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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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BS170 BS170
Produktcode: 26014
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FS BS170-D.PDF Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-92
Uds,V: 60
Idd,A: 01.05.2000
Rds(on), Ohm: 05.05.2015
Ciss, pF/Qg, nC: 60/-
JHGF: THT
verfügbar: 25 Stück
1+0.29 EUR
100+0.17 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BS170-D26Z BS170-D26Z
Produktcode: 143717
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ON FAIRS29185-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Transistoren > MOSFET N-CH
Uds,V: 60 V
Idd,A: 0,5 A
Rds(on), Ohm: 5,5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 60/
JHGF: THT
auf Bestellung 169 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BS170 BS170 ONSEMI BS170,MMBF170.PDF Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 500mA; Idm: 1.2A; 0.83W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.5A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.83W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
Technology: DMOS
auf Bestellung 3314 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
186+0.39 EUR
250+0.29 EUR
329+0.22 EUR
455+0.16 EUR
596+0.12 EUR
633+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 186
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BS170 ON-Semicoductor mmbf170-d.pdf N-MOSFET 500mA 60V 350mW BS170(bulk), BS170G(tube) BS170 TO92(bulk) TBS170
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 449 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 100
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BS170 BS170 ONSEMI BS170,MMBF170.PDF Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 500mA; Idm: 1.2A; 0.83W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.5A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.83W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
Technology: DMOS
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3314 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
186+0.39 EUR
250+0.29 EUR
329+0.22 EUR
455+0.16 EUR
596+0.12 EUR
633+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 186
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BS170 ON-Semicoductor mmbf170-d.pdf N-MOSFET 500mA 60V 350mW BS170(bulk), BS170G(tube) BS170 TO92(bulk) TBS170
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 100
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BS170 BS170 onsemi mmbf170-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V
auf Bestellung 12489 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
25+0.70 EUR
41+0.43 EUR
100+0.27 EUR
500+0.20 EUR
1000+0.18 EUR
2000+0.16 EUR
5000+0.14 EUR
10000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BS170 BS170 ON Semiconductor mmbf170-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 Bag
auf Bestellung 18782 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1684+0.10 EUR
Mindestbestellmenge: 1684
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BS170 BS170 ON Semiconductor mmbf170-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 Bag
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
695+0.23 EUR
2500+0.15 EUR
7500+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 695
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BS170 BS170 ONSEMI 4459580.pdf Description: ONSEMI - BS170 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 500 mA, 1.2 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 830mW
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 27120 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BS170 BS170 ON Semiconductor mmbf170-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 Bag
auf Bestellung 18782 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
314+0.52 EUR
492+0.32 EUR
1023+0.15 EUR
1166+0.12 EUR
2500+0.11 EUR
10000+0.10 EUR
Mindestbestellmenge: 314
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BS170 BS170 ON Semiconductor mmbf170-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 Bag
auf Bestellung 59743 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5111+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 5111
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BS170"D27Z BS170"D27Z ONSEMI ONSM-S-A0015183179-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BS170"D27Z - N CHANNEL MOSFET, 60V, 500mA, TO-92
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - Unlimited
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 0
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BS170-D26Z BS170-D26Z ONSEMI BS170,MMBF170.PDF Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.5A; Idm: 1.2A; 0.83W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.5A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.83W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: DMOS
auf Bestellung 941 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
157+0.46 EUR
196+0.37 EUR
280+0.26 EUR
332+0.22 EUR
435+0.16 EUR
500+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 157
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BS170-D26Z ON-Semicoductor FAIRS29185-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 5Ohm; 500mA; 830mW; -55°C ~ 150°C; Replacement: BS170_D26Z(reel); BS170_D27Z(reel); BS170_D74Z/BS170_D75Z(ammo); BS170RL1G(T/R); BS170D27Z; BS170-D27Z; BS170 TAPE; BS170_D26Z REEL; BS170D26Z; BS170-GURT; BS170-
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 1720 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 100
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BS170-D26Z ON-Semicoductor FAIRS29185-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 5Ohm; 500mA; 830mW; -55°C ~ 150°C; Replacement: BS170_D26Z(reel); BS170_D27Z(reel); BS170_D74Z/BS170_D75Z(ammo); BS170RL1G(T/R); BS170D27Z; BS170-D27Z; BS170 TAPE; BS170_D26Z REEL; BS170D26Z; BS170-GURT; BS170-
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 100
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BS170-D26Z BS170-D26Z ONSEMI BS170,MMBF170.PDF Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.5A; Idm: 1.2A; 0.83W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.5A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.83W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: DMOS
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 941 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
157+0.46 EUR
196+0.37 EUR
280+0.26 EUR
332+0.22 EUR
435+0.16 EUR
500+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 157
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BS170-D26Z BS170-D26Z Fairchild Semiconductor FAIRS29185-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V
auf Bestellung 128646 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3143+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 3143
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BS170-D26Z BS170-D26Z onsemi FAIRS29185-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V
auf Bestellung 17546 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
23+0.79 EUR
36+0.50 EUR
100+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 23
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BS170-D26Z BS170-D26Z onsemi FAIRS29185-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V
auf Bestellung 14000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+0.16 EUR
6000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BS170-D26Z BS170-D26Z ON Semiconductor mmbf170-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BS170-D26Z BS170-D26Z ON Semiconductor mmbf170-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 T/R
auf Bestellung 258 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BS170-D26Z BS170-D26Z ON Semiconductor mmbf170-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 T/R
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.17 EUR
4000+0.16 EUR
6000+0.15 EUR
8000+0.14 EUR
26000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BS170-D26Z BS170-D26Z ONSEMI ONSM-S-A0015183179-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BS170-D26Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 500 mA, 1.2 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 830mW
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 5883 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BS170-D26Z BS170-D26Z ON Semiconductor mmbf170-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BS170-D26Z BS170-D26Z ON Semiconductor mmbf170-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 T/R
auf Bestellung 258 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
243+0.66 EUR
Mindestbestellmenge: 243
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BS170-D27Z BS170-D27Z ONSEMI BS170,MMBF170.PDF Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.5A; Idm: 1.2A; 0.83W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.5A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.83W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: DMOS
auf Bestellung 58 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
58+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 58
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BS170-D27Z BS170-D27Z ONSEMI BS170,MMBF170.PDF Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.5A; Idm: 1.2A; 0.83W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.5A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.83W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: DMOS
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 58 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
58+1.23 EUR
100+0.72 EUR
140+0.51 EUR
384+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 58
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BS170-D27Z BS170-D27Z onsemi FAIRS29185-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V
auf Bestellung 56000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+0.14 EUR
4000+0.13 EUR
6000+0.12 EUR
20000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BS170-D27Z BS170-D27Z onsemi FAIRS29185-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V
auf Bestellung 56990 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
25+0.72 EUR
40+0.45 EUR
100+0.21 EUR
500+0.20 EUR
1000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BS170-D27Z BS170-D27Z ONSEMI ONSM-S-A0015183179-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BS170-D27Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 500 mA, 1.2 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 830mW
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 4947 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BS170-D27Z BS170-D27Z ON Semiconductor mmbf170-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.13 EUR
4000+0.12 EUR
8000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
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BS170-D27Z BS170-D27Z ON Semiconductor mmbf170-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 T/R
auf Bestellung 127 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BS170-D27Z BS170-D27Z ON Semiconductor mmbf170-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
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BS170-D27Z BS170-D27Z ON Semiconductor mmbf170-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
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BS170-D27Z BS170-D27Z ON Semiconductor mmbf170-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 T/R
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BS170-D74Z BS170-D74Z onsemi FAIRS29185-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V
auf Bestellung 625 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
21+0.86 EUR
34+0.53 EUR
100+0.34 EUR
500+0.26 EUR
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BS170-D74Z BS170-D74Z onsemi FAIRS29185-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+0.21 EUR
4000+0.19 EUR
6000+0.18 EUR
10000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
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BS170-D74Z BS170-D74Z ON Semiconductor mmbf170-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 Ammo
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BS170-D75Z BS170-D75Z ONSEMI BS170,MMBF170.PDF Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 500mA; Idm: 1.2A; 0.83W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.5A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.83W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: DMOS
auf Bestellung 1002 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
157+0.46 EUR
203+0.35 EUR
290+0.25 EUR
341+0.21 EUR
439+0.16 EUR
463+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 157
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BS170-D75Z BS170-D75Z ONSEMI BS170,MMBF170.PDF Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 500mA; Idm: 1.2A; 0.83W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.5A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.83W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: DMOS
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1002 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
157+0.46 EUR
203+0.35 EUR
290+0.25 EUR
341+0.21 EUR
439+0.16 EUR
463+0.15 EUR
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BS170-D75Z FAIRCHILD FAIRS29185-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw BS170-D75Z
auf Bestellung 6212 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3847+0.16 EUR
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BS170-D75Z BS170-D75Z ON Semiconductor mmbf170-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 Ammo
auf Bestellung 4794 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
342+0.47 EUR
685+0.23 EUR
692+0.22 EUR
699+0.21 EUR
1053+0.13 EUR
3000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 342
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BS170-D75Z BS170-D75Z ONSEMI FAIRS29185-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - BS170-D75Z - MOSFET, N-CH, 60V, 0.5A, TO-226AA
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
Dauer-Drainstrom Id: 0
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 0
Bauform - Transistor: TO-226AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 4078 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BS170-D75Z BS170-D75Z ONSEMI ONSM-S-A0015183179-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BS170-D75Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 500 mA, 1.2 ohm, TO-226AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 830mW
Bauform - Transistor: TO-226AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 4340 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BS170-D75Z BS170-D75Z ON Semiconductor mmbf170-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 Ammo
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.19 EUR
4000+0.18 EUR
6000+0.17 EUR
8000+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
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BS170-D75Z BS170-D75Z ON Semiconductor mmbf170-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 Ammo
auf Bestellung 4794 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
220+0.74 EUR
338+0.46 EUR
342+0.44 EUR
685+0.21 EUR
692+0.20 EUR
699+0.19 EUR
1053+0.12 EUR
3000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 220
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BS170F BS170F DIODES INC. DIOD-S-A0009691079-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - BS170F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 150 mA, 5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 21209 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BS170F BS170F DIODES INC. DIOD-S-A0009691079-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - BS170F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 150 mA, 5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 21209 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BS170FTA BS170FTA DIODES INCORPORATED BS170F.PDF description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.15mA; 0.33W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.15mA
Power dissipation: 0.33W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 938 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
84+0.86 EUR
109+0.66 EUR
325+0.22 EUR
345+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 84
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BS170FTA DIODES/ZETEX BS170F.PDF 7d1adb58e4a5054b2e978de510eddd4b.pdf description N-MOSFET 150mA 60V 330mW 5Ω BS170FTA smd TBS170sot23
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 565 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 100
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BS170FTA BS170FTA DIODES INCORPORATED BS170F.PDF description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.15mA; 0.33W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.15mA
Power dissipation: 0.33W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 938 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
84+0.86 EUR
109+0.66 EUR
325+0.22 EUR
345+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 84
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BS170FTA BS170FTA Diodes Incorporated BS170F.PDF description Description: MOSFET N-CH 60V 0.15MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150µA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 330mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 10 V
auf Bestellung 220338 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.44 EUR
6000+0.42 EUR
9000+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BS170FTA BS170FTA Diodes Incorporated BS170F.PDF description Description: MOSFET N-CH 60V 0.15MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150µA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 330mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 10 V
auf Bestellung 220554 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
15+1.21 EUR
19+0.93 EUR
100+0.71 EUR
500+0.56 EUR
1000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BS170FTA BS170FTA UMW 7d1adb58e4a5054b2e978de510eddd4b.pdf description Description: MOSFET N-CH 60V 0.15MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 997 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
35+0.51 EUR
57+0.31 EUR
100+0.19 EUR
500+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 35
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BS170FTA BS170FTA Diodes Zetex bs170f.pdf description Trans MOSFET N-CH 60V 0.15A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 183000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BS170FTA BS170FTA Diodes Zetex bs170f.pdf description Trans MOSFET N-CH 60V 0.15A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BS170FTA BS170FTA Diodes Zetex bs170f.pdf description Trans MOSFET N-CH 60V 0.15A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BS170FTA BS170FTA Diodes Zetex bs170f.pdf description Trans MOSFET N-CH 60V 0.15A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BS170P BS170P Diodes Incorporated BS170P.PDF Description: MOSFET N-CH 60V 270MA TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 10 V
auf Bestellung 14145 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+1.99 EUR
15+1.25 EUR
100+0.83 EUR
500+0.64 EUR
1000+0.58 EUR
4000+0.49 EUR
8000+0.46 EUR
12000+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 9
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BS170
Produktcode: 26014
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BS170-D.PDF
BS170
Hersteller: FS
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-92
Uds,V: 60
Idd,A: 01.05.2000
Rds(on), Ohm: 05.05.2015
Ciss, pF/Qg, nC: 60/-
JHGF: THT
verfügbar: 25 Stück
Anzahl Preis
1+0.29 EUR
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BS170-D26Z
Produktcode: 143717
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FAIRS29185-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BS170-D26Z
Hersteller: ON
Transistoren > MOSFET N-CH
Uds,V: 60 V
Idd,A: 0,5 A
Rds(on), Ohm: 5,5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 60/
JHGF: THT
auf Bestellung 169 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BS170 BS170,MMBF170.PDF
BS170
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 500mA; Idm: 1.2A; 0.83W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.5A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.83W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
Technology: DMOS
auf Bestellung 3314 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
186+0.39 EUR
250+0.29 EUR
329+0.22 EUR
455+0.16 EUR
596+0.12 EUR
633+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 186
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BS170 mmbf170-d.pdf
Hersteller: ON-Semicoductor
N-MOSFET 500mA 60V 350mW BS170(bulk), BS170G(tube) BS170 TO92(bulk) TBS170
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 449 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
100+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 100
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BS170 BS170,MMBF170.PDF
BS170
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 500mA; Idm: 1.2A; 0.83W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.5A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.83W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
Technology: DMOS
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3314 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
186+0.39 EUR
250+0.29 EUR
329+0.22 EUR
455+0.16 EUR
596+0.12 EUR
633+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 186
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BS170 mmbf170-d.pdf
Hersteller: ON-Semicoductor
N-MOSFET 500mA 60V 350mW BS170(bulk), BS170G(tube) BS170 TO92(bulk) TBS170
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
100+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 100
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BS170 mmbf170-d.pdf
BS170
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V
auf Bestellung 12489 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
25+0.70 EUR
41+0.43 EUR
100+0.27 EUR
500+0.20 EUR
1000+0.18 EUR
2000+0.16 EUR
5000+0.14 EUR
10000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BS170 mmbf170-d.pdf
BS170
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 Bag
auf Bestellung 18782 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1684+0.10 EUR
Mindestbestellmenge: 1684
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BS170 mmbf170-d.pdf
BS170
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 Bag
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
695+0.23 EUR
2500+0.15 EUR
7500+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 695
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BS170 4459580.pdf
BS170
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BS170 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 500 mA, 1.2 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 830mW
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 27120 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BS170 mmbf170-d.pdf
BS170
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 Bag
auf Bestellung 18782 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
314+0.52 EUR
492+0.32 EUR
1023+0.15 EUR
1166+0.12 EUR
2500+0.11 EUR
10000+0.10 EUR
Mindestbestellmenge: 314
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BS170 mmbf170-d.pdf
BS170
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 Bag
auf Bestellung 59743 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
5111+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 5111
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BS170"D27Z ONSM-S-A0015183179-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BS170"D27Z
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BS170"D27Z - N CHANNEL MOSFET, 60V, 500mA, TO-92
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - Unlimited
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 0
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BS170-D26Z BS170,MMBF170.PDF
BS170-D26Z
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.5A; Idm: 1.2A; 0.83W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.5A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.83W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: DMOS
auf Bestellung 941 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
157+0.46 EUR
196+0.37 EUR
280+0.26 EUR
332+0.22 EUR
435+0.16 EUR
500+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 157
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BS170-D26Z FAIRS29185-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: ON-Semicoductor
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 5Ohm; 500mA; 830mW; -55°C ~ 150°C; Replacement: BS170_D26Z(reel); BS170_D27Z(reel); BS170_D74Z/BS170_D75Z(ammo); BS170RL1G(T/R); BS170D27Z; BS170-D27Z; BS170 TAPE; BS170_D26Z REEL; BS170D26Z; BS170-GURT; BS170-
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 1720 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
100+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 100
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BS170-D26Z FAIRS29185-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: ON-Semicoductor
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 5Ohm; 500mA; 830mW; -55°C ~ 150°C; Replacement: BS170_D26Z(reel); BS170_D27Z(reel); BS170_D74Z/BS170_D75Z(ammo); BS170RL1G(T/R); BS170D27Z; BS170-D27Z; BS170 TAPE; BS170_D26Z REEL; BS170D26Z; BS170-GURT; BS170-
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
100+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 100
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BS170-D26Z BS170,MMBF170.PDF
BS170-D26Z
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.5A; Idm: 1.2A; 0.83W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.5A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.83W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: DMOS
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 941 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
157+0.46 EUR
196+0.37 EUR
280+0.26 EUR
332+0.22 EUR
435+0.16 EUR
500+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 157
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BS170-D26Z FAIRS29185-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BS170-D26Z
Hersteller: Fairchild Semiconductor
Description: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V
auf Bestellung 128646 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3143+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 3143
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BS170-D26Z FAIRS29185-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BS170-D26Z
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V
auf Bestellung 17546 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
23+0.79 EUR
36+0.50 EUR
100+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 23
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BS170-D26Z FAIRS29185-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BS170-D26Z
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V
auf Bestellung 14000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2000+0.16 EUR
6000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BS170-D26Z mmbf170-d.pdf
BS170-D26Z
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
2000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BS170-D26Z mmbf170-d.pdf
BS170-D26Z
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 T/R
auf Bestellung 258 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BS170-D26Z mmbf170-d.pdf
BS170-D26Z
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 T/R
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
2000+0.17 EUR
4000+0.16 EUR
6000+0.15 EUR
8000+0.14 EUR
26000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BS170-D26Z ONSM-S-A0015183179-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BS170-D26Z
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BS170-D26Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 500 mA, 1.2 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 830mW
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 5883 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BS170-D26Z mmbf170-d.pdf
BS170-D26Z
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
2000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BS170-D26Z mmbf170-d.pdf
BS170-D26Z
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 T/R
auf Bestellung 258 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
243+0.66 EUR
Mindestbestellmenge: 243
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BS170-D27Z BS170,MMBF170.PDF
BS170-D27Z
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.5A; Idm: 1.2A; 0.83W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.5A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.83W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: DMOS
auf Bestellung 58 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
58+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 58
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BS170-D27Z BS170,MMBF170.PDF
BS170-D27Z
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.5A; Idm: 1.2A; 0.83W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.5A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.83W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: DMOS
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 58 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
58+1.23 EUR
100+0.72 EUR
140+0.51 EUR
384+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 58
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BS170-D27Z FAIRS29185-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BS170-D27Z
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V
auf Bestellung 56000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2000+0.14 EUR
4000+0.13 EUR
6000+0.12 EUR
20000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BS170-D27Z FAIRS29185-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BS170-D27Z
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V
auf Bestellung 56990 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
25+0.72 EUR
40+0.45 EUR
100+0.21 EUR
500+0.20 EUR
1000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BS170-D27Z ONSM-S-A0015183179-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BS170-D27Z
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BS170-D27Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 500 mA, 1.2 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 830mW
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 4947 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BS170-D27Z mmbf170-d.pdf
BS170-D27Z
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
2000+0.13 EUR
4000+0.12 EUR
8000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BS170-D27Z mmbf170-d.pdf
BS170-D27Z
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 T/R
auf Bestellung 127 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BS170-D27Z mmbf170-d.pdf
BS170-D27Z
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
2000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BS170-D27Z mmbf170-d.pdf
BS170-D27Z
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
2000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BS170-D27Z mmbf170-d.pdf
BS170-D27Z
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 T/R
auf Bestellung 52000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
2000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BS170-D74Z FAIRS29185-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BS170-D74Z
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V
auf Bestellung 625 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
21+0.86 EUR
34+0.53 EUR
100+0.34 EUR
500+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 21
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BS170-D74Z FAIRS29185-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BS170-D74Z
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2000+0.21 EUR
4000+0.19 EUR
6000+0.18 EUR
10000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BS170-D74Z mmbf170-d.pdf
BS170-D74Z
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 Ammo
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BS170-D75Z BS170,MMBF170.PDF
BS170-D75Z
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 500mA; Idm: 1.2A; 0.83W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.5A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.83W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: DMOS
auf Bestellung 1002 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
157+0.46 EUR
203+0.35 EUR
290+0.25 EUR
341+0.21 EUR
439+0.16 EUR
463+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 157
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BS170-D75Z BS170,MMBF170.PDF
BS170-D75Z
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 500mA; Idm: 1.2A; 0.83W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.5A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.83W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: DMOS
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1002 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
157+0.46 EUR
203+0.35 EUR
290+0.25 EUR
341+0.21 EUR
439+0.16 EUR
463+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 157
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BS170-D75Z FAIRS29185-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: FAIRCHILD
BS170-D75Z
auf Bestellung 6212 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3847+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 3847
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BS170-D75Z mmbf170-d.pdf
BS170-D75Z
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 Ammo
auf Bestellung 4794 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
342+0.47 EUR
685+0.23 EUR
692+0.22 EUR
699+0.21 EUR
1053+0.13 EUR
3000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 342
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BS170-D75Z FAIRS29185-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BS170-D75Z
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BS170-D75Z - MOSFET, N-CH, 60V, 0.5A, TO-226AA
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
Dauer-Drainstrom Id: 0
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 0
Bauform - Transistor: TO-226AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 4078 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BS170-D75Z ONSM-S-A0015183179-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BS170-D75Z
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BS170-D75Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 500 mA, 1.2 ohm, TO-226AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 830mW
Bauform - Transistor: TO-226AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 4340 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BS170-D75Z mmbf170-d.pdf
BS170-D75Z
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 Ammo
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
2000+0.19 EUR
4000+0.18 EUR
6000+0.17 EUR
8000+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BS170-D75Z mmbf170-d.pdf
BS170-D75Z
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 Ammo
auf Bestellung 4794 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
220+0.74 EUR
338+0.46 EUR
342+0.44 EUR
685+0.21 EUR
692+0.20 EUR
699+0.19 EUR
1053+0.12 EUR
3000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 220
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BS170F DIOD-S-A0009691079-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BS170F
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - BS170F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 150 mA, 5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 21209 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BS170F DIOD-S-A0009691079-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BS170F
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - BS170F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 150 mA, 5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 21209 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BS170FTA description BS170F.PDF
BS170FTA
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.15mA; 0.33W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.15mA
Power dissipation: 0.33W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 938 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
84+0.86 EUR
109+0.66 EUR
325+0.22 EUR
345+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 84
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BS170FTA description BS170F.PDF 7d1adb58e4a5054b2e978de510eddd4b.pdf
Hersteller: DIODES/ZETEX
N-MOSFET 150mA 60V 330mW 5Ω BS170FTA smd TBS170sot23
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 565 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
100+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 100
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BS170FTA description BS170F.PDF
BS170FTA
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.15mA; 0.33W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.15mA
Power dissipation: 0.33W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 938 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
84+0.86 EUR
109+0.66 EUR
325+0.22 EUR
345+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 84
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BS170FTA description BS170F.PDF
BS170FTA
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 0.15MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150µA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 330mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 10 V
auf Bestellung 220338 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.44 EUR
6000+0.42 EUR
9000+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BS170FTA description BS170F.PDF
BS170FTA
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 0.15MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150µA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 330mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 10 V
auf Bestellung 220554 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
15+1.21 EUR
19+0.93 EUR
100+0.71 EUR
500+0.56 EUR
1000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BS170FTA description 7d1adb58e4a5054b2e978de510eddd4b.pdf
BS170FTA
Hersteller: UMW
Description: MOSFET N-CH 60V 0.15MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 997 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
35+0.51 EUR
57+0.31 EUR
100+0.19 EUR
500+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 35
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BS170FTA description bs170f.pdf
BS170FTA
Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 0.15A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 183000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BS170FTA description bs170f.pdf
BS170FTA
Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 0.15A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BS170FTA description bs170f.pdf
BS170FTA
Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 0.15A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BS170FTA description bs170f.pdf
BS170FTA
Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 0.15A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BS170P BS170P.PDF
BS170P
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 270MA TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 10 V
auf Bestellung 14145 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
9+1.99 EUR
15+1.25 EUR
100+0.83 EUR
500+0.64 EUR
1000+0.58 EUR
4000+0.49 EUR
8000+0.46 EUR
12000+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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