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2SC5501A-4-TR-E 2SC5501A-4-TR-E onsemi ONSMS36104-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: 2SC5501A - RF TRANSISTOR, 10V, 7
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 13dB
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 70mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 10V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 20mA, 5V
Frequency - Transition: 7GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB @ 1GHz
Supplier Device Package: 4-MCP
auf Bestellung 78377 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2420+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 2420
2SC5501A-4-TR-E ONSEMI ONSMS36104-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2SC5501A-4-TR-E - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 78377 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2SC5507-T2-A 2SC5507-T2-A Renesas Electronics Corporation RNCCS06506-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSTR NPN
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: SOT-343F
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 17dB
Power - Max: 39mW
Current - Collector (Ic) (Max): 12mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3.3V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 2V
Frequency - Transition: 25GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.2dB @ 2GHz
Supplier Device Package: M04
auf Bestellung 37303 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1623+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 1623
2SC5508-T2B-A 2SC5508-T2B-A Renesas Electronics Corporation RNCCS15868-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: NPN RF TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
auf Bestellung 1925126 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
833+0.59 EUR
Mindestbestellmenge: 833
2SC5509-T2-A 2SC5509-T2-A Renesas Electronics Corporation RNCCS15869-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 14dB
Power - Max: 190mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3.3V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 15GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.2dB @ 2GHz
Supplier Device Package: SOT-343
Part Status: Obsolete
auf Bestellung 142500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
833+0.59 EUR
Mindestbestellmenge: 833
2SC5509-T2-A 2SC5509-T2-A California Eastern Laboratories 3559313063157538ne663m04.pdf Trans RF BJT NPN 3.3V 0.1A 190mW 4-Pin Thin-Type Super Mini-Mold T/R
auf Bestellung 508 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2SC5509-T2-A 2SC5509-T2-A California Eastern Laboratories 3559313063157538ne663m04.pdf Trans RF BJT NPN 3.3V 0.1A 190mW 4-Pin Thin-Type Super Mini-Mold T/R
auf Bestellung 508 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2SC5536A-TL-H 2SC5536A-TL-H onsemi ena1092-d.pdf Description: RF TRANS NPN 12V 1.7GHZ 3SSFP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-81
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 16dB
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 3mA, 2V
Frequency - Transition: 1.7GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.8dB @ 150MHz
Supplier Device Package: 3-SSFP
Part Status: Obsolete
auf Bestellung 12620 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
21+0.86 EUR
27+ 0.67 EUR
100+ 0.4 EUR
500+ 0.37 EUR
1000+ 0.25 EUR
2000+ 0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 21
2SC5536A-TL-H ONSEMI ONSMS36111-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2SC5536A-TL-H - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 1.7 GHz, 100 mW, 50 mA, SC-81
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 50mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: No
Übergangsfrequenz: 1.7GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 168731 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2SC5537A-TL-H onsemi Description: BIP NPN 15MA 6V FT=5G
Packaging: Bulk
Part Status: Active
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5323+0.099 EUR
Mindestbestellmenge: 5323
2SC5537A-TL-H ONSEMI (VIA ROCHESTER) nd_datasheet Description: ONSEMI (VIA ROCHESTER) - 2SC5537A-TL-H - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2SC5562(TP,Q) Toshiba Trans GP BJT NPN 800V 0.8A T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.97 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
2SC5566-TD-E 2SC5566-TD-E ONSEMI en6307-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 4A; 3.5W; SOT89
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 4A
Power dissipation: 3.5W
Case: SOT89
Current gain: 200...560
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 400MHz
auf Bestellung 214 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
162+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 162
2SC5566-TD-E 2SC5566-TD-E ONSEMI en6307-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 4A; 3.5W; SOT89
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 4A
Power dissipation: 3.5W
Case: SOT89
Current gain: 200...560
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 400MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 214 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
162+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 162
2SC5566-TD-E 2SC5566-TD-E onsemi en6307-d.pdf Description: TRANS NPN 50V 4A PCP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 225mV @ 100mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 400MHz
Supplier Device Package: PCP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1.3 W
auf Bestellung 1765 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
19+0.97 EUR
22+ 0.83 EUR
100+ 0.58 EUR
500+ 0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 19
2SC5566-TD-E 2SC5566-TD-E onsemi en6307-d.pdf Description: TRANS NPN 50V 4A PCP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 225mV @ 100mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 400MHz
Supplier Device Package: PCP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1.3 W
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
2SC5566-TD-E 2SC5566-TD-E onsemi EN6307_D-2310835.pdf Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 4A 50V
