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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RGT8BM65DTL | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: IGBT; 650V; 8A; 31W; TO252 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 8A Power dissipation: 31W Case: TO252 Gate-emitter voltage: ±30V Pulsed collector current: 12A Mounting: SMD Gate charge: 13.5nC Kind of package: reel; tape Turn-on time: 54ns Turn-off time: 158ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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RGTH00TS65DGC11 | ROHM SEMICONDUCTOR |
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RGTH40TS65DGC11 | ROHM SEMICONDUCTOR |
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RGTH40TS65GC11 | ROHM SEMICONDUCTOR |
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RGTH50TS65DGC11 | ROHM SEMICONDUCTOR |
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RGTH80TS65DGC11 | ROHM SEMICONDUCTOR |
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RGTV00TS65DGC11 | ROHM SEMICONDUCTOR |
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RGTV60TK65DGVC11 | ROHM SEMICONDUCTOR |
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RGTVX6TS65GC11 | ROHM SEMICONDUCTOR |
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RGW80TS65DGC11 | ROHM SEMICONDUCTOR |
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RGWX5TS65DGC11 | ROHM SEMICONDUCTOR |
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RHK003N06FRAT146 | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 300mA; Idm: 1.2A; 200mW; SMT3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.3A Pulsed drain current: 1.2A Power dissipation: 0.2W Case: SMT3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.5Ω Mounting: SMD Gate charge: 3nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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RHP020N06FRAT100 | ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2A; Idm: 8A; 2W; MPT3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 2A Pulsed drain current: 8A Power dissipation: 2W Case: MPT3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.34Ω Mounting: SMD Gate charge: 7nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 758 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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RHP020N06T100 | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2A; Idm: 8A; 2W; MPT3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 2A Pulsed drain current: 8A Power dissipation: 2W Case: MPT3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.34Ω Mounting: SMD Gate charge: 7nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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RHP030N03T100 | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2A; Idm: 10A; 2W; MPT3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 2A Pulsed drain current: 10A Power dissipation: 2W Case: MPT3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.21Ω Mounting: SMD Gate charge: 6.5nC Kind of channel: enhancement Kind of package: reel; tape Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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RHU002N06FRAT106 | ROHM SEMICONDUCTOR |
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RHU003N03FRAT106 | ROHM SEMICONDUCTOR |
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RJ1G12BGNTLL | ROHM SEMICONDUCTOR |
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RJ1L12BGNTLL | ROHM SEMICONDUCTOR | RJ1L12BGNTLL SMD N channel transistors |
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RJ1P12BBDTLL | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; Idm: 240A; 178W; D2PAK Case: D2PAK Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 100V Drain current: 120A On-state resistance: 7.8mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 178W Polarisation: unipolar Gate charge: 80nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 240A Mounting: SMD Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke |
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RJK005N03FRAT146 | ROHM SEMICONDUCTOR |
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RJP020N06FRAT100 | ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2A; Idm: 8A; 2W; MPT3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 2A Pulsed drain current: 8A Power dissipation: 2W Case: MPT3 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 0.3Ω Mounting: SMD Gate charge: 5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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RJP020N06T100 | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2A; Idm: 8A; 2W; MPT3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 2A Pulsed drain current: 8A Power dissipation: 2W Case: MPT3 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 0.3Ω Mounting: SMD Gate charge: 5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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RJU002N06FRAT106 | ROHM SEMICONDUCTOR |
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RJU003N03FRAT106 | ROHM SEMICONDUCTOR |
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RK7002AT116 | ROHM SEMICONDUCTOR |
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RK7002BMHZGT116 | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 250mA; Idm: 1A; 350mW; SST3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Power dissipation: 0.35W Case: SST3 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Drain current: 0.25A On-state resistance: 12Ω Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 1A Drain-source voltage: 60V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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RK7002BMT116 | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 250mA; Idm: 1A; 200/350mW; ESD Mounting: SMD Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.25A On-state resistance: 2.4Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 200/350mW Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Version: ESD Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 1A Case: SOT23 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 3192 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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RN141CMT2R | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Diode: switching; 50V; 0.1A; SOD923; single diode; Ufmax: 1V; 0.8pF Type of diode: switching Max. off-state voltage: 50V Load current: 0.1A Case: SOD923 Mounting: SMD Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: PIN; RF Max. forward voltage: 1V Kind of package: reel; tape Leakage current: 0.1µA Capacitance: 0.8pF Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 7820 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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RN142SMT2R | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Diode: switching; 60V; 0.1A; SC79,SOD523; single diode; Ufmax: 1V Type of diode: switching Max. off-state voltage: 60V Load current: 0.1A Case: SC79; SOD523 Mounting: SMD Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: PIN; RF Max. forward voltage: 1V Kind of package: reel; tape Leakage current: 0.1µA Capacitance: 0.45pF Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 7990 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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RN731VTE-17 | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Diode: switching; 50V; 50mA; SC90A,SOD323F; single diode; Ufmax: 1V Type of diode: switching Max. off-state voltage: 50V Load current: 50mA Case: SC90A; SOD323F Mounting: SMD Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: PIN; RF Max. forward voltage: 1V Kind of package: reel; tape Leakage current: 0.1µA Capacitance: 0.4pF Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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RN739DT146 | ROHM SEMICONDUCTOR |
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RN739FT106 | ROHM SEMICONDUCTOR |
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RN771VTE-17 | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Diode: switching; 50V; 50mA; SC90A,SOD323F; single diode; Ufmax: 1V Type of diode: switching Max. off-state voltage: 50V Load current: 50mA Case: SC90A; SOD323F Mounting: SMD Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: PIN; RF Max. forward voltage: 1V Kind of package: reel; tape Leakage current: 0.1µA Capacitance: 0.9pF Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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RN779FT106 | ROHM SEMICONDUCTOR |
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RQ1A060ZPTR | ROHM SEMICONDUCTOR |
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RQ1A070APTR | ROHM SEMICONDUCTOR |
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RQ1A070ZPFRATR | ROHM SEMICONDUCTOR | RQ1A070ZPFRATR SMD P channel transistors |
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RQ1C075UNTR | ROHM SEMICONDUCTOR |
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RQ1E070RPTR | ROHM SEMICONDUCTOR |
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RQ1E075XNTCR | ROHM SEMICONDUCTOR |
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RQ3C150BCTB | ROHM SEMICONDUCTOR |
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RQ3E070BNTB | ROHM SEMICONDUCTOR |
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RQ3E075ATTB | ROHM SEMICONDUCTOR |
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RQ3E080BNTB | ROHM SEMICONDUCTOR |
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RQ3E080GNTB | ROHM SEMICONDUCTOR |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
RQ3E100BNTB | ROHM SEMICONDUCTOR |
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auf Bestellung 2690 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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RQ3E110AJTB | ROHM SEMICONDUCTOR |
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RQ3E120ATTB | ROHM SEMICONDUCTOR |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
RQ3E120GNTB | ROHM SEMICONDUCTOR |
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auf Bestellung 2836 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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RQ3E130BNTB | ROHM SEMICONDUCTOR |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
RGT16NL65DGTL |
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Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 8A; 47W; TO263
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector current: 8A
Pulsed collector current: 24A
Turn-on time: 27ns
Turn-off time: 170ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 47W
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 21nC
Mounting: SMD
Case: TO263
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 8A; 47W; TO263
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector current: 8A
Pulsed collector current: 24A
Turn-on time: 27ns
Turn-off time: 170ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 47W
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 21nC
Mounting: SMD
Case: TO263
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
RGT16NS65DGTL |
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Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 8A; 47W; LPDS
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector current: 8A
Pulsed collector current: 24A
Turn-on time: 27ns
Turn-off time: 170ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 47W
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 21nC
Mounting: SMD
Case: LPDS
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 8A; 47W; LPDS
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector current: 8A
Pulsed collector current: 24A
Turn-on time: 27ns
Turn-off time: 170ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 47W
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 21nC
Mounting: SMD
Case: LPDS
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
RGT30NL65DGTL |
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Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RGT30NL65DGTL SMD IGBT transistors
RGT30NL65DGTL SMD IGBT transistors
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
RGT30TM65DGC9 |
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Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RGT30TM65DGC9 THT IGBT transistors
RGT30TM65DGC9 THT IGBT transistors
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
RGT40NS65DGTL |
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Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RGT40NS65DGTL SMD IGBT transistors
