Suchergebnisse für "F7103" : 50

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IRF7103TRPBF IRF7103TRPBF
Produktcode: 19112
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IR infineon-irf7103-datasheet-en.pdf description Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 50
Idd,A: 3
Rds(on), Ohm: 0.13
Ciss, pF/Qg, nC: 01.12.290
Bem.: 2N
JHGF: SMD
auf Bestellung 265 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+0.3 EUR
10+0.28 EUR
100+0.25 EUR
1000+0.24 EUR
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F7103 IOR 01+ SOP
auf Bestellung 368 Stücke:
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F7103Q IOR 09+ SOP8
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F7103Q IOR 01+ SOP
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AUIRF7103QTR AUIRF7103QTR Infineon Technologies auirf7103q.pdf?fileId=5546d462533600a4015355acf87713cc Description: MOSFET 2N-CH 50V 3A 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 255pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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325+1.39 EUR
Mindestbestellmenge: 325
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IRF7103TR Infineon 7ccc804b64b09e0c7af0b55407a6d3c7.pdf Transistor 2xN-Channel MOSFET; 50V; 20V; 200mOhm; 3A; 2W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF7103TR; IRF7103; IRF7103TR; IRF7103-GURT; IRF7103 SMD; IRF7103TR TIRF7103
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
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Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 100
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IRF7103TR JSMicro Semiconductor 7ccc804b64b09e0c7af0b55407a6d3c7.pdf Transistor 2xN-Channel MOSFET; 60V; 20V; 55mOhm; 6,3A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7103; IRF7103TR; SP001563458; SP001562004; IRF7103TR JSMICRO TIRF7103 JSM
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
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Mindestbestellmenge: 100
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IRF7103TR Infineon 7ccc804b64b09e0c7af0b55407a6d3c7.pdf Transistor 2xN-Channel MOSFET; 50V; 20V; 200mOhm; 3A; 2W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF7103TR; IRF7103; IRF7103TR; IRF7103-GURT; IRF7103 SMD; IRF7103TR TIRF7103
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
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Lieferzeit 7-14 Tag (e)
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IRF7103TR UMW 7ccc804b64b09e0c7af0b55407a6d3c7.pdf Transistor 2xN-Channel MOSFET; 50V; 20V; 40mOhm; 3A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7103; IRF7103TR; SP001563458; SP001562004; IRF7103TR UMW TIRF7103 UMW
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
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Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 100
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IRF7103TR International Rectifier 7ccc804b64b09e0c7af0b55407a6d3c7.pdf Transistor 2xN-Channel MOSFET; 50V; 20V; 200mOhm; 3A; 2W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF7103TR; IRF7103; IRF7103TR; IRF7103-GURT; IRF7103 SMD; IRF7103TR TIRF7103
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
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Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 100
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IRF7103TRPBF IRF7103TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F730DD100BCF1A303005056AB0C4F&compId=irf7103pbf.pdf?ci_sign=2b12eb75b5f6dce55c65084304d884f8b12d91e4 description Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 50V; 3A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 3A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 2W
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7103TRPBF IRF7103TRPBF Infineon Technologies infineon-irf7103-datasheet-en.pdf description Description: MOSFET 2N-CH 50V 3A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 4000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7103TRPBF IRF7103TRPBF Infineon Technologies infineon-irf7103-datasheet-en.pdf description Description: MOSFET 2N-CH 50V 3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
auf Bestellung 4237 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+1.69 EUR
17+1.06 EUR
100+0.7 EUR
500+0.54 EUR
1000+0.49 EUR
2000+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7103TRPBFXTMA1 IRF7103TRPBFXTMA1 Infineon Technologies irf7103pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f0f0141ac6 Description: MOSFET 2N-CH 50V 3A 8DSO-902
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8-902
auf Bestellung 3018 Stücke:
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11+1.69 EUR
17+1.06 EUR
100+0.7 EUR
500+0.54 EUR
1000+0.49 EUR
2000+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 11
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IRF7103TRPBFXTMA1 IRF7103TRPBFXTMA1 Infineon Technologies irf7103pbf-1.pdf MOSFETs PLANAR 40<-<100V
