Hersteller: Beyondor
Gehäuse, Halter, Montage- und Installationselemente > Antennen
Standard: 850-1900/900-1800
Performance-Option: зовнішня
Beschreibung: 850-1900/900-1800
Koeffizient. Verstärkung: 7 dBi
Kabel und Stecker: RG174 SMA
GSM
850/900/1800/1900/2100 МГц

Hersteller: Ledguhon
LEDs > LED Infrarot (IR)
Beschreibung: ІЧ-світлодіод 4 кристали 400мВт 850нм. SMD 5050
Größe: 5050
Linse: прозора
Spannungsfall, V: 1,5...2,0 V
Winckel: 120°
SMD
850 нм

Hersteller: YiHUA
Lötgeräte, Lötmaterial > Löttechnik. Ersatzteile
Kategorie: Heizelement des Lötkolbens
Beschreibung: Heizelement 853d 1a/936/937d/8786D/898D/878d/853D 1A

Hersteller: Opto
LEDs > LED Infrarot (IR)
Beschreibung: ІЧ-світлодіод 1Вт 850нм, 350mA. Кристал 8мм
Größe: 8 mm
Linse: прозора
Spannungsfall, V: 1,6...2 V
Winckel: 140°
SMD
850 нм

Hersteller: Opto
LEDs > LED Infrarot (IR)
Beschreibung: ІЧ-світлодіод 3Вт 850нм, 700mA. Кристал 8мм
Größe: 8 mm
Linse: прозора
Spannungsfall, V: 1,6...2 V
Winckel: 140°
SMD
850 нм

LEDs > LED Infrarot (IR)
Beschreibung: ІЧ-світлодіод 5Вт 850нм, 1400mA. Кристал 8мм
Größe: 8 mm
Linse: безбарвна
Spannungsfall, V: 1,4...2 V
Winckel: 140°
850 нм

LEDs > LED Infrarot (IR)
Beschreibung: ІЧ-світлодіод 10Вт 850нм, 1050mA. 20х30мм
Größe: 20x30 mm
Spannungsfall, V: 4,5...5,5 V
Winckel: 140°
THT
850 нм

Hersteller: Fairchild/ON Semiconductor
Випрямний ультрашвидкий діод SMD, Ur, В = 200, Io, А = 1, If, A = 1, Uf (max), В = 0,92, I, мкА @ Ur, В = 5 @ 200, trr, нс = 15, С, пФ @ Ur, В, F, МГц = 7 @ 4, 1, Тексп, °С = -55...+150, Темп.опір,°C/Вт = 85, Час, станд, відновл (нс)/струм, мА = 500,...
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

Hersteller: Fairchild/ON Semiconductor
Випрямний ультрашвидкий діод SMD, Ur, В = 600, Io, А = 1, If, A = 1, Uf (max), В = 1,7, I, мкА @ Ur, В = 5 @ 600, trr, нс = 35, С, пФ @ Ur, В, F, МГц = 8 @ 0, 1, Тексп, °С = -55...+150, Темп.опір,°C/Вт = 85, Час, станд, відновл (нс)/струм, мА = 500,... Д
Anzahl je Verpackung: 1800 Stücke

Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 2

Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
fT: 20 MHz
Uceo,V: 200
Ucbo,V: 250
Ic,A: 2

Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-220
Bem.: PNP Transistor Silizium

Verschiedene Bauteile > Other components 3

Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP

Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN

Verschiedene Bauteile > Other components 3

Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP

Verschiedene Bauteile > Other components 3

Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN

Hersteller: ---
Аккумулятор Акумулятори та батарейки

Hersteller: AD
IC > IC Spannungs Supervisor, Akku-Laderegler
Gehäuse: SOT-23
Kurzbeschreibung: Precision low noise shunt voltage reference
Spannung: 1V
Temp.Bereich: -40…+85°C
Монтаж: SMD
Тип пристрою: Джерело опорної напруги

Modulare Elemente > IC Radiomodule
Beschreibung: GL200 ist starker GPS tracker geeignet fur Fahrzeuge, Tiere und Asset Tracking. Hervorragender Sensibilitat Empfanger, schneller TTFF (Zeit bis zu erster Feststellung) und vier Bereiche GSM Frequenz 850/900/1800/1900
Abmessungen: 67,5x40xx21mm
T°C: -20...+55°C

Hersteller: On Semiconductor
PNP Дарлингтон, Uкэ=100V, Iк=8A (12 имп.), h21=750, 60Вт, TO-220AB (компл. BDX53C) аналог КТ 853 А Транзистори

Hersteller: Altera/Intel
ПЛІС сімейства Arria II GX, SG = 5, Uживл, В = 0,9, К-сть вив. користув. = 612, К-сть каналів приймопред. = 16, К-сть ФАПЧ = 6, Кількість л. е./к-сть вент,шт = 244 188, Об'єм RAM, Кбіт = 8 550, Підтр. PCI express = 1, Тексп, °С = -40....+100,... Інтеграл
Anzahl je Verpackung: 3 Stücke

Hersteller: ON Semiconductor
Діод Шотткі smd, Io, A = 1, Uзвор, В = 100, Uf (max), В = 0,76, If, А = 1, Тексп, °C = -65...+175, Темп.опір,°C/Вт = 85, I, мкА @ Ur, В = 40 @ 100,... Діоди Корпус: SOD-123FL Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke

Hersteller: Diotec
Диод: защитный; 400Вт; 85В; однонаправленная; DO214AC Супресори

Hersteller: Osram Opto Semiconductors
PIN-фотодіод з радіальними виводами, Id, нА = 0,05, tr,tf, = 10 нс, Uвих, В = 20, ?p, нм = 900, ?,° = 34, Тексп, °С = -40...+100, Відгук = 0,6 A/Вт @ 850 нм, Активна обл. = 0,3 мм2,... Датчики Корпус: Radial Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke

Hersteller: STMicroelectronics
N-канальний ПТ, Udss, В = 500, Ciss, пФ @ Uds, В = 395pF @ 100V, Qg, нКл = 12, Rds = 0,53 Ом, Ugs(th) = 25, Р, Вт = 85, Тексп, °C = -55...150,... Транзистори Корпус: DPAK Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke