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SPP11N80C3 SPP11N80C3
Produktcode: 111118
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Infineon-SPP11N80C3-DS-v02_91-en-1227668.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 800 V
Idd,A: 11 A
Rds(on), Ohm: 0,45 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1600/8
JHGF: THT
auf Bestellung 9 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SPW11N80C3
Produktcode: 132782
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description Transistoren > MOSFET N-CH
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11N80C3 INFINEON
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SPA11N80C3 SPA11N80C3 INFINEON TECHNOLOGIES description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; 34W; PG-TO220-3-FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 11A
Power dissipation: 34W
Case: PG-TO220-3-FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+7.95 EUR
Mindestbestellmenge: 9
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SPA11N80C3 SPA11N80C3 INFINEON TECHNOLOGIES description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; 34W; PG-TO220-3-FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 11A
Power dissipation: 34W
Case: PG-TO220-3-FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
9+7.95 EUR
10+7.15 EUR
25+2.86 EUR
50+2.16 EUR
100+1.97 EUR
250+1.94 EUR
Mindestbestellmenge: 9
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SPA11N80C3 SPA11N80C3 Infineon Technologies Infineon_SPA11N80C3_DS_v02_93_EN.pdf description MOSFETs N-Ch 800V 11A TO220FP-3 CoolMOS C3
auf Bestellung 374 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.28 EUR
10+3.38 EUR
100+2.68 EUR
500+2.24 EUR
1000+1.92 EUR
2500+1.83 EUR
5000+1.78 EUR
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SPA11N80C3XKSA1 Infineon SPP_A11N80C3_Rev[1].2.6.pdf?folderId=db3a3043163797a6011638491238009b&fileId=db3a3043163797a60116385b2fcc00ec Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP SPA11N80C3XKSA1 SPA11N80C3XKSA2 SPA11N80C3 TSPA11n80c3
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+10.72 EUR
Mindestbestellmenge: 4
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SPA11N80C3XKSA1 SPA11N80C3XKSA1 Infineon Technologies SPP_A11N80C3_Rev[1].2.6.pdf?folderId=db3a3043163797a6011638491238009b&fileId=db3a3043163797a60116385b2fcc00ec Description: MOSFET N-CH 800V 11A TO220-FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 7.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 680µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-31
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 100 V
auf Bestellung 2211 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.02 EUR
50+2.48 EUR
100+2.37 EUR
500+1.82 EUR
1000+1.62 EUR
2000+1.54 EUR
Mindestbestellmenge: 4
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SPA11N80C3XKSA1 SPA11N80C3XKSA1 Infineon Technologies Infineon_SPA11N80C3_DS_v02_93_EN.pdf MOSFETs N-Ch 800V 11A TO220FP-3 CoolMOS C3
auf Bestellung 173 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.03 EUR
10+4.98 EUR
25+2.5 EUR
100+2.36 EUR
500+1.65 EUR
1000+1.61 EUR
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SPA11N80C3XKSA1 SPA11N80C3XKSA1 INFINEON INFN-S-A0004583437-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - SPA11N80C3XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 11 A, 0.45 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 41W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.45ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 363 Stücke:
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SPA11N80C3XKSA2 INFINEON TECHNOLOGIES SPP_A11N80C3_Rev[1].2.6.pdf?folderId=db3a3043163797a6011638491238009b&fileId=db3a3043163797a60116385b2fcc00ec Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 800V; 11A; 34W; TO220-3; SMT
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MOSFET
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 11A
Power dissipation: 34W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 85nC
Electrical mounting: SMT
auf Bestellung 492 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+1.57 EUR
Mindestbestellmenge: 50
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SPA11N80C3XKSA2 SPA11N80C3XKSA2 Infineon Technologies SPP_A11N80C3_Rev[1].2.6.pdf?folderId=db3a3043163797a6011638491238009b&fileId=db3a3043163797a60116385b2fcc00ec Description: MOSFET N-CH 800V 11A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 7.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 680µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 100 V
auf Bestellung 159 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.02 EUR
50+2.47 EUR
100+2.35 EUR
Mindestbestellmenge: 4
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SPA11N80C3XKSA2 SPA11N80C3XKSA2 Infineon Technologies Infineon_SPA11N80C3_DS_v02_93_EN.pdf MOSFETs LOW POWER_LEGACY
auf Bestellung 380 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.03 EUR
25+2.48 EUR
100+2.36 EUR
500+1.85 EUR
1000+1.61 EUR
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SPP11N80C3 SPP11N80C3 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B2B1E5D4C00111BF&compId=SPP11N80C3-dte.pdf?ci_sign=b26c2386ea50a5506f83eacecebe4bf1a2b7bb44 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; 156W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 11A
Power dissipation: 156W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 23 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
21+3.52 EUR
23+3.1 EUR
Mindestbestellmenge: 21
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SPP11N80C3 SPP11N80C3 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B2B1E5D4C00111BF&compId=SPP11N80C3-dte.pdf?ci_sign=b26c2386ea50a5506f83eacecebe4bf1a2b7bb44 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; 156W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 11A
Power dissipation: 156W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 23 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
21+3.52 EUR
23+3.1 EUR
50+2.27 EUR
100+2.14 EUR
250+1.94 EUR
1000+1.9 EUR
Mindestbestellmenge: 21
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SPP11N80C3 SPP11N80C3 Infineon Technologies Infineon-SPP11N80C3-DS-v02_91-en.pdf MOSFETs N-Ch 800V 11A TO220-3 CoolMOS C3
auf Bestellung 4018 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.51 EUR
10+3.59 EUR
100+2.82 EUR
500+2.34 EUR
1000+2.01 EUR
2500+1.9 EUR
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SPP11N80C3XK SPP11N80C3XK Infineon Technologies Infineon-SPP11N80C3-DS-v02_91-en.pdf MOSFETs N-Ch 800V 11A TO220-3 CoolMOS C3
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.49 EUR
10+3.52 EUR
100+2.8 EUR
500+2.34 EUR
1000+2.01 EUR
2500+1.9 EUR
5000+1.85 EUR
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SPP11N80C3XKSA1 Infineon Infineon-SPP11N80C3-DS-v02_91-en.pdf?fileId=db3a30432313ff5e0123a9132fee5c9a N-Channel 800V 11A (Tc) 156W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1 SPP11N80C3XKSA1 TSPP11n80c3
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 54 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+9.17 EUR
Mindestbestellmenge: 4
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SPP11N80C3XKSA1 SPP11N80C3XKSA1 Infineon Technologies Infineon-SPP11N80C3-DS-v02_91-en.pdf MOSFETs N-Ch 800V 11A TO220-3 CoolMOS C3
auf Bestellung 99 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.79 EUR
25+2.68 EUR
100+2.45 EUR
500+1.85 EUR
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SPP11N80C3XKSA1 SPP11N80C3XKSA1 Infineon Technologies Infineon-SPP11N80C3-DS-v02_91-en.pdf?fileId=db3a30432313ff5e0123a9132fee5c9a Description: MOSFET N-CH 800V 11A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 7.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 680µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 100 V
auf Bestellung 2998 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.09 EUR
50+2.66 EUR
100+2.44 EUR
500+1.94 EUR
1000+1.82 EUR
2000+1.78 EUR
Mindestbestellmenge: 4
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SPW11N80C3 SPW11N80C3 Infineon Technologies Infineon_SPW11N80C3_DS_v02_91_en.pdf description MOSFETs N-Ch 800V 11A TO247-3 CoolMOS C3
auf Bestellung 61 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.93 EUR
10+3.61 EUR
100+2.9 EUR
480+2.59 EUR
1200+2.22 EUR
2640+2.09 EUR
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SPW11N80C3FKSA1 SPW11N80C3FKSA1 Infineon Technologies Infineon_SPW11N80C3_DS_v02_91_en.pdf MOSFETs N-Ch 800V 11A TO247-3 CoolMOS C3
auf Bestellung 237 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.79 EUR
25+2.41 EUR
100+2.24 EUR
240+2.22 EUR
480+2.09 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPW11N80C3FKSA1 SPW11N80C3FKSA1 Infineon Technologies SPW11N80C3_Rev.2.3.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42bf6e0463d Description: MOSFET N-CH 800V 11A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 7.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 680µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 100 V
auf Bestellung 1123 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.77 EUR
30+2.53 EUR
120+2.28 EUR
510+2.12 EUR
1020+2.02 EUR
Mindestbestellmenge: 4
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SPW11N80CC
auf Bestellung 6900 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SPA11N80C3 SPA11N80C3
Produktcode: 119117
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description Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
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SPW11N80C3 SPW11N80C3 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B3FF4C2BAF7A71BF&compId=SPW11N80C3-DTE.pdf?ci_sign=a5731e027b48697bfb5b7b556dd38587c18e85a8 description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 7.1A; 156W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 7.1A
Power dissipation: 156W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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SP000216320 SP000216320 Infineon Technologies Infineon-SPA11N80C3-DS-v02_93-EN.pdf MOSFETs N-Ch 800V 11A TO220FP-3 CoolMOS C3
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SPP11N80C3
Produktcode: 111118
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Infineon-SPP11N80C3-DS-v02_91-en-1227668.pdf
SPP11N80C3
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 800 V
Idd,A: 11 A
Rds(on), Ohm: 0,45 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1600/8
JHGF: THT
auf Bestellung 9 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPW11N80C3
Produktcode: 132782
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Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
erwartet: 20 Stück
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11N80C3
Hersteller: INFINEON
auf Bestellung 5045 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPA11N80C3 description
SPA11N80C3
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; 34W; PG-TO220-3-FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 11A
Power dissipation: 34W
Case: PG-TO220-3-FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
9+7.95 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPA11N80C3 description
SPA11N80C3
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; 34W; PG-TO220-3-FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 11A
Power dissipation: 34W
Case: PG-TO220-3-FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
9+7.95 EUR
10+7.15 EUR
25+2.86 EUR
50+2.16 EUR
100+1.97 EUR
250+1.94 EUR
Mindestbestellmenge: 9
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SPA11N80C3 description Infineon_SPA11N80C3_DS_v02_93_EN.pdf
SPA11N80C3
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 800V 11A TO220FP-3 CoolMOS C3
auf Bestellung 374 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+4.28 EUR
10+3.38 EUR
100+2.68 EUR
500+2.24 EUR
1000+1.92 EUR
2500+1.83 EUR
5000+1.78 EUR
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SPA11N80C3XKSA1 SPP_A11N80C3_Rev[1].2.6.pdf?folderId=db3a3043163797a6011638491238009b&fileId=db3a3043163797a60116385b2fcc00ec
Hersteller: Infineon
Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP SPA11N80C3XKSA1 SPA11N80C3XKSA2 SPA11N80C3 TSPA11n80c3
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+10.72 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPA11N80C3XKSA1 SPP_A11N80C3_Rev[1].2.6.pdf?folderId=db3a3043163797a6011638491238009b&fileId=db3a3043163797a60116385b2fcc00ec
SPA11N80C3XKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 800V 11A TO220-FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 7.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 680µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-31
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 100 V
auf Bestellung 2211 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+5.02 EUR
50+2.48 EUR
100+2.37 EUR
500+1.82 EUR
1000+1.62 EUR
2000+1.54 EUR
Mindestbestellmenge: 4
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SPA11N80C3XKSA1 Infineon_SPA11N80C3_DS_v02_93_EN.pdf
SPA11N80C3XKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 800V 11A TO220FP-3 CoolMOS C3
auf Bestellung 173 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+5.03 EUR
10+4.98 EUR
25+2.5 EUR
100+2.36 EUR
500+1.65 EUR
1000+1.61 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPA11N80C3XKSA1 INFN-S-A0004583437-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SPA11N80C3XKSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - SPA11N80C3XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 11 A, 0.45 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 41W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.45ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 363 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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SPA11N80C3XKSA2 SPP_A11N80C3_Rev[1].2.6.pdf?folderId=db3a3043163797a6011638491238009b&fileId=db3a3043163797a60116385b2fcc00ec
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 800V; 11A; 34W; TO220-3; SMT
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MOSFET
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 11A
Power dissipation: 34W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 85nC
Electrical mounting: SMT
auf Bestellung 492 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
50+1.57 EUR
Mindestbestellmenge: 50
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SPA11N80C3XKSA2 SPP_A11N80C3_Rev[1].2.6.pdf?folderId=db3a3043163797a6011638491238009b&fileId=db3a3043163797a60116385b2fcc00ec
SPA11N80C3XKSA2
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 800V 11A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 7.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 680µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 100 V
auf Bestellung 159 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+5.02 EUR
50+2.47 EUR
100+2.35 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPA11N80C3XKSA2 Infineon_SPA11N80C3_DS_v02_93_EN.pdf
SPA11N80C3XKSA2
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs LOW POWER_LEGACY
auf Bestellung 380 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+5.03 EUR
25+2.48 EUR
100+2.36 EUR
500+1.85 EUR
1000+1.61 EUR
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SPP11N80C3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B2B1E5D4C00111BF&compId=SPP11N80C3-dte.pdf?ci_sign=b26c2386ea50a5506f83eacecebe4bf1a2b7bb44
SPP11N80C3
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; 156W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 11A
Power dissipation: 156W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 23 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
21+3.52 EUR
23+3.1 EUR
Mindestbestellmenge: 21
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SPP11N80C3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B2B1E5D4C00111BF&compId=SPP11N80C3-dte.pdf?ci_sign=b26c2386ea50a5506f83eacecebe4bf1a2b7bb44
SPP11N80C3
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; 156W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 11A
Power dissipation: 156W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 23 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
21+3.52 EUR
23+3.1 EUR
50+2.27 EUR
100+2.14 EUR
250+1.94 EUR
1000+1.9 EUR
Mindestbestellmenge: 21
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SPP11N80C3 Infineon-SPP11N80C3-DS-v02_91-en.pdf
SPP11N80C3
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 800V 11A TO220-3 CoolMOS C3
auf Bestellung 4018 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+5.51 EUR
10+3.59 EUR
100+2.82 EUR
500+2.34 EUR
1000+2.01 EUR
2500+1.9 EUR
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SPP11N80C3XK Infineon-SPP11N80C3-DS-v02_91-en.pdf
SPP11N80C3XK
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 800V 11A TO220-3 CoolMOS C3
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+4.49 EUR
10+3.52 EUR
100+2.8 EUR
500+2.34 EUR
1000+2.01 EUR
2500+1.9 EUR
5000+1.85 EUR
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SPP11N80C3XKSA1 Infineon-SPP11N80C3-DS-v02_91-en.pdf?fileId=db3a30432313ff5e0123a9132fee5c9a
Hersteller: Infineon
N-Channel 800V 11A (Tc) 156W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1 SPP11N80C3XKSA1 TSPP11n80c3
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 54 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+9.17 EUR
Mindestbestellmenge: 4
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SPP11N80C3XKSA1 Infineon-SPP11N80C3-DS-v02_91-en.pdf
SPP11N80C3XKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 800V 11A TO220-3 CoolMOS C3
auf Bestellung 99 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+4.79 EUR
25+2.68 EUR
100+2.45 EUR
500+1.85 EUR
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SPP11N80C3XKSA1 Infineon-SPP11N80C3-DS-v02_91-en.pdf?fileId=db3a30432313ff5e0123a9132fee5c9a
SPP11N80C3XKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 800V 11A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 7.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 680µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 100 V
auf Bestellung 2998 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+5.09 EUR
50+2.66 EUR
100+2.44 EUR
500+1.94 EUR
1000+1.82 EUR
2000+1.78 EUR
Mindestbestellmenge: 4
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SPW11N80C3 description Infineon_SPW11N80C3_DS_v02_91_en.pdf
SPW11N80C3
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 800V 11A TO247-3 CoolMOS C3
auf Bestellung 61 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+4.93 EUR
10+3.61 EUR
100+2.9 EUR
480+2.59 EUR
1200+2.22 EUR
2640+2.09 EUR
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SPW11N80C3FKSA1 Infineon_SPW11N80C3_DS_v02_91_en.pdf
SPW11N80C3FKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 800V 11A TO247-3 CoolMOS C3
auf Bestellung 237 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+5.79 EUR
25+2.41 EUR
100+2.24 EUR
240+2.22 EUR
480+2.09 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPW11N80C3FKSA1 SPW11N80C3_Rev.2.3.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42bf6e0463d
SPW11N80C3FKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 800V 11A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 7.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 680µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 100 V
auf Bestellung 1123 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+5.77 EUR
30+2.53 EUR
120+2.28 EUR
510+2.12 EUR
1020+2.02 EUR
Mindestbestellmenge: 4
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SPW11N80CC
auf Bestellung 6900 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPA11N80C3
Produktcode: 119117
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SPA11N80C3
Transistoren > MOSFET N-CH
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPW11N80C3 description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B3FF4C2BAF7A71BF&compId=SPW11N80C3-DTE.pdf?ci_sign=a5731e027b48697bfb5b7b556dd38587c18e85a8
SPW11N80C3
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 7.1A; 156W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 7.1A
Power dissipation: 156W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SP000216320 Infineon-SPA11N80C3-DS-v02_93-EN.pdf
SP000216320
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 800V 11A TO220FP-3 CoolMOS C3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH