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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
RRR040P03FRATL ROHM SEMICONDUCTOR RRR040P03FRATL SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RRS100P03HZGTB ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=RRS100P03HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key RRS100P03HZGTB SMD P channel transistors
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RS1E150GNTB ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=RS1E150GN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key RS1E150GNTB SMD N channel transistors
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RS1E220ATTB1 ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=RS1E220AT&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key RS1E220ATTB1 SMD P channel transistors
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RS1E280BNTB ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=RS1E280BN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key RS1E280BNTB SMD N channel transistors
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RS1E280GNTB ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=RS1E280GN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key RS1E280GNTB SMD N channel transistors
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RS1E301GNTB1 ROHM SEMICONDUCTOR rs1e301gntb1-e.pdf RS1E301GNTB1 SMD N channel transistors
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RS1E321GNTB1 ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=RS1E321GN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key RS1E321GNTB1 SMD N channel transistors
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RS1E350BNTB ROHM SEMICONDUCTOR rs1e350bntb-e.pdf RS1E350BNTB SMD N channel transistors
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RS1G120MNTB ROHM SEMICONDUCTOR rs1g120mntb-e.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 34A; Idm: 48A; 25W; HSOP8
Mounting: SMD
Case: HSOP8
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 48A
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 34A
On-state resistance: 20.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 25W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 9.4nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1G150MNTB ROHM SEMICONDUCTOR rs1g150mntb-e.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 43A; Idm: 60A; 25W; HSOP8
Mounting: SMD
Case: HSOP8
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 60A
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 43A
On-state resistance: 13.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 25W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 15nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1G180MNTB ROHM SEMICONDUCTOR rs1g180mn-e.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 57A; Idm: 72A; 30W; HSOP8
Mounting: SMD
Case: HSOP8
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 72A
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 57A
On-state resistance: 9.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 30W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 19.5nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1G201ATTB1 ROHM SEMICONDUCTOR rs1g201attb1-e.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -78A; Idm: -80A; 40W; HSOP8
Mounting: SMD
Case: HSOP8
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: -80A
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -78A
On-state resistance: 6.5mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 40W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 130nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1G260MNTB ROHM SEMICONDUCTOR rs1g260mntb-e.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 80A; Idm: 104A; 35W; HSOP8
Mounting: SMD
Case: HSOP8
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 104A
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 80A
On-state resistance: 4.4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 35W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 44nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1G300GNTB ROHM SEMICONDUCTOR rs1g300gntb-e.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 80A; Idm: 120A; 35W; HSOP8
Mounting: SMD
Case: HSOP8
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 120A
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 80A
On-state resistance: 3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 35W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 56.8nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1L120GNTB ROHM SEMICONDUCTOR rs1l120gntb-e RS1L120GNTB SMD N channel transistors
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RS1L145GNTB ROHM SEMICONDUCTOR rs1l145gntb-e.pdf RS1L145GNTB SMD N channel transistors
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RS1L151ATTB1 ROHM SEMICONDUCTOR rs1l151attb1-e.pdf RS1L151ATTB1 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1L180GNTB ROHM SEMICONDUCTOR rs1l180gntb-e.pdf RS1L180GNTB SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1P600BETB1 ROHM SEMICONDUCTOR rs1p600betb1-e.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 60A; Idm: 70A; 35W; HSOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 35W
Case: HSOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 33nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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RS3E075ATTB ROHM SEMICONDUCTOR SOP8_TB_taping.pdf RS3E075ATTB SMD P channel transistors
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RS3E180ATTB1 ROHM SEMICONDUCTOR rs3e180attb1-e.pdf RS3E180ATTB1 SMD P channel transistors
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RS3G160ATTB1 ROHM SEMICONDUCTOR rs3g160attb1-e.pdf RS3G160ATTB1 SMD P channel transistors
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RS3L110ATTB1 ROHM SEMICONDUCTOR rs3l110attb1-e.pdf RS3L110ATTB1 SMD P channel transistors
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RSA6.1ENTR RSA6.1ENTR ROHM SEMICONDUCTOR rsa6.1en.pdf Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 6.1÷7.2V; 200W; quadruple,common anode; SOT353
Case: SOT353
Mounting: SMD
Breakdown voltage: 6.1...7.2V
Semiconductor structure: common anode; quadruple
Version: ESD
Kind of package: reel; tape
Type of diode: TVS array
Peak pulse power dissipation: 0.2kW
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1184 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
120+0.6 EUR
176+0.41 EUR
266+0.27 EUR
685+0.1 EUR
725+0.099 EUR
15000+0.096 EUR
Mindestbestellmenge: 120
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RSC002P03T316 ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=RSC002P03&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key RSC002P03T316 SMD P channel transistors
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RSF010P05TL ROHM SEMICONDUCTOR rsf010p05tl-e.pdf RSF010P05TL SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RSF014N03TL ROHM SEMICONDUCTOR rsf014n03tl-e.pdf RSF014N03TL SMD N channel transistors
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RSF015N06FRATL ROHM SEMICONDUCTOR rsf015n06fra-e.pdf RSF015N06FRATL SMD N channel transistors
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RSF015N06TL ROHM SEMICONDUCTOR rsf015n06tl-e.pdf RSF015N06TL SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RSH065N06GZETB RSH065N06GZETB ROHM SEMICONDUCTOR rsh065n06.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 6.5A; Idm: 26A; 2W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 6.5A
Pulsed drain current: 26A
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 48mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 2W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RSH065N06TB1 RSH065N06TB1 ROHM SEMICONDUCTOR rsh065n06.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 6.5A; Idm: 26A; 2W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 6.5A
Pulsed drain current: 26A
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 48mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 2W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RSH070N05GZETB ROHM SEMICONDUCTOR rsh070n05-e.pdf RSH070N05GZETB SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RSH070N05TB1 ROHM SEMICONDUCTOR rsh070n05-e.pdf RSH070N05TB1 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RSH070P05GZETB RSH070P05GZETB ROHM SEMICONDUCTOR rsh070p05-e.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -45V; -7A; Idm: -28A; 2W; SOP8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -45V
Drain current: -7A
Pulsed drain current: -28A
Power dissipation: 2W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 39mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 34nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RSH070P05TB1 RSH070P05TB1 ROHM SEMICONDUCTOR rsh070p05-e.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -45V; -7A; Idm: -28A; 2W; SOP8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -45V
Drain current: -7A
Pulsed drain current: -28A
Power dissipation: 2W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 39mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 34nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RSJ151P10TL ROHM SEMICONDUCTOR rsj151p10-e.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -15A; Idm: -30A; 50W; D2PAK
Mounting: SMD
Case: D2PAK
Drain-source voltage: -100V
Pulsed drain current: -30A
Drain current: -15A
Gate charge: 64nC
Type of transistor: P-MOSFET
On-state resistance: 0.22Ω
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 50W
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RSJ250P10FRATL RSJ250P10FRATL ROHM SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD92D81F70BFC400D3&compId=rsj250p10fratl.pdf?ci_sign=c9a0a8e0154c5fbc2fc45de6b1cbfbfd726f49a0 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -25A; Idm: -50A; 50W; TO263
Type of transistor: P-MOSFET
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -25A
Power dissipation: 50W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 63mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 60nC
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -50A
Application: automotive industry
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 109 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
32+2.3 EUR
40+1.82 EUR
50+1.43 EUR
53+1.36 EUR
200+1.3 EUR
Mindestbestellmenge: 32
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RSJ250P10TL ROHM SEMICONDUCTOR rsj250p10tl-e.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -25A; Idm: -50A; 50W; D2PAK
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -25A
Pulsed drain current: -50A
Gate charge: 60nC
On-state resistance: 70mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 50W
Kind of package: reel; tape
Case: D2PAK
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RSJ400N06FRATL ROHM SEMICONDUCTOR rsj400n06fra.pdf RSJ400N06FRATL SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RSJ400N10TL ROHM SEMICONDUCTOR rsj400n10tl-e.pdf RSJ400N10TL SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RSJ550N10TL ROHM SEMICONDUCTOR rsj550n10.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 55A; Idm: 110A; 100W; D2PAK
Case: D2PAK
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 55A
On-state resistance: 18.9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 100W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 143nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 110A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RSJ650N10TL ROHM SEMICONDUCTOR rsj650n10-e.pdf RSJ650N10TL SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RSM002N06T2L ROHM SEMICONDUCTOR rsm002n06-e.pdf RSM002N06T2L SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RSM002P03T2L ROHM SEMICONDUCTOR rsm002p03-e.pdf RSM002P03T2L SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RSQ015N06TR ROHM SEMICONDUCTOR rsq015n06tr-e.pdf RSQ015N06TR SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RSQ015P10FRATR ROHM SEMICONDUCTOR Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -1.5A; Idm: -6A; 1.25W; TSMT6
Type of transistor: P-MOSFET
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -1.5A
Power dissipation: 1.25W
Case: TSMT6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -6A
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RSQ015P10HZGTR ROHM SEMICONDUCTOR rsq015p10hzgtr-e.pdf RSQ015P10HZGTR SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RSQ020N03HZGTR ROHM SEMICONDUCTOR rsq020n03hzgtr-e.pdf RSQ020N03HZGTR SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RSQ025P03FRATR ROHM SEMICONDUCTOR RSQ025P03FRATR SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RSQ030N08HZGTR ROHM SEMICONDUCTOR rsq030n08hzgtr-e.pdf RSQ030N08HZGTR SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RSQ035N03FRATR ROHM SEMICONDUCTOR RSQ035N03FRATR SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RSQ035N06HZGTR ROHM SEMICONDUCTOR rsq035n06hzgtr-e.pdf RSQ035N06HZGTR SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RSQ035P03FRATR ROHM SEMICONDUCTOR RSQ035P03FRATR SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RSR010N10FHATL ROHM SEMICONDUCTOR RSR010N10FHATL SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RSR010N10HZGTL ROHM SEMICONDUCTOR rsr010n10hzgtl-e.pdf RSR010N10HZGTL SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RSR015P06FRATL ROHM SEMICONDUCTOR Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.5A; Idm: -6A; 1W; TSMT3
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Pulsed drain current: -6A
Drain current: -1.5A
Gate charge: 10nC
On-state resistance: 0.36Ω
Power dissipation: 1W
Gate-source voltage: ±20V
Case: TSMT3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RSR015P06HZGTL ROHM SEMICONDUCTOR rsr015p06hzgtl-e.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.5A; Idm: -6A; 1W; TSMT3
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Pulsed drain current: -6A
Drain current: -1.5A
Gate charge: 10nC
On-state resistance: 0.36Ω
Power dissipation: 1W
Gate-source voltage: ±20V
Case: TSMT3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RSR020N06FRATL ROHM SEMICONDUCTOR Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2A; Idm: 8A; 1W; TSMT3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 1W
Case: TSMT3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.21Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RSR020N06HZGTL ROHM SEMICONDUCTOR rsr020n06hzgtl-e.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2A; Idm: 8A; 1W; TSMT3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 1W
Case: TSMT3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.21Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RRR040P03FRATL
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RRR040P03FRATL SMD P channel transistors
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RRS100P03HZGTB datasheet?p=RRS100P03HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RRS100P03HZGTB SMD P channel transistors
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RS1E150GNTB datasheet?p=RS1E150GN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RS1E150GNTB SMD N channel transistors
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RS1E220ATTB1 datasheet?p=RS1E220AT&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RS1E220ATTB1 SMD P channel transistors
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RS1E280BNTB datasheet?p=RS1E280BN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RS1E280BNTB SMD N channel transistors
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RS1E280GNTB datasheet?p=RS1E280GN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RS1E280GNTB SMD N channel transistors
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RS1E301GNTB1 rs1e301gntb1-e.pdf
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RS1E301GNTB1 SMD N channel transistors
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RS1E321GNTB1 datasheet?p=RS1E321GN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RS1E321GNTB1 SMD N channel transistors
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RS1E350BNTB rs1e350bntb-e.pdf
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RS1E350BNTB SMD N channel transistors
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RS1G120MNTB rs1g120mntb-e.pdf
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 34A; Idm: 48A; 25W; HSOP8
Mounting: SMD
Case: HSOP8
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 48A
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 34A
On-state resistance: 20.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 25W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 9.4nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1G150MNTB rs1g150mntb-e.pdf
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 43A; Idm: 60A; 25W; HSOP8
Mounting: SMD
Case: HSOP8
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 60A
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 43A
On-state resistance: 13.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 25W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 15nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1G180MNTB rs1g180mn-e.pdf
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 57A; Idm: 72A; 30W; HSOP8
Mounting: SMD
Case: HSOP8
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 72A
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 57A
On-state resistance: 9.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 30W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 19.5nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1G201ATTB1 rs1g201attb1-e.pdf
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -78A; Idm: -80A; 40W; HSOP8
Mounting: SMD
Case: HSOP8
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: -80A
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -78A
On-state resistance: 6.5mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 40W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 130nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1G260MNTB rs1g260mntb-e.pdf
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 80A; Idm: 104A; 35W; HSOP8
Mounting: SMD
Case: HSOP8
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 104A
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 80A
On-state resistance: 4.4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 35W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 44nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1G300GNTB rs1g300gntb-e.pdf
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 80A; Idm: 120A; 35W; HSOP8
Mounting: SMD
Case: HSOP8
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 120A
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 80A
On-state resistance: 3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 35W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 56.8nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1L120GNTB rs1l120gntb-e
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RS1L120GNTB SMD N channel transistors
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RS1L145GNTB rs1l145gntb-e.pdf
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RS1L145GNTB SMD N channel transistors
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RS1L151ATTB1 rs1l151attb1-e.pdf
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RS1L151ATTB1 SMD P channel transistors
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RS1L180GNTB rs1l180gntb-e.pdf
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RS1L180GNTB SMD N channel transistors
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RS1P600BETB1 rs1p600betb1-e.pdf
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 60A; Idm: 70A; 35W; HSOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 35W
Case: HSOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 33nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS3E075ATTB SOP8_TB_taping.pdf
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RS3E075ATTB SMD P channel transistors
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RS3E180ATTB1 rs3e180attb1-e.pdf
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RS3E180ATTB1 SMD P channel transistors
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RS3G160ATTB1 rs3g160attb1-e.pdf
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RS3G160ATTB1 SMD P channel transistors
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RS3L110ATTB1 rs3l110attb1-e.pdf
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RS3L110ATTB1 SMD P channel transistors
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RSA6.1ENTR rsa6.1en.pdf
RSA6.1ENTR
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 6.1÷7.2V; 200W; quadruple,common anode; SOT353
Case: SOT353
Mounting: SMD
Breakdown voltage: 6.1...7.2V
Semiconductor structure: common anode; quadruple
Version: ESD
Kind of package: reel; tape
Type of diode: TVS array
Peak pulse power dissipation: 0.2kW
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1184 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
120+0.6 EUR
176+0.41 EUR
266+0.27 EUR
685+0.1 EUR
725+0.099 EUR
15000+0.096 EUR
Mindestbestellmenge: 120
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RSC002P03T316 datasheet?p=RSC002P03&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RSC002P03T316 SMD P channel transistors
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RSF010P05TL rsf010p05tl-e.pdf
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RSF010P05TL SMD P channel transistors
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RSF014N03TL rsf014n03tl-e.pdf
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RSF014N03TL SMD N channel transistors
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RSF015N06FRATL rsf015n06fra-e.pdf
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RSF015N06FRATL SMD N channel transistors
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RSF015N06TL rsf015n06tl-e.pdf
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RSF015N06TL SMD N channel transistors
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RSH065N06GZETB rsh065n06.pdf
RSH065N06GZETB
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 6.5A; Idm: 26A; 2W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 6.5A
Pulsed drain current: 26A
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 48mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 2W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RSH065N06TB1 rsh065n06.pdf
RSH065N06TB1
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 6.5A; Idm: 26A; 2W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 6.5A
Pulsed drain current: 26A
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 48mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 2W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RSH070N05GZETB rsh070n05-e.pdf
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RSH070N05GZETB SMD N channel transistors
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RSH070N05TB1 rsh070n05-e.pdf
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RSH070N05TB1 SMD N channel transistors
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RSH070P05GZETB rsh070p05-e.pdf
RSH070P05GZETB
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -45V; -7A; Idm: -28A; 2W; SOP8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -45V
Drain current: -7A
Pulsed drain current: -28A
Power dissipation: 2W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 39mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 34nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RSH070P05TB1 rsh070p05-e.pdf
RSH070P05TB1
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -45V; -7A; Idm: -28A; 2W; SOP8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -45V
Drain current: -7A
Pulsed drain current: -28A
Power dissipation: 2W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 39mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 34nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RSJ151P10TL rsj151p10-e.pdf
