Produkte > ROHM SEMICONDUCTOR > Alle Produkte des Herstellers ROHM SEMICONDUCTOR (104268) > Seite 1501 nach 1738
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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RQ6P015SPTR | ROHM SEMICONDUCTOR |
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RR264MM-400TR | ROHM SEMICONDUCTOR |
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auf Bestellung 6010 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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RR601BM4SFHTL | ROHM SEMICONDUCTOR |
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RR601BM4STL | ROHM SEMICONDUCTOR |
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RRD07MM4STR | ROHM SEMICONDUCTOR |
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RRE02VSM4STR | ROHM SEMICONDUCTOR |
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RRE02VSM6STR | ROHM SEMICONDUCTOR |
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RRE02VTM4SFHTR | ROHM SEMICONDUCTOR |
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RRE02VTM6SFHTR | ROHM SEMICONDUCTOR |
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RRE04EA4DFHTR | ROHM SEMICONDUCTOR |
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RRE04EA6DTR | ROHM SEMICONDUCTOR | RRE04EA6DTR SMD universal diodes |
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RRE07VSM4STR | ROHM SEMICONDUCTOR |
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RRE07VSM6STR | ROHM SEMICONDUCTOR |
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RRE07VTM4SFHTR | ROHM SEMICONDUCTOR |
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RRE07VTM6SFHTR | ROHM SEMICONDUCTOR |
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RRF015P03TL | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.5A; Idm: -6A; 0.8W; SOT323F Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -1.5A Pulsed drain current: -6A Power dissipation: 0.8W Case: SOT323F Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.16Ω Mounting: SMD Gate charge: 3.2nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 394 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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RRH050P03GZETB | ROHM SEMICONDUCTOR |
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RRH090P03TB1 | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -9A; Idm: -36A; 2W; SOP8; ESD Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -9A Pulsed drain current: -36A Power dissipation: 2W Case: SOP8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 15.4mΩ Mounting: SMD Gate charge: 56nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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RRH100P03GZETB | ROHM SEMICONDUCTOR |
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RRH100P03TB1 | ROHM SEMICONDUCTOR |
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RRH140P03GZETB | ROHM SEMICONDUCTOR |
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RRH140P03TB1 | ROHM SEMICONDUCTOR |
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RRL035P03FRATR | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.5A; Idm: -14A; 1W; SOT363 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -3.5A Pulsed drain current: -14A Power dissipation: 1W Case: SOT363 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 50mΩ Mounting: SMD Gate charge: 14nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD Application: automotive industry Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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RRL035P03TR | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.5A; Idm: -14A; 1W; SOT363 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -3.5A Pulsed drain current: -14A Power dissipation: 1W Case: SOT363 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 50mΩ Mounting: SMD Gate charge: 8nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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RRQ030P03FRATR | ROHM SEMICONDUCTOR | RRQ030P03FRATR SMD P channel transistors |
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RRR030P03FRATL | ROHM SEMICONDUCTOR | RRR030P03FRATL SMD P channel transistors |
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RRR030P03HZGTL | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3A; Idm: -12A; 1W; SOT346; ESD Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -3A Pulsed drain current: -12A Power dissipation: 1W Case: SOT346 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 75mΩ Mounting: SMD Gate charge: 5.2nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 2990 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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RRR040P03FRATL | ROHM SEMICONDUCTOR | RRR040P03FRATL SMD P channel transistors |
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RRS100P03HZGTB | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -10A; Idm: -40A; 2W; SOP8; ESD Kind of channel: enhancement Version: ESD Type of transistor: P-MOSFET Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Case: SOP8 Polarisation: unipolar Pulsed drain current: -40A Drain-source voltage: -30V Drain current: -10A Gate charge: 39nC On-state resistance: 12.6mΩ Power dissipation: 2W Gate-source voltage: ±20V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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RS1E150GNTB | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; Idm: 60A; 22W; HSOP8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 40A Pulsed drain current: 60A Power dissipation: 22W Case: HSOP8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 13.3mΩ Mounting: SMD Gate charge: 10nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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RS1E220ATTB1 | ROHM SEMICONDUCTOR |
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RS1E280BNTB | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 80A; Idm: 112A; 30W; HSOP8 Kind of channel: enhancement Case: HSOP8 Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Polarisation: unipolar Gate charge: 94nC On-state resistance: 3.2mΩ Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 30V Power dissipation: 30W Drain current: 80A Pulsed drain current: 112A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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RS1E280GNTB | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 80A; Idm: 112A; 31W; HSOP8 Kind of channel: enhancement Case: HSOP8 Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Polarisation: unipolar Gate charge: 36nC On-state resistance: 3.8mΩ Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 30V Power dissipation: 31W Drain current: 80A Pulsed drain current: 112A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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RS1E301GNTB1 | ROHM SEMICONDUCTOR |
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RS1E321GNTB1 | ROHM SEMICONDUCTOR |
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RS1E350BNTB | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 80A; Idm: 140A; 35W; HSOP8 Mounting: SMD On-state resistance: 2.5mΩ Drain current: 80A Power dissipation: 35W Drain-source voltage: 30V Pulsed drain current: 140A Case: HSOP8 Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Gate-source voltage: ±20V Gate charge: 185nC Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke |
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RS1G120MNTB | ROHM SEMICONDUCTOR |
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RS1G150MNTB | ROHM SEMICONDUCTOR |
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RS1G180MNTB | ROHM SEMICONDUCTOR |
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RS1G201ATTB1 | ROHM SEMICONDUCTOR |
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RS1G260MNTB | ROHM SEMICONDUCTOR |
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RS1G300GNTB | ROHM SEMICONDUCTOR |
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RS1L120GNTB | ROHM SEMICONDUCTOR |
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RS1L145GNTB | ROHM SEMICONDUCTOR |
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RS1L151ATTB1 | ROHM SEMICONDUCTOR |
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RS1L180GNTB | ROHM SEMICONDUCTOR |
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RS1P600BETB1 | ROHM SEMICONDUCTOR |
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RS3E075ATTB | ROHM SEMICONDUCTOR |
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RS3E180ATTB1 | ROHM SEMICONDUCTOR |
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RS3G160ATTB1 | ROHM SEMICONDUCTOR |
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RS3L110ATTB1 | ROHM SEMICONDUCTOR |
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RSA6.1ENTR | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Diode: TVS array; 6.1÷7.2V; 200W; quadruple,common anode; SOT353 Case: SOT353 Mounting: SMD Breakdown voltage: 6.1...7.2V Semiconductor structure: common anode; quadruple Version: ESD Kind of package: reel; tape Type of diode: TVS array Peak pulse power dissipation: 0.2kW Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 1184 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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RSC002P03T316 | ROHM SEMICONDUCTOR |
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RSF010P05TL | ROHM SEMICONDUCTOR |
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RSF014N03TL | ROHM SEMICONDUCTOR |
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RSF015N06FRATL | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 45V; 1.5A; Idm: 6A; 800mW; TUMT3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 45V Drain current: 1.5A Pulsed drain current: 6A Power dissipation: 0.8W Case: TUMT3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.35Ω Mounting: SMD Gate charge: 2nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
RSF015N06TL | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.5A; Idm: 6A; 800mW; TUMT3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 1.5A Pulsed drain current: 6A Power dissipation: 0.8W Case: TUMT3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.35Ω Mounting: SMD Gate charge: 2nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
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RSH065N06GZETB | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 6.5A; Idm: 26A; 2W; SOP8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 6.5A Pulsed drain current: 26A Power dissipation: 2W Case: SOP8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 48mΩ Mounting: SMD Gate charge: 11nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
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RSH065N06TB1 | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 6.5A; Idm: 26A; 2W; SOP8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 6.5A Pulsed drain current: 26A Power dissipation: 2W Case: SOP8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 48mΩ Mounting: SMD Gate charge: 11nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
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RSH070N05GZETB | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 45V; 7A; Idm: 28A; 2W; SOP8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 45V Drain current: 7A Pulsed drain current: 28A Power dissipation: 2W Case: SOP8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 35mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate charge: 12nC Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
RQ6P015SPTR |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RQ6P015SPTR SMD P channel transistors
RQ6P015SPTR SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
RR264MM-400TR |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RR264MM-400TR SMD universal diodes
RR264MM-400TR SMD universal diodes
auf Bestellung 6010 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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118+ | 0.61 EUR |
857+ | 0.084 EUR |
906+ | 0.079 EUR |
RR601BM4SFHTL |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RR601BM4SFHTL SMD universal diodes
RR601BM4SFHTL SMD universal diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
RR601BM4STL |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RR601BM4STL SMD universal diodes
RR601BM4STL SMD universal diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
RRD07MM4STR |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RRD07MM4STR SMD universal diodes
RRD07MM4STR SMD universal diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
RRE02VSM4STR |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RRE02VSM4STR SMD universal diodes
RRE02VSM4STR SMD universal diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
RRE02VSM6STR |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RRE02VSM6STR SMD universal diodes
RRE02VSM6STR SMD universal diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
RRE02VTM4SFHTR |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RRE02VTM4SFHTR SMD universal diodes
RRE02VTM4SFHTR SMD universal diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
RRE02VTM6SFHTR |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RRE02VTM6SFHTR SMD universal diodes
RRE02VTM6SFHTR SMD universal diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
RRE04EA4DFHTR |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RRE04EA4DFHTR SMD universal diodes
RRE04EA4DFHTR SMD universal diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
RRE04EA6DTR |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RRE04EA6DTR SMD universal diodes
RRE04EA6DTR SMD universal diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
RRE07VSM4STR |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RRE07VSM4STR SMD universal diodes
RRE07VSM4STR SMD universal diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
RRE07VSM6STR |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RRE07VSM6STR SMD universal diodes
RRE07VSM6STR SMD universal diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
RRE07VTM4SFHTR |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RRE07VTM4SFHTR SMD universal diodes
RRE07VTM4SFHTR SMD universal diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
RRE07VTM6SFHTR |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RRE07VTM6SFHTR SMD universal diodes
RRE07VTM6SFHTR SMD universal diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
RRF015P03TL |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.5A; Idm: -6A; 0.8W; SOT323F
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -1.5A
Pulsed drain current: -6A
Power dissipation: 0.8W
Case: SOT323F
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 3.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.5A; Idm: -6A; 0.8W; SOT323F
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -1.5A
Pulsed drain current: -6A
Power dissipation: 0.8W
Case: SOT323F
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 3.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 394 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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107+ | 0.67 EUR |
166+ | 0.43 EUR |
207+ | 0.35 EUR |
382+ | 0.19 EUR |
3000+ | 0.17 EUR |
RRH050P03GZETB |
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Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RRH050P03GZETB SMD P channel transistors
RRH050P03GZETB SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
RRH090P03TB1 |
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Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -9A; Idm: -36A; 2W; SOP8; ESD
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -9A
Pulsed drain current: -36A
Power dissipation: 2W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 56nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -9A; Idm: -36A; 2W; SOP8; ESD
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -9A
Pulsed drain current: -36A
Power dissipation: 2W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 56nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
RRH100P03GZETB |
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Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RRH100P03GZETB SMD P channel transistors
RRH100P03GZETB SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
RRH100P03TB1 |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RRH100P03TB1 SMD P channel transistors
RRH100P03TB1 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
RRH140P03GZETB |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RRH140P03GZETB SMD P channel transistors
RRH140P03GZETB SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
RRH140P03TB1 |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RRH140P03TB1 SMD P channel transistors
RRH140P03TB1 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
RRL035P03FRATR |
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Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.5A; Idm: -14A; 1W; SOT363
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.5A
Pulsed drain current: -14A
Power dissipation: 1W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.5A; Idm: -14A; 1W; SOT363
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.5A
Pulsed drain current: -14A
Power dissipation: 1W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Stück im Wert von UAH
RRL035P03TR |
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Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.5A; Idm: -14A; 1W; SOT363
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.5A
Pulsed drain current: -14A
Power dissipation: 1W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.5A; Idm: -14A; 1W; SOT363
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.5A
Pulsed drain current: -14A
Power dissipation: 1W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Stück im Wert von UAH
RRQ030P03FRATR |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RRQ030P03FRATR SMD P channel transistors
RRQ030P03FRATR SMD P channel transistors
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Stück im Wert von UAH
RRR030P03FRATL |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RRR030P03FRATL SMD P channel transistors
RRR030P03FRATL SMD P channel transistors
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Stück im Wert von UAH
RRR030P03HZGTL |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3A; Idm: -12A; 1W; SOT346; ESD
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3A
Pulsed drain current: -12A
Power dissipation: 1W
Case: SOT346
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3A; Idm: -12A; 1W; SOT346; ESD
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3A
Pulsed drain current: -12A
Power dissipation: 1W
Case: SOT346
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2990 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
99+ | 0.73 EUR |
124+ | 0.58 EUR |
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RRR040P03FRATL |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RRR040P03FRATL SMD P channel transistors
RRR040P03FRATL SMD P channel transistors
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RRS100P03HZGTB |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -10A; Idm: -40A; 2W; SOP8; ESD
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SOP8
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -40A
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -10A
Gate charge: 39nC
On-state resistance: 12.6mΩ
Power dissipation: 2W
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -10A; Idm: -40A; 2W; SOP8; ESD
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SOP8
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -40A
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -10A
Gate charge: 39nC
On-state resistance: 12.6mΩ
Power dissipation: 2W
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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RS1E150GNTB |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; Idm: 60A; 22W; HSOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 22W
Case: HSOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; Idm: 60A; 22W; HSOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 22W
Case: HSOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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RS1E220ATTB1 |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RS1E220ATTB1 SMD P channel transistors
RS1E220ATTB1 SMD P channel transistors
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RS1E280BNTB |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 80A; Idm: 112A; 30W; HSOP8
Kind of channel: enhancement
Case: HSOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 94nC
On-state resistance: 3.2mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Power dissipation: 30W
Drain current: 80A
Pulsed drain current: 112A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 80A; Idm: 112A; 30W; HSOP8
Kind of channel: enhancement
Case: HSOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 94nC
On-state resistance: 3.2mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Power dissipation: 30W
Drain current: 80A
Pulsed drain current: 112A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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RS1E280GNTB |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 80A; Idm: 112A; 31W; HSOP8
Kind of channel: enhancement
Case: HSOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 36nC
On-state resistance: 3.8mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Power dissipation: 31W
Drain current: 80A
Pulsed drain current: 112A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 80A; Idm: 112A; 31W; HSOP8
Kind of channel: enhancement
Case: HSOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 36nC
On-state resistance: 3.8mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Power dissipation: 31W
Drain current: 80A
Pulsed drain current: 112A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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RS1E301GNTB1 |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RS1E301GNTB1 SMD N channel transistors
RS1E301GNTB1 SMD N channel transistors
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RS1E321GNTB1 |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RS1E321GNTB1 SMD N channel transistors
RS1E321GNTB1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
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Stück im Wert von UAH
RS1E350BNTB |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 80A; Idm: 140A; 35W; HSOP8
Mounting: SMD
On-state resistance: 2.5mΩ
Drain current: 80A
Power dissipation: 35W
Drain-source voltage: 30V
Pulsed drain current: 140A
Case: HSOP8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 185nC
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 80A; Idm: 140A; 35W; HSOP8
Mounting: SMD
On-state resistance: 2.5mΩ
Drain current: 80A
Power dissipation: 35W
Drain-source voltage: 30V
Pulsed drain current: 140A
Case: HSOP8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 185nC
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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Stück im Wert von UAH
RS1G120MNTB |
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Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RS1G120MNTB SMD N channel transistors
RS1G120MNTB SMD N channel transistors
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Stück im Wert von UAH
RS1G150MNTB |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RS1G150MNTB SMD N channel transistors
RS1G150MNTB SMD N channel transistors
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Stück im Wert von UAH
RS1G180MNTB |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RS1G180MNTB SMD N channel transistors
RS1G180MNTB SMD N channel transistors
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Stück im Wert von UAH
RS1G201ATTB1 |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RS1G201ATTB1 SMD P channel transistors
RS1G201ATTB1 SMD P channel transistors
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Stück im Wert von UAH
RS1G260MNTB |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RS1G260MNTB SMD N channel transistors
RS1G260MNTB SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
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Stück im Wert von UAH
RS1G300GNTB |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RS1G300GNTB SMD N channel transistors
RS1G300GNTB SMD N channel transistors
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Stück im Wert von UAH
RS1L120GNTB |
