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IRF7103TRPBF IRF7103TRPBF
Produktcode: 19112
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IR infineon-irf7103-datasheet-en.pdf description Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Drain-Source-Spannung Uds, V: 50 V
Drain-Strom Idd, A: 3 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,13 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 290/12
Bemerkung: Zwei Transistoren in einem Gehäuse
Montage: SMD
auf Bestellung: 185 St.
  • 185 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+1.08 EUR
10+0.98 EUR
100+0.86 EUR
1000+0.29 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
F7103 IOR 01+ SOP
auf Bestellung 368 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
F7103Q IOR 01+ SOP
auf Bestellung 2188 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
3UF71031BA000 3UF71031BA000 Siemens 3UF71031BA000_datasheet_en.pdf Power Management Modules SIMOCODE PRO CUR MEAS.MOD,20-200A,BUSBAR
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+1345.95 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IF7103 IF7103 IFM ELECTRONIC IF7103-01_EN-GB.pdf Category: DC Cylindrical Inductive Sensors
Description: Sensor: inductive
Type of sensor: inductive
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+85.08 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7103TR IRF7103TR UMW TIRF7103_UMW_UMW_0001.pdf Transistor 2xN-Channel MOSFET; 50V; 20V; 40mOhm; 3A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7103; IRF7103TR; SP001563458; SP001562004; IRF7103TR UMW TIRF7103 UMW
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7103TR IRF7103TR Infineon TIRF7103_JSM_JSMICRO_0001.pdf Transistor 2xN-Channel MOSFET; 50V; 20V; 200mOhm; 3A; 2W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF7103TR; IRF7103; IRF7103TR; IRF7103-GURT; IRF7103 SMD; IRF7103TR TIRF7103
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7103TR IRF7103TR International Rectifier TIRF7103_JSM_JSMICRO_0001.pdf Transistor 2xN-Channel MOSFET; 50V; 20V; 200mOhm; 3A; 2W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF7103TR; IRF7103; IRF7103TR; IRF7103-GURT; IRF7103 SMD; IRF7103TR TIRF7103
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7103TR IRF7103TR Infineon TIRF7103_JSM_JSMICRO_0001.pdf Transistor 2xN-Channel MOSFET; 50V; 20V; 200mOhm; 3A; 2W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF7103TR; IRF7103; IRF7103TR; IRF7103-GURT; IRF7103 SMD; IRF7103TR TIRF7103
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 638 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7103TR IRF7103TR JSMicro Semiconductor TIRF7103_JSM_JSMICRO_0001.pdf Transistor 2xN-Channel MOSFET; 60V; 20V; 55mOhm; 6,3A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7103; IRF7103TR; SP001563458; SP001562004; IRF7103TR JSMICRO TIRF7103 JSM
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7103TRPBF IRF7103TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf7103pbf.pdf description Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 50V; 3A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 3A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 2W
Technology: HEXFET®
auf Bestellung 3299 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
65+1.31 EUR
78+1.09 EUR
92+0.93 EUR
114+0.75 EUR
155+0.55 EUR
188+0.45 EUR
215+0.39 EUR
250+0.38 EUR
500+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 65 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7103TRPBF IRF7103TRPBF Infineon Technologies infineon-irf7103-datasheet-en.pdf description Description: MOSFET 2N-CH 50V 3A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4000+0.48 EUR
8000+0.44 EUR
12000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7103TRPBF IRF7103TRPBF Infineon Technologies infineon-irf7103-datasheet-en.pdf description Description: MOSFET 2N-CH 50V 3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
auf Bestellung 14437 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+1.99 EUR
17+1.24 EUR
100+0.81 EUR
500+0.63 EUR
1000+0.57 EUR
2000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7103TRPBFXTMA1 IRF7103TRPBFXTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES irf7103pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f0f0141ac6 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 3A; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 3A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 2906 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
59+1.45 EUR
93+0.92 EUR
143+0.6 EUR
500+0.46 EUR
1000+0.42 EUR
2000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 59 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7103TRPBFXTMA1 IRF7103TRPBFXTMA1 Infineon Technologies irf7103pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f0f0141ac6 Description: MOSFET 2N-CH 50V 3A 8DSO-902
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8-902
auf Bestellung 2733 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+1.99 EUR
17+1.24 EUR
100+0.81 EUR
500+0.63 EUR
1000+0.57 EUR
2000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7103TRPBFXTMA1 IRF7103TRPBFXTMA1 Infineon Technologies irf7103pbf_1.pdf MOSFETs PLANAR FET
auf Bestellung 3950 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.96 EUR
10+1.23 EUR
100+0.8 EUR
500+0.62 EUR
1000+0.56 EUR
2000+0.51 EUR
4000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UMWIRF7103TR UMWIRF7103TR UMW 1c7419abf51388040ddcdf1f592f9cf8.pdf Description: MOSFET 2N-CH 50V 3A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
auf Bestellung 2730 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+2.05 EUR
17+1.27 EUR
100+0.83 EUR
500+0.64 EUR
1000+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7103 IOR description 09+ SO-8
auf Bestellung 123948 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7103/IR IR 08+;
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7103PBF                     IR
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7103QTRPBF International Rectifier/Infineon irf7103qpbf.pdf description 2N-канальний ПТ, Udss, В = 50, Id = 3 А, Ptot, Вт = 2,4, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 255 @ 25, Qg, нКл = 15 @ 10 В, Rds = 130 мОм @ 3 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 3 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 95 Stücke
verfügbar 73 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MGF7103-21
auf Bestellung 5170 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRF7103QTR
Produktcode: 208998
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auirf7103q.pdf?fileId=5546d462533600a4015355acf87713cc Transistoren > MOSFET N-CH
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7103Q
Produktcode: 163741
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infineon-irf7103-datasheet-en.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
3UF71031AA000 Siemens DatasheetDownload?downloadUrl=teddatasheet%2F%3Fformat%3DPDF%26caller%3DMall%26mlfbs%3D3UF71031AA000%26language%3Den Description: SIMOCODE PRO CUR MEAS. MODULE,20
Packaging: Box
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
3UF71031AA000 3UF71031AA000 Siemens 3UF71031AA000_datasheet_en.pdf Power Management Modules SIMOCODE PRO CUR MEAS. MODULE,20-200A
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
3UF71031BA000 Siemens DatasheetDownload?downloadUrl=teddatasheet%2F%3Fformat%3DPDF%26caller%3DMall%26mlfbs%3D3UF71031BA000%26language%3Den Description: SIMOCODE PRO CUR MEAS.MOD,20-200
Packaging: Box
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRF7103Q AUIRF7103Q Infineon Technologies auirf7103q.pdf?fileId=5546d462533600a4015355acf87713cc Description: MOSFET 2N-CH 50V 3A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 255pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRF7103QTR AUIRF7103QTR Infineon Technologies auirf7103q.pdf?fileId=5546d462533600a4015355acf87713cc Description: MOSFET 2N-CH 50V 3A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 255pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7103PBF IRF7103PBF Infineon Technologies infineon-irf7103-datasheet-en.pdf Description: MOSFET 2N-CH 50V 3A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Discontinued at Digi-Key
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7103Q IRF7103Q Infineon Technologies infineon-irf7103-datasheet-en.pdf Description: MOSFET 2N-CH 50V 3A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 255pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 760 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7103TRPBFXTMA1 IRF7103TRPBFXTMA1 Infineon Technologies irf7103pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f0f0141ac6 Description: MOSFET 2N-CH 50V 3A 8DSO-902
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8-902
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UMWIRF7103TR UMWIRF7103TR UMW 1c7419abf51388040ddcdf1f592f9cf8.pdf Description: MOSFET 2N-CH 50V 3A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Транзистор польовий IRF7103 IR Транзистор польовий IRF7103 IR IR Транз. Пол. МП 2N-HEXFET logik SO8 Udss=50V; Id=3A; Pdmax=2W; Rds=0,13 Ohm   Транзистори польові
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Транзистор польовий IRF7103TR IR Транзистор польовий IRF7103TR IR IR Транз. Пол. МП 2N-HEXFET logik SO8 Udss=50V; Id=3A; Pdmax=2W; Rds=0,13 Ohm   Транзистори польові
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRF7103Q International Rectifier auirf7103q.pdf AUIRF7103Q Multi Channel Transistors Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRF7103QTR International Rectifier auirf7103q.pdf?fileId=5546d462533600a4015355acf87713cc MOSFET 2N-CH 50V 3.0A SOIC-8 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7103 International Rectifier/Infineon irf7103pbf.pdf description 2N-канальний ПТ, Udss, В = 50, Id = 3 А, Ptot, Вт = 2, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 290 @ 25, Qg, нКл = 30 @ 10 В, Rds = 130 мОм @ 3 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 3 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 95 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7103PBF International Rectifier/Infineon irf7103pbf.pdf 2N-канальний ПТ, Udss, В = 50, Id = 3 А, Ptot, Вт = 2, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 290 @ 25, Qg, нКл = 30 @ 10 В, Rds = 130 мОм @ 3 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 3 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 95 Stücke
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IRF7103PBF International Rectifier irf7103.pdf (MFET,N-CH,DUAL,50V,3A,SO-8, Pbf) Транзистори
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IRF7103Q International Rectifier irf7103q.pdf MOSFET 2N-CH 50V 3A 8-SOIC Транзистори
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IRF7103QTRPBF International Rectifier IRF7103QPBF-Datasheet.pdf description MOSFET 2N-CH 50V 3A 8-SOIC Транзистори
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IRF7103TRPBF International Rectifier/Infineon irf7103pbf.pdf description 2N-канальний ПТ, Udss, В = 50, Id = 3 А, Ptot, Вт = 2, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 290 @ 25, Qg, нКл = 30 @ 10 В, Rds = 130 мОм @ 3 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 3 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7103TRPBF IRF7103TRPBF International Rectifier irf7103.pdf description (MFET,N-CH,DUAL,50V,3A,SO-8) Транзистори
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59022-3-U-02-E 59022-3-U-02-E Littelfuse Inc. 59022-reed-sensor-datasheet?assetguid=ca7a57bc-5951-44e8-8b8b-fea304c8a16b Description: SENSOR REED SWITCH SPDT W LEADS
Part Status: Obsolete
Actuator Material: Magnet
Must Operate: 6.50mm
Termination Style: Wire Leads with Connector
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Type: Reed Switch
Output Type: SPDT
Package / Case: Barrel (Plastic Housed), Wire Leads
Packaging: Box
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 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
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IRF7103TRPBF
Produktcode: 19112
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description infineon-irf7103-datasheet-en.pdf
IRF7103TRPBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Drain-Source-Spannung Uds, V: 50 V
Drain-Strom Idd, A: 3 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,13 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 290/12
Bemerkung: Zwei Transistoren in einem Gehäuse
Montage: SMD
auf Bestellung: 185 St.
  • 185 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+1.08 EUR
10+0.98 EUR
100+0.86 EUR
1000+0.29 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
F7103
Hersteller: IOR
01+ SOP
auf Bestellung 368 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
F7103Q
Hersteller: IOR
01+ SOP
auf Bestellung 2188 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
3UF71031BA000 3UF71031BA000_datasheet_en.pdf
3UF71031BA000
Hersteller: Siemens
Power Management Modules SIMOCODE PRO CUR MEAS.MOD,20-200A,BUSBAR
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+1345.95 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IF7103 IF7103-01_EN-GB.pdf
IF7103
Hersteller: IFM ELECTRONIC
Category: DC Cylindrical Inductive Sensors
Description: Sensor: inductive
Type of sensor: inductive
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+85.08 EUR
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IRF7103TR TIRF7103_UMW_UMW_0001.pdf
IRF7103TR
Hersteller: UMW
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 50V; 20V; 40mOhm; 3A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7103; IRF7103TR; SP001563458; SP001562004; IRF7103TR UMW TIRF7103 UMW
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
50+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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IRF7103TR TIRF7103_JSM_JSMICRO_0001.pdf
IRF7103TR
Hersteller: Infineon
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 50V; 20V; 200mOhm; 3A; 2W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF7103TR; IRF7103; IRF7103TR; IRF7103-GURT; IRF7103 SMD; IRF7103TR TIRF7103
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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IRF7103TR TIRF7103_JSM_JSMICRO_0001.pdf
IRF7103TR
Hersteller: International Rectifier
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 50V; 20V; 200mOhm; 3A; 2W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF7103TR; IRF7103; IRF7103TR; IRF7103-GURT; IRF7103 SMD; IRF7103TR TIRF7103
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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IRF7103TR TIRF7103_JSM_JSMICRO_0001.pdf
IRF7103TR
Hersteller: Infineon
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 50V; 20V; 200mOhm; 3A; 2W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF7103TR; IRF7103; IRF7103TR; IRF7103-GURT; IRF7103 SMD; IRF7103TR TIRF7103
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 638 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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IRF7103TR TIRF7103_JSM_JSMICRO_0001.pdf
IRF7103TR
Hersteller: JSMicro Semiconductor
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 60V; 20V; 55mOhm; 6,3A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7103; IRF7103TR; SP001563458; SP001562004; IRF7103TR JSMICRO TIRF7103 JSM
