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2SC5501A-4-TR-E 2SC5501A-4-TR-E onsemi ONSMS36104-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: 2SC5501A - RF TRANSISTOR, 10V, 7
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 13dB
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 70mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 10V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 20mA, 5V
Frequency - Transition: 7GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB @ 1GHz
Supplier Device Package: 4-MCP
auf Bestellung 78377 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2420+0.20 EUR
Mindestbestellmenge: 2420
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5501A-4-TR-E Aptina Imaging 2SC5501A.pdf ONSMS36104-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Trans RF BJT NPN 10V 0.07A 500mW 4-Pin Case MCP T/R
auf Bestellung 78377 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2962+0.20 EUR
Mindestbestellmenge: 2962
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5507-T2-A 2SC5507-T2-A Renesas Electronics Corporation RNCCS06506-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSTR NPN
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: SOT-343F
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 17dB
Power - Max: 39mW
Current - Collector (Ic) (Max): 12mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3.3V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 2V
Frequency - Transition: 25GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.2dB @ 2GHz
Supplier Device Package: M04
auf Bestellung 36633 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1623+0.30 EUR
Mindestbestellmenge: 1623
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5507-T2-A Renesas RNCCS06506-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw NPN Silicon RF Transistor
auf Bestellung 36533 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1986+0.30 EUR
Mindestbestellmenge: 1986
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5508-T2B-A 2SC5508-T2B-A Renesas Electronics Corporation RNCCS15868-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: NPN RF TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
auf Bestellung 1913126 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
833+0.60 EUR
Mindestbestellmenge: 833
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5508-T2B-A Renesas RNCCS15868-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Trans RF BJT NPN 3.3V 0.035A 115mW 4-Pin Thin-Type Super Mini-Mold T/R
auf Bestellung 1919126 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
962+0.63 EUR
1018+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 962
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5509-T2-A 2SC5509-T2-A Renesas Electronics Corporation RNCCS15869-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 14dB
Power - Max: 190mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3.3V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 15GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.2dB @ 2GHz
Supplier Device Package: SOT-343
Part Status: Obsolete
auf Bestellung 142500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
833+0.60 EUR
Mindestbestellmenge: 833
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5509-T2-A 2SC5509-T2-A California Eastern Laboratories 3559313063157538ne663m04.pdf Trans RF BJT NPN 3.3V 0.1A 190mW 4-Pin Thin-Type Super Mini-Mold T/R
auf Bestellung 508 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5509-T2-A Renesas RNCCS15869-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw 2SC5509-T2-A
auf Bestellung 85500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
962+0.63 EUR
1018+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 962
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5509-T2-A Renesas RNCCS15869-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw 2SC5509-T2-A
auf Bestellung 57000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
962+0.63 EUR
1018+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 962
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5509-T2-A 2SC5509-T2-A California Eastern Laboratories 3559313063157538ne663m04.pdf Trans RF BJT NPN 3.3V 0.1A 190mW 4-Pin Thin-Type Super Mini-Mold T/R
auf Bestellung 508 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5536A-TL-H 2SC5536A-TL-H onsemi ena1092-d.pdf Description: RF TRANS NPN 12V 1.7GHZ 3SSFP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-81
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 16dB
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 3mA, 2V
Frequency - Transition: 1.7GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.8dB @ 150MHz
Supplier Device Package: 3-SSFP
Part Status: Obsolete
auf Bestellung 12620 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
16+1.11 EUR
26+0.68 EUR
100+0.44 EUR
500+0.33 EUR
1000+0.30 EUR
2000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5536A-TL-H Aptina Imaging ena1092-d.pdf RF Transistor
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2713+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 2713
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5536A-TL-H Aptina Imaging ena1092-d.pdf RF Transistor
auf Bestellung 152000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2713+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 2713
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5536A-TL-H Aptina Imaging ena1092-d.pdf RF Transistor
auf Bestellung 7930 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2713+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 2713
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5537A-TL-H onsemi Description: BIP NPN 15MA 6V FT=5G
Packaging: Bulk
Part Status: Active
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5323+0.10 EUR
Mindestbestellmenge: 5323
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5537A-TL-H Aptina Imaging 2SC5537A-TL-H
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6508+0.09 EUR
Mindestbestellmenge: 6508
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5548A(TE16L1,NQ 2SC5548A(TE16L1,NQ Toshiba 732sc5548a_en_datasheet_061110.pdf Trans GP BJT NPN 400V 2A 1000mW 3-Pin(2+Tab) New PW-Mold T/R
auf Bestellung 1827 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
350+0.46 EUR
351+0.44 EUR
500+0.37 EUR
1000+0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 350
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5562(TP,Q) Toshiba Trans GP BJT NPN 800V 0.8A T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+1.01 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5566-TD-E 2SC5566-TD-E ONSEMI en6307-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 4A; 3.5W; SOT89
Collector-emitter voltage: 100V
Frequency: 400MHz
Case: SOT89
Mounting: SMD
Power dissipation: 3.5W
Collector current: 4A
Kind of package: reel; tape
Polarisation: bipolar
Type of transistor: NPN
Current gain: 200...560
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5566-TD-E 2SC5566-TD-E onsemi en6307-d.pdf Description: TRANS NPN 50V 4A PCP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 225mV @ 100mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 400MHz
Supplier Device Package: PCP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1.3 W
auf Bestellung 106765 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+1.64 EUR
18+1.02 EUR
100+0.67 EUR
500+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5566-TD-E 2SC5566-TD-E onsemi en6307-d.pdf Description: TRANS NPN 50V 4A PCP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 225mV @ 100mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 400MHz
Supplier Device Package: PCP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1.3 W
auf Bestellung 106000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+0.46 EUR
2000+0.42 EUR
3000+0.40 EUR
5000+0.38 EUR
7000+0.36 EUR
10000+0.35 EUR
25000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5566-TD-E 2SC5566-TD-E onsemi en6307-d.pdf Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 4A 50V
auf Bestellung 8546 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.94 EUR
10+0.65 EUR
100+0.48 EUR
500+0.41 EUR
1000+0.38 EUR
2000+0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5566-TD-E ON Semiconductor 2sa2013-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 4A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 92000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1632+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 1632
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5566-TD-E ON Semiconductor 2sa2013-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 4A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 788 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
502+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 502
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5566-TD-E 2SC5566-TD-E ONSEMI ONSMS36373-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2SC5566-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 4 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 4A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.5W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 400MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 12005 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5566-TD-E ON Semiconductor 2sa2013-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 4A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 115313 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1632+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 1632
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5566-TD-E 2SC5566-TD-E ONSEMI ONSMS36373-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2SC5566-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 4 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 4A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.5W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 400MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 12005 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5566-TD-E ON Semiconductor 2sa2013-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 4A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 464000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1632+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 1632
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5566-TD-E ON Semiconductor 2sa2013-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 4A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 788 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
495+0.33 EUR
496+0.31 EUR
498+0.30 EUR
499+0.29 EUR
500+0.28 EUR
502+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 495
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5569-TD-E 2SC5569-TD-E onsemi en6309-d.pdf Description: TRANS NPN 50V 7A SOT89/PCP-1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 240mV @ 175mA, 3.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 330MHz
Supplier Device Package: SOT-89/PCP-1
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 7 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1.3 W
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5569-TD-E 2SC5569-TD-E onsemi en6309-d.pdf Description: TRANS NPN 50V 7A SOT89/PCP-1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 240mV @ 175mA, 3.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 330MHz
Supplier Device Package: SOT-89/PCP-1
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 7 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1.3 W
auf Bestellung 2310 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.01 EUR
14+1.26 EUR
100+0.83 EUR
500+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5569-TD-E 2SC5569-TD-E onsemi EN6309_D-2311223.pdf Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 7A 50V
auf Bestellung 27848 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.27 EUR
10+0.89 EUR
100+0.65 EUR
500+0.56 EUR
1000+0.49 EUR
2000+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5569-TD-E ON Semiconductor 2sa2016-d.pdf Trans GP BJT NPN 50V 7A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 1863 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
226+0.72 EUR
228+0.68 EUR
281+0.53 EUR
290+0.50 EUR
500+0.44 EUR
1000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 226
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5569-TD-E 2SC5569-TD-E ONSEMI en6309-d.pdf Description: ONSEMI - 2SC5569-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 7 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 7A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.5W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 330MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1620 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5569-TD-E ON Semiconductor 2sa2016-d.pdf Trans GP BJT NPN 50V 7A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 1863 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
181+0.90 EUR
226+0.69 EUR
228+0.66 EUR
281+0.51 EUR
290+0.48 EUR
500+0.42 EUR
1000+0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 181
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5569-TD-E 2SC5569-TD-E ONSEMI en6309-d.pdf Description: ONSEMI - 2SC5569-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 7 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 7A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.5W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 330MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1620 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5585E3TL 2SC5585E3TL Rohm Semiconductor 2sc5585e3-e.pdf Description: NPN, SOT-416, 12V 0.5A, LOW VCE(
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 320MHz
Supplier Device Package: EMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 150 mW
auf Bestellung 2970 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
25+0.70 EUR
41+0.43 EUR
100+0.27 EUR
500+0.20 EUR
1000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5585E3TL 2SC5585E3TL ROHM Semiconductor 2sc5585e3-e.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN, SOT-416, 12V 0.5A, Low VCE(sat) Transistor
auf Bestellung 2919 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.69 EUR
10+0.42 EUR
100+0.20 EUR
1000+0.16 EUR
3000+0.11 EUR
9000+0.10 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5585E3TL 2SC5585E3TL Rohm Semiconductor 2sc5585e3-e.pdf Trans GP BJT NPN 12V 0.5A 150mW 3-Pin EMT T/R
auf Bestellung 5950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
581+0.28 EUR
602+0.26 EUR
1000+0.24 EUR
2500+0.22 EUR
5000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 581
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5585E3TL 2SC5585E3TL ROHM 2sc5585e3-e.pdf Description: ROHM - 2SC5585E3TL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 12 V, 500 mA, 150 mW, SOT-416, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 270hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 320MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 1970 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5585E3TL 2SC5585E3TL Rohm Semiconductor 2sc5585e3-e.pdf Trans GP BJT NPN 12V 0.5A 150mW 3-Pin EMT T/R
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5585E3TL 2SC5585E3TL ROHM 2sc5585e3-e.pdf Description: ROHM - 2SC5585E3TL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 12 V, 500 mA, 150 mW, SOT-416, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 270hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 320MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 1970 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5585TL 2SC5585TL ROHM Semiconductor datasheet?p=2SC5585&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Bipolar Transistors - BJT NPN 12V 0.5A SOT-416
auf Bestellung 6883 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.70 EUR
10+0.47 EUR
100+0.25 EUR
1000+0.21 EUR
3000+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5585TL 2SC5585TL Rohm Semiconductor datasheet?p=2SC5585&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS NPN 12V 0.5A EMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 320MHz
Supplier Device Package: EMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 150 mW
auf Bestellung 640 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
19+0.95 EUR
30+0.59 EUR
100+0.38 EUR
500+0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 19
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5585TL 2SC5585TL Rohm Semiconductor 2sc5585tl-e.pdf Trans GP BJT NPN 12V 0.5A 150mW 3-Pin EMT T/R
auf Bestellung 5793 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
397+0.41 EUR
500+0.38 EUR
1000+0.35 EUR
2500+0.33 EUR
5000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 397
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5585TL 2SC5585TL Rohm Semiconductor 2sc5585tl-e.pdf Trans GP BJT NPN 12V 0.5A 150mW 3-Pin EMT T/R
auf Bestellung 23965 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
374+0.43 EUR
411+0.38 EUR
1000+0.30 EUR
2000+0.27 EUR
12000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 374
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5594XP-TL-E 2SC5594XP-TL-E Renesas Electronics Corporation RNCCS18184-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSTR NPN
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 18dB
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 35mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.5V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 20mA, 2V
Frequency - Transition: 24GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1.8GHz
Supplier Device Package: CMPAK-4
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
478+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 478
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5594XP-TL-E Renesas RNCCS18184-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Trans RF BJT NPN 4.5V 0.035A 100mW 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
552+1.10 EUR
1000+1.00 EUR
Mindestbestellmenge: 552
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5594XP-TL-H 2SC5594XP-TL-H Renesas Electronics Corporation RNCCS18184-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSTR NPN
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 18dB
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 35mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.5V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 20mA, 2V
Frequency - Transition: 24GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1.8GHz
Supplier Device Package: CMPAK-4
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
478+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 478
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5594XP-TL-H Renesas RNCCS18184-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Trans RF BJT NPN 4.5V 0.035A 100mW 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
552+1.10 EUR
1000+1.00 EUR
Mindestbestellmenge: 552
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC55 NEC CAN
auf Bestellung 246 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC550 TOSHIBA
auf Bestellung 5600 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5508 NEC SOT-343
auf Bestellung 1580 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5508 NSC
auf Bestellung 80000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5508-T2 NEC SOT343
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5508-T2-A 2SC5508_NE662M04.pdf
auf Bestellung 2900 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5508-T2B NEC/RENESAS 10+ SOT-343
auf Bestellung 25000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5508-TL-A RENESAS SOT343
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5509
auf Bestellung 790 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5501A-4-TR-E ONSMS36104-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
2SC5501A-4-TR-E
Hersteller: onsemi
Description: 2SC5501A - RF TRANSISTOR, 10V, 7
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 13dB
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 70mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 10V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 20mA, 5V
Frequency - Transition: 7GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB @ 1GHz
Supplier Device Package: 4-MCP
