Suchergebnisse für "012n03" : 9

Art der Ansicht :
Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
FDMC012N03 FDMC012N03 onsemi / Fairchild fdmc012n03-d.pdf MOSFETs PT9 N-ch 30V/12V Power Trench MOSFET
auf Bestellung 1271 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.64 EUR
10+2.16 EUR
100+1.71 EUR
500+1.59 EUR
1000+1.48 EUR
3000+0.97 EUR
6000+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ISC012N03LF2SATMA1 ISC012N03LF2SATMA1 Infineon Technologies Infineon_ISC012N03LF2S_DataSheet_v01_01_EN-3538913.pdf TRENCH <= 40V
auf Bestellung 3430 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.97 EUR
10+1.39 EUR
100+1.08 EUR
500+0.91 EUR
1000+0.74 EUR
2500+0.7 EUR
5000+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VUO30-12N03 IXYS CDH4-1
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VUO50-12N03 IXYS
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VUO50-12N03 IXYS J3-1
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VUO60-12N03 MODULE
auf Bestellung 153 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC012N03 ONSEMI fdmc012n03-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 117A; Idm: 688A; 64W; Power33
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 117A
Pulsed drain current: 688A
Power dissipation: 64W
Case: Power33
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 1.77mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC012N03 ONSEMI fdmc012n03-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 117A; Idm: 688A; 64W; Power33
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 117A
Pulsed drain current: 688A
Power dissipation: 64W
Case: Power33
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 1.77mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC012N03 fdmc012n03-d.pdf
FDMC012N03
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs PT9 N-ch 30V/12V Power Trench MOSFET
auf Bestellung 1271 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+2.64 EUR
10+2.16 EUR
100+1.71 EUR
500+1.59 EUR
1000+1.48 EUR
3000+0.97 EUR
6000+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ISC012N03LF2SATMA1 Infineon_ISC012N03LF2S_DataSheet_v01_01_EN-3538913.pdf
ISC012N03LF2SATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
TRENCH <= 40V
auf Bestellung 3430 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+1.97 EUR
10+1.39 EUR
100+1.08 EUR
500+0.91 EUR
1000+0.74 EUR
2500+0.7 EUR
5000+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VUO30-12N03
Hersteller: IXYS
CDH4-1
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VUO50-12N03
Hersteller: IXYS
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VUO50-12N03
Hersteller: IXYS
J3-1
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VUO60-12N03
MODULE
auf Bestellung 153 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC012N03 fdmc012n03-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 117A; Idm: 688A; 64W; Power33
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 117A
Pulsed drain current: 688A
Power dissipation: 64W
Case: Power33
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 1.77mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC012N03 fdmc012n03-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 117A; Idm: 688A; 64W; Power33
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 117A
Pulsed drain current: 688A
Power dissipation: 64W
Case: Power33
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 1.77mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH