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2N6660 2N6660 Microchip Technology 20005509A.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 410MA TO39
Packaging: Bag
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 410mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-39
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 24 V
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25+ 23.67 EUR
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2N6660 2N6660 Microchip Technology 20005509A.pdf 2N6660%282%29%2C2N6660JANTX%28V%29.pdf MOSFET 60V 3Ohm
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2N6660 2N6660 Microchip Technology 87420005509a.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.41A 3-Pin TO-39 Bag
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2N6660 2N6660 Microchip Technology 87420005509a.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.41A 3-Pin TO-39 Bag
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2N6660 2N6660 Microchip Technology 87420005509a.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.41A 3-Pin TO-39 Bag
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2N6660 2N6660 Microchip Technology 87420005509a.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.41A 3-Pin TO-39 Bag
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7+23.31 EUR
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2N6660 2N6660 Microchip Technology 87420005509a.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.41A 3-Pin TO-39 Bag
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2N6661 2N6661 Microchip Technology 20005516A.pdf 2N6661%282%29%2C2N6661JANTX%28V%29.pdf MOSFET 90V 4Ohm
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1+26.03 EUR
25+ 23.88 EUR
2N6661 2N6661 Microchip Technology 20005516A.pdf Description: MOSFET N-CH 90V 350MA TO39
Packaging: Bag
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-39
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 90 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 24 V
auf Bestellung 83 Stücke:
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1+25.84 EUR
25+ 23.67 EUR
2N6661 2N6661 Microchip Technology 72720005516a.pdf Trans MOSFET N-CH Si 90V 0.35A 3-Pin TO-39 Bag
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34+46.83 EUR
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2N6661 2N6661 Microchip Technology 72720005516a.pdf Trans MOSFET N-CH Si 90V 0.35A 3-Pin TO-39 Bag
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2N6661 2N6661 Microchip Technology 72720005516a.pdf Trans MOSFET N-CH Si 90V 0.35A 3-Pin TO-39 Bag
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7+24.37 EUR
25+ 21.51 EUR
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2N6661 2N6661 Microchip Technology 72720005516a.pdf Trans MOSFET N-CH Si 90V 0.35A 3-Pin TO-39 Bag
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7+23.29 EUR
Mindestbestellmenge: 7
2N6661 2N6661 Microchip Technology 72720005516a.pdf Trans MOSFET N-CH Si 90V 0.35A 3-Pin TO-39 Bag
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5+31.11 EUR
10+ 29.1 EUR
25+ 26.5 EUR
50+ 24.97 EUR
100+ 23.35 EUR
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2N6661 2N6661 Microchip Technology 72720005516a.pdf Trans MOSFET N-CH Si 90V 0.35A 3-Pin TO-39 Bag
auf Bestellung 173 Stücke:
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7+24.37 EUR
25+ 21.51 EUR
100+ 19.75 EUR
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2N6661 2N6661 Microchip Technology 72720005516a.pdf Trans MOSFET N-CH Si 90V 0.35A 3-Pin TO-39 Bag
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Mindestbestellmenge: 7
2N6661JTXV02 Vishay 1265374748351242n6661ja.pdf Trans MOSFET N-CH 90V 0.86A 3-Pin TO-205AD
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2N6661JTXV02 Vishay 1265374748351242n6661ja.pdf Trans MOSFET N-CH 90V 0.86A 3-Pin TO-205AD
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2N666 MOTOROLA
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2N66605 SILICONI
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2N6660N2 SILICONI
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2N66615 SILICONI
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2N6661JANTX SILICONI
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2N6661N2 SILICONI
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2N6662 MOTOROLA
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2N6665 VISHAY CAN
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2N666A MOTOROLA
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JAN2N6660 SILICONI
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JAN2N6660 MOT CAN
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JAN2N6661 NS CAN
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Lieferzeit 21-28 Tag (e)
JAN2N6661 SILICONI
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JANTX2N6660 MOT CAN
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JANTX2N6660 Vishay
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Lieferzeit 21-28 Tag (e)
JANTX2N6660 MOT 0430+ CAN3
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
JANTX2N6661 Siliconix 90
auf Bestellung 15 Stücke:
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JANTX2N6661 VISHAY
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
JANTX2N6661 MOT CAN
auf Bestellung 598 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
JANTXV2N6660 VISHAY 00+
auf Bestellung 1 Stücke:
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JANTXV2N6661
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JTX2N6660 SILICONI
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JTX2N6661 SILICON SOP
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JTX2N6661 SILICONI
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JX2N6660 SILICONI
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
JX2N6661 SILICONI
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N6661 CAN3 Transistor
Produktcode: 73818 		Verschiedene Bauteile > Other components 3
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2N6667G 2N6667G
Produktcode: 94597 		2n6667-d.pdf Verschiedene Bauteile > Other components 3
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2N6660 2N6660 MICROCHIP TECHNOLOGY 2N6660.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.5A; TO39
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Pulsed drain current: 1.5A
Case: TO39
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
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2N6660 2N6660 Semelab / TT Electronics TTRB_S_A0008035238_1-2565324.pdf MOSFET N-CHANNEL TO39
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2N6660 2N6660 Vishay Siliconix 2N6660%282%29%2C2N6660JANTX%28V%29.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 990MA TO205AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 990mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 725mW (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-205AD (TO-39)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
2N6660 Vishay 1297926070510002n6660ja.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.99A 3-Pin TO-205AD
Produkt ist nicht verfügbar
2N6660 2N6660 Microchip Technology 87420005509a.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.41A 3-Pin TO-39 Bag
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2N6660 2N6660 Semelab 5735247283953662n6660.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 1A 3-Pin TO-39
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2N6660 2N6660 Microchip Technology 87420005509a.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.41A 3-Pin TO-39 Bag
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2N6660-2 2N6660-2 Vishay Siliconix 2N6660%282%29%2C2N6660JANTX%28V%29.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 990MA TO205AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 990mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 725mW (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-205AD (TO-39)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
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2N6660-2 Vishay 1297926070510002n6660ja.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.99A 3-Pin TO-205AD
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2N6660-E3 2N6660-E3 Vishay Siliconix 2N6660%282%29%2C2N6660JANTX%28V%29.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 990MA TO205AD
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 990mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 725mW (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-205AD (TO-39)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
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2N6660-E3 Vishay 1297926070510002n6660ja.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.99A 3-Pin TO-205AD
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2N6660-JQR-B Semelab 2N6660-JQR-B
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2N6660-JQR-B.08 2N6660-JQR-B.08 Semelab 5735247283953662n6660.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 1A 3-Pin TO-39
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2N6660 20005509A.pdf
2N6660
Hersteller: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 60V 410MA TO39
Packaging: Bag
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 410mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-39
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 24 V
auf Bestellung 3495 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+25.84 EUR
25+ 23.67 EUR
100+ 22.81 EUR
2N6660 20005509A.pdf 2N6660%282%29%2C2N6660JANTX%28V%29.pdf
2N6660
Hersteller: Microchip Technology
MOSFET 60V 3Ohm
auf Bestellung 603 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+26.03 EUR
25+ 23.88 EUR
2N6660 87420005509a.pdf
2N6660
Hersteller: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.41A 3-Pin TO-39 Bag
auf Bestellung 140 Stücke:
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Anzahl Preis ohne MwSt
7+23.31 EUR
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2N6660
Hersteller: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.41A 3-Pin TO-39 Bag
auf Bestellung 500 Stücke:
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Anzahl Preis ohne MwSt
500+21.1 EUR
Mindestbestellmenge: 500
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2N6660
Hersteller: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.41A 3-Pin TO-39 Bag
auf Bestellung 500 Stücke:
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Anzahl Preis ohne MwSt
6+27.43 EUR
7+ 24.22 EUR
10+ 22.78 EUR
50+ 20.87 EUR
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2N6660
Hersteller: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.41A 3-Pin TO-39 Bag
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
500+21.1 EUR
Mindestbestellmenge: 500
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Hersteller: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.41A 3-Pin TO-39 Bag
auf Bestellung 140 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
7+23.31 EUR
Mindestbestellmenge: 7
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Hersteller: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.41A 3-Pin TO-39 Bag
auf Bestellung 578 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2N6661 20005516A.pdf 2N6661%282%29%2C2N6661JANTX%28V%29.pdf
2N6661
Hersteller: Microchip Technology
MOSFET 90V 4Ohm
auf Bestellung 932 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+26.03 EUR
25+ 23.88 EUR
2N6661 20005516A.pdf
2N6661
Hersteller: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 90V 350MA TO39
Packaging: Bag
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-39
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 90 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 24 V
auf Bestellung 83 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+25.84 EUR
25+ 23.67 EUR
2N6661 72720005516a.pdf
2N6661
Hersteller: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH Si 90V 0.35A 3-Pin TO-39 Bag
auf Bestellung 34 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
34+46.83 EUR
Mindestbestellmenge: 34
2N6661 72720005516a.pdf
2N6661
Hersteller: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH Si 90V 0.35A 3-Pin TO-39 Bag
auf Bestellung 34 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2N6661 72720005516a.pdf
2N6661
Hersteller: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH Si 90V 0.35A 3-Pin TO-39 Bag
auf Bestellung 173 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
7+24.37 EUR
25+ 21.51 EUR
100+ 19.75 EUR
Mindestbestellmenge: 7
2N6661 72720005516a.pdf
2N6661
Hersteller: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH Si 90V 0.35A 3-Pin TO-39 Bag
auf Bestellung 255 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
7+23.29 EUR
Mindestbestellmenge: 7
2N6661 72720005516a.pdf
2N6661
Hersteller: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH Si 90V 0.35A 3-Pin TO-39 Bag
auf Bestellung 459 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
5+31.11 EUR
10+ 29.1 EUR
25+ 26.5 EUR
50+ 24.97 EUR
100+ 23.35 EUR
Mindestbestellmenge: 5
2N6661 72720005516a.pdf
2N6661
Hersteller: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH Si 90V 0.35A 3-Pin TO-39 Bag
auf Bestellung 173 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
7+24.37 EUR
25+ 21.51 EUR
100+ 19.75 EUR
Mindestbestellmenge: 7
2N6661 72720005516a.pdf
2N6661
Hersteller: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH Si 90V 0.35A 3-Pin TO-39 Bag
auf Bestellung 255 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
7+23.29 EUR
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2N6661JTXV02 1265374748351242n6661ja.pdf
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 90V 0.86A 3-Pin TO-205AD
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2N666
Hersteller: MOTOROLA
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2N66605
Hersteller: SILICONI
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2N6660N2
Hersteller: SILICONI
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2N66615
Hersteller: SILICONI
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2N6661JANTX
Hersteller: SILICONI
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2N6661N2
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2N6662
Hersteller: MOTOROLA
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2N6665
Hersteller: VISHAY
CAN
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2N666A
Hersteller: MOTOROLA
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JAN2N6660
Hersteller: SILICONI
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JAN2N6660
Hersteller: MOT
CAN
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JAN2N6661
Hersteller: NS
CAN
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JAN2N6661
Hersteller: SILICONI
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JANTX2N6660
Hersteller: MOT
CAN
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JANTX2N6660
Hersteller: Vishay
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JANTX2N6660
Hersteller: MOT
0430+ CAN3
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JANTX2N6661
Hersteller: Siliconix
90
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JANTX2N6661
Hersteller: VISHAY
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JANTX2N6661
Hersteller: MOT
CAN
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JANTXV2N6660
Hersteller: VISHAY
00+
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JANTXV2N6661
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JTX2N6660
Hersteller: SILICONI
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JTX2N6661
Hersteller: SILICON
SOP
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JTX2N6661
Hersteller: SILICONI
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JX2N6660
Hersteller: SILICONI
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JX2N6661
Hersteller: SILICONI
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2N6661 CAN3 Transistor
Produktcode: 73818
Verschiedene Bauteile > Other components 3
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2N6667G
Produktcode: 94597		 2n6667-d.pdf
2N6667G
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2N6660 2N6660.pdf
2N6660
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.5A; TO39
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Pulsed drain current: 1.5A
Case: TO39
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
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2N6660 TTRB_S_A0008035238_1-2565324.pdf
2N6660
Hersteller: Semelab / TT Electronics
MOSFET N-CHANNEL TO39
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2N6660 2N6660%282%29%2C2N6660JANTX%28V%29.pdf
2N6660
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 990MA TO205AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 990mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 725mW (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-205AD (TO-39)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
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2N6660 1297926070510002n6660ja.pdf
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 0.99A 3-Pin TO-205AD
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2N6660 87420005509a.pdf
2N6660
Hersteller: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.41A 3-Pin TO-39 Bag
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2N6660 5735247283953662n6660.pdf
2N6660
Hersteller: Semelab
Trans MOSFET N-CH 60V 1A 3-Pin TO-39
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2N6660 87420005509a.pdf
2N6660
Hersteller: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.41A 3-Pin TO-39 Bag
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2N6660-2 2N6660%282%29%2C2N6660JANTX%28V%29.pdf
2N6660-2
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 990MA TO205AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 990mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 725mW (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-205AD (TO-39)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
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2N6660-2 1297926070510002n6660ja.pdf
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 0.99A 3-Pin TO-205AD
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2N6660-E3 2N6660%282%29%2C2N6660JANTX%28V%29.pdf
2N6660-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 990MA TO205AD
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 990mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 725mW (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-205AD (TO-39)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
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2N6660-E3 1297926070510002n6660ja.pdf
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 0.99A 3-Pin TO-205AD
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2N6660-JQR-B
Hersteller: Semelab
2N6660-JQR-B
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2N6660-JQR-B.08 5735247283953662n6660.pdf
2N6660-JQR-B.08
Hersteller: Semelab
Trans MOSFET N-CH 60V 1A 3-Pin TO-39
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