Produkte > ROHM SEMICONDUCTOR > Alle Produkte des Herstellers ROHM SEMICONDUCTOR (104298) > Seite 1505 nach 1739
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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SCS220KGC17 | ROHM SEMICONDUCTOR |
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SCS230AE2GC11 | ROHM SEMICONDUCTOR |
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SCS230KE2C | ROHM SEMICONDUCTOR |
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SCS240AE2GC11 | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20Ax2; TO247-3; 270W Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 20A x2 Semiconductor structure: common cathode; double Case: TO247-3 Max. forward voltage: 1.63V Max. load current: 160A Max. forward impulse current: 520A Leakage current: 0.4mA Power dissipation: 270W Kind of package: tube Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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SCS240AE2HRC11 | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20Ax2; TO247-3; 270W Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 20A x2 Semiconductor structure: common cathode; double Case: TO247-3 Max. forward voltage: 1.63V Max. load current: 160A Max. forward impulse current: 520A Leakage current: 0.4mA Power dissipation: 270W Kind of package: tube Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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SCS240KE2C | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 20Ax2; TO247-3; 420W Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 20A x2 Semiconductor structure: common cathode; double Case: TO247-3 Max. forward voltage: 1.9V Max. load current: 160A Max. forward impulse current: 620A Power dissipation: 420W Kind of package: tube Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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SCS240KE2GC11 | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 20Ax2; TO247-3; 420W Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 20A x2 Semiconductor structure: common cathode; double Case: TO247-3 Max. forward voltage: 1.9V Max. load current: 160A Max. forward impulse current: 620A Leakage current: 0.4mA Power dissipation: 420W Kind of package: tube Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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SCS304AJTLL | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; TO263AB; SiC; SMD; 650V; 4A; reel,tape Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: SMD Max. off-state voltage: 650V Load current: 4A Semiconductor structure: single diode Case: TO263AB Max. forward voltage: 1.71V Max. load current: 21A Max. forward impulse current: 100A Leakage current: 80µA Power dissipation: 37W Kind of package: reel; tape Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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SCS304AMC | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 4A; TO220FP-2; Ir: 80uA Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 4A Semiconductor structure: single diode Case: TO220FP-2 Max. forward voltage: 1.71V Max. load current: 17A Max. forward impulse current: 100A Leakage current: 80µA Power dissipation: 26W Kind of package: tube Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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SCS306AHGC9 | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 6A; TO220AC; Ir: 120uA Power dissipation: 46W Case: TO220AC Mounting: THT Kind of package: tube Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Semiconductor structure: single diode Leakage current: 120µA Max. forward voltage: 1.71V Load current: 6A Max. load current: 28A Max. forward impulse current: 170A Max. off-state voltage: 650V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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SCS306AMC | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 6A; TO220FP-2; Ir: 120uA Power dissipation: 30W Case: TO220FP-2 Mounting: THT Kind of package: tube Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Semiconductor structure: single diode Leakage current: 120µA Max. forward voltage: 1.71V Load current: 6A Max. load current: 22A Max. forward impulse current: 170A Max. off-state voltage: 650V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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SCS308AHGC9 | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; TO220AC; Ir: 160uA Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 8A Semiconductor structure: single diode Case: TO220AC Max. forward voltage: 1.71V Max. forward impulse current: 250A Leakage current: 0.16mA Kind of package: tube Max. load current: 36A Power dissipation: 57W Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 751 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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SCS308AMC | ROHM SEMICONDUCTOR |
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SCS310AMC | ROHM SEMICONDUCTOR |
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SCS312AHGC9 | ROHM SEMICONDUCTOR |
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SCS312AJTLL | ROHM SEMICONDUCTOR |
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SCS312AMC | ROHM SEMICONDUCTOR |
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SCS315AHGC9 | ROHM SEMICONDUCTOR |
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SCS315AMC | ROHM SEMICONDUCTOR |
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SCS320AHGC9 | ROHM SEMICONDUCTOR |
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SCS320AMC | ROHM SEMICONDUCTOR |
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SCT2080KEGC11 | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 40A; Idm: 80A; 262W Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 40A Pulsed drain current: 80A Power dissipation: 262W Case: TO247 Gate-source voltage: -6...22V On-state resistance: 0.117Ω Mounting: THT Gate charge: 106nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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SCT2160KEGC11 | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 22A; Idm: 55A; 165W Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 22A Pulsed drain current: 55A Power dissipation: 165W Case: TO247 Gate-source voltage: -6...22V On-state resistance: 208mΩ Mounting: THT Gate charge: 62nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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SCT2280KEGC11 | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 14A; Idm: 35A; 108W Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 14A Pulsed drain current: 35A Power dissipation: 108W Case: TO247 Gate-source voltage: -6...22V On-state resistance: 364mΩ Mounting: THT Gate charge: 36nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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SCT2450KEC | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 7A; Idm: 25A; 85W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 7A Pulsed drain current: 25A Power dissipation: 85W Case: TO247 Gate-source voltage: -6...22V On-state resistance: 0.45Ω Mounting: THT Gate charge: 27nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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SCT2750NYTB | ROHM SEMICONDUCTOR |
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SCT2H12NYTB | ROHM SEMICONDUCTOR |
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SCT2H12NZGC11 | ROHM SEMICONDUCTOR |
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SCT3017ALGC11 | ROHM SEMICONDUCTOR |
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SCT3017ALHRC11 | ROHM SEMICONDUCTOR |
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SCT3022ALGC11 | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 93A; Idm: 232A; 339W Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 93A Pulsed drain current: 232A Power dissipation: 339W Case: TO247 Gate-source voltage: -4...22V On-state resistance: 28.6mΩ Mounting: THT Gate charge: 133nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 30 Stücke |
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SCT3022ALHRC11 | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 93A; Idm: 232A; 339W Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 93A Pulsed drain current: 232A Power dissipation: 339W Case: TO247 Gate-source voltage: -4...22V On-state resistance: 28.6mΩ Mounting: THT Gate charge: 133nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 30 Stücke |
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SCT3022KLGC11 | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 95A; Idm: 237A; 427W Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 95A Pulsed drain current: 237A Power dissipation: 427W Case: TO247 Gate-source voltage: -4...22V On-state resistance: 28.6mΩ Mounting: THT Gate charge: 178nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 30 Stücke |
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SCT3022KLHRC11 | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 95A; Idm: 237A; 427W Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 95A Pulsed drain current: 237A Power dissipation: 427W Case: TO247 Gate-source voltage: -4...22V On-state resistance: 28.6mΩ Mounting: THT Gate charge: 178nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 30 Stücke |
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SCT3030ALGC11 | ROHM SEMICONDUCTOR |
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SCT3030ALHRC11 | ROHM SEMICONDUCTOR |
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SCT3030ARC14 | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 70A; Idm: 175A; 262W Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 70A Pulsed drain current: 175A Power dissipation: 262W Case: TO247-4 Gate-source voltage: -4...22V On-state resistance: 39mΩ Mounting: THT Gate charge: 104nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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SCT3030AW7TL | ROHM SEMICONDUCTOR |
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SCT3030KLGC11 | ROHM SEMICONDUCTOR |
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SCT3030KLHRC11 | ROHM SEMICONDUCTOR |
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SCT3040KLGC11 | ROHM SEMICONDUCTOR |
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SCT3040KLHRC11 | ROHM SEMICONDUCTOR |
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SCT3040KRC14 | ROHM SEMICONDUCTOR |
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SCT3040KW7TL | ROHM SEMICONDUCTOR |
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SCT3060ALGC11 | ROHM SEMICONDUCTOR |
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SCT3060ALHRC11 | ROHM SEMICONDUCTOR |
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SCT3060ARC14 | ROHM SEMICONDUCTOR |
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SCT3060AW7TL | ROHM SEMICONDUCTOR |
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SCT3080ALGC11 | ROHM SEMICONDUCTOR |
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SCT3080ARC14 | ROHM SEMICONDUCTOR |
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SCT3080KLGC11 | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 31A; 165W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 31A Power dissipation: 165W Case: TO247 On-state resistance: 80mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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SCT3080KLHRC11 | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 31A; Idm: 77A; 165W Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 31A Pulsed drain current: 77A Power dissipation: 165W Case: TO247 Gate-source voltage: -4...22V On-state resistance: 0.104Ω Mounting: THT Gate charge: 60nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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SCT3080KW7TL | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 30A; Idm: 75A; 159W Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 30A Pulsed drain current: 75A Power dissipation: 159W Case: TO263-7 Gate-source voltage: -4...22V On-state resistance: 0.104Ω Mounting: SMD Gate charge: 60nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke |
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SCT3105KRC14 | ROHM SEMICONDUCTOR |
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Produkt ist nicht verfügbar |
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SCT3120ALGC11 | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SCT3160KLGC11 | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 17A; 103W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 17A Power dissipation: 103W Case: TO247 On-state resistance: 0.16Ω Mounting: THT Gate charge: 42nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 24 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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SCT3160KW7TL | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 17A; Idm: 42A; 100W Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 17A Pulsed drain current: 42A Power dissipation: 100W Case: TO263-7 Gate-source voltage: -4...22V On-state resistance: 208mΩ Mounting: SMD Gate charge: 42nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||
SH8J31GZETB | ROHM SEMICONDUCTOR |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||
SH8J62TB1 | ROHM SEMICONDUCTOR |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||
SH8J65TB1 | ROHM SEMICONDUCTOR |
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Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
SCS220KGC17 |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
SCS220KGC17 THT Schottky diodes
SCS220KGC17 THT Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
SCS230AE2GC11 |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
SCS230AE2GC11 THT Schottky diodes
SCS230AE2GC11 THT Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
SCS230KE2C |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
SCS230KE2C THT Schottky diodes
SCS230KE2C THT Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
SCS240AE2GC11 |
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Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20Ax2; TO247-3; 270W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 20A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Max. forward voltage: 1.63V
Max. load current: 160A
Max. forward impulse current: 520A
Leakage current: 0.4mA
Power dissipation: 270W
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20Ax2; TO247-3; 270W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 20A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Max. forward voltage: 1.63V
Max. load current: 160A
Max. forward impulse current: 520A
Leakage current: 0.4mA
Power dissipation: 270W
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
SCS240AE2HRC11 |
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Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20Ax2; TO247-3; 270W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 20A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Max. forward voltage: 1.63V
Max. load current: 160A
Max. forward impulse current: 520A
Leakage current: 0.4mA
Power dissipation: 270W
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20Ax2; TO247-3; 270W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 20A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Max. forward voltage: 1.63V
Max. load current: 160A
Max. forward impulse current: 520A
Leakage current: 0.4mA
Power dissipation: 270W
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
SCS240KE2C |
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Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 20Ax2; TO247-3; 420W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 20A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Max. forward voltage: 1.9V
Max. load current: 160A
Max. forward impulse current: 620A
Power dissipation: 420W
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 20Ax2; TO247-3; 420W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 20A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Max. forward voltage: 1.9V
Max. load current: 160A
Max. forward impulse current: 620A
Power dissipation: 420W
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
SCS240KE2GC11 |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 20Ax2; TO247-3; 420W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 20A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Max. forward voltage: 1.9V
Max. load current: 160A
Max. forward impulse current: 620A
Leakage current: 0.4mA
Power dissipation: 420W
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 20Ax2; TO247-3; 420W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 20A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Max. forward voltage: 1.9V
Max. load current: 160A
Max. forward impulse current: 620A
Leakage current: 0.4mA
Power dissipation: 420W
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
SCS304AJTLL |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO263AB; SiC; SMD; 650V; 4A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO263AB
Max. forward voltage: 1.71V
Max. load current: 21A
Max. forward impulse current: 100A
Leakage current: 80µA
Power dissipation: 37W
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO263AB; SiC; SMD; 650V; 4A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO263AB
Max. forward voltage: 1.71V
Max. load current: 21A
Max. forward impulse current: 100A
Leakage current: 80µA
Power dissipation: 37W
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
SCS304AMC |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 4A; TO220FP-2; Ir: 80uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220FP-2
Max. forward voltage: 1.71V
Max. load current: 17A
Max. forward impulse current: 100A
Leakage current: 80µA
Power dissipation: 26W
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 4A; TO220FP-2; Ir: 80uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220FP-2
Max. forward voltage: 1.71V
Max. load current: 17A
Max. forward impulse current: 100A
Leakage current: 80µA
Power dissipation: 26W
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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Stück im Wert von UAH
SCS306AHGC9 |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 6A; TO220AC; Ir: 120uA
Power dissipation: 46W
Case: TO220AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 120µA
Max. forward voltage: 1.71V
Load current: 6A
Max. load current: 28A
Max. forward impulse current: 170A
Max. off-state voltage: 650V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 6A; TO220AC; Ir: 120uA
Power dissipation: 46W
Case: TO220AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 120µA
Max. forward voltage: 1.71V
Load current: 6A
Max. load current: 28A
Max. forward impulse current: 170A
Max. off-state voltage: 650V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
SCS306AMC |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 6A; TO220FP-2; Ir: 120uA
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP-2
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 120µA
Max. forward voltage: 1.71V
Load current: 6A
Max. load current: 22A
Max. forward impulse current: 170A
Max. off-state voltage: 650V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 6A; TO220FP-2; Ir: 120uA
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP-2
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 120µA
Max. forward voltage: 1.71V
Load current: 6A
Max. load current: 22A
Max. forward impulse current: 170A
Max. off-state voltage: 650V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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SCS308AHGC9 |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; TO220AC; Ir: 160uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220AC
Max. forward voltage: 1.71V
Max. forward impulse current: 250A
Leakage current: 0.16mA
Kind of package: tube
Max. load current: 36A
Power dissipation: 57W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; TO220AC; Ir: 160uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220AC
Max. forward voltage: 1.71V
Max. forward impulse current: 250A
Leakage current: 0.16mA
Kind of package: tube
Max. load current: 36A
Power dissipation: 57W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 751 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
17+ | 4.46 EUR |
18+ | 4 EUR |
23+ | 3.2 EUR |
24+ | 3.03 EUR |
SCS308AMC |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
SCS308AMC THT Schottky diodes
SCS308AMC THT Schottky diodes
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Stück im Wert von UAH
SCS310AMC |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
SCS310AMC THT Schottky diodes
SCS310AMC THT Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
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Stück im Wert von UAH
SCS312AHGC9 |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
SCS312AHGC9 THT Schottky diodes
SCS312AHGC9 THT Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
SCS312AJTLL |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
SCS312AJTLL SMD Schottky diodes
SCS312AJTLL SMD Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
SCS312AMC |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
SCS312AMC THT Schottky diodes
SCS312AMC THT Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
SCS315AHGC9 |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
SCS315AHGC9 THT Schottky diodes
SCS315AHGC9 THT Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
SCS315AMC |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
SCS315AMC THT Schottky diodes
SCS315AMC THT Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
SCS320AHGC9 |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
SCS320AHGC9 THT Schottky diodes
SCS320AHGC9 THT Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
SCS320AMC |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
SCS320AMC THT Schottky diodes
SCS320AMC THT Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
SCT2080KEGC11 |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 40A; Idm: 80A; 262W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 262W
Case: TO247
Gate-source voltage: -6...22V
On-state resistance: 0.117Ω
Mounting: THT
Gate charge: 106nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 40A; Idm: 80A; 262W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 262W
Case: TO247
Gate-source voltage: -6...22V
On-state resistance: 0.117Ω
Mounting: THT
Gate charge: 106nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
SCT2160KEGC11 |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 22A; Idm: 55A; 165W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 22A
Pulsed drain current: 55A
Power dissipation: 165W
Case: TO247
Gate-source voltage: -6...22V
On-state resistance: 208mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 62nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 22A; Idm: 55A; 165W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 22A
Pulsed drain current: 55A
Power dissipation: 165W
Case: TO247
Gate-source voltage: -6...22V
On-state resistance: 208mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 62nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
SCT2280KEGC11 |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 14A; Idm: 35A; 108W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 35A
Power dissipation: 108W
Case: TO247
Gate-source voltage: -6...22V
On-state resistance: 364mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 14A; Idm: 35A; 108W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 35A
Power dissipation: 108W
Case: TO247
Gate-source voltage: -6...22V
On-state resistance: 364mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
SCT2450KEC |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 7A; Idm: 25A; 85W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 25A
Power dissipation: 85W
Case: TO247
Gate-source voltage: -6...22V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Gate charge: 27nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 7A; Idm: 25A; 85W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 25A
Power dissipation: 85W
Case: TO247
Gate-source voltage: -6...22V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Gate charge: 27nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
SCT2750NYTB |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
SCT2750NYTB SMD N channel transistors
SCT2750NYTB SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
SCT2H12NYTB |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
SCT2H12NYTB SMD N channel transistors
SCT2H12NYTB SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
SCT2H12NZGC11 |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
SCT2H12NZGC11 THT N channel transistors
SCT2H12NZGC11 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
SCT3017ALGC11 |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
SCT3017ALGC11 THT N channel transistors
SCT3017ALGC11 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
SCT3017ALHRC11 |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
SCT3017ALHRC11 THT N channel transistors
SCT3017ALHRC11 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
SCT3022ALGC11 |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 93A; Idm: 232A; 339W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 93A
Pulsed drain current: 232A
Power dissipation: 339W
Case: TO247
Gate-source voltage: -4...22V
On-state resistance: 28.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 133nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 30 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 93A; Idm: 232A; 339W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 93A
Pulsed drain current: 232A
Power dissipation: 339W
Case: TO247
Gate-source voltage: -4...22V
On-state resistance: 28.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 133nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 30 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
SCT3022ALHRC11 |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 93A; Idm: 232A; 339W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 93A
Pulsed drain current: 232A
Power dissipation: 339W
Case: TO247
Gate-source voltage: -4...22V
On-state resistance: 28.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 133nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 30 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 93A; Idm: 232A; 339W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 93A
Pulsed drain current: 232A
Power dissipation: 339W
Case: TO247
Gate-source voltage: -4...22V
On-state resistance: 28.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 133nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 30 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
SCT3022KLGC11 |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 95A; Idm: 237A; 427W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 95A
Pulsed drain current: 237A
Power dissipation: 427W
Case: TO247
Gate-source voltage: -4...22V
On-state resistance: 28.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 178nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 30 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 95A; Idm: 237A; 427W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 95A
Pulsed drain current: 237A
Power dissipation: 427W
Case: TO247
Gate-source voltage: -4...22V
On-state resistance: 28.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 178nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 30 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
SCT3022KLHRC11 |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 95A; Idm: 237A; 427W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 95A
Pulsed drain current: 237A
Power dissipation: 427W
Case: TO247
Gate-source voltage: -4...22V
On-state resistance: 28.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 178nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 30 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 95A; Idm: 237A; 427W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 95A
Pulsed drain current: 237A
Power dissipation: 427W
Case: TO247
Gate-source voltage: -4...22V
On-state resistance: 28.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 178nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 30 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
SCT3030ALGC11 |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
SCT3030ALGC11 THT N channel transistors
SCT3030ALGC11 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
SCT3030ALHRC11 |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
SCT3030ALHRC11 THT N channel transistors
SCT3030ALHRC11 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
SCT3030ARC14 |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 70A; Idm: 175A; 262W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 70A
Pulsed drain current: 175A
Power dissipation: 262W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -4...22V
On-state resistance: 39mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 104nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 70A; Idm: 175A; 262W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 70A
Pulsed drain current: 175A
Power dissipation: 262W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -4...22V
On-state resistance: 39mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 104nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
SCT3030AW7TL |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
SCT3030AW7TL SMD N channel transistors
SCT3030AW7TL SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
SCT3030KLGC11 |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
SCT3030KLGC11 THT N channel transistors
SCT3030KLGC11 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
SCT3030KLHRC11 |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
SCT3030KLHRC11 THT N channel transistors
SCT3030KLHRC11 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
SCT3040KLGC11 |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
SCT3040KLGC11 THT N channel transistors
SCT3040KLGC11 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
SCT3040KLHRC11 |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
SCT3040KLHRC11 THT N channel transistors
SCT3040KLHRC11 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
SCT3040KRC14 |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
SCT3040KRC14 THT N channel transistors
SCT3040KRC14 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
SCT3040KW7TL |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
SCT3040KW7TL SMD N channel transistors
SCT3040KW7TL SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
SCT3060ALGC11 |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
SCT3060ALGC11 THT N channel transistors
SCT3060ALGC11 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
SCT3060ALHRC11 |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
SCT3060ALHRC11 THT N channel transistors
SCT3060ALHRC11 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
SCT3060ARC14 |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
SCT3060ARC14 THT N channel transistors
SCT3060ARC14 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
SCT3060AW7TL |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
SCT3060AW7TL SMD N channel transistors
SCT3060AW7TL SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
SCT3080ALGC11 |
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Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
SCT3080ALGC11 THT N channel transistors
SCT3080ALGC11 THT N channel transistors
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SCT3080ARC14 |
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Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
SCT3080ARC14 THT N channel transistors
SCT3080ARC14 THT N channel transistors
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Stück im Wert von UAH
SCT3080KLGC11 |
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Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 31A; 165W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 31A
Power dissipation: 165W
Case: TO247
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 31A; 165W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 31A
Power dissipation: 165W
Case: TO247
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Stück im Wert von UAH
SCT3080KLHRC11 |
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Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 31A; Idm: 77A; 165W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 31A
Pulsed drain current: 77A
Power dissipation: 165W
Case: TO247
Gate-source voltage: -4...22V
On-state resistance: 0.104Ω
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 31A; Idm: 77A; 165W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 31A
Pulsed drain current: 77A
Power dissipation: 165W
Case: TO247
Gate-source voltage: -4...22V
On-state resistance: 0.104Ω
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Stück im Wert von UAH
SCT3080KW7TL |
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Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 30A; Idm: 75A; 159W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 75A
Power dissipation: 159W
Case: TO263-7
Gate-source voltage: -4...22V
On-state resistance: 0.104Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 60nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 30A; Idm: 75A; 159W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 75A
Power dissipation: 159W
Case: TO263-7
Gate-source voltage: -4...22V
On-state resistance: 0.104Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 60nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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Stück im Wert von UAH
SCT3105KRC14 |
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Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
SCT3105KRC14 THT N channel transistors
SCT3105KRC14 THT N channel transistors
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Stück im Wert von UAH
SCT3120ALGC11 |
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Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
SCT3120ALGC11 THT N channel transistors
SCT3120ALGC11 THT N channel transistors
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Stück im Wert von UAH
SCT3160KLGC11 |
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Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 17A; 103W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 17A
Power dissipation: 103W
Case: TO247
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 17A; 103W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 17A
Power dissipation: 103W
Case: TO247
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
5+ | 16.19 EUR |
6+ | 13.16 EUR |
SCT3160KW7TL |
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Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 17A; Idm: 42A; 100W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 17A
Pulsed drain current: 42A
Power dissipation: 100W
Case: TO263-7
Gate-source voltage: -4...22V
On-state resistance: 208mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 42nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 17A; Idm: 42A; 100W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 17A
Pulsed drain current: 42A
Power dissipation: 100W
Case: TO263-7
Gate-source voltage: -4...22V
On-state resistance: 208mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 42nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
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Stück im Wert von UAH
SH8J31GZETB |
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Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
SH8J31GZETB Multi channel transistors
SH8J31GZETB Multi channel transistors
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Stück im Wert von UAH
SH8J62TB1 |
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Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
SH8J62TB1 Multi channel transistors
SH8J62TB1 Multi channel transistors
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SH8J65TB1 |
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Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
SH8J65TB1 Multi channel transistors
SH8J65TB1 Multi channel transistors
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