auf Bestellung 4523 Stücke:
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2+1.65 EUR
10+1.04 EUR
100+0.69 EUR
500+0.54 EUR
1000+0.48 EUR
2000+0.44 EUR
4000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UMWIRF7103TR UMWIRF7103TR UMW 7ccc804b64b09e0c7af0b55407a6d3c7.pdf Description: MOSFET 2N-CH 50V 3A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
auf Bestellung 2744 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
12+1.57 EUR
18+0.98 EUR
100+0.64 EUR
500+0.5 EUR
1000+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Транзистор IRF7103TR IR Транз. Пол. ММ 2N-HEXFET logik SO8 Udss=50V; Id=3A; Pdmax=2W; Rds=0,13 Ohm
auf Bestellung 272 Stücke:
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1+2.17 EUR
10+1.89 EUR
100+1.72 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7103 IOR description 09+ SO-8
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7103 IR description 09+ TO-220
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7103 IR description
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7103 IR description SO-8
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7103 IOR description
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7103 IR description 05+ SOP-8;
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7103 IOR description 09+
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7103 IR description 09+
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IRF7103/IR IR 08+;
auf Bestellung 1000 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7103PBF                     IR
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IRF7103QTRPBF International Rectifier/Infineon IRF7103QPBF-Datasheet.pdf description 2N-канальний ПТ; Udss, В = 50; Id = 3 А; Ptot, Вт = 2,4; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 255 @ 25; Qg, нКл = 15 @ 10 В; Rds = 130 мОм @ 3 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+175; Ugs(th) = 3 В @ 250 мкА; SOICN-8
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MGF7103-21
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRF7103QTR
Produktcode: 208998
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auirf7103q.pdf?fileId=5546d462533600a4015355acf87713cc Transistoren > MOSFET N-CH
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IRF7103Q
Produktcode: 163741
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infineon-irf7103-datasheet-en.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
3UF71031AA000 Siemens DatasheetDownload?downloadUrl=teddatasheet%2F%3Fformat%3DPDF%26caller%3DMall%26mlfbs%3D3UF71031AA000%26language%3Den Description: SIMOCODE PRO CUR MEAS. MODULE,20
Packaging: Box
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
3UF71031AA000 3UF71031AA000 Siemens 3UF71031AA000_datasheet_en.pdf Power Management Modules SIMOCODE PRO CUR MEAS. MODULE,20-200A
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
3UF71031BA000 Siemens DatasheetDownload?downloadUrl=teddatasheet%2F%3Fformat%3DPDF%26caller%3DMall%26mlfbs%3D3UF71031BA000%26language%3Den Description: SIMOCODE PRO CUR MEAS.MOD,20-200
Packaging: Box
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
3UF71031BA000 3UF71031BA000 Siemens 3UF71031BA000_datasheet_en.pdf Power Management Modules SIMOCODE PRO CUR MEAS.MOD,20-200A,BUSBAR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRF7103Q AUIRF7103Q Infineon Technologies auirf7103q.pdf?fileId=5546d462533600a4015355acf87713cc Description: MOSFET 2N-CH 50V 3A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 255pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRF7103QTR AUIRF7103QTR INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F732C397812F1A303005056AB0C4F&compId=irf7103qpbf.pdf?ci_sign=6f2d86b4e3f859b06ae14d68aec215fa828791c2 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 50V; 3A; 2.4W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 3A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 2.4W
Gate-source voltage: ±20V
Technology: HEXFET®
Gate charge: 10nC
On-state resistance: 0.2Ω
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AUIRF7103QTR AUIRF7103QTR Infineon Technologies auirf7103q.pdf?fileId=5546d462533600a4015355acf87713cc Description: MOSFET 2N-CH 50V 3A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 255pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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IF7103 IFM ELECTRONIC pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDFA9CBA9EFBEF900D6&compId=IF7103-01_EN-GB.pdf?ci_sign=7e80a94d3444505453ebb8b9dc65d4fc6530e3bd Category: DC Cylindrical Inductive Sensors
Description: Sensor: inductive
Type of sensor: inductive
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IF7103 IFM ELECTRONIC pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDFA9CBA9EFBEF900D6&compId=IF7103-01_EN-GB.pdf?ci_sign=7e80a94d3444505453ebb8b9dc65d4fc6530e3bd Category: DC Cylindrical Inductive Sensors