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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IRF7103TRPBF description irf7103pbf.pdf
IRF7103TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 50V; 3A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 3A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 2W
Technology: HEXFET®
auf Bestellung 3299 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
65+1.31 EUR
78+1.09 EUR
92+0.93 EUR
114+0.75 EUR
155+0.55 EUR
188+0.45 EUR
215+0.39 EUR
250+0.38 EUR
500+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 65 Stücke
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IRF7103TRPBF description infineon-irf7103-datasheet-en.pdf
IRF7103TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 50V 3A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4000+0.48 EUR
8000+0.44 EUR
12000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7103TRPBF description infineon-irf7103-datasheet-en.pdf
IRF7103TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 50V 3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
auf Bestellung 14437 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
11+1.99 EUR
17+1.24 EUR
100+0.81 EUR
500+0.63 EUR
1000+0.57 EUR
2000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7103TRPBFXTMA1 irf7103pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f0f0141ac6
IRF7103TRPBFXTMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 3A; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 3A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 2906 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
59+1.45 EUR
93+0.92 EUR
143+0.6 EUR
500+0.46 EUR
1000+0.42 EUR
2000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 59 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7103TRPBFXTMA1 irf7103pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f0f0141ac6
IRF7103TRPBFXTMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 50V 3A 8DSO-902
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8-902
auf Bestellung 2733 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
11+1.99 EUR
17+1.24 EUR
100+0.81 EUR
500+0.63 EUR
1000+0.57 EUR
2000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7103TRPBFXTMA1 irf7103pbf_1.pdf
IRF7103TRPBFXTMA1
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs PLANAR FET
auf Bestellung 3950 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+1.96 EUR
10+1.23 EUR
100+0.8 EUR
500+0.62 EUR
1000+0.56 EUR
2000+0.51 EUR
4000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UMWIRF7103TR 1c7419abf51388040ddcdf1f592f9cf8.pdf
UMWIRF7103TR
Hersteller: UMW
Description: MOSFET 2N-CH 50V 3A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
auf Bestellung 2730 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
11+2.05 EUR
17+1.27 EUR
100+0.83 EUR
500+0.64 EUR
1000+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7103 description
Hersteller: IOR
09+ SO-8
auf Bestellung 123948 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7103/IR
Hersteller: IR
08+;
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7103PBF                    
Hersteller: IR
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7103QTRPBF description irf7103qpbf.pdf
Hersteller: International Rectifier/Infineon
2N-канальний ПТ, Udss, В = 50, Id = 3 А, Ptot, Вт = 2,4, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 255 @ 25, Qg, нКл = 15 @ 10 В, Rds = 130 мОм @ 3 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 3 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 95 Stücke
verfügbar 73 Stücke:
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MGF7103-21
auf Bestellung 5170 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRF7103QTR
Produktcode: 208998
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auirf7103q.pdf?fileId=5546d462533600a4015355acf87713cc
Transistoren > MOSFET N-CH
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IRF7103Q
Produktcode: 163741
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infineon-irf7103-datasheet-en.pdf
Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
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3UF71031AA000 DatasheetDownload?downloadUrl=teddatasheet%2F%3Fformat%3DPDF%26caller%3DMall%26mlfbs%3D3UF71031AA000%26language%3Den
Hersteller: Siemens
Description: SIMOCODE PRO CUR MEAS. MODULE,20
Packaging: Box
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3UF71031AA000 3UF71031AA000_datasheet_en.pdf
3UF71031AA000
Hersteller: Siemens
Power Management Modules SIMOCODE PRO CUR MEAS. MODULE,20-200A
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3UF71031BA000 DatasheetDownload?downloadUrl=teddatasheet%2F%3Fformat%3DPDF%26caller%3DMall%26mlfbs%3D3UF71031BA000%26language%3Den
Hersteller: Siemens
Description: SIMOCODE PRO CUR MEAS.MOD,20-200
Packaging: Box
Produkt ist nicht verfügbar
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AUIRF7103Q auirf7103q.pdf?fileId=5546d462533600a4015355acf87713cc
AUIRF7103Q
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 50V 3A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 255pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
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AUIRF7103QTR auirf7103q.pdf?fileId=5546d462533600a4015355acf87713cc
AUIRF7103QTR
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 50V 3A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 255pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Qualification: AEC-Q101
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IRF7103PBF infineon-irf7103-datasheet-en.pdf
IRF7103PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 50V 3A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Discontinued at Digi-Key
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IRF7103Q infineon-irf7103-datasheet-en.pdf
IRF7103Q
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 50V 3A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 255pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 760 Stücke
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IRF7103TRPBFXTMA1 irf7103pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f0f0141ac6
IRF7103TRPBFXTMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 50V 3A 8DSO-902
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8-902
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Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
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UMWIRF7103TR 1c7419abf51388040ddcdf1f592f9cf8.pdf
UMWIRF7103TR
Hersteller: UMW
Description: MOSFET 2N-CH 50V 3A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
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Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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Транзистор польовий IRF7103 IR
Транзистор польовий IRF7103 IR
Hersteller: IR
Транз. Пол. МП 2N-HEXFET logik SO8 Udss=50V; Id=3A; Pdmax=2W; Rds=0,13 Ohm   Транзистори польові
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Транзистор польовий IRF7103TR IR
Транзистор польовий IRF7103TR IR
Hersteller: IR
Транз. Пол. МП 2N-HEXFET logik SO8 Udss=50V; Id=3A; Pdmax=2W; Rds=0,13 Ohm   Транзистори польові
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AUIRF7103Q auirf7103q.pdf
Hersteller: International Rectifier
AUIRF7103Q Multi Channel Transistors Транзистори
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AUIRF7103QTR auirf7103q.pdf?fileId=5546d462533600a4015355acf87713cc
Hersteller: International Rectifier
MOSFET 2N-CH 50V 3.0A SOIC-8 Транзистори
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IRF7103 description irf7103pbf.pdf
Hersteller: International Rectifier/Infineon
2N-канальний ПТ, Udss, В = 50, Id = 3 А, Ptot, Вт = 2, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 290 @ 25, Qg, нКл = 30 @ 10 В, Rds = 130 мОм @ 3 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 3 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 95 Stücke
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IRF7103PBF irf7103pbf.pdf
Hersteller: International Rectifier/Infineon
2N-канальний ПТ, Udss, В = 50, Id = 3 А, Ptot, Вт = 2, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 290 @ 25, Qg, нКл = 30 @ 10 В, Rds = 130 мОм @ 3 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 3 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 95 Stücke
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IRF7103PBF irf7103.pdf
Hersteller: International Rectifier
(MFET,N-CH,DUAL,50V,3A,SO-8, Pbf) Транзистори
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IRF7103Q irf7103q.pdf
Hersteller: International Rectifier
MOSFET 2N-CH 50V 3A 8-SOIC Транзистори
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7103QTRPBF description IRF7103QPBF-Datasheet.pdf
Hersteller: International Rectifier
MOSFET 2N-CH 50V 3A 8-SOIC Транзистори
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IRF7103TRPBF description irf7103pbf.pdf
Hersteller: International Rectifier/Infineon
2N-канальний ПТ, Udss, В = 50, Id = 3 А, Ptot, Вт = 2, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 290 @ 25, Qg, нКл = 30 @ 10 В, Rds = 130 мОм @ 3 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 3 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
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IRF7103TRPBF description irf7103.pdf
IRF7103TRPBF
Hersteller: International Rectifier
(MFET,N-CH,DUAL,50V,3A,SO-8) Транзистори
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59022-3-U-02-E 59022-reed-sensor-datasheet?assetguid=ca7a57bc-5951-44e8-8b8b-fea304c8a16b
59022-3-U-02-E
Hersteller: Littelfuse Inc.
Description: SENSOR REED SWITCH SPDT W LEADS
Part Status: Obsolete
Actuator Material: Magnet
Must Operate: 6.50mm
Termination Style: Wire Leads with Connector
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Type: Reed Switch
Output Type: SPDT
Package / Case: Barrel (Plastic Housed), Wire Leads
Packaging: Box
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Mindestbestellmenge: 500 Stücke
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