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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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BA3430FS Produktcode: 77840
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ROHM |
![]() Gehäuse: SSOP-A24 Funktionsbeschreibung: Stereo pre-amplifiers with mute detection circuits for car stereos Spannung: 18V Temperaturbereich: -30...+85°C |
auf Bestellung 8 Stück: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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BP0EA3430A7TR\250 | KYOCERA AVX | Signal Conditioning Size 4617 Fc3.43GHz PB 2.64 to 4.46GHz |
auf Bestellung 95 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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CLM2D-AEC-CXAYA343 | Cree LED | Single Colour LEDs Amber LED 590nm 2832SMD, 1400-3550mcd |
auf Bestellung 2172 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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CLMVC-FKC-CGJJM569ABB7A343 | Cree LED | Multi-Colour LEDs RGB SMD |
auf Bestellung 60989 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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GA343DR7GD472KW01L | MURATA |
![]() Description: Capacitor: ceramic; MLCC; 4.7nF; 250V; X7R; ±10%; SMD; 1812; 180mm Manufacturer series: GA3 Operating temperature: -55...125°C Kind of capacitor: MLCC Mounting: SMD Dielectric: X7R Capacitance: 4.7nF Roll diameter max.: 180mm Tolerance: ±10% Operating voltage: 250V Case - inch: 1812 Case - mm: 4532 Type of capacitor: ceramic |
auf Bestellung 2120 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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GA343DR7GD472KW01L | MURATA |
![]() Description: Capacitor: ceramic; MLCC; 4.7nF; 250V; X7R; ±10%; SMD; 1812; 180mm Manufacturer series: GA3 Operating temperature: -55...125°C Kind of capacitor: MLCC Mounting: SMD Dielectric: X7R Capacitance: 4.7nF Roll diameter max.: 180mm Tolerance: ±10% Operating voltage: 250V Case - inch: 1812 Case - mm: 4532 Type of capacitor: ceramic Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 2120 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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GA343DR7GD472KW01L | Murata Electronics |
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auf Bestellung 12177 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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GA343QR7GD182KW01L | Murata Electronics |
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auf Bestellung 2193 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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GA343QR7GD222KW01L | MURATA |
![]() Description: Capacitor: ceramic; MLCC; 2.2nF; 250V; X7R; ±10%; SMD; 1812; 180mm Manufacturer series: GA3 Operating temperature: -55...125°C Kind of capacitor: MLCC Mounting: SMD Dielectric: X7R Capacitance: 2.2nF Roll diameter max.: 180mm Tolerance: ±10% Operating voltage: 250V Case - inch: 1812 Case - mm: 4532 Type of capacitor: ceramic |
auf Bestellung 1978 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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GA343QR7GD222KW01L | MURATA |
![]() Description: Capacitor: ceramic; MLCC; 2.2nF; 250V; X7R; ±10%; SMD; 1812; 180mm Manufacturer series: GA3 Operating temperature: -55...125°C Kind of capacitor: MLCC Mounting: SMD Dielectric: X7R Capacitance: 2.2nF Roll diameter max.: 180mm Tolerance: ±10% Operating voltage: 250V Case - inch: 1812 Case - mm: 4532 Type of capacitor: ceramic Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 1978 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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GA343QR7GD222KW01L | Murata Electronics |
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auf Bestellung 18167 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MA343.A.LBI.001 | Taoglas |
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auf Bestellung 97 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MA343.W.LBI.001 | Taoglas |
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auf Bestellung 89 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MP-211-009-1A3-4300 | AirBorn |
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auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MP-211-015-1A3-4300 | AirBorn | D-Sub Mil Spec Connectors CONNECTOR, M SERIES |
auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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OPA343NA | Texas Instruments |
CMOS R-R I/O Op-Amp, GBW 5.5MHz, SR 6V/us, Voff 2mV, 2.5?5.5V, -40?85°C OPA343NA WO343OPA na Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 78 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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OPA343NA/250 | Texas Instruments |
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auf Bestellung 303 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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OPA343NA/250G4 | Texas Instruments |
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auf Bestellung 1355 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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OPA343NA/3K | Texas Instruments |
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auf Bestellung 3229 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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OPA343UA | TEXAS INSTRUMENTS |
![]() Description: IC: operational amplifier; 5.5MHz; Ch: 1; SO8 Operating temperature: -40...85°C Type of integrated circuit: operational amplifier Mounting: SMT Case: SO8 Number of channels: 1 Voltage supply range: ± 1.25...2.75V DC; 2.5...5.5V DC Slew rate: 6V/μs Bandwidth: 5.5MHz |
auf Bestellung 93 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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OPA343UA | TEXAS INSTRUMENTS |
![]() Description: IC: operational amplifier; 5.5MHz; Ch: 1; SO8 Operating temperature: -40...85°C Type of integrated circuit: operational amplifier Mounting: SMT Case: SO8 Number of channels: 1 Voltage supply range: ± 1.25...2.75V DC; 2.5...5.5V DC Slew rate: 6V/μs Bandwidth: 5.5MHz Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 93 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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OPA343UA | Texas Instruments |
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auf Bestellung 209 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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OPA343UA/2K5 | Texas Instruments |