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -15A; Idm: -30A; 50W; D2PAK
Mounting: SMD
Case: D2PAK
Drain-source voltage: -100V
Pulsed drain current: -30A
Drain current: -15A
Gate charge: 64nC
Type of transistor: P-MOSFET
On-state resistance: 0.22Ω
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 50W
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RSJ250P10FRATL pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD92D81F70BFC400D3&compId=rsj250p10fratl.pdf?ci_sign=c9a0a8e0154c5fbc2fc45de6b1cbfbfd726f49a0
RSJ250P10FRATL
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -25A; Idm: -50A; 50W; TO263
Type of transistor: P-MOSFET
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -25A
Power dissipation: 50W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 63mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 60nC
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -50A
Application: automotive industry
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 109 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
32+2.3 EUR
40+1.82 EUR
50+1.43 EUR
53+1.36 EUR
200+1.3 EUR
Mindestbestellmenge: 32
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RSJ250P10TL rsj250p10tl-e.pdf
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -25A; Idm: -50A; 50W; D2PAK
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -25A
Pulsed drain current: -50A
Gate charge: 60nC
On-state resistance: 70mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 50W
Kind of package: reel; tape
Case: D2PAK
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RSJ400N06FRATL rsj400n06fra.pdf
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RSJ400N06FRATL SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RSJ400N10TL rsj400n10tl-e.pdf
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RSJ400N10TL SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RSJ550N10TL rsj550n10.pdf
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 55A; Idm: 110A; 100W; D2PAK
Case: D2PAK
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 55A
On-state resistance: 18.9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 100W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 143nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 110A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RSJ650N10TL rsj650n10-e.pdf
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RSJ650N10TL SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RSM002N06T2L rsm002n06-e.pdf
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RSM002N06T2L SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RSM002P03T2L rsm002p03-e.pdf
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RSM002P03T2L SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RSQ015N06TR rsq015n06tr-e.pdf
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RSQ015N06TR SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RSQ015P10FRATR
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -1.5A; Idm: -6A; 1.25W; TSMT6
Type of transistor: P-MOSFET
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -1.5A
Power dissipation: 1.25W
Case: TSMT6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -6A
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RSQ015P10HZGTR rsq015p10hzgtr-e.pdf
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RSQ015P10HZGTR SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RSQ020N03HZGTR rsq020n03hzgtr-e.pdf
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RSQ020N03HZGTR SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RSQ025P03FRATR
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RSQ025P03FRATR SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RSQ030N08HZGTR rsq030n08hzgtr-e.pdf
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RSQ030N08HZGTR SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RSQ035N03FRATR
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RSQ035N03FRATR SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RSQ035N06HZGTR rsq035n06hzgtr-e.pdf
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RSQ035N06HZGTR SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RSQ035P03FRATR
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RSQ035P03FRATR SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RSR010N10FHATL
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RSR010N10FHATL SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RSR010N10HZGTL rsr010n10hzgtl-e.pdf
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RSR010N10HZGTL SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RSR015P06FRATL
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.5A; Idm: -6A; 1W; TSMT3
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Pulsed drain current: -6A
Drain current: -1.5A
Gate charge: 10nC
On-state resistance: 0.36Ω
Power dissipation: 1W
Gate-source voltage: ±20V
Case: TSMT3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RSR015P06HZGTL rsr015p06hzgtl-e.pdf
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.5A; Idm: -6A; 1W; TSMT3
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Pulsed drain current: -6A
Drain current: -1.5A
Gate charge: 10nC
On-state resistance: 0.36Ω
Power dissipation: 1W
Gate-source voltage: ±20V
Case: TSMT3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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RSR020N06FRATL
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2A; Idm: 8A; 1W; TSMT3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 1W
Case: TSMT3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.21Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RSR020N06HZGTL rsr020n06hzgtl-e.pdf
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2A; Idm: 8A; 1W; TSMT3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 1W
Case: TSMT3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.21Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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