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Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RS1L120GNTB SMD N channel transistors
RS1L120GNTB SMD N channel transistors
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Stück im Wert von UAH
RS1L145GNTB |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RS1L145GNTB SMD N channel transistors
RS1L145GNTB SMD N channel transistors
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Stück im Wert von UAH
RS1L151ATTB1 |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RS1L151ATTB1 SMD P channel transistors
RS1L151ATTB1 SMD P channel transistors
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Stück im Wert von UAH
RS1L180GNTB |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RS1L180GNTB SMD N channel transistors
RS1L180GNTB SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
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Stück im Wert von UAH
RS1P600BETB1 |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RS1P600BETB1 SMD N channel transistors
RS1P600BETB1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
RS3E075ATTB |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RS3E075ATTB SMD P channel transistors
RS3E075ATTB SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
RS3E180ATTB1 |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RS3E180ATTB1 SMD P channel transistors
RS3E180ATTB1 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
RS3G160ATTB1 |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RS3G160ATTB1 SMD P channel transistors
RS3G160ATTB1 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
RS3L110ATTB1 |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RS3L110ATTB1 SMD P channel transistors
RS3L110ATTB1 SMD P channel transistors
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Stück im Wert von UAH
RSA6.1ENTR |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 6.1÷7.2V; 200W; quadruple,common anode; SOT353
Case: SOT353
Mounting: SMD
Breakdown voltage: 6.1...7.2V
Semiconductor structure: common anode; quadruple
Version: ESD
Kind of package: reel; tape
Type of diode: TVS array
Peak pulse power dissipation: 0.2kW
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 6.1÷7.2V; 200W; quadruple,common anode; SOT353
Case: SOT353
Mounting: SMD
Breakdown voltage: 6.1...7.2V
Semiconductor structure: common anode; quadruple
Version: ESD
Kind of package: reel; tape
Type of diode: TVS array
Peak pulse power dissipation: 0.2kW
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1184 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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120+ | 0.6 EUR |
176+ | 0.41 EUR |
266+ | 0.27 EUR |
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15000+ | 0.096 EUR |
RSC002P03T316 |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RSC002P03T316 SMD P channel transistors
RSC002P03T316 SMD P channel transistors
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Stück im Wert von UAH
RSF010P05TL |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RSF010P05TL SMD P channel transistors
RSF010P05TL SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
RSF014N03TL |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RSF014N03TL SMD N channel transistors
RSF014N03TL SMD N channel transistors
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Stück im Wert von UAH
RSF015N06FRATL |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 45V; 1.5A; Idm: 6A; 800mW; TUMT3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 45V
Drain current: 1.5A
Pulsed drain current: 6A
Power dissipation: 0.8W
Case: TUMT3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.35Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 45V; 1.5A; Idm: 6A; 800mW; TUMT3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 45V
Drain current: 1.5A
Pulsed drain current: 6A
Power dissipation: 0.8W
Case: TUMT3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.35Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
RSF015N06TL |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.5A; Idm: 6A; 800mW; TUMT3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 1.5A
Pulsed drain current: 6A
Power dissipation: 0.8W
Case: TUMT3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.35Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.5A; Idm: 6A; 800mW; TUMT3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 1.5A
Pulsed drain current: 6A
Power dissipation: 0.8W
Case: TUMT3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.35Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
RSH065N06GZETB |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 6.5A; Idm: 26A; 2W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 6.5A
Pulsed drain current: 26A
Power dissipation: 2W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 48mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 6.5A; Idm: 26A; 2W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 6.5A
Pulsed drain current: 26A
Power dissipation: 2W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 48mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
RSH065N06TB1 |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 6.5A; Idm: 26A; 2W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 6.5A
Pulsed drain current: 26A
Power dissipation: 2W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 48mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 6.5A; Idm: 26A; 2W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 6.5A
Pulsed drain current: 26A
Power dissipation: 2W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 48mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
RSH070N05GZETB |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 45V; 7A; Idm: 28A; 2W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 45V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 2W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 12nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 45V; 7A; Idm: 28A; 2W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 45V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 2W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 12nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH