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STGB10NB37LZT4 STGB10NB37LZT4
Produktcode: 34446
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ST cd00002226-datasheet.pdf Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: D PAK
Vces: 410
Ic 25: 20
Ic 100: 10
verfügbar: 118 Stück
6 Stück - stock Köln
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STGB10NB37LZT4 STGB10NB37LZT4 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDEB6F13541CE0F00D6&compId=STGB10NB37LZT4.pdf?ci_sign=c2187b0ac3a1ad725a23ec2e1e458be9727b8ce5 Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 440V; 20A; 125W; D2PAK; ignition systems; ESD
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 440V
Collector current: 20A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 40A
Mounting: SMD
Gate charge: 28nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: internally clamped; logic level
Version: ESD
Application: ignition systems
auf Bestellung 1259 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+4.98 EUR
22+3.3 EUR
48+1.5 EUR
51+1.42 EUR
Mindestbestellmenge: 15
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Description: Transistor: IGBT; 440V; 20A; 125W; D2PAK; ignition systems; ESD
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 440V
Collector current: 20A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 40A
Mounting: SMD
Gate charge: 28nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: internally clamped; logic level
Version: ESD
Application: ignition systems
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Lieferzeit 7-14 Tag (e)
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STGB10NB37LZT4 STGB10NB37LZT4 STMicroelectronics en.CD00002226.pdf IGBTs 10 A - 410 V Int Clamped IGBT
auf Bestellung 970 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4 EUR
10+2.59 EUR
100+1.85 EUR
500+1.54 EUR
1000+1.31 EUR
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STGB10NB37
auf Bestellung 30 Stücke:
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STGB10NB37LZ; IGBT N-chanal; 20A 18V 125W; Корпус: D2PAK (TO-263); STM (шт)
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Транзистор IGBT STGB10NB37LZT4 20A 440V D2PAK
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STGB10NB37LZT4 STGB10NB37LZT4
Produktcode: 212617
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Китай en.CD00002226.pdf Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: D²PAK
Ic 25: 20 A
Ic 100: 10 А
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STGB10NB37LZT4
Produktcode: 34446
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STGB10NB37LZT4
Hersteller: ST
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: D PAK
Vces: 410
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STGB10NB37LZT4
Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 440V; 20A; 125W; D2PAK; ignition systems; ESD
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 440V
Collector current: 20A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 40A
Mounting: SMD
Gate charge: 28nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: internally clamped; logic level
Version: ESD
Application: ignition systems
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Anzahl Preis
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STGB10NB37LZT4
Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 440V; 20A; 125W; D2PAK; ignition systems; ESD
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 440V
Collector current: 20A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 40A
Mounting: SMD
Gate charge: 28nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: internally clamped; logic level
Version: ESD
Application: ignition systems
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STGB10NB37LZT4
Hersteller: STMicroelectronics
IGBTs 10 A - 410 V Int Clamped IGBT
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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Транзистор IGBT STGB10NB37LZT4 20A 440V D2PAK
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STGB10NB37LZT4
Produktcode: 212617
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STGB10NB37LZT4
Hersteller: Китай
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: D²PAK
Ic 25: 20 A
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