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2N6660 2N6660 Microchip Technology 20005509A.pdf 2N6660%282%29%2C2N6660JANTX%28V%29.pdf MOSFET 60V 3Ohm
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1+26.03 EUR
25+ 23.88 EUR
2N6660 2N6660 Microchip Technology 20005509A.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 410MA TO39
Packaging: Bag
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 410mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-39
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 24 V
auf Bestellung 3496 Stücke:
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1+26.21 EUR
25+ 24.01 EUR
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2N6660 2N6660 Microchip Technology 87420005509a.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.41A 3-Pin TO-39 Bag
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Mindestbestellmenge: 500
2N6660 2N6660 SOLID STATE 2643300.pdf Description: SOLID STATE - 2N6660 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.1 A, 2.7 ohm, TO-205AD, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.25W
Bauform - Transistor: TO-205AD
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.7ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 150 Stücke:
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2N6660 2N6660 Microchip Technology 87420005509a.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.41A 3-Pin TO-39 Bag
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7+23.56 EUR
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2N6660 2N6660 Microchip Technology 87420005509a.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.41A 3-Pin TO-39 Bag
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2N6660 2N6660 Microchip Technology 87420005509a.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.41A 3-Pin TO-39 Bag
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6+27.54 EUR
7+ 24.48 EUR
10+ 22.85 EUR
50+ 21.1 EUR
Mindestbestellmenge: 6
2N6660 2N6660 Microchip Technology 87420005509a.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.41A 3-Pin TO-39 Bag
auf Bestellung 500 Stücke:
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500+21.33 EUR
Mindestbestellmenge: 500
2N6660 2N6660 Microchip Technology 87420005509a.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.41A 3-Pin TO-39 Bag
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5+30.64 EUR
10+ 26.58 EUR
20+ 25.39 EUR
50+ 23.09 EUR
100+ 21.27 EUR
Mindestbestellmenge: 5
2N6660 2N6660 Microchip Technology 87420005509a.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.41A 3-Pin TO-39 Bag
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7+23.56 EUR
Mindestbestellmenge: 7
2N6660 2N6660 MICROCHIP MCHP-S-A0001708786-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: MICROCHIP - 2N6660 - Leistungs-MOSFET, DMOS, n-Kanal, 60 V, 410 mA, 3 ohm, TO-39, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 410mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.25W
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 68 Stücke:
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2N6661 2N6661 Microchip Technology 20005516A.pdf 2N6661%282%29%2C2N6661JANTX%28V%29.pdf MOSFET 90V 4Ohm
auf Bestellung 932 Stücke:
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1+26.03 EUR
25+ 23.88 EUR
2N6661 2N6661 Microchip Technology 20005516A.pdf Description: MOSFET N-CH 90V 350MA TO39
Packaging: Bag
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-39
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 90 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 24 V
auf Bestellung 85 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+26.21 EUR
25+ 24.01 EUR
2N6661 2N6661 Microchip Technology 72720005516a.pdf Trans MOSFET N-CH Si 90V 0.35A 3-Pin TO-39 Bag
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5+31.73 EUR
Mindestbestellmenge: 5
2N6661 2N6661 Microchip Technology 72720005516a.pdf Trans MOSFET N-CH Si 90V 0.35A 3-Pin TO-39 Bag
auf Bestellung 255 Stücke:
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7+23.55 EUR
Mindestbestellmenge: 7
2N6661 2N6661 Microchip Technology 72720005516a.pdf Trans MOSFET N-CH Si 90V 0.35A 3-Pin TO-39 Bag
auf Bestellung 173 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+24.64 EUR
25+ 21.74 EUR
100+ 19.98 EUR
Mindestbestellmenge: 7
2N6661 2N6661 Microchip Technology 72720005516a.pdf Trans MOSFET N-CH Si 90V 0.35A 3-Pin TO-39 Bag
auf Bestellung 173 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+24.64 EUR
25+ 21.74 EUR
100+ 19.98 EUR
Mindestbestellmenge: 7
2N6661 2N6661 MICROCHIP MCHP-S-A0001708798-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: MICROCHIP - 2N6661 - Leistungs-MOSFET, DMOS-FET, vertikal, n-Kanal, 90 V, 1.5 A, 4 ohm, TO-39, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 90V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.25W
Bauform - Transistor: TO-39
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 272 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2N6661 2N6661 Microchip Technology 72720005516a.pdf Trans MOSFET N-CH Si 90V 0.35A 3-Pin TO-39 Bag
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
34+47.33 EUR
Mindestbestellmenge: 34
2N6661 2N6661 Microchip Technology 72720005516a.pdf Trans MOSFET N-CH Si 90V 0.35A 3-Pin TO-39 Bag
auf Bestellung 34 Stücke:
