Produkte > ROHM SEMICONDUCTOR > Alle Produkte des Herstellers ROHM SEMICONDUCTOR (104300) > Seite 1500 nach 1739
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
RGT30TM65DGC9 | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
RGT40NS65DGTL | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: IGBT; 650V; 20A; 70W; LPDS Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 20A Power dissipation: 70W Case: LPDS Gate-emitter voltage: ±30V Pulsed collector current: 60A Mounting: SMD Gate charge: 40nC Kind of package: reel; tape Turn-on time: 51ns Turn-off time: 204ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
RGT50NL65DGTL | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
RGT50NS65DGC9 | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
RGT50NS65DGTL | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
RGT50TM65DGC9 | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
RGT8BM65DTL | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
RGTH00TS65DGC11 | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
RGTH40TS65DGC11 | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: IGBT; 650V; 20A; 72W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 20A Power dissipation: 72W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±30V Pulsed collector current: 80A Mounting: THT Gate charge: 40nC Kind of package: tube Turn-on time: 47ns Turn-off time: 141ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
RGTH40TS65GC11 | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: IGBT; 650V; 20A; 72W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 20A Power dissipation: 72W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±30V Pulsed collector current: 80A Mounting: THT Gate charge: 40nC Kind of package: tube Turn-on time: 47ns Turn-off time: 141ns Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
RGTH50TS65DGC11 | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
RGTH80TS65DGC11 | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
RGTV00TS65DGC11 | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
RGTV60TK65DGVC11 | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: IGBT; 650V; 20A; 38W; TO3PFM Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 20A Power dissipation: 38W Case: TO3PFM Gate-emitter voltage: ±30V Pulsed collector current: 120A Mounting: THT Gate charge: 64nC Kind of package: tube Turn-on time: 45ns Turn-off time: 201ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
RGTVX6TS65GC11 | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
RGW80TS65DGC11 | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
RGWX5TS65DGC11 | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
RHK003N06FRAT146 | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
![]() |
RHP020N06FRAT100 | ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2A; Idm: 8A; 2W; MPT3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 2A Pulsed drain current: 8A Power dissipation: 2W Case: MPT3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.34Ω Mounting: SMD Gate charge: 7nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 755 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
RHP020N06T100 | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2A; Idm: 8A; 2W; MPT3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 2A Pulsed drain current: 8A Power dissipation: 2W Case: MPT3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.34Ω Mounting: SMD Gate charge: 7nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
RHP030N03T100 | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
RHU002N06FRAT106 | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200mA; Idm: 0.8A; 200mW; UMT3 Case: UMT3 Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Gate charge: 2.2nC On-state resistance: 4Ω Power dissipation: 0.2W Drain current: 0.2A Pulsed drain current: 0.8A Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 60V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
RHU003N03FRAT106 | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
RJ1G12BGNTLL | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
RJ1L12BGNTLL | ROHM SEMICONDUCTOR | RJ1L12BGNTLL SMD N channel transistors |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
RJ1P12BBDTLL | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; Idm: 240A; 178W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 120A Pulsed drain current: 240A Power dissipation: 178W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7.8mΩ Mounting: SMD Gate charge: 80nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
RJK005N03FRAT146 | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
RJP020N06FRAT100 | ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2A; Idm: 8A; 2W; MPT3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 2A Pulsed drain current: 8A Power dissipation: 2W Case: MPT3 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 0.3Ω Mounting: SMD Gate charge: 5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
RJP020N06T100 | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2A; Idm: 8A; 2W; MPT3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 2A Pulsed drain current: 8A Power dissipation: 2W Case: MPT3 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 0.3Ω Mounting: SMD Gate charge: 5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
RJU002N06FRAT106 | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200mA; Idm: 0.8A; 200mW; UMT3 Case: UMT3 Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar On-state resistance: 3.1Ω Power dissipation: 0.2W Drain current: 0.2A Pulsed drain current: 0.8A Gate-source voltage: ±12V Drain-source voltage: 60V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
RJU003N03FRAT106 | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
RK7002AT116 | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
RK7002BMHZGT116 | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 250mA; Idm: 1A; 350mW; SST3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Power dissipation: 0.35W Case: SST3 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 60V Pulsed drain current: 1A Drain current: 0.25A On-state resistance: 12Ω Gate-source voltage: ±20V Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
![]() |
RK7002BMT116 | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 250mA; Idm: 1A; 200/350mW; ESD Mounting: SMD Version: ESD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Power dissipation: 200/350mW Drain current: 0.25A Pulsed drain current: 1A On-state resistance: 2.4Ω Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 60V Case: SOT23 Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 3166 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
![]() |
RN141CMT2R | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Diode: switching; 50V; 0.1A; SOD923; single diode; Ufmax: 1V; 0.8pF Max. off-state voltage: 50V Load current: 0.1A Case: SOD923 Kind of package: reel; tape Max. forward voltage: 1V Capacitance: 0.8pF Leakage current: 0.1µA Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: PIN; RF Mounting: SMD Type of diode: switching Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 7815 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
![]() |
RN142SMT2R | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Diode: switching; 60V; 0.1A; SC79,SOD523; single diode; Ufmax: 1V Max. off-state voltage: 60V Load current: 0.1A Case: SC79; SOD523 Kind of package: reel; tape Max. forward voltage: 1V Capacitance: 0.45pF Leakage current: 0.1µA Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: PIN; RF Mounting: SMD Type of diode: switching Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 7915 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
RN731VTE-17 | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
RN739DT146 | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
RN739FT106 | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
RN771VTE-17 | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
RN779FT106 | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
RQ1A060ZPTR | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
RQ1A070APTR | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
RQ1A070ZPFRATR | ROHM SEMICONDUCTOR | RQ1A070ZPFRATR SMD P channel transistors |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
RQ1C075UNTR | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
RQ1E070RPTR | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
RQ1E075XNTCR | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
RQ3C150BCTB | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
RQ3E070BNTB | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
RQ3E075ATTB | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
RQ3E080BNTB | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
RQ3E080GNTB | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
RQ3E100BNTB | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() |
auf Bestellung 2690 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
|||||||||||||||
RQ3E110AJTB | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
RQ3E120ATTB | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
![]() |
RQ3E120GNTB | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 27A; Idm: 48A; 15W; HSMT8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 27A Pulsed drain current: 48A Power dissipation: 15W Case: HSMT8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 13.8mΩ Mounting: SMD Gate charge: 10nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 2761 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
RQ3E130BNTB | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
RQ3E150BNTB | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
RQ3E150GNTB | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 39A; Idm: 60A; 17W; HSMT8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 39A Pulsed drain current: 60A Power dissipation: 17W Case: HSMT8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 8.8mΩ Mounting: SMD Gate charge: 15.3nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
RQ3E160ADTB | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
RGT30TM65DGC9 |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RGT30TM65DGC9 THT IGBT transistors
RGT30TM65DGC9 THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
RGT40NS65DGTL |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 20A; 70W; LPDS
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 20A
Power dissipation: 70W
Case: LPDS
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 51ns
Turn-off time: 204ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 20A; 70W; LPDS
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 20A
Power dissipation: 70W
Case: LPDS
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 51ns
Turn-off time: 204ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
RGT50NL65DGTL |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RGT50NL65DGTL SMD IGBT transistors
RGT50NL65DGTL SMD IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
RGT50NS65DGC9 |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RGT50NS65DGC9 THT IGBT transistors
RGT50NS65DGC9 THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
RGT50NS65DGTL |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RGT50NS65DGTL SMD IGBT transistors
RGT50NS65DGTL SMD IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
RGT50TM65DGC9 |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RGT50TM65DGC9 SMD IGBT transistors
RGT50TM65DGC9 SMD IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
RGT8BM65DTL |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RGT8BM65DTL SMD IGBT transistors
RGT8BM65DTL SMD IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
RGTH00TS65DGC11 |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RGTH00TS65DGC11 THT IGBT transistors
RGTH00TS65DGC11 THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
RGTH40TS65DGC11 |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 20A; 72W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 20A
Power dissipation: 72W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 80A
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 47ns
Turn-off time: 141ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 20A; 72W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 20A
Power dissipation: 72W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 80A
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 47ns
Turn-off time: 141ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
RGTH40TS65GC11 |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 20A; 72W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 20A
Power dissipation: 72W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 80A
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 47ns
Turn-off time: 141ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 20A; 72W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 20A
Power dissipation: 72W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 80A
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 47ns
Turn-off time: 141ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
RGTH50TS65DGC11 |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RGTH50TS65DGC11 THT IGBT transistors
RGTH50TS65DGC11 THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
RGTH80TS65DGC11 |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RGTH80TS65DGC11 THT IGBT transistors
RGTH80TS65DGC11 THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
RGTV00TS65DGC11 |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RGTV00TS65DGC11 THT IGBT transistors
RGTV00TS65DGC11 THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
RGTV60TK65DGVC11 |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 20A; 38W; TO3PFM
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 20A
Power dissipation: 38W
Case: TO3PFM
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 64nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 45ns
Turn-off time: 201ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 20A; 38W; TO3PFM
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 20A
Power dissipation: 38W
Case: TO3PFM
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 64nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 45ns
Turn-off time: 201ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
RGTVX6TS65GC11 |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RGTVX6TS65GC11 THT IGBT transistors
RGTVX6TS65GC11 THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
RGW80TS65DGC11 |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RGW80TS65DGC11 THT IGBT transistors
RGW80TS65DGC11 THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
RGWX5TS65DGC11 |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RGWX5TS65DGC11 THT IGBT transistors
RGWX5TS65DGC11 THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
RHK003N06FRAT146 |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RHK003N06FRAT146 SMD N channel transistors
RHK003N06FRAT146 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
RHP020N06FRAT100 |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2A; Idm: 8A; 2W; MPT3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 2W
Case: MPT3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.34Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2A; Idm: 8A; 2W; MPT3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 2W
Case: MPT3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.34Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 755 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
167+ | 0.43 EUR |
176+ | 0.41 EUR |
198+ | 0.36 EUR |
215+ | 0.33 EUR |
227+ | 0.32 EUR |
1000+ | 0.3 EUR |
RHP020N06T100 |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2A; Idm: 8A; 2W; MPT3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 2W
Case: MPT3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.34Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2A; Idm: 8A; 2W; MPT3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 2W
Case: MPT3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.34Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
RHP030N03T100 |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RHP030N03T100 SMD N channel transistors
RHP030N03T100 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
RHU002N06FRAT106 |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200mA; Idm: 0.8A; 200mW; UMT3
Case: UMT3
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 2.2nC
On-state resistance: 4Ω
Power dissipation: 0.2W
Drain current: 0.2A
Pulsed drain current: 0.8A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200mA; Idm: 0.8A; 200mW; UMT3
Case: UMT3
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 2.2nC
On-state resistance: 4Ω
Power dissipation: 0.2W
Drain current: 0.2A
Pulsed drain current: 0.8A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
RHU003N03FRAT106 |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RHU003N03FRAT106 SMD N channel transistors
RHU003N03FRAT106 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
RJ1G12BGNTLL |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RJ1G12BGNTLL SMD N channel transistors
RJ1G12BGNTLL SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
RJ1L12BGNTLL |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RJ1L12BGNTLL SMD N channel transistors
RJ1L12BGNTLL SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
RJ1P12BBDTLL |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; Idm: 240A; 178W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 178W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 80nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; Idm: 240A; 178W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 178W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 80nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
RJK005N03FRAT146 |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RJK005N03FRAT146 SMD N channel transistors
RJK005N03FRAT146 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
RJP020N06FRAT100 |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2A; Idm: 8A; 2W; MPT3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 2W
Case: MPT3
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2A; Idm: 8A; 2W; MPT3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 2W
Case: MPT3
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
RJP020N06T100 |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2A; Idm: 8A; 2W; MPT3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 2W
Case: MPT3
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2A; Idm: 8A; 2W; MPT3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 2W
Case: MPT3
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
RJU002N06FRAT106 |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200mA; Idm: 0.8A; 200mW; UMT3
Case: UMT3
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 3.1Ω
Power dissipation: 0.2W
Drain current: 0.2A
Pulsed drain current: 0.8A
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 60V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200mA; Idm: 0.8A; 200mW; UMT3
Case: UMT3
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 3.1Ω
Power dissipation: 0.2W
Drain current: 0.2A
Pulsed drain current: 0.8A
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 60V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
RJU003N03FRAT106 |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RJU003N03FRAT106 SMD N channel transistors
RJU003N03FRAT106 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
RK7002AT116 |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RK7002AT116 SMD N channel transistors
RK7002AT116 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
RK7002BMHZGT116 |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 250mA; Idm: 1A; 350mW; SST3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.35W
Case: SST3
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 60V
Pulsed drain current: 1A
Drain current: 0.25A
On-state resistance: 12Ω
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 250mA; Idm: 1A; 350mW; SST3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.35W
Case: SST3
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 60V
Pulsed drain current: 1A
Drain current: 0.25A
On-state resistance: 12Ω
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
RK7002BMT116 |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 250mA; Idm: 1A; 200/350mW; ESD
Mounting: SMD
Version: ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 200/350mW
Drain current: 0.25A
Pulsed drain current: 1A
On-state resistance: 2.4Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Case: SOT23
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 250mA; Idm: 1A; 200/350mW; ESD
Mounting: SMD
Version: ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 200/350mW
Drain current: 0.25A
Pulsed drain current: 1A
On-state resistance: 2.4Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Case: SOT23
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3166 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
417+ | 0.17 EUR |
582+ | 0.12 EUR |
685+ | 0.1 EUR |
958+ | 0.075 EUR |
1112+ | 0.064 EUR |
1916+ | 0.037 EUR |
2025+ | 0.035 EUR |
RN141CMT2R |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 50V; 0.1A; SOD923; single diode; Ufmax: 1V; 0.8pF
Max. off-state voltage: 50V
Load current: 0.1A
Case: SOD923
Kind of package: reel; tape
Max. forward voltage: 1V
Capacitance: 0.8pF
Leakage current: 0.1µA
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: PIN; RF
Mounting: SMD
Type of diode: switching
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 50V; 0.1A; SOD923; single diode; Ufmax: 1V; 0.8pF
Max. off-state voltage: 50V
Load current: 0.1A
Case: SOD923
Kind of package: reel; tape
Max. forward voltage: 1V
Capacitance: 0.8pF
Leakage current: 0.1µA
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: PIN; RF
Mounting: SMD
Type of diode: switching
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 7815 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
250+ | 0.29 EUR |
305+ | 0.23 EUR |
348+ | 0.21 EUR |
407+ | 0.18 EUR |
506+ | 0.14 EUR |
848+ | 0.084 EUR |
893+ | 0.08 EUR |
RN142SMT2R |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 60V; 0.1A; SC79,SOD523; single diode; Ufmax: 1V
Max. off-state voltage: 60V
Load current: 0.1A
Case: SC79; SOD523
Kind of package: reel; tape
Max. forward voltage: 1V
Capacitance: 0.45pF
Leakage current: 0.1µA
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: PIN; RF
Mounting: SMD
Type of diode: switching
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 60V; 0.1A; SC79,SOD523; single diode; Ufmax: 1V
Max. off-state voltage: 60V
Load current: 0.1A
Case: SC79; SOD523
Kind of package: reel; tape
Max. forward voltage: 1V
Capacitance: 0.45pF
Leakage current: 0.1µA
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: PIN; RF
Mounting: SMD
Type of diode: switching
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 7915 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
313+ | 0.23 EUR |
439+ | 0.16 EUR |
511+ | 0.14 EUR |
855+ | 0.084 EUR |
1352+ | 0.053 EUR |
1429+ | 0.05 EUR |
RN731VTE-17 |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RN731VTE-17 Diodes - others
RN731VTE-17 Diodes - others
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
RN739DT146 |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RN739DT146 Diodes - others
RN739DT146 Diodes - others
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
RN739FT106 |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RN739FT106 Diodes - others
RN739FT106 Diodes - others
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
RN771VTE-17 |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RN771VTE-17 Diodes - others
RN771VTE-17 Diodes - others
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
RN779FT106 |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RN779FT106 Diodes - others
RN779FT106 Diodes - others
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
RQ1A060ZPTR |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RQ1A060ZPTR SMD P channel transistors
RQ1A060ZPTR SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
RQ1A070APTR |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RQ1A070APTR SMD P channel transistors
RQ1A070APTR SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
RQ1A070ZPFRATR |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RQ1A070ZPFRATR SMD P channel transistors
RQ1A070ZPFRATR SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
RQ1C075UNTR |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RQ1C075UNTR SMD N channel transistors
RQ1C075UNTR SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
RQ1E070RPTR |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RQ1E070RPTR SMD P channel transistors
RQ1E070RPTR SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
RQ1E075XNTCR |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RQ1E075XNTCR SMD N channel transistors
RQ1E075XNTCR SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
RQ3C150BCTB |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RQ3C150BCTB SMD P channel transistors
RQ3C150BCTB SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
RQ3E070BNTB |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RQ3E070BNTB SMD N channel transistors
RQ3E070BNTB SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
RQ3E075ATTB |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RQ3E075ATTB SMD P channel transistors
RQ3E075ATTB SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
RQ3E080BNTB |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RQ3E080BNTB SMD N channel transistors
RQ3E080BNTB SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
RQ3E080GNTB |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RQ3E080GNTB SMD N channel transistors
RQ3E080GNTB SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
RQ3E100BNTB |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RQ3E100BNTB SMD N channel transistors
RQ3E100BNTB SMD N channel transistors
auf Bestellung 2690 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
187+ | 0.38 EUR |
309+ | 0.23 EUR |
327+ | 0.22 EUR |
RQ3E110AJTB |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RQ3E110AJTB SMD N channel transistors
RQ3E110AJTB SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
RQ3E120ATTB |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RQ3E120ATTB SMD P channel transistors
RQ3E120ATTB SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
RQ3E120GNTB |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 27A; Idm: 48A; 15W; HSMT8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 27A
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 15W
Case: HSMT8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 27A; Idm: 48A; 15W; HSMT8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 27A
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 15W
Case: HSMT8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2761 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
120+ | 0.6 EUR |
154+ | 0.47 EUR |
241+ | 0.3 EUR |
256+ | 0.28 EUR |
500+ | 0.27 EUR |
RQ3E130BNTB |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RQ3E130BNTB SMD N channel transistors
RQ3E130BNTB SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
RQ3E150BNTB |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RQ3E150BNTB SMD N channel transistors
RQ3E150BNTB SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
RQ3E150GNTB |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 39A; Idm: 60A; 17W; HSMT8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 39A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 17W
Case: HSMT8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 39A; Idm: 60A; 17W; HSMT8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 39A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 17W
Case: HSMT8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
RQ3E160ADTB |
![]() |
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RQ3E160ADTB SMD N channel transistors
RQ3E160ADTB SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH