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RRH100P03GZETB ROHM SEMICONDUCTOR rrh100p03tb1-e.pdf RRH100P03GZETB SMD P channel transistors
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RRH100P03TB1 ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=RRH100P03&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key RRH100P03TB1 SMD P channel transistors
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RRH140P03GZETB ROHM SEMICONDUCTOR rrh140p03tb1-e.pdf RRH140P03GZETB SMD P channel transistors
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RRH140P03TB1 ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=RRH140P03&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key RRH140P03TB1 SMD P channel transistors
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RRL035P03FRATR RRL035P03FRATR ROHM SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD92D7D2641FAA80D3&compId=rrl035p03fra.pdf?ci_sign=f7ae73258c483902175df4c0761da1bb626e993f Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.5A; Idm: -14A; 1W; SOT363
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.5A
Pulsed drain current: -14A
Power dissipation: 1W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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RRL035P03TR RRL035P03TR ROHM SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD92C4929CF56F80D3&compId=rrl035p03.pdf?ci_sign=fea1f8812495f80f776e8ae88b9a8d6ed536ccc2 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.5A; Idm: -14A; 1W; SOT363
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.5A
Pulsed drain current: -14A
Power dissipation: 1W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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RRQ030P03FRATR ROHM SEMICONDUCTOR RRQ030P03FRATR SMD P channel transistors
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RRR030P03FRATL ROHM SEMICONDUCTOR RRR030P03FRATL SMD P channel transistors
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RRR030P03HZGTL RRR030P03HZGTL ROHM SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD92D804DFF93120D3&compId=rrr030p03hzgtl.pdf?ci_sign=7ede7ffb80e4c7cbe2ca10d36417c24f9584eb43 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3A; Idm: -12A; 1W; SOT346; ESD
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3A
Pulsed drain current: -12A
Power dissipation: 1W
Case: SOT346
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2990 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
99+0.73 EUR
124+0.58 EUR
237+0.3 EUR
250+0.29 EUR
3000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 99
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RRR040P03FRATL ROHM SEMICONDUCTOR RRR040P03FRATL SMD P channel transistors
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RRS100P03HZGTB RRS100P03HZGTB ROHM SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD92D81A4C853820D3&compId=rrs100p03hzgtb.pdf?ci_sign=f5f2327f23ec660979a69d73b962b8d190f4c142 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -10A; Idm: -40A; 2W; SOP8; ESD
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SOP8
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -40A
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -10A
Gate charge: 39nC
On-state resistance: 12.6mΩ
Power dissipation: 2W
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1E150GNTB ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=RS1E150GN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; Idm: 60A; 22W; HSOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 22W
Case: HSOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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RS1E220ATTB1 ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=RS1E220AT&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key RS1E220ATTB1 SMD P channel transistors
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RS1E280BNTB ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=RS1E280BN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 80A; Idm: 112A; 30W; HSOP8
Kind of channel: enhancement
Case: HSOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 94nC
On-state resistance: 3.2mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Power dissipation: 30W
Drain current: 80A
Pulsed drain current: 112A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1E280GNTB ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=RS1E280GN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 80A; Idm: 112A; 31W; HSOP8
Kind of channel: enhancement
Case: HSOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 36nC
On-state resistance: 3.8mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Power dissipation: 31W
Drain current: 80A
Pulsed drain current: 112A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1E301GNTB1 ROHM SEMICONDUCTOR rs1e301gntb1-e.pdf RS1E301GNTB1 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1E321GNTB1 ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=RS1E321GN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key RS1E321GNTB1 SMD N channel transistors
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RS1E350BNTB ROHM SEMICONDUCTOR rs1e350bntb-e.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 80A; Idm: 140A; 35W; HSOP8
Mounting: SMD
On-state resistance: 2.5mΩ
Drain current: 80A
Power dissipation: 35W
Drain-source voltage: 30V
Pulsed drain current: 140A
Case: HSOP8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 185nC
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1G120MNTB ROHM SEMICONDUCTOR rs1g120mntb-e.pdf RS1G120MNTB SMD N channel transistors
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RS1G150MNTB ROHM SEMICONDUCTOR rs1g150mntb-e.pdf RS1G150MNTB SMD N channel transistors
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RS1G180MNTB ROHM SEMICONDUCTOR rs1g180mn-e.pdf RS1G180MNTB SMD N channel transistors
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RS1G201ATTB1 ROHM SEMICONDUCTOR rs1g201attb1-e.pdf RS1G201ATTB1 SMD P channel transistors
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RS1G260MNTB ROHM SEMICONDUCTOR rs1g260mntb-e.pdf RS1G260MNTB SMD N channel transistors
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RS1G300GNTB ROHM SEMICONDUCTOR rs1g300gntb-e.pdf RS1G300GNTB SMD N channel transistors
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RS1L120GNTB ROHM SEMICONDUCTOR rs1l120gntb-e RS1L120GNTB SMD N channel transistors
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RS1L145GNTB ROHM SEMICONDUCTOR rs1l145gntb-e.pdf RS1L145GNTB SMD N channel transistors
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RS1L151ATTB1 ROHM SEMICONDUCTOR rs1l151attb1-e.pdf RS1L151ATTB1 SMD P channel transistors
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RS1L180GNTB ROHM SEMICONDUCTOR rs1l180gntb-e.pdf RS1L180GNTB SMD N channel transistors
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RS1P600BETB1 ROHM SEMICONDUCTOR rs1p600betb1-e.pdf RS1P600BETB1 SMD N channel transistors
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RS3E075ATTB ROHM SEMICONDUCTOR SOP8_TB_taping.pdf RS3E075ATTB SMD P channel transistors
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RS3E180ATTB1 ROHM SEMICONDUCTOR rs3e180attb1-e.pdf RS3E180ATTB1 SMD P channel transistors
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RS3G160ATTB1 ROHM SEMICONDUCTOR rs3g160attb1-e.pdf RS3G160ATTB1 SMD P channel transistors
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RS3L110ATTB1 ROHM SEMICONDUCTOR rs3l110attb1-e.pdf RS3L110ATTB1 SMD P channel transistors
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RSA6.1ENTR RSA6.1ENTR ROHM SEMICONDUCTOR rsa6.1en.pdf Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 6.1÷7.2V; 200W; quadruple,common anode; SOT353
Case: SOT353
Mounting: SMD
Breakdown voltage: 6.1...7.2V
Semiconductor structure: common anode; quadruple
Version: ESD
Kind of package: reel; tape
Type of diode: TVS array
Peak pulse power dissipation: 0.2kW
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1184 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
120+0.6 EUR
176+0.41 EUR
266+0.27 EUR
685+0.1 EUR
725+0.099 EUR
15000+0.096 EUR
Mindestbestellmenge: 120
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RSC002P03T316 ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=RSC002P03&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key RSC002P03T316 SMD P channel transistors
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RSF010P05TL ROHM SEMICONDUCTOR rsf010p05tl-e.pdf RSF010P05TL SMD P channel transistors
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RSF014N03TL ROHM SEMICONDUCTOR rsf014n03tl-e.pdf RSF014N03TL SMD N channel transistors
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RSF015N06FRATL ROHM SEMICONDUCTOR rsf015n06fra-e.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 45V; 1.5A; Idm: 6A; 800mW; TUMT3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 45V
Drain current: 1.5A
Pulsed drain current: 6A
Power dissipation: 0.8W
Case: TUMT3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.35Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RSF015N06TL ROHM SEMICONDUCTOR rsf015n06tl-e.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.5A; Idm: 6A; 800mW; TUMT3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 1.5A
Pulsed drain current: 6A
Power dissipation: 0.8W
Case: TUMT3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.35Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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RSH065N06GZETB RSH065N06GZETB ROHM SEMICONDUCTOR rsh065n06.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 6.5A; Idm: 26A; 2W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 6.5A
Pulsed drain current: 26A
Power dissipation: 2W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 48mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RSH065N06TB1 RSH065N06TB1 ROHM SEMICONDUCTOR rsh065n06.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 6.5A; Idm: 26A; 2W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 6.5A
Pulsed drain current: 26A