auf Bestellung 78377 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2420+0.20 EUR
Mindestbestellmenge: 2420
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5501A-4-TR-E 2SC5501A.pdf ONSMS36104-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: Aptina Imaging
Trans RF BJT NPN 10V 0.07A 500mW 4-Pin Case MCP T/R
auf Bestellung 78377 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
2962+0.20 EUR
Mindestbestellmenge: 2962
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5507-T2-A RNCCS06506-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
2SC5507-T2-A
Hersteller: Renesas Electronics Corporation
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSTR NPN
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: SOT-343F
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 17dB
Power - Max: 39mW
Current - Collector (Ic) (Max): 12mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3.3V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 2V
Frequency - Transition: 25GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.2dB @ 2GHz
Supplier Device Package: M04
auf Bestellung 36633 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1623+0.30 EUR
Mindestbestellmenge: 1623
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5507-T2-A RNCCS06506-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: Renesas
NPN Silicon RF Transistor
auf Bestellung 36533 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1986+0.30 EUR
Mindestbestellmenge: 1986
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5508-T2B-A RNCCS15868-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
2SC5508-T2B-A
Hersteller: Renesas Electronics Corporation
Description: NPN RF TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
auf Bestellung 1913126 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
833+0.60 EUR
Mindestbestellmenge: 833
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5508-T2B-A RNCCS15868-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: Renesas
Trans RF BJT NPN 3.3V 0.035A 115mW 4-Pin Thin-Type Super Mini-Mold T/R
auf Bestellung 1919126 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
962+0.63 EUR
1018+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 962
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5509-T2-A RNCCS15869-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
2SC5509-T2-A
Hersteller: Renesas Electronics Corporation
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 14dB
Power - Max: 190mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3.3V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 15GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.2dB @ 2GHz
Supplier Device Package: SOT-343
Part Status: Obsolete
auf Bestellung 142500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
833+0.60 EUR
Mindestbestellmenge: 833
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5509-T2-A 3559313063157538ne663m04.pdf
2SC5509-T2-A
Hersteller: California Eastern Laboratories
Trans RF BJT NPN 3.3V 0.1A 190mW 4-Pin Thin-Type Super Mini-Mold T/R
auf Bestellung 508 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5509-T2-A RNCCS15869-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: Renesas
2SC5509-T2-A
auf Bestellung 85500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
962+0.63 EUR
1018+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 962
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5509-T2-A RNCCS15869-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: Renesas
2SC5509-T2-A
auf Bestellung 57000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
962+0.63 EUR
1018+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 962
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5509-T2-A 3559313063157538ne663m04.pdf
2SC5509-T2-A
Hersteller: California Eastern Laboratories
Trans RF BJT NPN 3.3V 0.1A 190mW 4-Pin Thin-Type Super Mini-Mold T/R
auf Bestellung 508 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5536A-TL-H ena1092-d.pdf
2SC5536A-TL-H
Hersteller: onsemi
Description: RF TRANS NPN 12V 1.7GHZ 3SSFP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-81
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 16dB
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 3mA, 2V
Frequency - Transition: 1.7GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.8dB @ 150MHz
Supplier Device Package: 3-SSFP
Part Status: Obsolete
auf Bestellung 12620 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
16+1.11 EUR
26+0.68 EUR
100+0.44 EUR
500+0.33 EUR
1000+0.30 EUR
2000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5536A-TL-H ena1092-d.pdf
Hersteller: Aptina Imaging
RF Transistor
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
2713+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 2713
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5536A-TL-H ena1092-d.pdf
Hersteller: Aptina Imaging
RF Transistor
auf Bestellung 152000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
2713+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 2713
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5536A-TL-H ena1092-d.pdf
Hersteller: Aptina Imaging
RF Transistor
auf Bestellung 7930 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
2713+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 2713
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5537A-TL-H
Hersteller: onsemi
Description: BIP NPN 15MA 6V FT=5G
Packaging: Bulk
Part Status: Active
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5323+0.10 EUR
Mindestbestellmenge: 5323
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5537A-TL-H
Hersteller: Aptina Imaging
2SC5537A-TL-H
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
6508+0.09 EUR
Mindestbestellmenge: 6508
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5548A(TE16L1,NQ 732sc5548a_en_datasheet_061110.pdf
2SC5548A(TE16L1,NQ
Hersteller: Toshiba
Trans GP BJT NPN 400V 2A 1000mW 3-Pin(2+Tab) New PW-Mold T/R
auf Bestellung 1827 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
350+0.46 EUR
351+0.44 EUR
500+0.37 EUR
1000+0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 350
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5562(TP,Q)
Hersteller: Toshiba
Trans GP BJT NPN 800V 0.8A T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
2000+1.01 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5566-TD-E en6307-d.pdf
2SC5566-TD-E
Hersteller: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 4A; 3.5W; SOT89
Collector-emitter voltage: 100V
Frequency: 400MHz
Case: SOT89
Mounting: SMD
Power dissipation: 3.5W
Collector current: 4A
Kind of package: reel; tape
Polarisation: bipolar
Type of transistor: NPN
Current gain: 200...560
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5566-TD-E en6307-d.pdf
2SC5566-TD-E
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 50V 4A PCP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 225mV @ 100mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 400MHz
Supplier Device Package: PCP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1.3 W
auf Bestellung 106765 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
11+1.64 EUR
18+1.02 EUR
100+0.67 EUR
500+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5566-TD-E en6307-d.pdf
2SC5566-TD-E
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 50V 4A PCP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 225mV @ 100mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 400MHz
Supplier Device Package: PCP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1.3 W
auf Bestellung 106000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1000+0.46 EUR
2000+0.42 EUR
3000+0.40 EUR
5000+0.38 EUR
7000+0.36 EUR
10000+0.35 EUR
25000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5566-TD-E en6307-d.pdf
2SC5566-TD-E
Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 4A 50V
auf Bestellung 8546 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+0.94 EUR
10+0.65 EUR
100+0.48 EUR
500+0.41 EUR
1000+0.38 EUR
2000+0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5566-TD-E 2sa2013-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 100V 4A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 92000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1632+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 1632
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5566-TD-E 2sa2013-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 100V 4A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 788 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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502+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 502
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5566-TD-E ONSMS36373-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2SC5566-TD-E
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SC5566-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 4 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 4A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.5W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 400MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 12005 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 100V 4A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 115313 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1632+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 1632
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5566-TD-E ONSMS36373-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2SC5566-TD-E
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SC5566-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 4 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 4A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.5W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 400MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 12005 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5566-TD-E 2sa2013-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 100V 4A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 464000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1632+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 1632
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5566-TD-E 2sa2013-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 100V 4A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 788 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
495+0.33 EUR
496+0.31 EUR
498+0.30 EUR
499+0.29 EUR
500+0.28 EUR
502+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 495
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5569-TD-E en6309-d.pdf
2SC5569-TD-E
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 50V 7A SOT89/PCP-1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 240mV @ 175mA, 3.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 330MHz
Supplier Device Package: SOT-89/PCP-1
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 7 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1.3 W
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1000+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5569-TD-E en6309-d.pdf
2SC5569-TD-E
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 50V 7A SOT89/PCP-1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 240mV @ 175mA, 3.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 330MHz
Supplier Device Package: SOT-89/PCP-1
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 7 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1.3 W
auf Bestellung 2310 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
9+2.01 EUR
14+1.26 EUR
100+0.83 EUR
500+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5569-TD-E EN6309_D-2311223.pdf
2SC5569-TD-E
Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 7A 50V
auf Bestellung 27848 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+1.27 EUR
10+0.89 EUR
100+0.65 EUR
500+0.56 EUR
1000+0.49 EUR
2000+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5569-TD-E 2sa2016-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 50V 7A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 1863 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
226+0.72 EUR
228+0.68 EUR
281+0.53 EUR
290+0.50 EUR
500+0.44 EUR
1000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 226
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5569-TD-E en6309-d.pdf
2SC5569-TD-E
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SC5569-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 7 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 7A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.5W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 330MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1620 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5569-TD-E 2sa2016-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 50V 7A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 1863 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
181+0.90 EUR
226+0.69 EUR
228+0.66 EUR
281+0.51 EUR
290+0.48 EUR
500+0.42 EUR
1000+0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 181
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5569-TD-E en6309-d.pdf
2SC5569-TD-E
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SC5569-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 7 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 7A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.5W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 330MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1620 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5585E3TL 2sc5585e3-e.pdf
2SC5585E3TL
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: NPN, SOT-416, 12V 0.5A, LOW VCE(
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 320MHz
Supplier Device Package: EMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 150 mW
auf Bestellung 2970 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
25+0.70 EUR
41+0.43 EUR
100+0.27 EUR
500+0.20 EUR
1000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5585E3TL 2sc5585e3-e.pdf
2SC5585E3TL
Hersteller: ROHM Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT NPN, SOT-416, 12V 0.5A, Low VCE(sat) Transistor
auf Bestellung 2919 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+0.69 EUR
10+0.42 EUR
100+0.20 EUR
1000+0.16 EUR
3000+0.11 EUR
9000+0.10 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5585E3TL 2sc5585e3-e.pdf
2SC5585E3TL
Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT NPN 12V 0.5A 150mW 3-Pin EMT T/R
auf Bestellung 5950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
581+0.28 EUR
602+0.26 EUR
1000+0.24 EUR
2500+0.22 EUR
5000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 581
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5585E3TL 2sc5585e3-e.pdf
2SC5585E3TL
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - 2SC5585E3TL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 12 V, 500 mA, 150 mW, SOT-416, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 270hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 320MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 1970 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5585E3TL 2sc5585e3-e.pdf
2SC5585E3TL
Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT NPN 12V 0.5A 150mW 3-Pin EMT T/R
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5585E3TL 2sc5585e3-e.pdf
2SC5585E3TL
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - 2SC5585E3TL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 12 V, 500 mA, 150 mW, SOT-416, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 270hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 320MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 1970 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5585TL datasheet?p=2SC5585&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
2SC5585TL
Hersteller: ROHM Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT NPN 12V 0.5A SOT-416
auf Bestellung 6883 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+0.70 EUR
10+0.47 EUR
100+0.25 EUR
1000+0.21 EUR
3000+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5585TL datasheet?p=2SC5585&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
2SC5585TL
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: TRANS NPN 12V 0.5A EMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 320MHz
Supplier Device Package: EMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 150 mW
auf Bestellung 640 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
19+0.95 EUR
30+0.59 EUR
100+0.38 EUR
500+0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 19
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5585TL 2sc5585tl-e.pdf
2SC5585TL
Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT NPN 12V 0.5A 150mW 3-Pin EMT T/R
auf Bestellung 5793 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
397+0.41 EUR
500+0.38 EUR
1000+0.35 EUR
2500+0.33 EUR
5000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 397
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5585TL 2sc5585tl-e.pdf
2SC5585TL
Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT NPN 12V 0.5A 150mW 3-Pin EMT T/R
auf Bestellung 23965 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
374+0.43 EUR
411+0.38 EUR
1000+0.30 EUR
2000+0.27 EUR
12000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 374
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5594XP-TL-E RNCCS18184-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
2SC5594XP-TL-E
Hersteller: Renesas Electronics Corporation
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSTR NPN
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 18dB
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 35mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.5V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 20mA, 2V
Frequency - Transition: 24GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1.8GHz
Supplier Device Package: CMPAK-4
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
478+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 478
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5594XP-TL-E RNCCS18184-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: Renesas
Trans RF BJT NPN 4.5V 0.035A 100mW 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
552+1.10 EUR
1000+1.00 EUR
Mindestbestellmenge: 552
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5594XP-TL-H RNCCS18184-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
2SC5594XP-TL-H
Hersteller: Renesas Electronics Corporation
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSTR NPN
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 18dB
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 35mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.5V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 20mA, 2V
Frequency - Transition: 24GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1.8GHz
Supplier Device Package: CMPAK-4
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
478+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 478
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5594XP-TL-H RNCCS18184-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: Renesas
Trans RF BJT NPN 4.5V 0.035A 100mW 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
552+1.10 EUR
1000+1.00 EUR
Mindestbestellmenge: 552
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC55
Hersteller: NEC
CAN
auf Bestellung 246 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC550
Hersteller: TOSHIBA
auf Bestellung 5600 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5508
Hersteller: NEC
SOT-343
auf Bestellung 1580 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5508
Hersteller: NSC
auf Bestellung 80000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5508-T2
Hersteller: NEC
SOT343
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5508-T2-A 2SC5508_NE662M04.pdf
auf Bestellung 2900 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5508-T2B
Hersteller: NEC/RENESAS
10+ SOT-343
auf Bestellung 25000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5508-TL-A
Hersteller: RENESAS
SOT343
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5509
auf Bestellung 790 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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