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2N6661 2N6661 Microchip Technology 72720005516a.pdf Trans MOSFET N-CH Si 90V 0.35A 3-Pin TO-39 Bag
auf Bestellung 255 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+23.55 EUR
Mindestbestellmenge: 7
2N6661JTXV02 Vishay 1265374748351242n6661ja.pdf Trans MOSFET N-CH 90V 0.86A 3-Pin TO-205AD
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2N6661JTXV02 Vishay 1265374748351242n6661ja.pdf Trans MOSFET N-CH 90V 0.86A 3-Pin TO-205AD
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+739.64 EUR
2N6668 2N6668 MULTICOMP PRO 2864215.pdf Description: MULTICOMP PRO - 2N6668 - Darlington-Transistor, Darlington, PNP, 80 V, 65 W, 10 A, TO-220, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 20000hFE
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 65W
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: TO-220
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 10A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 2968 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2N666 MOTOROLA
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N66605 SILICONI
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N6660N2 SILICONI
auf Bestellung 1950 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N66615 SILICONI
auf Bestellung 1250 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N6661JANTX SILICONI
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N6661N2 SILICONI
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N6662 MOTOROLA
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N6665 VISHAY CAN
auf Bestellung 318 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N666A MOTOROLA
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
JAN2N6660 MOT CAN
auf Bestellung 697 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
JAN2N6660 SILICONI
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
JAN2N6661 NS CAN
auf Bestellung 648 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
JAN2N6661 SILICONI
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
JANTX2N6660 MOT 0430+ CAN3
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
JANTX2N6660 MOT CAN
auf Bestellung 485 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
JANTX2N6660 Vishay
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
JANTX2N6661 Siliconix 90
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
JANTX2N6661 VISHAY
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
JANTX2N6661 MOT CAN
auf Bestellung 598 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
JANTXV2N6660 VISHAY 00+
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
JANTXV2N6661
auf Bestellung 2540 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
JTX2N6660 SILICONI
auf Bestellung 2200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
JTX2N6661 SILICON SOP
auf Bestellung 202000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
JTX2N6661 SILICONI
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
JX2N6660 SILICONI
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
JX2N6661 SILICONI
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N6661 CAN3 Transistor
Produktcode: 73818 		Verschiedene Bauteile > Other components 3
Produkt ist nicht verfügbar
2N6667G 2N6667G
Produktcode: 94597 		2n6667-d.pdf Verschiedene Bauteile > Other components 3
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2N6660 2N6660 MICROCHIP TECHNOLOGY 2N6660.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.5A; TO39
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Pulsed drain current: 1.5A
Case: TO39
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
2N6660 2N6660 Vishay Siliconix 2N6660%282%29%2C2N6660JANTX%28V%29.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 990MA TO205AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 990mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 725mW (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-205AD (TO-39)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
2N6660 2N6660 Semelab / TT Electronics TTRB_S_A0008035238_1-2565324.pdf MOSFET N-CHANNEL TO39
Produkt ist nicht verfügbar
2N6660 2N6660 Semelab 5735247283953662n6660.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 1A 3-Pin TO-39
Produkt ist nicht verfügbar
2N6660 2N6660 Microchip Technology 87420005509a.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.41A 3-Pin TO-39 Bag
Produkt ist nicht verfügbar
2N6660 2N6660 Microchip Technology 87420005509a.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.41A 3-Pin TO-39 Bag
Produkt ist nicht verfügbar
2N6660 Vishay 1297926070510002n6660ja.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.99A 3-Pin TO-205AD
Produkt ist nicht verfügbar
2N6660-2 2N6660-2 Vishay Siliconix 2N6660%282%29%2C2N6660JANTX%28V%29.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 990MA TO205AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 990mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 725mW (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-205AD (TO-39)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
2N6660 20005509A.pdf 2N6660%282%29%2C2N6660JANTX%28V%29.pdf
2N6660
Hersteller: Microchip Technology
MOSFET 60V 3Ohm
auf Bestellung 607 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+26.03 EUR
25+ 23.88 EUR
2N6660 20005509A.pdf
2N6660
Hersteller: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 60V 410MA TO39
Packaging: Bag
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 410mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-39
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 24 V
auf Bestellung 3496 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+26.21 EUR
25+ 24.01 EUR
100+ 23.13 EUR
2N6660 87420005509a.pdf
2N6660
Hersteller: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.41A 3-Pin TO-39 Bag
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
500+21.33 EUR
Mindestbestellmenge: 500
2N6660 2643300.pdf
2N6660
Hersteller: SOLID STATE
Description: SOLID STATE - 2N6660 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.1 A, 2.7 ohm, TO-205AD, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.25W
Bauform - Transistor: TO-205AD
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.7ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2N6660 87420005509a.pdf
2N6660
Hersteller: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.41A 3-Pin TO-39 Bag
auf Bestellung 140 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
7+23.56 EUR
Mindestbestellmenge: 7
2N6660 87420005509a.pdf
2N6660
Hersteller: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.41A 3-Pin TO-39 Bag
auf Bestellung 578 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2N6660 87420005509a.pdf
2N6660
Hersteller: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.41A 3-Pin TO-39 Bag
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
6+27.54 EUR
7+ 24.48 EUR
10+ 22.85 EUR
50+ 21.1 EUR
Mindestbestellmenge: 6
2N6660 87420005509a.pdf
2N6660
Hersteller: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.41A 3-Pin TO-39 Bag
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
500+21.33 EUR
Mindestbestellmenge: 500
2N6660 87420005509a.pdf
2N6660
Hersteller: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.41A 3-Pin TO-39 Bag
auf Bestellung 586 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
5+30.64 EUR
10+ 26.58 EUR
20+ 25.39 EUR
50+ 23.09 EUR
100+ 21.27 EUR
Mindestbestellmenge: 5
2N6660 87420005509a.pdf
2N6660
Hersteller: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.41A 3-Pin TO-39 Bag
auf Bestellung 140 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
7+23.56 EUR
Mindestbestellmenge: 7
2N6660 MCHP-S-A0001708786-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2N6660
Hersteller: MICROCHIP
Description: MICROCHIP - 2N6660 - Leistungs-MOSFET, DMOS, n-Kanal, 60 V, 410 mA, 3 ohm, TO-39, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 410mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.25W
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 68 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2N6661 20005516A.pdf 2N6661%282%29%2C2N6661JANTX%28V%29.pdf
2N6661
Hersteller: Microchip Technology
MOSFET 90V 4Ohm
auf Bestellung 932 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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1+26.03 EUR
25+ 23.88 EUR
2N6661 20005516A.pdf
2N6661
Hersteller: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 90V 350MA TO39
Packaging: Bag
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-39
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 90 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 24 V
auf Bestellung 85 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+26.21 EUR
25+ 24.01 EUR
2N6661 72720005516a.pdf
2N6661
Hersteller: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH Si 90V 0.35A 3-Pin TO-39 Bag
auf Bestellung 459 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
5+31.73 EUR
Mindestbestellmenge: 5
2N6661 72720005516a.pdf
2N6661
Hersteller: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH Si 90V 0.35A 3-Pin TO-39 Bag
auf Bestellung 255 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
7+23.55 EUR
Mindestbestellmenge: 7
2N6661 72720005516a.pdf
2N6661
Hersteller: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH Si 90V 0.35A 3-Pin TO-39 Bag
auf Bestellung 173 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
7+24.64 EUR
25+ 21.74 EUR
100+ 19.98 EUR
Mindestbestellmenge: 7
2N6661 72720005516a.pdf
2N6661
Hersteller: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH Si 90V 0.35A 3-Pin TO-39 Bag
auf Bestellung 173 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
7+24.64 EUR
25+ 21.74 EUR
100+ 19.98 EUR
Mindestbestellmenge: 7
2N6661 MCHP-S-A0001708798-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2N6661
Hersteller: MICROCHIP
Description: MICROCHIP - 2N6661 - Leistungs-MOSFET, DMOS-FET, vertikal, n-Kanal, 90 V, 1.5 A, 4 ohm, TO-39, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 90V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.25W
Bauform - Transistor: TO-39
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 272 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2N6661 72720005516a.pdf
2N6661
Hersteller: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH Si 90V 0.35A 3-Pin TO-39 Bag
auf Bestellung 34 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
34+47.33 EUR
Mindestbestellmenge: 34
2N6661 72720005516a.pdf
2N6661
Hersteller: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH Si 90V 0.35A 3-Pin TO-39 Bag
auf Bestellung 34 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2N6661 72720005516a.pdf
2N6661
Hersteller: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH Si 90V 0.35A 3-Pin TO-39 Bag
auf Bestellung 255 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
7+23.55 EUR
Mindestbestellmenge: 7
2N6661JTXV02 1265374748351242n6661ja.pdf
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 90V 0.86A 3-Pin TO-205AD
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2N6661JTXV02 1265374748351242n6661ja.pdf
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 90V 0.86A 3-Pin TO-205AD
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+739.64 EUR
2N6668 2864215.pdf
2N6668
Hersteller: MULTICOMP PRO
Description: MULTICOMP PRO - 2N6668 - Darlington-Transistor, Darlington, PNP, 80 V, 65 W, 10 A, TO-220, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 20000hFE
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 65W
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: TO-220
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 10A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 2968 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2N666
Hersteller: MOTOROLA
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N66605
Hersteller: SILICONI
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N6660N2
Hersteller: SILICONI
auf Bestellung 1950 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N66615
Hersteller: SILICONI
auf Bestellung 1250 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N6661JANTX
Hersteller: SILICONI
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N6661N2
Hersteller: SILICONI
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N6662
Hersteller: MOTOROLA
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N6665
Hersteller: VISHAY
CAN
auf Bestellung 318 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N666A
Hersteller: MOTOROLA
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
JAN2N6660
Hersteller: MOT
CAN
auf Bestellung 697 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
JAN2N6660
Hersteller: SILICONI
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
JAN2N6661
Hersteller: NS
CAN
auf Bestellung 648 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
JAN2N6661
Hersteller: SILICONI
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
JANTX2N6660
Hersteller: MOT
0430+ CAN3
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
JANTX2N6660
Hersteller: MOT
CAN
auf Bestellung 485 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
JANTX2N6660
Hersteller: Vishay
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
JANTX2N6661
Hersteller: Siliconix
90
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
JANTX2N6661
Hersteller: VISHAY
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
JANTX2N6661
Hersteller: MOT
CAN
auf Bestellung 598 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
JANTXV2N6660
Hersteller: VISHAY
00+
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
JANTXV2N6661
auf Bestellung 2540 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
JTX2N6660
Hersteller: SILICONI
auf Bestellung 2200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
JTX2N6661
Hersteller: SILICON
SOP
auf Bestellung 202000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
JTX2N6661
Hersteller: SILICONI
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
JX2N6660
Hersteller: SILICONI
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
JX2N6661
Hersteller: SILICONI
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N6661 CAN3 Transistor
Produktcode: 73818
Verschiedene Bauteile > Other components 3
Produkt ist nicht verfügbar
2N6667G
Produktcode: 94597		 2n6667-d.pdf
2N6667G
Verschiedene Bauteile > Other components 3
Produkt ist nicht verfügbar
2N6660 2N6660.pdf
2N6660
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.5A; TO39
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Pulsed drain current: 1.5A
Case: TO39
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
2N6660 2N6660%282%29%2C2N6660JANTX%28V%29.pdf
2N6660
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 990MA TO205AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 990mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 725mW (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-205AD (TO-39)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
2N6660 TTRB_S_A0008035238_1-2565324.pdf
2N6660
Hersteller: Semelab / TT Electronics
MOSFET N-CHANNEL TO39
Produkt ist nicht verfügbar
2N6660 5735247283953662n6660.pdf
2N6660
Hersteller: Semelab
Trans MOSFET N-CH 60V 1A 3-Pin TO-39
Produkt ist nicht verfügbar
2N6660 87420005509a.pdf
2N6660
Hersteller: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.41A 3-Pin TO-39 Bag
Produkt ist nicht verfügbar
2N6660 87420005509a.pdf
2N6660
Hersteller: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.41A 3-Pin TO-39 Bag
Produkt ist nicht verfügbar
2N6660 1297926070510002n6660ja.pdf
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 0.99A 3-Pin TO-205AD
Produkt ist nicht verfügbar
2N6660-2 2N6660%282%29%2C2N6660JANTX%28V%29.pdf
2N6660-2
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 990MA TO205AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 990mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 725mW (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-205AD (TO-39)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
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