Power dissipation: 2W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 48mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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RSH070N05GZETB RSH070N05GZETB ROHM SEMICONDUCTOR rsh070n05-e.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 45V; 7A; Idm: 28A; 2W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 45V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 2W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 12nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RSH070N05TB1 RSH070N05TB1 ROHM SEMICONDUCTOR rsh070n05-e.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 45V; 7A; Idm: 28A; 2W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 45V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 2W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 12nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RSH070P05GZETB RSH070P05GZETB ROHM SEMICONDUCTOR rsh070p05-e.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -45V; -7A; Idm: -28A; 2W; SOP8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -45V
Drain current: -7A
Pulsed drain current: -28A
Power dissipation: 2W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 39mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 34nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RSH070P05TB1 RSH070P05TB1 ROHM SEMICONDUCTOR rsh070p05-e.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -45V; -7A; Idm: -28A; 2W; SOP8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -45V
Drain current: -7A
Pulsed drain current: -28A
Power dissipation: 2W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 39mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 34nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RSJ151P10TL ROHM SEMICONDUCTOR rsj151p10-e.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -15A; Idm: -30A; 50W; D2PAK
Mounting: SMD
Case: D2PAK
Drain-source voltage: -100V
Pulsed drain current: -30A
Drain current: -15A
Gate charge: 64nC
Type of transistor: P-MOSFET
On-state resistance: 0.22Ω
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 50W
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RSJ250P10FRATL RSJ250P10FRATL ROHM SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD92D81F70BFC400D3&compId=rsj250p10fratl.pdf?ci_sign=c9a0a8e0154c5fbc2fc45de6b1cbfbfd726f49a0 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -25A; Idm: -50A; 50W; TO263
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -25A
Pulsed drain current: -50A
Gate charge: 60nC
On-state resistance: 63mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 50W
Application: automotive industry
Kind of package: reel; tape
Case: TO263
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 109 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
32+2.3 EUR
40+1.82 EUR
50+1.43 EUR
54+1.34 EUR
200+1.3 EUR
Mindestbestellmenge: 32
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RSJ250P10TL ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=RSJ250P10&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -25A; Idm: -50A; 50W; D2PAK
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -25A
Pulsed drain current: -50A
Gate charge: 60nC
On-state resistance: 70mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 50W
Kind of package: reel; tape
Case: D2PAK
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RSJ400N06FRATL ROHM SEMICONDUCTOR rsj400n06fra.pdf RSJ400N06FRATL SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RSJ400N10TL ROHM SEMICONDUCTOR rsj400n10tl-e.pdf RSJ400N10TL SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RSJ550N10TL ROHM SEMICONDUCTOR rsj550n10.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 55A; Idm: 110A; 100W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 55A
Power dissipation: 100W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 143nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 110A
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RSJ650N10TL ROHM SEMICONDUCTOR rsj650n10-e.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 65A; Idm: 130A; 100W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 65A
Power dissipation: 100W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 260nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 130A
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RSM002N06T2L ROHM SEMICONDUCTOR rsm002n06-e.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 250mA; Idm: 1A; 150mW; VMT3
Case: VMT3
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 12Ω
Power dissipation: 0.15W
Drain current: 0.25A
Pulsed drain current: 1A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RSM002P03T2L ROHM SEMICONDUCTOR rsm002p03-e.pdf RSM002P03T2L SMD P channel transistors
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RSQ015N06TR ROHM SEMICONDUCTOR rsq015n06tr-e.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.5A; Idm: 6A; 1.25W; TSMT6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 1.5A
Pulsed drain current: 6A
Power dissipation: 1.25W
Case: TSMT6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.35Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RSQ015P10FRATR ROHM SEMICONDUCTOR Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -1.5A; Idm: -6A; 1.25W; TSMT6
Type of transistor: P-MOSFET
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -1.5A
Power dissipation: 1.25W
Case: TSMT6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -6A
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RSQ015P10HZGTR ROHM SEMICONDUCTOR rsq015p10hzgtr-e.pdf RSQ015P10HZGTR SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RSQ020N03HZGTR ROHM SEMICONDUCTOR rsq020n03hzgtr-e.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2A; Idm: 8A; 1.25W; TSMT6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 1.25W
Case: TSMT6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.235Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RSQ025P03FRATR ROHM SEMICONDUCTOR RSQ025P03FRATR SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RSQ030N08HZGTR ROHM SEMICONDUCTOR rsq030n08hzgtr-e.pdf RSQ030N08HZGTR SMD N channel transistors
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RRH100P03GZETB rrh100p03tb1-e.pdf
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RRH100P03GZETB SMD P channel transistors
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RRH100P03TB1 datasheet?p=RRH100P03&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RRH100P03TB1 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RRH140P03GZETB rrh140p03tb1-e.pdf
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RRH140P03GZETB SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RRH140P03TB1 datasheet?p=RRH140P03&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RRH140P03TB1 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RRL035P03FRATR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD92D7D2641FAA80D3&compId=rrl035p03fra.pdf?ci_sign=f7ae73258c483902175df4c0761da1bb626e993f
RRL035P03FRATR
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.5A; Idm: -14A; 1W; SOT363
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.5A
Pulsed drain current: -14A
Power dissipation: 1W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RRL035P03TR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD92C4929CF56F80D3&compId=rrl035p03.pdf?ci_sign=fea1f8812495f80f776e8ae88b9a8d6ed536ccc2
RRL035P03TR
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.5A; Idm: -14A; 1W; SOT363
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.5A
Pulsed drain current: -14A
Power dissipation: 1W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RRQ030P03FRATR
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RRQ030P03FRATR SMD P channel transistors
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RRR030P03FRATL
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RRR030P03FRATL SMD P channel transistors
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RRR030P03HZGTL pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD92D804DFF93120D3&compId=rrr030p03hzgtl.pdf?ci_sign=7ede7ffb80e4c7cbe2ca10d36417c24f9584eb43
RRR030P03HZGTL
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3A; Idm: -12A; 1W; SOT346; ESD
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3A
Pulsed drain current: -12A
Power dissipation: 1W
Case: SOT346
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2990 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
99+0.73 EUR
124+0.58 EUR
237+0.3 EUR
250+0.29 EUR
3000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 99
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RRR040P03FRATL
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RRR040P03FRATL SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RRS100P03HZGTB pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD92D81A4C853820D3&compId=rrs100p03hzgtb.pdf?ci_sign=f5f2327f23ec660979a69d73b962b8d190f4c142
RRS100P03HZGTB
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -10A; Idm: -40A; 2W; SOP8; ESD
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SOP8
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -40A
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -10A
Gate charge: 39nC
On-state resistance: 12.6mΩ
Power dissipation: 2W
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1E150GNTB datasheet?p=RS1E150GN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; Idm: 60A; 22W; HSOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 22W
Case: HSOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1E220ATTB1 datasheet?p=RS1E220AT&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RS1E220ATTB1 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1E280BNTB datasheet?p=RS1E280BN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 80A; Idm: 112A; 30W; HSOP8
Kind of channel: enhancement
Case: HSOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 94nC
On-state resistance: 3.2mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Power dissipation: 30W
Drain current: 80A
Pulsed drain current: 112A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1E280GNTB datasheet?p=RS1E280GN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 80A; Idm: 112A; 31W; HSOP8
Kind of channel: enhancement
Case: HSOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 36nC
On-state resistance: 3.8mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Power dissipation: 31W
Drain current: 80A
Pulsed drain current: 112A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1E301GNTB1 rs1e301gntb1-e.pdf
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RS1E301GNTB1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1E321GNTB1 datasheet?p=RS1E321GN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RS1E321GNTB1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1E350BNTB rs1e350bntb-e.pdf
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 80A; Idm: 140A; 35W; HSOP8
Mounting: SMD
On-state resistance: 2.5mΩ
Drain current: 80A
Power dissipation: 35W
Drain-source voltage: 30V
Pulsed drain current: 140A
Case: HSOP8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 185nC
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1G120MNTB rs1g120mntb-e.pdf
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RS1G120MNTB SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1G150MNTB rs1g150mntb-e.pdf
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RS1G150MNTB SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1G180MNTB rs1g180mn-e.pdf
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RS1G180MNTB SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1G201ATTB1 rs1g201attb1-e.pdf
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RS1G201ATTB1 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1G260MNTB rs1g260mntb-e.pdf
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RS1G260MNTB SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1G300GNTB rs1g300gntb-e.pdf
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RS1G300GNTB SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1L120GNTB rs1l120gntb-e
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RS1L120GNTB SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1L145GNTB rs1l145gntb-e.pdf
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RS1L145GNTB SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1L151ATTB1 rs1l151attb1-e.pdf
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RS1L151ATTB1 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1L180GNTB rs1l180gntb-e.pdf
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RS1L180GNTB SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1P600BETB1 rs1p600betb1-e.pdf
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RS1P600BETB1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS3E075ATTB SOP8_TB_taping.pdf
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RS3E075ATTB SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS3E180ATTB1 rs3e180attb1-e.pdf
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RS3E180ATTB1 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS3G160ATTB1 rs3g160attb1-e.pdf
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RS3G160ATTB1 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS3L110ATTB1 rs3l110attb1-e.pdf
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RS3L110ATTB1 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RSA6.1ENTR rsa6.1en.pdf
RSA6.1ENTR
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 6.1÷7.2V; 200W; quadruple,common anode; SOT353
Case: SOT353
Mounting: SMD
Breakdown voltage: 6.1...7.2V
Semiconductor structure: common anode; quadruple
Version: ESD
Kind of package: reel; tape
Type of diode: TVS array
Peak pulse power dissipation: 0.2kW
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1184 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
120+0.6 EUR
176+0.41 EUR
266+0.27 EUR
685+0.1 EUR
725+0.099 EUR
15000+0.096 EUR
Mindestbestellmenge: 120
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RSC002P03T316 datasheet?p=RSC002P03&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RSC002P03T316 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RSF010P05TL rsf010p05tl-e.pdf
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RSF010P05TL SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RSF014N03TL rsf014n03tl-e.pdf
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RSF014N03TL SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RSF015N06FRATL rsf015n06fra-e.pdf
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 45V; 1.5A; Idm: 6A; 800mW; TUMT3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 45V
Drain current: 1.5A
Pulsed drain current: 6A
Power dissipation: 0.8W
Case: TUMT3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.35Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RSF015N06TL rsf015n06tl-e.pdf
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.5A; Idm: 6A; 800mW; TUMT3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 1.5A
Pulsed drain current: 6A
Power dissipation: 0.8W
Case: TUMT3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.35Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RSH065N06GZETB rsh065n06.pdf
RSH065N06GZETB
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 6.5A; Idm: 26A; 2W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 6.5A
Pulsed drain current: 26A
Power dissipation: 2W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 48mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RSH065N06TB1 rsh065n06.pdf
RSH065N06TB1
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 6.5A; Idm: 26A; 2W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 6.5A
Pulsed drain current: 26A
Power dissipation: 2W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 48mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RSH070N05GZETB rsh070n05-e.pdf
RSH070N05GZETB
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 45V; 7A; Idm: 28A; 2W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 45V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 2W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 12nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RSH070N05TB1 rsh070n05-e.pdf
RSH070N05TB1
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 45V; 7A; Idm: 28A; 2W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 45V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 2W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 12nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RSH070P05GZETB rsh070p05-e.pdf
RSH070P05GZETB
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -45V; -7A; Idm: -28A; 2W; SOP8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -45V
Drain current: -7A
Pulsed drain current: -28A
Power dissipation: 2W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 39mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 34nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RSH070P05TB1 rsh070p05-e.pdf
RSH070P05TB1
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -45V; -7A; Idm: -28A; 2W; SOP8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -45V
Drain current: -7A
Pulsed drain current: -28A
Power dissipation: 2W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 39mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 34nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RSJ151P10TL rsj151p10-e.pdf
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -15A; Idm: -30A; 50W; D2PAK
Mounting: SMD
Case: D2PAK
Drain-source voltage: -100V
Pulsed drain current: -30A
Drain current: -15A
Gate charge: 64nC
Type of transistor: P-MOSFET
On-state resistance: 0.22Ω
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 50W
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RSJ250P10FRATL pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD92D81F70BFC400D3&compId=rsj250p10fratl.pdf?ci_sign=c9a0a8e0154c5fbc2fc45de6b1cbfbfd726f49a0
RSJ250P10FRATL
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -25A; Idm: -50A; 50W; TO263
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -25A
Pulsed drain current: -50A
Gate charge: 60nC
On-state resistance: 63mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 50W
Application: automotive industry
Kind of package: reel; tape
Case: TO263
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 109 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
32+2.3 EUR
40+1.82 EUR
50+1.43 EUR
54+1.34 EUR
200+1.3 EUR
Mindestbestellmenge: 32
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RSJ250P10TL datasheet?p=RSJ250P10&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -25A; Idm: -50A; 50W; D2PAK
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -25A
Pulsed drain current: -50A
Gate charge: 60nC
On-state resistance: 70mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 50W
Kind of package: reel; tape
Case: D2PAK
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RSJ400N06FRATL rsj400n06fra.pdf
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RSJ400N06FRATL SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RSJ400N10TL rsj400n10tl-e.pdf
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RSJ400N10TL SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RSJ550N10TL rsj550n10.pdf
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 55A; Idm: 110A; 100W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 55A
Power dissipation: 100W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 143nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 110A
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RSJ650N10TL rsj650n10-e.pdf
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 65A; Idm: 130A; 100W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 65A
Power dissipation: 100W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 260nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 130A
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RSM002N06T2L rsm002n06-e.pdf
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 250mA; Idm: 1A; 150mW; VMT3
Case: VMT3
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 12Ω
Power dissipation: 0.15W
Drain current: 0.25A
Pulsed drain current: 1A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RSM002P03T2L rsm002p03-e.pdf
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RSM002P03T2L SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RSQ015N06TR rsq015n06tr-e.pdf
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.5A; Idm: 6A; 1.25W; TSMT6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 1.5A
Pulsed drain current: 6A
Power dissipation: 1.25W
Case: TSMT6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.35Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RSQ015P10FRATR
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -1.5A; Idm: -6A; 1.25W; TSMT6
Type of transistor: P-MOSFET
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -1.5A
Power dissipation: 1.25W
Case: TSMT6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -6A
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RSQ015P10HZGTR rsq015p10hzgtr-e.pdf
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RSQ015P10HZGTR SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RSQ020N03HZGTR rsq020n03hzgtr-e.pdf
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2A; Idm: 8A; 1.25W; TSMT6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 1.25W
Case: TSMT6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.235Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RSQ025P03FRATR
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RSQ025P03FRATR SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RSQ030N08HZGTR rsq030n08hzgtr-e.pdf
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
RSQ030N08HZGTR SMD N channel transistors
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