RGT40NS65DGTL SMD IGBT transistors
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Stück im Wert von UAH
RGT50NL65DGTL |
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Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 25A; 97W; TO263
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 25A
Power dissipation: 97W
Case: TO263
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 75A
Mounting: SMD
Gate charge: 49nC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 65ns
Turn-off time: 210ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 25A; 97W; TO263
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 25A
Power dissipation: 97W
Case: TO263
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 75A
Mounting: SMD
Gate charge: 49nC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 65ns
Turn-off time: 210ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
RGT50NS65DGC9 |
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Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 25A; 97W; TO262
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 25A
Power dissipation: 97W
Case: TO262
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 75A
Mounting: THT
Gate charge: 49nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 65ns
Turn-off time: 210ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 25A; 97W; TO262
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 25A
Power dissipation: 97W
Case: TO262
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 75A
Mounting: THT
Gate charge: 49nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 65ns
Turn-off time: 210ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
RGT50NS65DGTL |
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Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 25A; 97W; LPDS
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 25A
Power dissipation: 97W
Case: LPDS
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 75A
Mounting: SMD
Gate charge: 49nC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 65ns
Turn-off time: 210ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 25A; 97W; LPDS
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 25A
Power dissipation: 97W
Case: LPDS
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 75A
Mounting: SMD
Gate charge: 49nC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 65ns
Turn-off time: 210ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
RGT50TM65DGC9 |
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Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 13A; 23W; TO220NFM
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 13A
Power dissipation: 23W
Case: TO220NFM
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 75A
Mounting: SMD
Gate charge: 49nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 65ns
Turn-off time: 210ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 13A; 23W; TO220NFM
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 13A
Power dissipation: 23W
Case: TO220NFM
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 75A
Mounting: SMD
Gate charge: 49nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 65ns
Turn-off time: 210ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
RGT8BM65DTL |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 8A; 31W; TO252
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 8A
Power dissipation: 31W
Case: TO252
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 12A
Mounting: SMD
Gate charge: 13.5nC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 158ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 8A; 31W; TO252
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 8A
Power dissipation: 31W
Case: TO252
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 12A
Mounting: SMD
Gate charge: 13.5nC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 158ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
RGTH00TS65DGC11 |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RGTH00TS65DGC11 THT IGBT transistors
RGTH00TS65DGC11 THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
RGTH40TS65DGC11 |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RGTH40TS65DGC11 THT IGBT transistors
RGTH40TS65DGC11 THT IGBT transistors
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
RGTH40TS65GC11 |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RGTH40TS65GC11 THT IGBT transistors
RGTH40TS65GC11 THT IGBT transistors
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Stück im Wert von UAH
RGTH50TS65DGC11 |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RGTH50TS65DGC11 THT IGBT transistors
RGTH50TS65DGC11 THT IGBT transistors
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Stück im Wert von UAH
RGTH80TS65DGC11 |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RGTH80TS65DGC11 THT IGBT transistors
RGTH80TS65DGC11 THT IGBT transistors
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Stück im Wert von UAH
RGTV00TS65DGC11 |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RGTV00TS65DGC11 THT IGBT transistors
RGTV00TS65DGC11 THT IGBT transistors
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RGTV60TK65DGVC11 |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RGTV60TK65DGVC11 THT IGBT transistors
RGTV60TK65DGVC11 THT IGBT transistors
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Stück im Wert von UAH
RGTVX6TS65GC11 |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RGTVX6TS65GC11 THT IGBT transistors
RGTVX6TS65GC11 THT IGBT transistors
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RGW80TS65DGC11 |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RGW80TS65DGC11 THT IGBT transistors
RGW80TS65DGC11 THT IGBT transistors
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Stück im Wert von UAH
RGWX5TS65DGC11 |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RGWX5TS65DGC11 THT IGBT transistors
RGWX5TS65DGC11 THT IGBT transistors
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Stück im Wert von UAH
RHK003N06FRAT146 |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 300mA; Idm: 1.2A; 200mW; SMT3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.3A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.2W
Case: SMT3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 300mA; Idm: 1.2A; 200mW; SMT3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.3A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.2W
Case: SMT3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
RHP020N06FRAT100 |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2A; Idm: 8A; 2W; MPT3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 2W
Case: MPT3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.34Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2A; Idm: 8A; 2W; MPT3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 2W
Case: MPT3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.34Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 758 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
167+ | 0.43 EUR |
176+ | 0.41 EUR |
198+ | 0.36 EUR |
216+ | 0.33 EUR |
228+ | 0.31 EUR |
1000+ | 0.30 EUR |
RHP020N06T100 |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2A; Idm: 8A; 2W; MPT3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 2W
Case: MPT3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.34Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2A; Idm: 8A; 2W; MPT3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 2W
Case: MPT3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.34Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
RHP030N03T100 |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2A; Idm: 10A; 2W; MPT3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 2W
Case: MPT3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.21Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.5nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2A; Idm: 10A; 2W; MPT3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 2W
Case: MPT3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.21Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.5nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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Stück im Wert von UAH
RHU002N06FRAT106 |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RHU002N06FRAT106 SMD N channel transistors
RHU002N06FRAT106 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
RHU003N03FRAT106 |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RHU003N03FRAT106 SMD N channel transistors
RHU003N03FRAT106 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
RJ1G12BGNTLL |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RJ1G12BGNTLL SMD N channel transistors
RJ1G12BGNTLL SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
RJ1L12BGNTLL |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RJ1L12BGNTLL SMD N channel transistors
RJ1L12BGNTLL SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
RJ1P12BBDTLL |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; Idm: 240A; 178W; D2PAK
Case: D2PAK
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
On-state resistance: 7.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 178W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 80nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 240A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; Idm: 240A; 178W; D2PAK
Case: D2PAK
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
On-state resistance: 7.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 178W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 80nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 240A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
RJK005N03FRAT146 |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RJK005N03FRAT146 SMD N channel transistors
RJK005N03FRAT146 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
RJP020N06FRAT100 |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2A; Idm: 8A; 2W; MPT3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 2W
Case: MPT3
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2A; Idm: 8A; 2W; MPT3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 2W
Case: MPT3
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
RJP020N06T100 |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2A; Idm: 8A; 2W; MPT3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 2W
Case: MPT3
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2A; Idm: 8A; 2W; MPT3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 2W
Case: MPT3
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
RJU002N06FRAT106 |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RJU002N06FRAT106 SMD N channel transistors
RJU002N06FRAT106 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
RJU003N03FRAT106 |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RJU003N03FRAT106 SMD N channel transistors
RJU003N03FRAT106 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
RK7002AT116 |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RK7002AT116 SMD N channel transistors
RK7002AT116 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
RK7002BMHZGT116 |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 250mA; Idm: 1A; 350mW; SST3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.35W
Case: SST3
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain current: 0.25A
On-state resistance: 12Ω
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 1A
Drain-source voltage: 60V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 250mA; Idm: 1A; 350mW; SST3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.35W
Case: SST3
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain current: 0.25A
On-state resistance: 12Ω
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 1A
Drain-source voltage: 60V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
RK7002BMT116 |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 250mA; Idm: 1A; 200/350mW; ESD
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.25A
On-state resistance: 2.4Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 200/350mW
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 1A
Case: SOT23
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 250mA; Idm: 1A; 200/350mW; ESD
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.25A
On-state resistance: 2.4Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 200/350mW
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 1A
Case: SOT23
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3192 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
334+ | 0.21 EUR |
463+ | 0.15 EUR |
569+ | 0.13 EUR |
955+ | 0.08 EUR |
1171+ | 0.06 EUR |
1916+ | 0.04 EUR |
2025+ | 0.04 EUR |
RN141CMT2R |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 50V; 0.1A; SOD923; single diode; Ufmax: 1V; 0.8pF
Type of diode: switching
Max. off-state voltage: 50V
Load current: 0.1A
Case: SOD923
Mounting: SMD
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: PIN; RF
Max. forward voltage: 1V
Kind of package: reel; tape
Leakage current: 0.1µA
Capacitance: 0.8pF
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 50V; 0.1A; SOD923; single diode; Ufmax: 1V; 0.8pF
Type of diode: switching
Max. off-state voltage: 50V
Load current: 0.1A
Case: SOD923
Mounting: SMD
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: PIN; RF
Max. forward voltage: 1V
Kind of package: reel; tape
Leakage current: 0.1µA
Capacitance: 0.8pF
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 7820 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
179+ | 0.40 EUR |
298+ | 0.24 EUR |
410+ | 0.17 EUR |
848+ | 0.08 EUR |
893+ | 0.08 EUR |
RN142SMT2R |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 60V; 0.1A; SC79,SOD523; single diode; Ufmax: 1V
Type of diode: switching
Max. off-state voltage: 60V
Load current: 0.1A
Case: SC79; SOD523
Mounting: SMD
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: PIN; RF
Max. forward voltage: 1V
Kind of package: reel; tape
Leakage current: 0.1µA
Capacitance: 0.45pF
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 60V; 0.1A; SC79,SOD523; single diode; Ufmax: 1V
Type of diode: switching
Max. off-state voltage: 60V
Load current: 0.1A
Case: SC79; SOD523
Mounting: SMD
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: PIN; RF
Max. forward voltage: 1V
Kind of package: reel; tape
Leakage current: 0.1µA
Capacitance: 0.45pF
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 7990 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
295+ | 0.24 EUR |
417+ | 0.17 EUR |
491+ | 0.15 EUR |
823+ | 0.09 EUR |
1359+ | 0.05 EUR |
1437+ | 0.05 EUR |
RN731VTE-17 |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 50V; 50mA; SC90A,SOD323F; single diode; Ufmax: 1V
Type of diode: switching
Max. off-state voltage: 50V
Load current: 50mA
Case: SC90A; SOD323F
Mounting: SMD
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: PIN; RF
Max. forward voltage: 1V
Kind of package: reel; tape
Leakage current: 0.1µA
Capacitance: 0.4pF
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 50V; 50mA; SC90A,SOD323F; single diode; Ufmax: 1V
Type of diode: switching
Max. off-state voltage: 50V
Load current: 50mA
Case: SC90A; SOD323F
Mounting: SMD
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: PIN; RF
Max. forward voltage: 1V
Kind of package: reel; tape
Leakage current: 0.1µA
Capacitance: 0.4pF
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
RN739DT146 |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RN739DT146 Diodes - others
RN739DT146 Diodes - others
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
RN739FT106 |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RN739FT106 Diodes - others
RN739FT106 Diodes - others
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
RN771VTE-17 |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 50V; 50mA; SC90A,SOD323F; single diode; Ufmax: 1V
Type of diode: switching
Max. off-state voltage: 50V
Load current: 50mA
Case: SC90A; SOD323F
Mounting: SMD
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: PIN; RF
Max. forward voltage: 1V
Kind of package: reel; tape
Leakage current: 0.1µA
Capacitance: 0.9pF
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 50V; 50mA; SC90A,SOD323F; single diode; Ufmax: 1V
Type of diode: switching
Max. off-state voltage: 50V
Load current: 50mA
Case: SC90A; SOD323F
Mounting: SMD
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: PIN; RF
Max. forward voltage: 1V
Kind of package: reel; tape
Leakage current: 0.1µA
Capacitance: 0.9pF
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
RN779FT106 |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RN779FT106 Diodes - others
RN779FT106 Diodes - others
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
RQ1A060ZPTR |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RQ1A060ZPTR SMD P channel transistors
RQ1A060ZPTR SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
RQ1A070APTR |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RQ1A070APTR SMD P channel transistors
RQ1A070APTR SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
RQ1A070ZPFRATR |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RQ1A070ZPFRATR SMD P channel transistors
RQ1A070ZPFRATR SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
RQ1C075UNTR |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RQ1C075UNTR SMD N channel transistors
RQ1C075UNTR SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
RQ1E070RPTR |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RQ1E070RPTR SMD P channel transistors
RQ1E070RPTR SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
RQ1E075XNTCR |
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Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RQ1E075XNTCR SMD N channel transistors
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RQ3E070BNTB SMD N channel transistors
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RQ3E075ATTB SMD P channel transistors
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RQ3E080BNTB SMD N channel transistors
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RQ3E080GNTB SMD N channel transistors
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RQ3E100BNTB SMD N channel transistors
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187+ | 0.38 EUR |
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RQ3E110AJTB |
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RQ3E110AJTB SMD N channel transistors
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RQ3E120ATTB SMD P channel transistors
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RQ3E120GNTB SMD N channel transistors
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103+ | 0.70 EUR |
242+ | 0.30 EUR |
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RQ3E130BNTB |
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RQ3E130BNTB SMD N channel transistors
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