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BSS306N H6327 BSS306N H6327 Infineon Technologies Infineon-BSS306N-DS-v02_03-en-918350.pdf MOSFET N-Ch 30V 2.3A SOT-23-3
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BSS306NH6327XTSA1 BSS306NH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSS306NH6327XTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.3A; 0.5W; SOT23
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT23
On-state resistance: 93mΩ
Technology: OptiMOS™ 2
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Drain current: 2.3A
Drain-source voltage: 30V
auf Bestellung 8405 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
465+0.15 EUR
560+ 0.13 EUR
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770+ 0.093 EUR
Mindestbestellmenge: 465
BSS306NH6327XTSA1 BSS306NH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSS306NH6327XTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.3A; 0.5W; SOT23
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT23
On-state resistance: 93mΩ
Technology: OptiMOS™ 2
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Drain current: 2.3A
Drain-source voltage: 30V
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
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BSS306NH6327XTSA1 Infineon BSS306N_Rev2.3.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a304330f686060130ff4c1f867ef5 N-MOSFET 30V 2.3A 57mΩ 500mW BSS306NH6327HTSA1 BSS306NH6327 Infineon TBSS306n
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
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BSS306NH6327XTSA1 Infineon BSS306N_Rev2.3.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a304330f686060130ff4c1f867ef5 N-MOSFET 30V 2.3A 57mΩ 500mW BSS306NH6327HTSA1 BSS306NH6327 Infineon TBSS306n
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
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BSS306NH6327XTSA1 BSS306NH6327XTSA1 Infineon Technologies BSS306N_Rev2.3.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a304330f686060130ff4c1f867ef5 Description: MOSFET N-CH 30V 2.3A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 11µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 275 pF @ 15 V
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6000+ 0.15 EUR
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BSS306NH6327XTSA1 BSS306NH6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon_BSS306N_DS_v02_03_en-1731171.pdf MOSFET N-Ch 30V 2.3A SOT-23-3
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BSS306NH6327XTSA1 BSS306NH6327XTSA1 Infineon Technologies BSS306N_Rev2.3.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a304330f686060130ff4c1f867ef5 Description: MOSFET N-CH 30V 2.3A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 11µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 275 pF @ 15 V
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BSS306NH6327XTSA1 BSS306NH6327XTSA1 Infineon Technologies bss306n_rev2.3.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.3A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
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BSS306NH6327XTSA1 BSS306NH6327XTSA1 Infineon Technologies bss306n_rev2.3.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.3A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 27000 Stücke:
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BSS306NH6327XTSA1 BSS306NH6327XTSA1 Infineon Technologies bss306n_rev2.3.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.3A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
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Mindestbestellmenge: 3000
BSS306NH6327XTSA1 BSS306NH6327XTSA1 INFINEON INFNS15444-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSS306NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.3 A, 0.044 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 3525 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSS306NH6327XTSA1 BSS306NH6327XTSA1 Infineon Technologies bss306n_rev2.3.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.3A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
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45000+ 0.082 EUR
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Mindestbestellmenge: 3000
BSS306NH6327XTSA1 BSS306NH6327XTSA1 Infineon Technologies bss306n_rev2.3.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.3A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
620+0.25 EUR
667+ 0.22 EUR
762+ 0.19 EUR
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2000+ 0.16 EUR
9000+ 0.14 EUR
18000+ 0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 620
BSS306NH6327XTSA1 BSS306NH6327XTSA1 INFINEON INFNS15444-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSS306NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.3 A, 0.044 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 3525 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSS306NH6327XTSA1 BSS306NH6327XTSA1 Infineon Technologies bss306n_rev2.3.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.3A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 27000 Stücke:
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3000+0.1 EUR
6000+ 0.096 EUR
9000+ 0.091 EUR
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BSS308PE H6327 BSS308PE H6327 Infineon Technologies Infineon-BSS308PE-DS-v02_03-en-918327.pdf MOSFET P-Ch -30V -2A SOT-23-3
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5+0.69 EUR
10+ 0.55 EUR
100+ 0.37 EUR
1000+ 0.22 EUR
3000+ 0.18 EUR
9000+ 0.17 EUR
24000+ 0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 5
BSS308PEH6327XT BSS308PEH6327XT Infineon Technologies Infineon-BSS308PE-DS-v02_03-en-918327.pdf MOSFET P-Ch -30V -2A SOT-23-3
auf Bestellung 74163 Stücke:
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5+0.69 EUR
10+ 0.55 EUR
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3000+ 0.18 EUR
9000+ 0.17 EUR
24000+ 0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 5
BSS308PEH6327XTSA1 BSS308PEH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSS308PEH6327XTSA1-DTE.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2A; 0.5W; PG-SOT23
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: PG-SOT23
On-state resistance: 80mΩ
Technology: OptiMOS™ P3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Drain current: -2A
Drain-source voltage: -30V
auf Bestellung 2071 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
132+0.54 EUR
182+ 0.39 EUR
253+ 0.28 EUR
309+ 0.23 EUR
610+ 0.12 EUR
642+ 0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 132
BSS308PEH6327XTSA1 BSS308PEH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSS308PEH6327XTSA1-DTE.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2A; 0.5W; PG-SOT23
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: PG-SOT23
On-state resistance: 80mΩ
Technology: OptiMOS™ P3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Drain current: -2A
Drain-source voltage: -30V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2071 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
132+0.54 EUR
182+ 0.39 EUR
253+ 0.28 EUR
309+ 0.23 EUR
610+ 0.12 EUR
642+ 0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 132
BSS308PEH6327XTSA1 BSS308PEH6327XTSA1 Infineon Technologies BSS308PE_Rev2.03.pdf?folderId=db3a304314dca38901154a72e3951a65&fileId=db3a304330f686060131099c80400073 Description: MOSFET P-CH 30V 2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 11µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 227274 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
27+0.67 EUR
34+ 0.53 EUR
100+ 0.32 EUR
500+ 0.29 EUR
1000+ 0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 27
BSS308PEH6327XTSA1 BSS308PEH6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon_BSS308PE_DS_v02_03_en-1731197.pdf MOSFET P-Ch -30V -2A SOT-23-3
auf Bestellung 212598 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.67 EUR
10+ 0.48 EUR
100+ 0.29 EUR
1000+ 0.2 EUR
3000+ 0.18 EUR
9000+ 0.16 EUR
24000+ 0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 5
BSS308PEH6327XTSA1 BSS308PEH6327XTSA1 Infineon Technologies BSS308PE_Rev2.03.pdf?folderId=db3a304314dca38901154a72e3951a65&fileId=db3a304330f686060131099c80400073 Description: MOSFET P-CH 30V 2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 11µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 225000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.18 EUR
9000+ 0.16 EUR
75000+ 0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
BSS308PEH6327XTSA1 BSS308PEH6327XTSA1 Infineon Technologies bss308pe_rev2.03_.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 189000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.13 EUR
24000+ 0.093 EUR
45000+ 0.088 EUR
99000+ 0.084 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
BSS308PEH6327XTSA1 BSS308PEH6327XTSA1 Infineon Technologies bss308pe_rev2.03_.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.14 EUR
9000+ 0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
BSS308PEH6327XTSA1 BSS308PEH6327XTSA1 INFINEON INFNS19405-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSS308PEH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2 A, 0.062 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.062ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 183360 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSS308PEH6327XTSA1 BSS308PEH6327XTSA1 Infineon Technologies bss308pe_rev2.03_.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 189000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
BSS308PEH6327XTSA1 BSS308PEH6327XTSA1 Infineon Technologies bss308pe_rev2.03_.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 16830 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
458+0.34 EUR
460+ 0.32 EUR
564+ 0.25 EUR
1000+ 0.23 EUR
2000+ 0.22 EUR
9000+ 0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 458
BSS308PEH6327XTSA1 BSS308PEH6327XTSA1 Infineon Technologies bss308pe_rev2.03_.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 2A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 189000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSS308PEH6327XTSA1 BSS308PEH6327XTSA1 Infineon Technologies bss308pe_rev2.03_.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
BSS308PEH6327XTSA1 BSS308PEH6327XTSA1 INFINEON INFNS19405-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSS308PEH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2 A, 0.062 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.062ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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BSS314PE H6327 BSS314PE H6327 Infineon Technologies Infineon_BSS314PE_DataSheet_v02_03_EN-767598.pdf MOSFET P-Ch -30V -1.5A SOT-23-3
auf Bestellung 102261 Stücke:
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5+0.65 EUR
10+ 0.5 EUR
100+ 0.31 EUR
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9000+ 0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 5
BSS314PEH6327XT BSS314PEH6327XT Infineon Technologies Infineon_BSS314PE_DataSheet_v02_03_EN-1226584.pdf MOSFET P-Ch -30V -1.5A SOT-23-3
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10+ 0.5 EUR
100+ 0.31 EUR
1000+ 0.16 EUR
3000+ 0.15 EUR
9000+ 0.12 EUR
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BSS314PEH6327XTSA1 BSS314PEH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSS314PEH6327XTSA1-dte.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.5A; 0.5W; PG-SOT23
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: PG-SOT23
On-state resistance: 0.14Ω
Technology: OptiMOS™ P3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Drain current: -1.5A
Drain-source voltage: -30V
auf Bestellung 5195 Stücke:
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148+0.49 EUR
211+ 0.34 EUR
264+ 0.27 EUR
472+ 0.15 EUR
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944+ 0.076 EUR
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BSS314PEH6327XTSA1 Infineon BSS314PE_rev2.2.pdf?folderId=db3a304314dca38901154a72e3951a65&fileId=db3a304330f68606013109b696aa0084 P-MOSFET 30V 1.5A 140mΩ 500mW BSS314PEH6327XTSA1 BSS314PEH6327 Infineon TBSS314pe
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
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BSS314PEH6327XTSA1 BSS314PEH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSS314PEH6327XTSA1-dte.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.5A; 0.5W; PG-SOT23
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: PG-SOT23
On-state resistance: 0.14Ω
Technology: OptiMOS™ P3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Drain current: -1.5A
Drain-source voltage: -30V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 5195 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
148+0.49 EUR
211+ 0.34 EUR
264+ 0.27 EUR
472+ 0.15 EUR
893+ 0.08 EUR
944+ 0.076 EUR
Mindestbestellmenge: 148
BSS314PEH6327XTSA1 BSS314PEH6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon_BSS314PE_DataSheet_v02_03_EN-3360870.pdf MOSFET P-Ch -30V -1.5A SOT-23-3
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BSS314PEH6327XTSA1 BSS314PEH6327XTSA1 Infineon Technologies BSS314PE_rev2.2.pdf?folderId=db3a304314dca38901154a72e3951a65&fileId=db3a304330f68606013109b696aa0084 Description: MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 6.3µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 294 pF @ 15 V
auf Bestellung 75000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.15 EUR
6000+ 0.14 EUR
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30000+ 0.12 EUR
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BSS314PEH6327XTSA1 BSS314PEH6327XTSA1 Infineon Technologies BSS314PE_rev2.2.pdf?folderId=db3a304314dca38901154a72e3951a65&fileId=db3a304330f68606013109b696aa0084 Description: MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 6.3µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 294 pF @ 15 V
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28+0.65 EUR
38+ 0.47 EUR
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500+ 0.21 EUR
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BSS314PEH6327XTSA1 BSS314PEH6327XTSA1 Infineon Technologies infineon-bss314pe-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 1.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
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3000+0.12 EUR
6000+ 0.1 EUR
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18000+ 0.095 EUR
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BSS314PEH6327XTSA1 BSS314PEH6327XTSA1 INFINEON INFNS19483-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSS314PEH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.5 A, 0.107 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.107ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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BSS314PEH6327XTSA1 BSS314PEH6327XTSA1 Infineon Technologies bss314pe_rev2.3.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 1.5A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 132000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSS314PEH6327XTSA1 BSS314PEH6327XTSA1 Infineon Technologies infineon-bss314pe-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 1.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 132000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.12 EUR
6000+ 0.1 EUR
12000+ 0.099 EUR
18000+ 0.093 EUR
30000+ 0.075 EUR
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BSS314PEH6327XTSA1 BSS314PEH6327XTSA1 Infineon Technologies infineon-bss314pe-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 1.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 8619 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
268+0.58 EUR
351+ 0.42 EUR
375+ 0.38 EUR
782+ 0.18 EUR
790+ 0.17 EUR
837+ 0.15 EUR
1084+ 0.11 EUR
3000+ 0.098 EUR
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Mindestbestellmenge: 268
BSS314PEH6327XTSA1 BSS314PEH6327XTSA1 Infineon Technologies infineon-bss314pe-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 1.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 27000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
616+0.25 EUR
661+ 0.23 EUR
748+ 0.19 EUR
1000+ 0.18 EUR
2000+ 0.16 EUR
9000+ 0.15 EUR
18000+ 0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 616
BSS314PEH6327XTSA1 BSS314PEH6327XTSA1 Infineon Technologies infineon-bss314pe-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 1.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 8619 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
782+0.2 EUR
790+ 0.19 EUR
837+ 0.17 EUR
1084+ 0.13 EUR
3000+ 0.11 EUR
6000+ 0.079 EUR
Mindestbestellmenge: 782
BSS314PEH6327XTSA1 BSS314PEH6327XTSA1 INFINEON INFNS19483-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSS314PEH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.5 A, 0.107 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.107ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 41312 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Bss315 HBE Fuse: fast-acting; glass type; WTA; current: 315mA; voltage: 250V; dimensions: 5x20mm; equivalents: 0217.315MXP; 179020.0,315; 0034.1511 Fuse: fast-acting; 315mA Bss315
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 1800 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
500+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 500
Bss315 HBE Fuse: fast-acting; glass type; WTA; current: 315mA; voltage: 250V; dimensions: 5x20mm; equivalents: 0217.315MXP; 179020.0,315; 0034.1511 Fuse: fast-acting; 315mA Bss315
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 280 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
500+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 500
BSS315P H6327 BSS315P H6327 Infineon Technologies Infineon-BSS315P-DS-v02_03-en-1225631.pdf MOSFET P-Ch -30V -1.5A SOT-23-3
auf Bestellung 13656 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.69 EUR
10+ 0.51 EUR
100+ 0.32 EUR
1000+ 0.18 EUR
3000+ 0.15 EUR
9000+ 0.13 EUR
24000+ 0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 5
BSS315PH6327XT BSS315PH6327XT Infineon Technologies Infineon-BSS315P-DS-v02_03-en-1225631.pdf MOSFET P-Ch -30V -1.5A SOT-23-3
auf Bestellung 19717 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.69 EUR
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3000+ 0.15 EUR
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Mindestbestellmenge: 5
BSS315PH6327XTSA1 BSS315PH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSS315PH6327XTSA1-dte.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.5A; 0.5W; PG-SOT23
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: PG-SOT23
On-state resistance: 0.15Ω
Technology: OptiMOS™ P2
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Drain current: -1.5A
Drain-source voltage: -30V
auf Bestellung 5673 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
468+0.15 EUR
516+ 0.14 EUR
676+ 0.11 EUR
715+ 0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 468
BSS315PH6327XTSA1 BSS315PH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSS315PH6327XTSA1-dte.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.5A; 0.5W; PG-SOT23
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: PG-SOT23
On-state resistance: 0.15Ω
Technology: OptiMOS™ P2
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Drain current: -1.5A
Drain-source voltage: -30V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 5673 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
468+0.15 EUR
516+ 0.14 EUR
676+ 0.11 EUR
715+ 0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 468
BSS315PH6327XTSA1 BSS315PH6327XTSA1 Infineon Technologies BSS315P_Rev2.3.pdf?folderId=db3a304314dca38901154a72e3951a65&fileId=db3a304330f686060130ff61f31b7f06 Description: MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 11µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 282 pF @ 15 V
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.15 EUR
9000+ 0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
BSS315PH6327XTSA1 BSS315PH6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon_BSS315P_DS_v02_03_en-3360682.pdf MOSFET P-Ch -30V -1.5A SOT-23-3
auf Bestellung 26854 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.69 EUR
10+ 0.42 EUR
100+ 0.22 EUR
1000+ 0.17 EUR
3000+ 0.14 EUR
9000+ 0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 5
BSS315PH6327XTSA1 BSS315PH6327XTSA1 Infineon Technologies BSS315P_Rev2.3.pdf?folderId=db3a304314dca38901154a72e3951a65&fileId=db3a304330f686060130ff61f31b7f06 Description: MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 11µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 282 pF @ 15 V
auf Bestellung 24762 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
26+0.69 EUR
37+ 0.49 EUR
100+ 0.25 EUR
500+ 0.22 EUR
1000+ 0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 26
BSS315PH6327XTSA1 BSS315PH6327XTSA1 Infineon Technologies bss315p_rev2.3.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 1.5A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 180000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSS315PH6327XTSA1 BSS315PH6327XTSA1 INFINEON 1849734.html Description: INFINEON - BSS315PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.5 A, 0.113 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.113ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 28675 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSS315PH6327XTSA1 BSS315PH6327XTSA1 Infineon Technologies bss315p_rev2.3.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 1.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 189000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.13 EUR
9000+ 0.11 EUR
45000+ 0.091 EUR
99000+ 0.082 EUR
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BSS315PH6327XTSA1 BSS315PH6327XTSA1 Infineon Technologies bss315p_rev2.3.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 1.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
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BSS306N H6327 Infineon-BSS306N-DS-v02_03-en-918350.pdf
BSS306N H6327
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 30V 2.3A SOT-23-3
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BSS306NH6327XTSA1 BSS306NH6327XTSA1.pdf
BSS306NH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.3A; 0.5W; SOT23
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT23
On-state resistance: 93mΩ
Technology: OptiMOS™ 2
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Drain current: 2.3A
Drain-source voltage: 30V
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BSS306NH6327XTSA1 BSS306NH6327XTSA1.pdf
BSS306NH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.3A; 0.5W; SOT23
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT23
On-state resistance: 93mΩ
Technology: OptiMOS™ 2
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Drain current: 2.3A
Drain-source voltage: 30V
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 8405 Stücke:
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Anzahl Preis ohne MwSt
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560+ 0.13 EUR
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BSS306NH6327XTSA1 BSS306N_Rev2.3.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a304330f686060130ff4c1f867ef5
Hersteller: Infineon
N-MOSFET 30V 2.3A 57mΩ 500mW BSS306NH6327HTSA1 BSS306NH6327 Infineon TBSS306n
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Hersteller: Infineon
N-MOSFET 30V 2.3A 57mΩ 500mW BSS306NH6327HTSA1 BSS306NH6327 Infineon TBSS306n
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
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BSS306NH6327XTSA1 BSS306N_Rev2.3.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a304330f686060130ff4c1f867ef5
BSS306NH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 2.3A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 11µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 275 pF @ 15 V
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BSS306NH6327XTSA1 Infineon_BSS306N_DS_v02_03_en-1731171.pdf
BSS306NH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 30V 2.3A SOT-23-3
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BSS306NH6327XTSA1 BSS306N_Rev2.3.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a304330f686060130ff4c1f867ef5
BSS306NH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 2.3A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 11µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 275 pF @ 15 V
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30+0.6 EUR
39+ 0.46 EUR
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BSS306NH6327XTSA1 bss306n_rev2.3.pdf
BSS306NH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 2.3A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 27000 Stücke:
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9000+ 0.091 EUR
24000+ 0.087 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
BSS306NH6327XTSA1 bss306n_rev2.3.pdf
BSS306NH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 2.3A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 27000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSS306NH6327XTSA1 bss306n_rev2.3.pdf
BSS306NH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 2.3A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 75000 Stücke:
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BSS306NH6327XTSA1 INFNS15444-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSS306NH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSS306NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.3 A, 0.044 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 3525 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSS306NH6327XTSA1 bss306n_rev2.3.pdf
BSS306NH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 2.3A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 75000 Stücke:
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Anzahl Preis ohne MwSt
3000+0.11 EUR
6000+ 0.1 EUR
9000+ 0.096 EUR
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30000+ 0.087 EUR
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75000+ 0.078 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
BSS306NH6327XTSA1 bss306n_rev2.3.pdf
BSS306NH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 2.3A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 95880 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
620+0.25 EUR
667+ 0.22 EUR
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18000+ 0.12 EUR
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BSS306NH6327XTSA1 INFNS15444-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSS306NH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSS306NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.3 A, 0.044 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 3525 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSS306NH6327XTSA1 bss306n_rev2.3.pdf
BSS306NH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 2.3A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 27000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
3000+0.1 EUR
6000+ 0.096 EUR
9000+ 0.091 EUR
24000+ 0.087 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
BSS308PE H6327 Infineon-BSS308PE-DS-v02_03-en-918327.pdf
BSS308PE H6327
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFET P-Ch -30V -2A SOT-23-3
auf Bestellung 169096 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
5+0.69 EUR
10+ 0.55 EUR
100+ 0.37 EUR
1000+ 0.22 EUR
3000+ 0.18 EUR
9000+ 0.17 EUR
24000+ 0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 5
BSS308PEH6327XT Infineon-BSS308PE-DS-v02_03-en-918327.pdf
BSS308PEH6327XT
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFET P-Ch -30V -2A SOT-23-3
auf Bestellung 74163 Stücke:
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Anzahl Preis ohne MwSt
5+0.69 EUR
10+ 0.55 EUR
100+ 0.37 EUR
1000+ 0.22 EUR
3000+ 0.18 EUR
9000+ 0.17 EUR
24000+ 0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 5
BSS308PEH6327XTSA1 BSS308PEH6327XTSA1-DTE.pdf
BSS308PEH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2A; 0.5W; PG-SOT23
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: PG-SOT23
On-state resistance: 80mΩ
Technology: OptiMOS™ P3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Drain current: -2A
Drain-source voltage: -30V
auf Bestellung 2071 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
132+0.54 EUR
182+ 0.39 EUR
253+ 0.28 EUR
309+ 0.23 EUR
610+ 0.12 EUR
642+ 0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 132
BSS308PEH6327XTSA1 BSS308PEH6327XTSA1-DTE.pdf
BSS308PEH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2A; 0.5W; PG-SOT23
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: PG-SOT23
On-state resistance: 80mΩ
Technology: OptiMOS™ P3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Drain current: -2A
Drain-source voltage: -30V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2071 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
132+0.54 EUR
182+ 0.39 EUR
253+ 0.28 EUR
309+ 0.23 EUR
610+ 0.12 EUR
642+ 0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 132
BSS308PEH6327XTSA1 BSS308PE_Rev2.03.pdf?folderId=db3a304314dca38901154a72e3951a65&fileId=db3a304330f686060131099c80400073
BSS308PEH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 30V 2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 11µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 227274 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
27+0.67 EUR
34+ 0.53 EUR
100+ 0.32 EUR
500+ 0.29 EUR
1000+ 0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 27
BSS308PEH6327XTSA1 Infineon_BSS308PE_DS_v02_03_en-1731197.pdf
BSS308PEH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFET P-Ch -30V -2A SOT-23-3
auf Bestellung 212598 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
5+0.67 EUR
10+ 0.48 EUR
100+ 0.29 EUR
1000+ 0.2 EUR
3000+ 0.18 EUR
9000+ 0.16 EUR
24000+ 0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 5
BSS308PEH6327XTSA1 BSS308PE_Rev2.03.pdf?folderId=db3a304314dca38901154a72e3951a65&fileId=db3a304330f686060131099c80400073
BSS308PEH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 30V 2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 11µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 225000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
3000+0.18 EUR
9000+ 0.16 EUR
75000+ 0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
BSS308PEH6327XTSA1 bss308pe_rev2.03_.pdf
BSS308PEH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 189000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
3000+0.13 EUR
24000+ 0.093 EUR
45000+ 0.088 EUR
99000+ 0.084 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
BSS308PEH6327XTSA1 bss308pe_rev2.03_.pdf
BSS308PEH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
3000+0.14 EUR
9000+ 0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
BSS308PEH6327XTSA1 INFNS19405-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSS308PEH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSS308PEH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2 A, 0.062 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.062ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 183360 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSS308PEH6327XTSA1 bss308pe_rev2.03_.pdf
BSS308PEH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 189000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
3000+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
BSS308PEH6327XTSA1 bss308pe_rev2.03_.pdf
BSS308PEH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 16830 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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458+0.34 EUR
460+ 0.32 EUR
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9000+ 0.19 EUR
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BSS308PEH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 2A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 189000 Stücke:
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BSS308PEH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
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BSS308PEH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSS308PEH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2 A, 0.062 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.062ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 183360 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSS314PE H6327 Infineon_BSS314PE_DataSheet_v02_03_EN-767598.pdf
BSS314PE H6327
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFET P-Ch -30V -1.5A SOT-23-3
auf Bestellung 102261 Stücke:
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Anzahl Preis ohne MwSt
5+0.65 EUR
10+ 0.5 EUR
100+ 0.31 EUR
1000+ 0.16 EUR
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9000+ 0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 5
BSS314PEH6327XT Infineon_BSS314PE_DataSheet_v02_03_EN-1226584.pdf
BSS314PEH6327XT
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFET P-Ch -30V -1.5A SOT-23-3
auf Bestellung 27000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
5+0.65 EUR
10+ 0.5 EUR
100+ 0.31 EUR
1000+ 0.16 EUR
3000+ 0.15 EUR
9000+ 0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 5
BSS314PEH6327XTSA1 BSS314PEH6327XTSA1-dte.pdf
BSS314PEH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.5A; 0.5W; PG-SOT23
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: PG-SOT23
On-state resistance: 0.14Ω
Technology: OptiMOS™ P3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Drain current: -1.5A
Drain-source voltage: -30V
auf Bestellung 5195 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
148+0.49 EUR
211+ 0.34 EUR
264+ 0.27 EUR
472+ 0.15 EUR
893+ 0.08 EUR
944+ 0.076 EUR
Mindestbestellmenge: 148
BSS314PEH6327XTSA1 BSS314PE_rev2.2.pdf?folderId=db3a304314dca38901154a72e3951a65&fileId=db3a304330f68606013109b696aa0084
Hersteller: Infineon
P-MOSFET 30V 1.5A 140mΩ 500mW BSS314PEH6327XTSA1 BSS314PEH6327 Infineon TBSS314pe
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
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100+1.42 EUR
Mindestbestellmenge: 100
BSS314PEH6327XTSA1 BSS314PEH6327XTSA1-dte.pdf
BSS314PEH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.5A; 0.5W; PG-SOT23
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: PG-SOT23
On-state resistance: 0.14Ω
Technology: OptiMOS™ P3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Drain current: -1.5A
Drain-source voltage: -30V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 5195 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
148+0.49 EUR
211+ 0.34 EUR
264+ 0.27 EUR
472+ 0.15 EUR
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944+ 0.076 EUR
Mindestbestellmenge: 148
BSS314PEH6327XTSA1 Infineon_BSS314PE_DataSheet_v02_03_EN-3360870.pdf
BSS314PEH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFET P-Ch -30V -1.5A SOT-23-3
auf Bestellung 408336 Stücke:
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Anzahl Preis ohne MwSt
5+0.65 EUR
10+ 0.47 EUR
100+ 0.21 EUR
1000+ 0.16 EUR
3000+ 0.14 EUR
9000+ 0.12 EUR
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BSS314PEH6327XTSA1 BSS314PE_rev2.2.pdf?folderId=db3a304314dca38901154a72e3951a65&fileId=db3a304330f68606013109b696aa0084
BSS314PEH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 6.3µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 294 pF @ 15 V
auf Bestellung 75000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
3000+0.15 EUR
6000+ 0.14 EUR
9000+ 0.13 EUR
30000+ 0.12 EUR
75000+ 0.11 EUR
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BSS314PEH6327XTSA1 BSS314PE_rev2.2.pdf?folderId=db3a304314dca38901154a72e3951a65&fileId=db3a304330f68606013109b696aa0084
BSS314PEH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 6.3µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 294 pF @ 15 V
auf Bestellung 76419 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
28+0.65 EUR
38+ 0.47 EUR
100+ 0.24 EUR
500+ 0.21 EUR
1000+ 0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 28
BSS314PEH6327XTSA1 infineon-bss314pe-datasheet-v02_03-en.pdf
BSS314PEH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 1.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 132000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
3000+0.12 EUR
6000+ 0.1 EUR
12000+ 0.099 EUR
18000+ 0.095 EUR
30000+ 0.076 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
BSS314PEH6327XTSA1 INFNS19483-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSS314PEH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSS314PEH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.5 A, 0.107 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.107ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 41312 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSS314PEH6327XTSA1 bss314pe_rev2.3.pdf
BSS314PEH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 1.5A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 132000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSS314PEH6327XTSA1 infineon-bss314pe-datasheet-v02_03-en.pdf
BSS314PEH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 1.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 132000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
3000+0.12 EUR
6000+ 0.1 EUR
12000+ 0.099 EUR
18000+ 0.093 EUR
30000+ 0.075 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
BSS314PEH6327XTSA1 infineon-bss314pe-datasheet-v02_03-en.pdf
BSS314PEH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 1.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 8619 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
268+0.58 EUR
351+ 0.42 EUR
375+ 0.38 EUR
782+ 0.18 EUR
790+ 0.17 EUR
837+ 0.15 EUR
1084+ 0.11 EUR
3000+ 0.098 EUR
6000+ 0.075 EUR
Mindestbestellmenge: 268
BSS314PEH6327XTSA1 infineon-bss314pe-datasheet-v02_03-en.pdf
BSS314PEH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 1.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 27000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
616+0.25 EUR
661+ 0.23 EUR
748+ 0.19 EUR
1000+ 0.18 EUR
2000+ 0.16 EUR
9000+ 0.15 EUR
18000+ 0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 616
BSS314PEH6327XTSA1 infineon-bss314pe-datasheet-v02_03-en.pdf
BSS314PEH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 1.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 8619 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
782+0.2 EUR
790+ 0.19 EUR
837+ 0.17 EUR
1084+ 0.13 EUR
3000+ 0.11 EUR
6000+ 0.079 EUR
Mindestbestellmenge: 782
BSS314PEH6327XTSA1 INFNS19483-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSS314PEH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSS314PEH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.5 A, 0.107 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.107ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 41312 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Bss315
Hersteller: HBE
Fuse: fast-acting; glass type; WTA; current: 315mA; voltage: 250V; dimensions: 5x20mm; equivalents: 0217.315MXP; 179020.0,315; 0034.1511 Fuse: fast-acting; 315mA Bss315
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 1800 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
500+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 500
Bss315
Hersteller: HBE
Fuse: fast-acting; glass type; WTA; current: 315mA; voltage: 250V; dimensions: 5x20mm; equivalents: 0217.315MXP; 179020.0,315; 0034.1511 Fuse: fast-acting; 315mA Bss315
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 280 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
500+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 500
BSS315P H6327 Infineon-BSS315P-DS-v02_03-en-1225631.pdf
BSS315P H6327
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFET P-Ch -30V -1.5A SOT-23-3
auf Bestellung 13656 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
5+0.69 EUR
10+ 0.51 EUR
100+ 0.32 EUR
1000+ 0.18 EUR
3000+ 0.15 EUR
9000+ 0.13 EUR
24000+ 0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 5
BSS315PH6327XT Infineon-BSS315P-DS-v02_03-en-1225631.pdf
BSS315PH6327XT
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFET P-Ch -30V -1.5A SOT-23-3
auf Bestellung 19717 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
5+0.69 EUR
10+ 0.51 EUR
100+ 0.32 EUR
1000+ 0.18 EUR
3000+ 0.15 EUR
9000+ 0.13 EUR
24000+ 0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 5
BSS315PH6327XTSA1 BSS315PH6327XTSA1-dte.pdf
BSS315PH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.5A; 0.5W; PG-SOT23
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: PG-SOT23
On-state resistance: 0.15Ω
Technology: OptiMOS™ P2
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Drain current: -1.5A
Drain-source voltage: -30V
auf Bestellung 5673 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
468+0.15 EUR
516+ 0.14 EUR
676+ 0.11 EUR
715+ 0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 468
BSS315PH6327XTSA1 BSS315PH6327XTSA1-dte.pdf
BSS315PH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.5A; 0.5W; PG-SOT23
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: PG-SOT23
On-state resistance: 0.15Ω
Technology: OptiMOS™ P2
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Drain current: -1.5A
Drain-source voltage: -30V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 5673 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
468+0.15 EUR
516+ 0.14 EUR
676+ 0.11 EUR
715+ 0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 468
BSS315PH6327XTSA1 BSS315P_Rev2.3.pdf?folderId=db3a304314dca38901154a72e3951a65&fileId=db3a304330f686060130ff61f31b7f06
BSS315PH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 11µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 282 pF @ 15 V
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
3000+0.15 EUR
9000+ 0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
BSS315PH6327XTSA1 Infineon_BSS315P_DS_v02_03_en-3360682.pdf
BSS315PH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFET P-Ch -30V -1.5A SOT-23-3
auf Bestellung 26854 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
5+0.69 EUR
10+ 0.42 EUR
100+ 0.22 EUR
1000+ 0.17 EUR
3000+ 0.14 EUR
9000+ 0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 5
BSS315PH6327XTSA1 BSS315P_Rev2.3.pdf?folderId=db3a304314dca38901154a72e3951a65&fileId=db3a304330f686060130ff61f31b7f06
BSS315PH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 11µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 282 pF @ 15 V
auf Bestellung 24762 Stücke:
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BSS315PH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 1.5A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
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BSS315PH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSS315PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.5 A, 0.113 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.113ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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BSS315PH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 1.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 1.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
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