auf Bestellung 9908 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.67 EUR
10+ 0.58 EUR
100+ 0.45 EUR
500+ 0.38 EUR
1000+ 0.33 EUR
2000+ 0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 5
2SC5566-TD-E ONSEMI ONSMS36373-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - 2SC5566-TD-E - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 746313 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2SC5566-TD-E ON Semiconductor 1974en6307-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 4A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 788 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
404+0.38 EUR
452+ 0.33 EUR
457+ 0.31 EUR
527+ 0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 404
2SC5566-TD-E ON Semiconductor 1974en6307-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 4A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.24 EUR
2000+ 0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
2SC5566-TD-E 2SC5566-TD-E ONSEMI ONSMS36373-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2SC5566-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 4 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 4A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.5W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 400MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
auf Bestellung 774 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2SC5566-TD-E ON Semiconductor 1974en6307-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 4A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.29 EUR
2000+ 0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
2SC5566-TD-E ON Semiconductor 1974en6307-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 4A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 788 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
373+0.42 EUR
402+ 0.37 EUR
404+ 0.36 EUR
452+ 0.31 EUR
457+ 0.29 EUR
546+ 0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 373
2SC5566-TD-E 2SC5566-TD-E ONSEMI ONSMS36373-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2SC5566-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 4 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 4A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.5W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 400MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
auf Bestellung 774 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2SC5569-TD-E 2SC5569-TD-E onsemi en6309-d.pdf Description: TRANS NPN 50V 7A SOT89/PCP-1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 240mV @ 175mA, 3.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 330MHz
Supplier Device Package: SOT-89/PCP-1
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 7 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1.3 W
auf Bestellung 9994 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
17+1.09 EUR
19+ 0.94 EUR
100+ 0.65 EUR
500+ 0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 17
2SC5569-TD-E 2SC5569-TD-E onsemi EN6309_D-2311223.pdf Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 7A 50V
auf Bestellung 29968 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.85 EUR
10+ 0.71 EUR
100+ 0.55 EUR
500+ 0.49 EUR
1000+ 0.41 EUR
2000+ 0.39 EUR
5000+ 0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 4
2SC5569-TD-E 2SC5569-TD-E onsemi en6309-d.pdf Description: TRANS NPN 50V 7A SOT89/PCP-1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 240mV @ 175mA, 3.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 330MHz
Supplier Device Package: SOT-89/PCP-1
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 7 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1.3 W
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+0.46 EUR
2000+ 0.41 EUR
5000+ 0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
2SC5569-TD-E 2SC5569-TD-E ONSEMI ONSMS36374-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2SC5569-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 7 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 7A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.5W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 330MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
auf Bestellung 2340 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2SC5569-TD-E 2SC5569-TD-E ONSEMI ONSMS36374-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2SC5569-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 7 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 7A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.5W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 330MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
auf Bestellung 2340 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2SC5569-TD-E ON Semiconductor 2088en6309-d.pdf Trans GP BJT NPN 50V 7A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 3013 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
255+0.61 EUR
279+ 0.54 EUR
285+ 0.51 EUR
335+ 0.41 EUR
339+ 0.39 EUR
500+ 0.36 EUR
1000+ 0.32 EUR
3000+ 0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 255
2SC5569-TD-E ON Semiconductor 2088en6309-d.pdf Trans GP BJT NPN 50V 7A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 3013 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
285+0.54 EUR
335+ 0.45 EUR
339+ 0.42 EUR
500+ 0.4 EUR
1000+ 0.35 EUR
3000+ 0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 285
2SC5585E3TL 2SC5585E3TL ROHM Semiconductor 2sc5585e3-e.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN, SOT-416, 12V 0.5A, Low VCE(sat) Transistor
auf Bestellung 2970 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.64 EUR
10+ 0.49 EUR
100+ 0.3 EUR
1000+ 0.16 EUR
3000+ 0.14 EUR
9000+ 0.12 EUR
24000+ 0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 5
2SC5585E3TL 2SC5585E3TL Rohm Semiconductor 2sc5585e3-e.pdf Description: NPN, SOT-416, 12V 0.5A, LOW VCE(
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 320MHz
Supplier Device Package: EMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 150 mW
auf Bestellung 2990 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
28+0.65 EUR
