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FDMC012N03 FDMC012N03 onsemi / Fairchild FDMC012N03-D.pdf MOSFETs PT9 N-ch 30V/12V Power Trench MOSFET
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ISC012N03LF2SATMA1 ISC012N03LF2SATMA1 Infineon Technologies Infineon-ISC012N03LF2S-DataSheet-v01_01-EN.pdf TRENCH <= 40V
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VUO50-12N03 IXYS
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VUO50-12N03 IXYS J3-1
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VUO60-12N03 MODULE
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FDMC012N03 ONSEMI fdmc012n03-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 117A; Idm: 688A; 64W; Power33
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 117A
Pulsed drain current: 688A
Power dissipation: 64W
Case: Power33
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 1.77mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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FDMC012N03 ONSEMI fdmc012n03-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 117A; Idm: 688A; 64W; Power33
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 117A
Pulsed drain current: 688A
Power dissipation: 64W
Case: Power33
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 1.77mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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FDMC012N03 FDMC012N03-D.pdf
FDMC012N03
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs PT9 N-ch 30V/12V Power Trench MOSFET
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ISC012N03LF2SATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
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VUO30-12N03
Hersteller: IXYS
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Hersteller: IXYS
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Hersteller: IXYS
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Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 117A; Idm: 688A; 64W; Power33
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 117A
Pulsed drain current: 688A
Power dissipation: 64W
Case: Power33
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 1.77mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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FDMC012N03 fdmc012n03-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 117A; Idm: 688A; 64W; Power33
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 117A
Pulsed drain current: 688A
Power dissipation: 64W
Case: Power33
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 1.77mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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