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auf Bestellung 1490 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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PA343DF | Apex Microtechnology | Operational Amplifiers - Op Amps IC OpAmp 350V, 120mA Peak, Dual |
auf Bestellung 471 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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PJA3430_R1_00001 | PanJit Semiconductor |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2A; Idm: 8A; 1.25W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Case: SOT23 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 2A Gate charge: 1.8nC On-state resistance: 0.4Ω Power dissipation: 1.25W Gate-source voltage: ±8V Pulsed drain current: 8A Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 2565 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PJA3430_R1_00001 | PanJit Semiconductor |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2A; Idm: 8A; 1.25W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Case: SOT23 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 2A Gate charge: 1.8nC On-state resistance: 0.4Ω Power dissipation: 1.25W Gate-source voltage: ±8V Pulsed drain current: 8A Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 2565 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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PJA3430_R1_00001 | Panjit |
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auf Bestellung 7352 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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PJA3432-AU_R1_000A1 | PanJit Semiconductor |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.6A; Idm: 6.4A; 1.25W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Case: SOT23 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 1.6A Gate charge: 1.5nC On-state resistance: 570mΩ Power dissipation: 1.25W Gate-source voltage: ±8V Pulsed drain current: 6.4A Application: automotive industry Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 1813 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PJA3432-AU_R1_000A1 | PanJit Semiconductor |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.6A; Idm: 6.4A; 1.25W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Case: SOT23 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 1.6A Gate charge: 1.5nC On-state resistance: 570mΩ Power dissipation: 1.25W Gate-source voltage: ±8V Pulsed drain current: 6.4A Application: automotive industry Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 1813 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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PJA3432-AU_R1_000A1 | Panjit |
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auf Bestellung 18430 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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PJA3432_R1_00001 | Panjit |
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auf Bestellung 22167 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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PJA3433-AU_R1_000A1 | PanJit Semiconductor |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.1A; Idm: -4.4A; 1.25W Type of transistor: P-MOSFET Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Case: SOT23 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -1.1A Gate charge: 1.6nC On-state resistance: 0.97Ω Power dissipation: 1.25W Gate-source voltage: ±8V Pulsed drain current: -4.4A Application: automotive industry Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 1555 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PJA3433-AU_R1_000A1 | PanJit Semiconductor |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.1A; Idm: -4.4A; 1.25W Type of transistor: P-MOSFET Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Case: SOT23 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -1.1A Gate charge: 1.6nC On-state resistance: 0.97Ω Power dissipation: 1.25W Gate-source voltage: ±8V Pulsed drain current: -4.4A Application: automotive industry Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 1555 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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PJA3433-AU_R1_000A1 | Panjit |
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auf Bestellung 31189 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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PJA3433_R1_00001 | PanJit Semiconductor |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.1A; Idm: -4.4A; 1.25W Type of transistor: P-MOSFET Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Case: SOT23 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -1.1A Gate charge: 1.6nC On-state resistance: 0.97Ω Power dissipation: 1.25W Gate-source voltage: ±8V Pulsed drain current: -4.4A Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 7014 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PJA3433_R1_00001 | PanJit Semiconductor |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.1A; Idm: -4.4A; 1.25W Type of transistor: P-MOSFET Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Case: SOT23 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -1.1A Gate charge: 1.6nC On-state resistance: 0.97Ω Power dissipation: 1.25W Gate-source voltage: ±8V Pulsed drain current: -4.4A Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 7014 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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PJA3433_R1_00001 | Panjit |
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auf Bestellung 34255 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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PJA3434_R1_00001 | PanJit Semiconductor |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 750mA; Idm: 1.5A; 500mW; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Case: SOT23 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 0.75A Gate charge: 1.4nC On-state resistance: 3Ω Power dissipation: 0.5W Gate-source voltage: ±10V Pulsed drain current: 1.5A Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 3820 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PJA3434_R1_00001 | PanJit Semiconductor |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 750mA; Idm: 1.5A; 500mW; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Case: SOT23 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 0.75A Gate charge: 1.4nC On-state resistance: 3Ω Power dissipation: 0.5W Gate-source voltage: ±10V Pulsed drain current: 1.5A Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 3820 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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PJA3434_R1_00001 | Panjit |
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auf Bestellung 7429 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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PJA3435_R1_00001 | PanJit Semiconductor |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -500mA; Idm: -1A; 500mW; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Case: SOT23 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -0.5A Gate charge: 1.4nC On-state resistance: 6Ω Power dissipation: 0.5W Gate-source voltage: ±10V Pulsed drain current: -1A Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 5960 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PJA3435_R1_00001 | PanJit Semiconductor |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -500mA; Idm: -1A; 500mW; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Case: SOT23 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -0.5A Gate charge: 1.4nC On-state resistance: 6Ω Power dissipation: 0.5W Gate-source voltage: ±10V Pulsed drain current: -1A Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 5960 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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PJA3435_R1_00001 | Panjit |
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auf Bestellung 5372 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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PJA3436-AU_R1_000A1 | PanJit Semiconductor |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.2A; Idm: 4.8A; 1.25W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Case: SOT23 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 1.2A Gate charge: 0.9nC On-state resistance: 0.9Ω Power dissipation: 1.25W Gate-source voltage: ±12V Pulsed drain current: 4.8A Application: automotive industry Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PJA3436-AU_R1_000A1 | PanJit Semiconductor |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.2A; Idm: 4.8A; 1.25W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Case: SOT23 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 1.2A Gate charge: 0.9nC On-state resistance: 0.9Ω Power dissipation: 1.25W Gate-source voltage: ±12V Pulsed drain current: 4.8A Application: automotive industry Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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PJA3436_R1_00001 | Panjit |
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auf Bestellung 6164 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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PJA3438-AU_R1_000A1 | PanJit Semiconductor |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 500mA; Idm: 1.2A; 500mW; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Case: SOT23 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 50V Drain current: 0.5A Gate charge: 0.95nC On-state resistance: 6Ω Power dissipation: 0.5W Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 1.2A Application: automotive industry Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PJA3438-AU_R1_000A1 | PanJit Semiconductor |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 500mA; Idm: 1.2A; 500mW; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Case: SOT23 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 50V Drain current: 0.5A Gate charge: 0.95nC On-state resistance: 6Ω Power dissipation: 0.5W Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 1.2A Application: automotive industry Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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PJA3438-AU_R1_000A1 | Panjit |
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auf Bestellung 4399 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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PJA3438_R1_00001 | Panjit |
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auf Bestellung 7952 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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PJA3439-AU_R1_000A1 | PanJit Semiconductor |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -300mA; Idm: -1A; 500mW; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Case: SOT23 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -0.3A Gate charge: 1.1nC On-state resistance: 13Ω Power dissipation: 0.5W Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -1A Application: automotive industry Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 1487 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PJA3439-AU_R1_000A1 | PanJit Semiconductor |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -300mA; Idm: -1A; 500mW; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Case: SOT23 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -0.3A Gate charge: 1.1nC On-state resistance: 13Ω Power dissipation: 0.5W Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -1A Application: automotive industry Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 1487 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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PJA3439-AU_R1_000A1 | Panjit |
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auf Bestellung 6397 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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PJA3439_R1_00001 | Panjit |
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auf Bestellung 29537 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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PMA3-43-1W+ | Mini-Circuits |
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auf Bestellung 430 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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XG4A-3431 | Omron Electronics |
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auf Bestellung 803 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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XG4A-3432 | Omron Electronics |
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auf Bestellung 101 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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XG4A-3434 | Omron Electronics |
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auf Bestellung 830 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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XG4A-3439-A | Omron Electronics |
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auf Bestellung 76 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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XR-A343-0604D | Quantic X-Microwave | RF Development Tools Amplifier, HMC463LP5E [PCB: 236]Recommended Bias Controller: XR-A344-0604D-SP |
auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BA3430FS Produktcode: 77840
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Lieblingsprodukt
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Hersteller: ROHM
IC > IC Analog
Gehäuse: SSOP-A24
Funktionsbeschreibung: Stereo pre-amplifiers with mute detection circuits for car stereos
Spannung: 18V
Temperaturbereich: -30...+85°C
IC > IC Analog
Gehäuse: SSOP-A24
Funktionsbeschreibung: Stereo pre-amplifiers with mute detection circuits for car stereos
Spannung: 18V
Temperaturbereich: -30...+85°C
auf Bestellung 8 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Anzahl | Preis |
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1+ | 2.02 EUR |
BP0EA3430A7TR\250 |
Hersteller: KYOCERA AVX
Signal Conditioning Size 4617 Fc3.43GHz PB 2.64 to 4.46GHz
Signal Conditioning Size 4617 Fc3.43GHz PB 2.64 to 4.46GHz
auf Bestellung 95 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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1+ | 32.68 EUR |
10+ | 26.66 EUR |
25+ | 24.6 EUR |
50+ | 23.76 EUR |
250+ | 20.36 EUR |
CLM2D-AEC-CXAYA343 |
Hersteller: Cree LED
Single Colour LEDs Amber LED 590nm 2832SMD, 1400-3550mcd
Single Colour LEDs Amber LED 590nm 2832SMD, 1400-3550mcd
auf Bestellung 2172 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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9+ | 0.32 EUR |
10+ | 0.31 EUR |
50+ | 0.3 EUR |
100+ | 0.28 EUR |
250+ | 0.26 EUR |
23000+ | 0.24 EUR |
CLMVC-FKC-CGJJM569ABB7A343 |
Hersteller: Cree LED
Multi-Colour LEDs RGB SMD
Multi-Colour LEDs RGB SMD
auf Bestellung 60989 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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9+ | 0.32 EUR |
10+ | 0.31 EUR |
50+ | 0.3 EUR |
100+ | 0.28 EUR |
250+ | 0.25 EUR |
500+ | 0.24 EUR |
GA343DR7GD472KW01L |
![]() |
Hersteller: MURATA
Category: MLCC SMD capacitors
Description: Capacitor: ceramic; MLCC; 4.7nF; 250V; X7R; ±10%; SMD; 1812; 180mm
Manufacturer series: GA3
Operating temperature: -55...125°C
Kind of capacitor: MLCC
Mounting: SMD
Dielectric: X7R
Capacitance: 4.7nF
Roll diameter max.: 180mm
Tolerance: ±10%
Operating voltage: 250V
Case - inch: 1812
Case - mm: 4532
Type of capacitor: ceramic
Category: MLCC SMD capacitors
Description: Capacitor: ceramic; MLCC; 4.7nF; 250V; X7R; ±10%; SMD; 1812; 180mm
Manufacturer series: GA3
Operating temperature: -55...125°C
Kind of capacitor: MLCC
Mounting: SMD
Dielectric: X7R
Capacitance: 4.7nF
Roll diameter max.: 180mm
Tolerance: ±10%
Operating voltage: 250V
Case - inch: 1812
Case - mm: 4532
Type of capacitor: ceramic
auf Bestellung 2120 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
50+ | 1.44 EUR |
115+ | 0.62 EUR |
149+ | 0.48 EUR |
451+ | 0.16 EUR |
477+ | 0.15 EUR |
GA343DR7GD472KW01L |
![]() |
Hersteller: MURATA
Category: MLCC SMD capacitors
Description: Capacitor: ceramic; MLCC; 4.7nF; 250V; X7R; ±10%; SMD; 1812; 180mm
Manufacturer series: GA3
Operating temperature: -55...125°C
Kind of capacitor: MLCC
Mounting: SMD
Dielectric: X7R
Capacitance: 4.7nF
Roll diameter max.: 180mm
Tolerance: ±10%
Operating voltage: 250V
Case - inch: 1812
Case - mm: 4532
Type of capacitor: ceramic
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: MLCC SMD capacitors
Description: Capacitor: ceramic; MLCC; 4.7nF; 250V; X7R; ±10%; SMD; 1812; 180mm
Manufacturer series: GA3
Operating temperature: -55...125°C
Kind of capacitor: MLCC
Mounting: SMD
Dielectric: X7R
Capacitance: 4.7nF
Roll diameter max.: 180mm
Tolerance: ±10%
Operating voltage: 250V
Case - inch: 1812
Case - mm: 4532
Type of capacitor: ceramic
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2120 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
50+ | 1.44 EUR |
115+ | 0.62 EUR |
149+ | 0.48 EUR |
451+ | 0.16 EUR |
477+ | 0.15 EUR |
GA343DR7GD472KW01L |
![]() |
Hersteller: Murata Electronics
Safety Capacitors 4700PF 250V 10% 1812
Safety Capacitors 4700PF 250V 10% 1812
auf Bestellung 12177 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
2+ | 2.15 EUR |
10+ | 1.26 EUR |
100+ | 1.2 EUR |
500+ | 1.02 EUR |
1000+ | 0.75 EUR |
2000+ | 0.74 EUR |
5000+ | 0.73 EUR |
GA343QR7GD182KW01L |
![]() |
Hersteller: Murata Electronics
Safety Capacitors
Safety Capacitors
auf Bestellung 2193 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
2+ | 2.11 EUR |
10+ | 1.1 EUR |
100+ | 1.01 EUR |
500+ | 0.86 EUR |
1000+ | 0.78 EUR |
2000+ | 0.73 EUR |
5000+ | 0.72 EUR |
GA343QR7GD222KW01L |
![]() |
Hersteller: MURATA
Category: MLCC SMD capacitors
Description: Capacitor: ceramic; MLCC; 2.2nF; 250V; X7R; ±10%; SMD; 1812; 180mm
Manufacturer series: GA3
Operating temperature: -55...125°C
Kind of capacitor: MLCC
Mounting: SMD
Dielectric: X7R
Capacitance: 2.2nF
Roll diameter max.: 180mm
Tolerance: ±10%
Operating voltage: 250V
Case - inch: 1812
Case - mm: 4532
Type of capacitor: ceramic
Category: MLCC SMD capacitors
Description: Capacitor: ceramic; MLCC; 2.2nF; 250V; X7R; ±10%; SMD; 1812; 180mm
Manufacturer series: GA3
Operating temperature: -55...125°C
Kind of capacitor: MLCC
Mounting: SMD
Dielectric: X7R
Capacitance: 2.2nF
Roll diameter max.: 180mm
Tolerance: ±10%
Operating voltage: 250V
Case - inch: 1812
Case - mm: 4532
Type of capacitor: ceramic
auf Bestellung 1978 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
125+ | 0.57 EUR |
130+ | 0.55 EUR |
135+ | 0.53 EUR |
468+ | 0.15 EUR |
496+ | 0.14 EUR |
GA343QR7GD222KW01L |
![]() |
Hersteller: MURATA
Category: MLCC SMD capacitors
Description: Capacitor: ceramic; MLCC; 2.2nF; 250V; X7R; ±10%; SMD; 1812; 180mm
Manufacturer series: GA3
Operating temperature: -55...125°C
Kind of capacitor: MLCC
Mounting: SMD
Dielectric: X7R
Capacitance: 2.2nF
Roll diameter max.: 180mm
Tolerance: ±10%
Operating voltage: 250V
Case - inch: 1812
Case - mm: 4532
Type of capacitor: ceramic
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: MLCC SMD capacitors
Description: Capacitor: ceramic; MLCC; 2.2nF; 250V; X7R; ±10%; SMD; 1812; 180mm
Manufacturer series: GA3
Operating temperature: -55...125°C
Kind of capacitor: MLCC
Mounting: SMD
Dielectric: X7R
Capacitance: 2.2nF
Roll diameter max.: 180mm
Tolerance: ±10%
Operating voltage: 250V
Case - inch: 1812
Case - mm: 4532
Type of capacitor: ceramic
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1978 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
125+ | 0.57 EUR |
130+ | 0.55 EUR |
135+ | 0.53 EUR |
468+ | 0.15 EUR |
496+ | 0.14 EUR |
GA343QR7GD222KW01L |
![]() |
Hersteller: Murata Electronics
Safety Capacitors 2200PF 250V 10% 1812
Safety Capacitors 2200PF 250V 10% 1812
auf Bestellung 18167 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
2+ | 2.48 EUR |
10+ | 1.32 EUR |
100+ | 1.21 EUR |
500+ | 1.05 EUR |
1000+ | 0.86 EUR |
2000+ | 0.83 EUR |
MA343.A.LBI.001 |
![]() |
Hersteller: Taoglas
Antennas 3in1 Magnet Mount GNSS 2m RG-174 SMA(M) 4G LTE MIMO 2m RG-174 SMA(M)
Antennas 3in1 Magnet Mount GNSS 2m RG-174 SMA(M) 4G LTE MIMO 2m RG-174 SMA(M)
auf Bestellung 97 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 84.41 EUR |
10+ | 73.08 EUR |
50+ | 70.54 EUR |
100+ | 59.95 EUR |
200+ | 59.52 EUR |
MA343.W.LBI.001 |
![]() |
Hersteller: Taoglas
Antennas 3in1 White Magnet Mount GNSS 2m RG-174 SMA(M) 4G LTE MIMO 2m RG-174 SMA(M)
Antennas 3in1 White Magnet Mount GNSS 2m RG-174 SMA(M) 4G LTE MIMO 2m RG-174 SMA(M)
auf Bestellung 89 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 84.39 EUR |
10+ | 73.06 EUR |
50+ | 70.79 EUR |
100+ | 60.16 EUR |
200+ | 59.52 EUR |
MP-211-009-1A3-4300 |
![]() |
Hersteller: AirBorn
D-Sub Mil Spec Connectors CONNECTOR, M SERIES
D-Sub Mil Spec Connectors CONNECTOR, M SERIES
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 352.04 EUR |
2+ | 340.28 EUR |
5+ | 328.24 EUR |
8+ | 286.21 EUR |
24+ | 260.83 EUR |
MP-211-015-1A3-4300 |
Hersteller: AirBorn
D-Sub Mil Spec Connectors CONNECTOR, M SERIES
D-Sub Mil Spec Connectors CONNECTOR, M SERIES
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 435.79 EUR |
12+ | 331.83 EUR |
30+ | 293.83 EUR |
54+ | 291 EUR |
OPA343NA |
Hersteller: Texas Instruments
CMOS R-R I/O Op-Amp, GBW 5.5MHz, SR 6V/us, Voff 2mV, 2.5?5.5V, -40?85°C OPA343NA WO343OPA na
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
CMOS R-R I/O Op-Amp, GBW 5.5MHz, SR 6V/us, Voff 2mV, 2.5?5.5V, -40?85°C OPA343NA WO343OPA na
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 78 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
10+ | 7.14 EUR |
OPA343NA/250 | ![]() |
![]() |
Hersteller: Texas Instruments
Operational Amplifiers - Op Amps Single-Supply Rail-t o-Rail A 595-OPA343NA/3K
Operational Amplifiers - Op Amps Single-Supply Rail-t o-Rail A 595-OPA343NA/3K
auf Bestellung 303 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 4.36 EUR |
10+ | 3.26 EUR |
25+ | 2.97 EUR |
100+ | 2.66 EUR |
250+ | 2.52 EUR |
500+ | 2.43 EUR |
1000+ | 2.36 EUR |
OPA343NA/250G4 |
![]() |
Hersteller: Texas Instruments
Operational Amplifiers - Op Amps Single-Supply Rail-t o-Rail ALT 595-OPA343NA/250
Operational Amplifiers - Op Amps Single-Supply Rail-t o-Rail ALT 595-OPA343NA/250
auf Bestellung 1355 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 4.36 EUR |
10+ | 3.26 EUR |
25+ | 2.97 EUR |
100+ | 2.66 EUR |
250+ | 2.46 EUR |
500+ | 2.36 EUR |
1000+ | 2.29 EUR |
OPA343NA/3K |
![]() |
Hersteller: Texas Instruments
Operational Amplifiers - Op Amps Single-Supply Rail-t o-Rail A 595-OPA343NA/250
Operational Amplifiers - Op Amps Single-Supply Rail-t o-Rail A 595-OPA343NA/250
auf Bestellung 3229 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 3.68 EUR |
10+ | 2.75 EUR |
25+ | 2.5 EUR |
100+ | 2.24 EUR |
250+ | 2.11 EUR |
500+ | 2.04 EUR |
1000+ | 1.99 EUR |
OPA343UA |
![]() |
Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS
Category: SMD operational amplifiers
Description: IC: operational amplifier; 5.5MHz; Ch: 1; SO8
Operating temperature: -40...85°C
Type of integrated circuit: operational amplifier
Mounting: SMT
Case: SO8
Number of channels: 1
Voltage supply range: ± 1.25...2.75V DC; 2.5...5.5V DC
Slew rate: 6V/μs
Bandwidth: 5.5MHz
Category: SMD operational amplifiers
Description: IC: operational amplifier; 5.5MHz; Ch: 1; SO8
Operating temperature: -40...85°C
Type of integrated circuit: operational amplifier
Mounting: SMT
Case: SO8
Number of channels: 1
Voltage supply range: ± 1.25...2.75V DC; 2.5...5.5V DC
Slew rate: 6V/μs
Bandwidth: 5.5MHz
auf Bestellung 93 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
24+ | 3 EUR |
27+ | 2.66 EUR |
28+ | 2.59 EUR |
29+ | 2.49 EUR |
OPA343UA |
![]() |
Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS
Category: SMD operational amplifiers
Description: IC: operational amplifier; 5.5MHz; Ch: 1; SO8
Operating temperature: -40...85°C
Type of integrated circuit: operational amplifier
Mounting: SMT
Case: SO8
Number of channels: 1
Voltage supply range: ± 1.25...2.75V DC; 2.5...5.5V DC
Slew rate: 6V/μs
Bandwidth: 5.5MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD operational amplifiers
Description: IC: operational amplifier; 5.5MHz; Ch: 1; SO8
Operating temperature: -40...85°C
Type of integrated circuit: operational amplifier
Mounting: SMT
Case: SO8
Number of channels: 1
Voltage supply range: ± 1.25...2.75V DC; 2.5...5.5V DC
Slew rate: 6V/μs
Bandwidth: 5.5MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 93 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
24+ | 3 EUR |
27+ | 2.66 EUR |
28+ | 2.59 EUR |
29+ | 2.49 EUR |
OPA343UA |
![]() |
Hersteller: Texas Instruments
Operational Amplifiers - Op Amps Single-Supply Rail-t o-Rail A 595-OPA343UA/2K5
Operational Amplifiers - Op Amps Single-Supply Rail-t o-Rail A 595-OPA343UA/2K5
auf Bestellung 209 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 4.36 EUR |
10+ | 3.26 EUR |
25+ | 2.97 EUR |
75+ | 2.66 EUR |
300+ | 2.52 EUR |
525+ | 2.43 EUR |
1050+ | 2.36 EUR |
OPA343UA/2K5 |
![]() |
Hersteller: Texas Instruments
Operational Amplifiers - Op Amps Single-Supply Rail-t o-Rail A 595-OPA343UA
Operational Amplifiers - Op Amps Single-Supply Rail-t o-Rail A 595-OPA343UA
auf Bestellung 1490 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 3.68 EUR |
10+ | 2.75 EUR |
25+ | 2.5 EUR |
100+ | 2.24 EUR |
250+ | 2.11 EUR |
500+ | 2.04 EUR |
1000+ | 1.99 EUR |
PA343DF |
Hersteller: Apex Microtechnology
Operational Amplifiers - Op Amps IC OpAmp 350V, 120mA Peak, Dual
Operational Amplifiers - Op Amps IC OpAmp 350V, 120mA Peak, Dual
auf Bestellung 471 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 64.47 EUR |
10+ | 55.14 EUR |
25+ | 52.82 EUR |
100+ | 47.85 EUR |
250+ | 46.22 EUR |
PJA3430_R1_00001 |
![]() |
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2A; Idm: 8A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2A
Gate charge: 1.8nC
On-state resistance: 0.4Ω
Power dissipation: 1.25W
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 8A
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2A; Idm: 8A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2A
Gate charge: 1.8nC
On-state resistance: 0.4Ω
Power dissipation: 1.25W
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 8A
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 2565 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
228+ | 0.31 EUR |
385+ | 0.19 EUR |
615+ | 0.12 EUR |
991+ | 0.072 EUR |
1049+ | 0.068 EUR |
PJA3430_R1_00001 |
![]() |
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2A; Idm: 8A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2A
Gate charge: 1.8nC
On-state resistance: 0.4Ω
Power dissipation: 1.25W
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 8A
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2A; Idm: 8A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2A
Gate charge: 1.8nC
On-state resistance: 0.4Ω
Power dissipation: 1.25W
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 8A
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2565 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
228+ | 0.31 EUR |
385+ | 0.19 EUR |
615+ | 0.12 EUR |
991+ | 0.072 EUR |
1049+ | 0.068 EUR |
3000+ | 0.067 EUR |
PJA3430_R1_00001 |
![]() |
Hersteller: Panjit
MOSFETs 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFETESD Protected
MOSFETs 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFETESD Protected
auf Bestellung 7352 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
7+ | 0.41 EUR |
12+ | 0.25 EUR |
100+ | 0.15 EUR |
500+ | 0.11 EUR |
1000+ | 0.1 EUR |
3000+ | 0.07 EUR |
6000+ | 0.067 EUR |
PJA3432-AU_R1_000A1 |
![]() |
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.6A; Idm: 6.4A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 1.6A
Gate charge: 1.5nC
On-state resistance: 570mΩ
Power dissipation: 1.25W
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 6.4A
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.6A; Idm: 6.4A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 1.6A
Gate charge: 1.5nC
On-state resistance: 570mΩ
Power dissipation: 1.25W
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 6.4A
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1813 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
239+ | 0.3 EUR |
400+ | 0.18 EUR |
637+ | 0.11 EUR |
861+ | 0.083 EUR |
881+ | 0.081 EUR |
911+ | 0.079 EUR |
1000+ | 0.076 EUR |
PJA3432-AU_R1_000A1 |
![]() |
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.6A; Idm: 6.4A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 1.6A
Gate charge: 1.5nC
On-state resistance: 570mΩ
Power dissipation: 1.25W
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 6.4A
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.6A; Idm: 6.4A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 1.6A
Gate charge: 1.5nC
On-state resistance: 570mΩ
Power dissipation: 1.25W
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 6.4A
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1813 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
239+ | 0.3 EUR |
400+ | 0.18 EUR |
637+ | 0.11 EUR |
861+ | 0.083 EUR |
881+ | 0.081 EUR |
911+ | 0.079 EUR |
1000+ | 0.076 EUR |
PJA3432-AU_R1_000A1 |
![]() |
Hersteller: Panjit
MOSFETs 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFETESD Protected
MOSFETs 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFETESD Protected
auf Bestellung 18430 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
8+ | 0.39 EUR |
12+ | 0.24 EUR |
100+ | 0.15 EUR |
500+ | 0.11 EUR |
1000+ | 0.097 EUR |
3000+ | 0.067 EUR |
6000+ | 0.063 EUR |
PJA3432_R1_00001 |
![]() |
Hersteller: Panjit
MOSFETs 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFETESD Protected
MOSFETs 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFETESD Protected
auf Bestellung 22167 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
11+ | 0.27 EUR |
15+ | 0.2 EUR |
100+ | 0.11 EUR |
500+ | 0.1 EUR |
3000+ | 0.079 EUR |
6000+ | 0.07 EUR |
PJA3433-AU_R1_000A1 |
![]() |
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.1A; Idm: -4.4A; 1.25W
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -1.1A
Gate charge: 1.6nC
On-state resistance: 0.97Ω
Power dissipation: 1.25W
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -4.4A
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.1A; Idm: -4.4A; 1.25W
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -1.1A
Gate charge: 1.6nC
On-state resistance: 0.97Ω
Power dissipation: 1.25W
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -4.4A
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1555 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
239+ | 0.3 EUR |
400+ | 0.18 EUR |
633+ | 0.11 EUR |
782+ | 0.092 EUR |
848+ | 0.084 EUR |
863+ | 0.083 EUR |
PJA3433-AU_R1_000A1 |
![]() |
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.1A; Idm: -4.4A; 1.25W
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -1.1A
Gate charge: 1.6nC
On-state resistance: 0.97Ω
Power dissipation: 1.25W
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -4.4A
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.1A; Idm: -4.4A; 1.25W
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -1.1A
Gate charge: 1.6nC
On-state resistance: 0.97Ω
Power dissipation: 1.25W
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -4.4A
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1555 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
239+ | 0.3 EUR |
400+ | 0.18 EUR |
633+ | 0.11 EUR |
782+ | 0.092 EUR |
848+ | 0.084 EUR |
863+ | 0.083 EUR |
PJA3433-AU_R1_000A1 |
![]() |
Hersteller: Panjit
MOSFETs 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected
MOSFETs 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected
auf Bestellung 31189 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
8+ | 0.39 EUR |
12+ | 0.24 EUR |
100+ | 0.15 EUR |
500+ | 0.11 EUR |
1000+ | 0.097 EUR |
3000+ | 0.072 EUR |
6000+ | 0.069 EUR |
PJA3433_R1_00001 |
![]() |
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.1A; Idm: -4.4A; 1.25W
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -1.1A
Gate charge: 1.6nC
On-state resistance: 0.97Ω
Power dissipation: 1.25W
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -4.4A
Kind of channel: enhancement
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.1A; Idm: -4.4A; 1.25W
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -1.1A
Gate charge: 1.6nC
On-state resistance: 0.97Ω
Power dissipation: 1.25W
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -4.4A
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 7014 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
209+ | 0.34 EUR |
343+ | 0.21 EUR |
565+ | 0.13 EUR |
857+ | 0.084 EUR |
906+ | 0.079 EUR |
3000+ | 0.077 EUR |
PJA3433_R1_00001 |
![]() |
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.1A; Idm: -4.4A; 1.25W
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -1.1A
Gate charge: 1.6nC
On-state resistance: 0.97Ω
Power dissipation: 1.25W
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -4.4A
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.1A; Idm: -4.4A; 1.25W
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -1.1A
Gate charge: 1.6nC
On-state resistance: 0.97Ω
Power dissipation: 1.25W
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -4.4A
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 7014 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
209+ | 0.34 EUR |
343+ | 0.21 EUR |
565+ | 0.13 EUR |
857+ | 0.084 EUR |
906+ | 0.079 EUR |
3000+ | 0.077 EUR |
PJA3433_R1_00001 |
![]() |
Hersteller: Panjit
MOSFETs 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected
MOSFETs 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected
auf Bestellung 34255 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
7+ | 0.41 EUR |
12+ | 0.25 EUR |
100+ | 0.15 EUR |
500+ | 0.11 EUR |
1000+ | 0.1 EUR |
3000+ | 0.083 EUR |
6000+ | 0.074 EUR |
PJA3434_R1_00001 |
![]() |
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 750mA; Idm: 1.5A; 500mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.75A
Gate charge: 1.4nC
On-state resistance: 3Ω
Power dissipation: 0.5W
Gate-source voltage: ±10V
Pulsed drain current: 1.5A
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 750mA; Idm: 1.5A; 500mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.75A
Gate charge: 1.4nC
On-state resistance: 3Ω
Power dissipation: 0.5W
Gate-source voltage: ±10V
Pulsed drain current: 1.5A
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 3820 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
218+ | 0.33 EUR |
368+ | 0.19 EUR |
579+ | 0.12 EUR |
1090+ | 0.066 EUR |
1153+ | 0.062 EUR |
PJA3434_R1_00001 |
![]() |
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 750mA; Idm: 1.5A; 500mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.75A
Gate charge: 1.4nC
On-state resistance: 3Ω
Power dissipation: 0.5W
Gate-source voltage: ±10V
Pulsed drain current: 1.5A
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 750mA; Idm: 1.5A; 500mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.75A
Gate charge: 1.4nC
On-state resistance: 3Ω
Power dissipation: 0.5W
Gate-source voltage: ±10V
Pulsed drain current: 1.5A
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3820 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
218+ | 0.33 EUR |
368+ | 0.19 EUR |
579+ | 0.12 EUR |
1090+ | 0.066 EUR |
1153+ | 0.062 EUR |
6000+ | 0.06 EUR |
PJA3434_R1_00001 |
![]() |
Hersteller: Panjit
MOSFETs 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
MOSFETs 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
auf Bestellung 7429 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
7+ | 0.42 EUR |
11+ | 0.26 EUR |
100+ | 0.16 EUR |
500+ | 0.12 EUR |
1000+ | 0.11 EUR |
3000+ | 0.076 EUR |
6000+ | 0.07 EUR |
PJA3435_R1_00001 |
![]() |
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -500mA; Idm: -1A; 500mW; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.5A
Gate charge: 1.4nC
On-state resistance: 6Ω
Power dissipation: 0.5W
Gate-source voltage: ±10V
Pulsed drain current: -1A
Kind of channel: enhancement
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -500mA; Idm: -1A; 500mW; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.5A
Gate charge: 1.4nC
On-state resistance: 6Ω
Power dissipation: 0.5W
Gate-source voltage: ±10V
Pulsed drain current: -1A
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 5960 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
179+ | 0.4 EUR |
300+ | 0.24 EUR |
463+ | 0.15 EUR |
993+ | 0.072 EUR |
1051+ | 0.068 EUR |
PJA3435_R1_00001 |
![]() |
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -500mA; Idm: -1A; 500mW; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.5A
Gate charge: 1.4nC
On-state resistance: 6Ω
Power dissipation: 0.5W
Gate-source voltage: ±10V
Pulsed drain current: -1A
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -500mA; Idm: -1A; 500mW; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.5A
Gate charge: 1.4nC
On-state resistance: 6Ω
Power dissipation: 0.5W
Gate-source voltage: ±10V
Pulsed drain current: -1A
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 5960 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
179+ | 0.4 EUR |
300+ | 0.24 EUR |
463+ | 0.15 EUR |
993+ | 0.072 EUR |
1051+ | 0.068 EUR |
24000+ | 0.065 EUR |
PJA3435_R1_00001 |
![]() |
Hersteller: Panjit
MOSFETs 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected
MOSFETs 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected
auf Bestellung 5372 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
6+ | 0.55 EUR |
10+ | 0.33 EUR |
100+ | 0.21 EUR |
500+ | 0.15 EUR |
1000+ | 0.14 EUR |
3000+ | 0.11 EUR |
6000+ | 0.1 EUR |
PJA3436-AU_R1_000A1 |
![]() |
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.2A; Idm: 4.8A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1.2A
Gate charge: 0.9nC
On-state resistance: 0.9Ω
Power dissipation: 1.25W
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 4.8A
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.2A; Idm: 4.8A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1.2A
Gate charge: 0.9nC
On-state resistance: 0.9Ω
Power dissipation: 1.25W
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 4.8A
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
186+ | 0.39 EUR |
313+ | 0.23 EUR |
507+ | 0.14 EUR |
955+ | 0.075 EUR |
1011+ | 0.071 EUR |
PJA3436-AU_R1_000A1 |
![]() |
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.2A; Idm: 4.8A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1.2A
Gate charge: 0.9nC
On-state resistance: 0.9Ω
Power dissipation: 1.25W
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 4.8A
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.2A; Idm: 4.8A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1.2A
Gate charge: 0.9nC
On-state resistance: 0.9Ω
Power dissipation: 1.25W
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 4.8A
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
186+ | 0.39 EUR |
313+ | 0.23 EUR |
507+ | 0.14 EUR |
955+ | 0.075 EUR |
1011+ | 0.071 EUR |
6000+ | 0.069 EUR |
9000+ | 0.068 EUR |
PJA3436_R1_00001 |
![]() |
Hersteller: Panjit
MOSFETs 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected
MOSFETs 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected
auf Bestellung 6164 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
7+ | 0.41 EUR |
12+ | 0.25 EUR |
100+ | 0.16 EUR |
500+ | 0.12 EUR |
1000+ | 0.1 EUR |
3000+ | 0.069 EUR |
6000+ | 0.067 EUR |
PJA3438-AU_R1_000A1 |
![]() |
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 500mA; Idm: 1.2A; 500mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.5A
Gate charge: 0.95nC
On-state resistance: 6Ω
Power dissipation: 0.5W
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 1.2A
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 500mA; Idm: 1.2A; 500mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.5A
Gate charge: 0.95nC
On-state resistance: 6Ω
Power dissipation: 0.5W
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 1.2A
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
167+ | 0.43 EUR |
254+ | 0.28 EUR |
407+ | 0.18 EUR |
500+ | 0.14 EUR |
PJA3438-AU_R1_000A1 |
![]() |
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 500mA; Idm: 1.2A; 500mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.5A
Gate charge: 0.95nC
On-state resistance: 6Ω
Power dissipation: 0.5W
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 1.2A
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 500mA; Idm: 1.2A; 500mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.5A
Gate charge: 0.95nC
On-state resistance: 6Ω
Power dissipation: 0.5W
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 1.2A
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
167+ | 0.43 EUR |
254+ | 0.28 EUR |
407+ | 0.18 EUR |
500+ | 0.14 EUR |
644+ | 0.11 EUR |
21000+ | 0.065 EUR |
PJA3438-AU_R1_000A1 |
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Hersteller: Panjit
MOSFETs 50V N-Channel Enhancement Mode MOSFETESD Protected
MOSFETs 50V N-Channel Enhancement Mode MOSFETESD Protected
auf Bestellung 4399 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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5+ | 0.61 EUR |
10+ | 0.37 EUR |
100+ | 0.24 EUR |
500+ | 0.18 EUR |
1000+ | 0.15 EUR |
3000+ | 0.11 EUR |
6000+ | 0.1 EUR |
PJA3438_R1_00001 |
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Hersteller: Panjit
MOSFETs 50V N-Channel Enhancement Mode MOSFETESD Protected
MOSFETs 50V N-Channel Enhancement Mode MOSFETESD Protected
auf Bestellung 7952 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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5+ | 0.58 EUR |
10+ | 0.35 EUR |
100+ | 0.22 EUR |
500+ | 0.17 EUR |
1000+ | 0.15 EUR |
3000+ | 0.1 EUR |
6000+ | 0.097 EUR |
PJA3439-AU_R1_000A1 |
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Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -300mA; Idm: -1A; 500mW; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -0.3A
Gate charge: 1.1nC
On-state resistance: 13Ω
Power dissipation: 0.5W
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -1A
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -300mA; Idm: -1A; 500mW; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -0.3A
Gate charge: 1.1nC
On-state resistance: 13Ω
Power dissipation: 0.5W
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -1A
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1487 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
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157+ | 0.46 EUR |
252+ | 0.28 EUR |
415+ | 0.17 EUR |
930+ | 0.077 EUR |
985+ | 0.073 EUR |
PJA3439-AU_R1_000A1 |
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Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -300mA; Idm: -1A; 500mW; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -0.3A
Gate charge: 1.1nC
On-state resistance: 13Ω
Power dissipation: 0.5W
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -1A
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -300mA; Idm: -1A; 500mW; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -0.3A
Gate charge: 1.1nC
On-state resistance: 13Ω
Power dissipation: 0.5W
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -1A
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1487 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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157+ | 0.46 EUR |
252+ | 0.28 EUR |
415+ | 0.17 EUR |
930+ | 0.077 EUR |
985+ | 0.073 EUR |
24000+ | 0.071 EUR |
PJA3439-AU_R1_000A1 |
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Hersteller: Panjit
MOSFETs 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
MOSFETs 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
auf Bestellung 6397 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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6+ | 0.55 EUR |
10+ | 0.33 EUR |
100+ | 0.21 EUR |
500+ | 0.15 EUR |
1000+ | 0.14 EUR |
3000+ | 0.1 EUR |
6000+ | 0.093 EUR |
PJA3439_R1_00001 |
![]() |
Hersteller: Panjit
MOSFETs 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
MOSFETs 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
auf Bestellung 29537 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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8+ | 0.39 EUR |
11+ | 0.27 EUR |
100+ | 0.14 EUR |
500+ | 0.13 EUR |
1000+ | 0.12 EUR |
3000+ | 0.074 EUR |
6000+ | 0.072 EUR |
PMA3-43-1W+ |
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Hersteller: Mini-Circuits
RF Amplifier SMT MMIC, Power Amplifier, 10 MHz to 4000 MHz, 50ohm, 3x3 mm QFN Style Package
RF Amplifier SMT MMIC, Power Amplifier, 10 MHz to 4000 MHz, 50ohm, 3x3 mm QFN Style Package
auf Bestellung 430 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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1+ | 40.27 EUR |
20+ | 32.61 EUR |
50+ | 29.36 EUR |
100+ | 26.44 EUR |
200+ | 26.36 EUR |
XG4A-3431 |
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Hersteller: Omron Electronics
Rectangular Mil Spec Connectors Plug Long Lock 34P Straight 1Polarize
Rectangular Mil Spec Connectors Plug Long Lock 34P Straight 1Polarize
auf Bestellung 803 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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1+ | 3.94 EUR |
50+ | 3.24 EUR |
100+ | 3.12 EUR |
250+ | 2.96 EUR |
500+ | 2.52 EUR |
1000+ | 2.24 EUR |
2500+ | 2.22 EUR |
XG4A-3432 |
![]() |
Hersteller: Omron Electronics
Rectangular Mil Spec Connectors Plug ShortLock 34P Straight 1Polarize
Rectangular Mil Spec Connectors Plug ShortLock 34P Straight 1Polarize
auf Bestellung 101 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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1+ | 3.26 EUR |
10+ | 3.24 EUR |
25+ | 3.22 EUR |
50+ | 2.69 EUR |
500+ | 2.41 EUR |
1000+ | 2.22 EUR |
XG4A-3434 |
![]() |
Hersteller: Omron Electronics
Rectangular Mil Spec Connectors Plug Long Lock 34P RightAngle 1Polarize
Rectangular Mil Spec Connectors Plug Long Lock 34P RightAngle 1Polarize
auf Bestellung 830 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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1+ | 2.97 EUR |
10+ | 2.46 EUR |
50+ | 2.22 EUR |
XG4A-3439-A |
![]() |
Hersteller: Omron Electronics
Rectangular Mil Spec Connectors 2Tier RA Plug 34x2P Long Lock 1Polarize
Rectangular Mil Spec Connectors 2Tier RA Plug 34x2P Long Lock 1Polarize
auf Bestellung 76 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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1+ | 15.77 EUR |
28+ | 14.7 EUR |
56+ | 14.27 EUR |
112+ | 13.08 EUR |
504+ | 12.76 EUR |
XR-A343-0604D |
Hersteller: Quantic X-Microwave
RF Development Tools Amplifier, HMC463LP5E [PCB: 236]Recommended Bias Controller: XR-A344-0604D-SP
RF Development Tools Amplifier, HMC463LP5E [PCB: 236]Recommended Bias Controller: XR-A344-0604D-SP
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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1+ | 838.24 EUR |
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