39+ 0.46 EUR
100+ 0.23 EUR
500+ 0.21 EUR
1000+ 0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 28
2SC5585E3TL 2SC5585E3TL Rohm Semiconductor 2sc5585e3-e.pdf Trans GP BJT NPN 12V 0.5A 150mW 3-Pin EMT T/R
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2SC5585E3TL 2SC5585E3TL ROHM 2sc5585e3-e.pdf Description: ROHM - 2SC5585E3TL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 12 V, 500 mA, 150 mW, SOT-416, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 270hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 320MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
auf Bestellung 2970 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2SC5585E3TL 2SC5585E3TL ROHM 2sc5585e3-e.pdf Description: ROHM - 2SC5585E3TL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 12 V, 500 mA, 150 mW, SOT-416, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 270hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 320MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
auf Bestellung 2970 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2SC5585E3TL 2SC5585E3TL Rohm Semiconductor 2sc5585e3-e.pdf Trans GP BJT NPN 12V 0.5A 150mW 3-Pin EMT T/R
auf Bestellung 5950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
378+0.41 EUR
500+ 0.38 EUR
1000+ 0.35 EUR
2500+ 0.33 EUR
5000+ 0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 378
2SC5585TL 2SC5585TL Rohm Semiconductor datasheet?p=2SC5585&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS NPN 12V 0.5A EMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 320MHz
Supplier Device Package: EMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 150 mW
auf Bestellung 777 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
25+0.7 EUR
33+ 0.55 EUR
100+ 0.33 EUR
500+ 0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 25
2SC5585TL 2SC5585TL ROHM Semiconductor datasheet?p=2SC5585&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Bipolar Transistors - BJT NPN 12V 0.5A SOT-416
auf Bestellung 7000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.69 EUR
10+ 0.54 EUR
100+ 0.3 EUR
1000+ 0.21 EUR
3000+ 0.16 EUR
9000+ 0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 5
2SC5585TL 2SC5585TL Rohm Semiconductor 2sc5585tl-e.pdf Trans GP BJT NPN 12V 0.5A 150mW 3-Pin EMT T/R
auf Bestellung 24045 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1252+0.12 EUR
1532+ 0.094 EUR
2000+ 0.084 EUR
3000+ 0.08 EUR
6000+ 0.077 EUR
12000+ 0.066 EUR
Mindestbestellmenge: 1252
2SC5585TL 2SC5585TL Rohm Semiconductor 2sc5585tl-e.pdf Trans GP BJT NPN 12V 0.5A 150mW 3-Pin EMT T/R
auf Bestellung 853 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
380+0.41 EUR
500+ 0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 380
2SC5585TL 2SC5585TL Rohm Semiconductor 2sc5585tl-e.pdf Trans GP BJT NPN 12V 0.5A 150mW 3-Pin EMT T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
380+0.41 EUR
500+ 0.38 EUR
1000+ 0.35 EUR
2500+ 0.33 EUR
5000+ 0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 380
2SC5594XP-TL-E 2SC5594XP-TL-E Renesas Electronics Corporation RNCCS18184-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSTR NPN
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 18dB
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 35mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.5V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 20mA, 2V
Frequency - Transition: 24GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1.8GHz
Supplier Device Package: CMPAK-4
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
478+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 478
2SC5594XP-TL-H 2SC5594XP-TL-H Renesas Electronics Corporation RNCCS18184-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSTR NPN
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 18dB
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 35mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.5V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 20mA, 2V
Frequency - Transition: 24GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1.8GHz
Supplier Device Package: CMPAK-4
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
478+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 478
2SC55 NEC CAN
auf Bestellung 246 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2SC550 TOSHIBA
auf Bestellung 5600 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2SC5508 NEC SOT-343
auf Bestellung 1580 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2SC5508 NSC
auf Bestellung 80000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2SC5508-T2 NEC SOT343
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2SC5508-T2-A 2SC5508_NE662M04.pdf
auf Bestellung 2900 Stücke:
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2SC5508-T2B NEC/RENESAS 10+ SOT-343
auf Bestellung 25000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2SC5508-TL-A RENESAS SOT343
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2SC5509
auf Bestellung 790 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2SC551
auf Bestellung 17400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2SC5517 ISC
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2SC552 TOSHIBA
auf Bestellung 5600 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2SC553 TOSHIBA
auf Bestellung 5600 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2SC554 NEC CAN
auf Bestellung 159 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2SC554 TOSHIBA
auf Bestellung 5600 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2SC5544YZ-TR RENESAS 03+
auf Bestellung 400000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2SC5501A-4-TR-E ONSMS36104-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
2SC5501A-4-TR-E
Hersteller: onsemi
Description: 2SC5501A - RF TRANSISTOR, 10V, 7
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 13dB
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 70mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 10V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 20mA, 5V
Frequency - Transition: 7GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB @ 1GHz
Supplier Device Package: 4-MCP
auf Bestellung 78377 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2420+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 2420
2SC5501A-4-TR-E ONSMS36104-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SC5501A-4-TR-E - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 78377 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2SC5507-T2-A RNCCS06506-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
2SC5507-T2-A
Hersteller: Renesas Electronics Corporation
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSTR NPN
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: SOT-343F
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 17dB
Power - Max: 39mW
Current - Collector (Ic) (Max): 12mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3.3V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 2V
Frequency - Transition: 25GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.2dB @ 2GHz
Supplier Device Package: M04
auf Bestellung 37303 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1623+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 1623
2SC5508-T2B-A RNCCS15868-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
2SC5508-T2B-A
Hersteller: Renesas Electronics Corporation
Description: NPN RF TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
auf Bestellung 1925126 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
833+0.59 EUR
Mindestbestellmenge: 833
2SC5509-T2-A RNCCS15869-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
2SC5509-T2-A
Hersteller: Renesas Electronics Corporation
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 14dB
Power - Max: 190mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3.3V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 15GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.2dB @ 2GHz
Supplier Device Package: SOT-343
Part Status: Obsolete
auf Bestellung 142500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
833+0.59 EUR
Mindestbestellmenge: 833
2SC5509-T2-A 3559313063157538ne663m04.pdf
2SC5509-T2-A
Hersteller: California Eastern Laboratories
Trans RF BJT NPN 3.3V 0.1A 190mW 4-Pin Thin-Type Super Mini-Mold T/R
auf Bestellung 508 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2SC5509-T2-A 3559313063157538ne663m04.pdf
2SC5509-T2-A
Hersteller: California Eastern Laboratories
Trans RF BJT NPN 3.3V 0.1A 190mW 4-Pin Thin-Type Super Mini-Mold T/R
auf Bestellung 508 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2SC5536A-TL-H ena1092-d.pdf
2SC5536A-TL-H
Hersteller: onsemi
Description: RF TRANS NPN 12V 1.7GHZ 3SSFP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-81
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 16dB
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 3mA, 2V
Frequency - Transition: 1.7GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.8dB @ 150MHz
Supplier Device Package: 3-SSFP
Part Status: Obsolete
auf Bestellung 12620 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
21+0.86 EUR
27+ 0.67 EUR
100+ 0.4 EUR
500+ 0.37 EUR
1000+ 0.25 EUR
2000+ 0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 21
2SC5536A-TL-H ONSMS36111-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SC5536A-TL-H - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 1.7 GHz, 100 mW, 50 mA, SC-81
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 50mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: No
Übergangsfrequenz: 1.7GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 168731 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2SC5537A-TL-H
Hersteller: onsemi
Description: BIP NPN 15MA 6V FT=5G
Packaging: Bulk
Part Status: Active
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
5323+0.099 EUR
Mindestbestellmenge: 5323
2SC5537A-TL-H nd_datasheet
Hersteller: ONSEMI (VIA ROCHESTER)
Description: ONSEMI (VIA ROCHESTER) - 2SC5537A-TL-H - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2SC5562(TP,Q)
Hersteller: Toshiba
Trans GP BJT NPN 800V 0.8A T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2000+0.97 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
2SC5566-TD-E en6307-d.pdf
2SC5566-TD-E
Hersteller: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 4A; 3.5W; SOT89
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 4A
Power dissipation: 3.5W
Case: SOT89
Current gain: 200...560
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 400MHz
auf Bestellung 214 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
162+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 162
2SC5566-TD-E en6307-d.pdf
2SC5566-TD-E
Hersteller: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 4A; 3.5W; SOT89
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 4A
Power dissipation: 3.5W
Case: SOT89
Current gain: 200...560
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 400MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 214 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
162+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 162
2SC5566-TD-E en6307-d.pdf
2SC5566-TD-E
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 50V 4A PCP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 225mV @ 100mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 400MHz
Supplier Device Package: PCP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1.3 W
auf Bestellung 1765 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
19+0.97 EUR
22+ 0.83 EUR
100+ 0.58 EUR
500+ 0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 19
2SC5566-TD-E en6307-d.pdf
2SC5566-TD-E
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 50V 4A PCP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 225mV @ 100mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 400MHz
Supplier Device Package: PCP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1.3 W
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
2SC5566-TD-E EN6307_D-2310835.pdf
2SC5566-TD-E
Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 4A 50V
auf Bestellung 9908 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
5+0.67 EUR
10+ 0.58 EUR
100+ 0.45 EUR
500+ 0.38 EUR
1000+ 0.33 EUR
2000+ 0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 5
2SC5566-TD-E ONSMS36373-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SC5566-TD-E - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 746313 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2SC5566-TD-E 1974en6307-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 100V 4A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 788 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
404+0.38 EUR
452+ 0.33 EUR
457+ 0.31 EUR
527+ 0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 404
2SC5566-TD-E 1974en6307-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 100V 4A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1000+0.24 EUR
2000+ 0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
2SC5566-TD-E ONSMS36373-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2SC5566-TD-E
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SC5566-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 4 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 4A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.5W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 400MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
auf Bestellung 774 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2SC5566-TD-E 1974en6307-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 100V 4A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1000+0.29 EUR
2000+ 0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
2SC5566-TD-E 1974en6307-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 100V 4A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 788 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
373+0.42 EUR
402+ 0.37 EUR
404+ 0.36 EUR
452+ 0.31 EUR
457+ 0.29 EUR
546+ 0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 373
2SC5566-TD-E ONSMS36373-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2SC5566-TD-E
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SC5566-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 4 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 4A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.5W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 400MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
auf Bestellung 774 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2SC5569-TD-E en6309-d.pdf
2SC5569-TD-E
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 50V 7A SOT89/PCP-1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 240mV @ 175mA, 3.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 330MHz
Supplier Device Package: SOT-89/PCP-1
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 7 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1.3 W
auf Bestellung 9994 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
17+1.09 EUR
19+ 0.94 EUR
100+ 0.65 EUR
500+ 0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 17
2SC5569-TD-E EN6309_D-2311223.pdf
2SC5569-TD-E
Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 7A 50V
auf Bestellung 29968 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
4+0.85 EUR
10+ 0.71 EUR
100+ 0.55 EUR
500+ 0.49 EUR
1000+ 0.41 EUR
2000+ 0.39 EUR
5000+ 0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 4
2SC5569-TD-E en6309-d.pdf
2SC5569-TD-E
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 50V 7A SOT89/PCP-1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 240mV @ 175mA, 3.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 330MHz
Supplier Device Package: SOT-89/PCP-1
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 7 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1.3 W
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1000+0.46 EUR
2000+ 0.41 EUR
5000+ 0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
2SC5569-TD-E ONSMS36374-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2SC5569-TD-E
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SC5569-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 7 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 7A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.5W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 330MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
auf Bestellung 2340 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2SC5569-TD-E ONSMS36374-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2SC5569-TD-E
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SC5569-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 7 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 7A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.5W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 330MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
auf Bestellung 2340 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2SC5569-TD-E 2088en6309-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 50V 7A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 3013 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
255+0.61 EUR
279+ 0.54 EUR
285+ 0.51 EUR
335+ 0.41 EUR
339+ 0.39 EUR
500+ 0.36 EUR
1000+ 0.32 EUR
3000+ 0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 255
2SC5569-TD-E 2088en6309-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 50V 7A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 3013 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
285+0.54 EUR
335+ 0.45 EUR
339+ 0.42 EUR
500+ 0.4 EUR
1000+ 0.35 EUR
3000+ 0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 285
2SC5585E3TL 2sc5585e3-e.pdf
2SC5585E3TL
Hersteller: ROHM Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT NPN, SOT-416, 12V 0.5A, Low VCE(sat) Transistor
auf Bestellung 2970 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
5+0.64 EUR
10+ 0.49 EUR
100+ 0.3 EUR
1000+ 0.16 EUR
3000+ 0.14 EUR
9000+ 0.12 EUR
24000+ 0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 5
2SC5585E3TL 2sc5585e3-e.pdf
2SC5585E3TL
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: NPN, SOT-416, 12V 0.5A, LOW VCE(
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 320MHz
Supplier Device Package: EMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 150 mW
auf Bestellung 2990 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
28+0.65 EUR
39+ 0.46 EUR
100+ 0.23 EUR
500+ 0.21 EUR
1000+ 0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 28
2SC5585E3TL 2sc5585e3-e.pdf
2SC5585E3TL
Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT NPN 12V 0.5A 150mW 3-Pin EMT T/R
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2SC5585E3TL 2sc5585e3-e.pdf
2SC5585E3TL
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - 2SC5585E3TL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 12 V, 500 mA, 150 mW, SOT-416, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 270hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 320MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
auf Bestellung 2970 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2SC5585E3TL 2sc5585e3-e.pdf
2SC5585E3TL
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - 2SC5585E3TL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 12 V, 500 mA, 150 mW, SOT-416, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 270hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 320MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
auf Bestellung 2970 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2SC5585E3TL 2sc5585e3-e.pdf
2SC5585E3TL
Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT NPN 12V 0.5A 150mW 3-Pin EMT T/R
auf Bestellung 5950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
378+0.41 EUR
500+ 0.38 EUR
1000+ 0.35 EUR
2500+ 0.33 EUR
5000+ 0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 378
2SC5585TL datasheet?p=2SC5585&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
2SC5585TL
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: TRANS NPN 12V 0.5A EMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 320MHz
Supplier Device Package: EMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 150 mW
auf Bestellung 777 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
25+0.7 EUR
33+ 0.55 EUR
100+ 0.33 EUR
500+ 0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 25
2SC5585TL datasheet?p=2SC5585&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
2SC5585TL
Hersteller: ROHM Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT NPN 12V 0.5A SOT-416
auf Bestellung 7000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
5+0.69 EUR
10+ 0.54 EUR
100+ 0.3 EUR
1000+ 0.21 EUR
3000+ 0.16 EUR
9000+ 0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 5
2SC5585TL 2sc5585tl-e.pdf
2SC5585TL
Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT NPN 12V 0.5A 150mW 3-Pin EMT T/R
auf Bestellung 24045 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1252+0.12 EUR
1532+ 0.094 EUR
2000+ 0.084 EUR
3000+ 0.08 EUR
6000+ 0.077 EUR
12000+ 0.066 EUR
Mindestbestellmenge: 1252
2SC5585TL 2sc5585tl-e.pdf
2SC5585TL
Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT NPN 12V 0.5A 150mW 3-Pin EMT T/R
auf Bestellung 853 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
380+0.41 EUR
500+ 0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 380
2SC5585TL 2sc5585tl-e.pdf
2SC5585TL
Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT NPN 12V 0.5A 150mW 3-Pin EMT T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
380+0.41 EUR
500+ 0.38 EUR
1000+ 0.35 EUR
2500+ 0.33 EUR
5000+ 0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 380
2SC5594XP-TL-E RNCCS18184-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
2SC5594XP-TL-E
Hersteller: Renesas Electronics Corporation
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSTR NPN
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 18dB
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 35mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.5V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 20mA, 2V
Frequency - Transition: 24GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1.8GHz
Supplier Device Package: CMPAK-4
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
478+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 478
2SC5594XP-TL-H RNCCS18184-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
2SC5594XP-TL-H
Hersteller: Renesas Electronics Corporation
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSTR NPN
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 18dB
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 35mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.5V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 20mA, 2V
Frequency - Transition: 24GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1.8GHz
Supplier Device Package: CMPAK-4
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
478+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 478
2SC55
Hersteller: NEC
CAN
auf Bestellung 246 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2SC550
Hersteller: TOSHIBA
auf Bestellung 5600 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2SC5508
Hersteller: NEC
SOT-343
auf Bestellung 1580 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2SC5508
Hersteller: NSC
auf Bestellung 80000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2SC5508-T2
Hersteller: NEC
SOT343
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2SC5508-T2-A 2SC5508_NE662M04.pdf
auf Bestellung 2900 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2SC5508-T2B
Hersteller: NEC/RENESAS
10+ SOT-343
auf Bestellung 25000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2SC5508-TL-A
Hersteller: RENESAS
SOT343
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2SC5509
auf Bestellung 790 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2SC551
auf Bestellung 17400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2SC5517
Hersteller: ISC
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2SC552
Hersteller: TOSHIBA
auf Bestellung 5600 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2SC553
Hersteller: TOSHIBA
auf Bestellung 5600 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2SC554
Hersteller: NEC
CAN
auf Bestellung 159 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2SC554
Hersteller: TOSHIBA
auf Bestellung 5600 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2SC5544YZ-TR
Hersteller: RENESAS
03+
auf Bestellung 400000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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