Description: Sensor: inductive
Type of sensor: inductive
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7103PBF IRF7103PBF Infineon Technologies infineon-irf7103-datasheet-en.pdf Description: MOSFET 2N-CH 50V 3A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Discontinued at Digi-Key
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7103Q IRF7103Q Infineon Technologies infineon-irf7103-datasheet-en.pdf Description: MOSFET 2N-CH 50V 3A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 255pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7103TRPBF IRF7103TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F730DD100BCF1A303005056AB0C4F&compId=irf7103pbf.pdf?ci_sign=2b12eb75b5f6dce55c65084304d884f8b12d91e4 description Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 50V; 3A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 3A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 2W
Technology: HEXFET®
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IRF7103TRPBFXTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES irf7103pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f0f0141ac6 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 3A; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 3A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7103TRPBFXTMA1 IRF7103TRPBFXTMA1 Infineon Technologies irf7103pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f0f0141ac6 Description: MOSFET 2N-CH 50V 3A 8DSO-902
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: PG-DSO-8-902
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UMWIRF7103TR UMWIRF7103TR UMW 7ccc804b64b09e0c7af0b55407a6d3c7.pdf Description: MOSFET 2N-CH 50V 3A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRF7103QTR AUIRF7103QTR INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F732C397812F1A303005056AB0C4F&compId=irf7103qpbf.pdf?ci_sign=6f2d86b4e3f859b06ae14d68aec215fa828791c2 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 50V; 3A; 2.4W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 3A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 2.4W
Gate-source voltage: ±20V
Technology: HEXFET®
Gate charge: 10nC
On-state resistance: 0.2Ω
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
59022-3-U-02-E 59022-3-U-02-E Littelfuse Inc. 59022-reed-sensor-datasheet?assetguid=ca7a57bc-5951-44e8-8b8b-fea304c8a16b Description: SENSOR REED SW SPDT WIRE LEADS
Packaging: Box
Package / Case: Barrel (Plastic Housed), Wire Leads
Output Type: SPDT
Type: Reed Switch
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Termination Style: Wire Leads with Connector
Must Operate: 6.50mm
Actuator Material: Magnet
Part Status: Obsolete
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7103TRPBF
Produktcode: 19112
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description infineon-irf7103-datasheet-en.pdf
IRF7103TRPBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 50
Idd,A: 3
Rds(on), Ohm: 0.13
Ciss, pF/Qg, nC: 01.12.290
Bem.: 2N
JHGF: SMD
auf Bestellung 265 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+0.3 EUR
10+0.28 EUR
100+0.25 EUR
1000+0.24 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
F7103
Hersteller: IOR
01+ SOP
auf Bestellung 368 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
F7103Q
Hersteller: IOR
09+ SOP8
auf Bestellung 1037 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
F7103Q
Hersteller: IOR
01+ SOP
auf Bestellung 2188 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRF7103QTR auirf7103q.pdf?fileId=5546d462533600a4015355acf87713cc
AUIRF7103QTR
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 50V 3A 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 255pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 57728 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
325+1.39 EUR
Mindestbestellmenge: 325
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7103TR 7ccc804b64b09e0c7af0b55407a6d3c7.pdf
Hersteller: Infineon
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 50V; 20V; 200mOhm; 3A; 2W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF7103TR; IRF7103; IRF7103TR; IRF7103-GURT; IRF7103 SMD; IRF7103TR TIRF7103
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 10438 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
100+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 100
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7103TR 7ccc804b64b09e0c7af0b55407a6d3c7.pdf
Hersteller: JSMicro Semiconductor
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 60V; 20V; 55mOhm; 6,3A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7103; IRF7103TR; SP001563458; SP001562004; IRF7103TR JSMICRO TIRF7103 JSM
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
100+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 100
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7103TR 7ccc804b64b09e0c7af0b55407a6d3c7.pdf
Hersteller: Infineon
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 50V; 20V; 200mOhm; 3A; 2W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF7103TR; IRF7103; IRF7103TR; IRF7103-GURT; IRF7103 SMD; IRF7103TR TIRF7103
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
100+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 100
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7103TR 7ccc804b64b09e0c7af0b55407a6d3c7.pdf
Hersteller: UMW
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 50V; 20V; 40mOhm; 3A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7103; IRF7103TR; SP001563458; SP001562004; IRF7103TR UMW TIRF7103 UMW
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
100+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 100
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7103TR 7ccc804b64b09e0c7af0b55407a6d3c7.pdf
Hersteller: International Rectifier
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 50V; 20V; 200mOhm; 3A; 2W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF7103TR; IRF7103; IRF7103TR; IRF7103-GURT; IRF7103 SMD; IRF7103TR TIRF7103
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
100+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 100
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7103TRPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F730DD100BCF1A303005056AB0C4F&compId=irf7103pbf.pdf?ci_sign=2b12eb75b5f6dce55c65084304d884f8b12d91e4
IRF7103TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 50V; 3A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 3A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 2W
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7103TRPBF description infineon-irf7103-datasheet-en.pdf
IRF7103TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 50V 3A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 4000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7103TRPBF description infineon-irf7103-datasheet-en.pdf
IRF7103TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 50V 3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
auf Bestellung 4237 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
11+1.69 EUR
17+1.06 EUR
100+0.7 EUR
500+0.54 EUR
1000+0.49 EUR
2000+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7103TRPBFXTMA1 irf7103pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f0f0141ac6
IRF7103TRPBFXTMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 50V 3A 8DSO-902
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8-902
auf Bestellung 3018 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
11+1.69 EUR
17+1.06 EUR
100+0.7 EUR
500+0.54 EUR
1000+0.49 EUR
2000+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7103TRPBFXTMA1 irf7103pbf-1.pdf
IRF7103TRPBFXTMA1
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs PLANAR 40<-<100V
auf Bestellung 4523 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+1.65 EUR
10+1.04 EUR
100+0.69 EUR
500+0.54 EUR
1000+0.48 EUR
2000+0.44 EUR
4000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UMWIRF7103TR 7ccc804b64b09e0c7af0b55407a6d3c7.pdf
UMWIRF7103TR
Hersteller: UMW
Description: MOSFET 2N-CH 50V 3A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
auf Bestellung 2744 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
12+1.57 EUR
18+0.98 EUR
100+0.64 EUR
500+0.5 EUR
1000+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Транзистор IRF7103TR
Hersteller: IR
Транз. Пол. ММ 2N-HEXFET logik SO8 Udss=50V; Id=3A; Pdmax=2W; Rds=0,13 Ohm
auf Bestellung 272 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1+2.17 EUR
10+1.89 EUR
100+1.72 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7103 description
Hersteller: IOR
09+ SO-8
auf Bestellung 123948 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7103 description
Hersteller: IR
09+ TO-220
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7103 description
Hersteller: IR
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7103 description
Hersteller: IR
SO-8
auf Bestellung 42000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7103 description
Hersteller: IOR
auf Bestellung 123828 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7103 description
Hersteller: IR
05+ SOP-8;
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7103 description
Hersteller: IOR
09+
auf Bestellung 1468 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7103 description
Hersteller: IR
09+
auf Bestellung 733 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7103/IR
Hersteller: IR
08+;
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7103PBF                    
Hersteller: IR
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7103QTRPBF description IRF7103QPBF-Datasheet.pdf
Hersteller: International Rectifier/Infineon
2N-канальний ПТ; Udss, В = 50; Id = 3 А; Ptot, Вт = 2,4; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 255 @ 25; Qg, нКл = 15 @ 10 В; Rds = 130 мОм @ 3 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+175; Ugs(th) = 3 В @ 250 мкА; SOICN-8
auf Bestellung 73 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MGF7103-21
auf Bestellung 5170 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRF7103QTR
Produktcode: 208998
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auirf7103q.pdf?fileId=5546d462533600a4015355acf87713cc
Transistoren > MOSFET N-CH
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7103Q
Produktcode: 163741
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infineon-irf7103-datasheet-en.pdf
Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
3UF71031AA000 DatasheetDownload?downloadUrl=teddatasheet%2F%3Fformat%3DPDF%26caller%3DMall%26mlfbs%3D3UF71031AA000%26language%3Den
Hersteller: Siemens
Description: SIMOCODE PRO CUR MEAS. MODULE,20
Packaging: Box
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
3UF71031AA000 3UF71031AA000_datasheet_en.pdf
3UF71031AA000
Hersteller: Siemens
Power Management Modules SIMOCODE PRO CUR MEAS. MODULE,20-200A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
3UF71031BA000 DatasheetDownload?downloadUrl=teddatasheet%2F%3Fformat%3DPDF%26caller%3DMall%26mlfbs%3D3UF71031BA000%26language%3Den
Hersteller: Siemens
Description: SIMOCODE PRO CUR MEAS.MOD,20-200
Packaging: Box
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
3UF71031BA000 3UF71031BA000_datasheet_en.pdf
3UF71031BA000
Hersteller: Siemens
Power Management Modules SIMOCODE PRO CUR MEAS.MOD,20-200A,BUSBAR
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AUIRF7103Q auirf7103q.pdf?fileId=5546d462533600a4015355acf87713cc
AUIRF7103Q
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 50V 3A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 255pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRF7103QTR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F732C397812F1A303005056AB0C4F&compId=irf7103qpbf.pdf?ci_sign=6f2d86b4e3f859b06ae14d68aec215fa828791c2
AUIRF7103QTR
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 50V; 3A; 2.4W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 3A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 2.4W
Gate-source voltage: ±20V
Technology: HEXFET®
Gate charge: 10nC
On-state resistance: 0.2Ω
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRF7103QTR auirf7103q.pdf?fileId=5546d462533600a4015355acf87713cc
AUIRF7103QTR
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 50V 3A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 255pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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IF7103 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDFA9CBA9EFBEF900D6&compId=IF7103-01_EN-GB.pdf?ci_sign=7e80a94d3444505453ebb8b9dc65d4fc6530e3bd
Hersteller: IFM ELECTRONIC
Category: DC Cylindrical Inductive Sensors
Description: Sensor: inductive
Type of sensor: inductive
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IF7103 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDFA9CBA9EFBEF900D6&compId=IF7103-01_EN-GB.pdf?ci_sign=7e80a94d3444505453ebb8b9dc65d4fc6530e3bd
Hersteller: IFM ELECTRONIC
Category: DC Cylindrical Inductive Sensors
Description: Sensor: inductive
Type of sensor: inductive
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IRF7103PBF infineon-irf7103-datasheet-en.pdf
IRF7103PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 50V 3A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Discontinued at Digi-Key
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7103Q infineon-irf7103-datasheet-en.pdf
IRF7103Q
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 50V 3A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 255pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7103TRPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F730DD100BCF1A303005056AB0C4F&compId=irf7103pbf.pdf?ci_sign=2b12eb75b5f6dce55c65084304d884f8b12d91e4
IRF7103TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 50V; 3A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 3A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 2W
Technology: HEXFET®
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IRF7103TRPBFXTMA1 irf7103pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f0f0141ac6
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 3A; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 3A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7103TRPBFXTMA1 irf7103pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f0f0141ac6
IRF7103TRPBFXTMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 50V 3A 8DSO-902
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: PG-DSO-8-902
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UMWIRF7103TR 7ccc804b64b09e0c7af0b55407a6d3c7.pdf
UMWIRF7103TR
Hersteller: UMW
Description: MOSFET 2N-CH 50V 3A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRF7103QTR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F732C397812F1A303005056AB0C4F&compId=irf7103qpbf.pdf?ci_sign=6f2d86b4e3f859b06ae14d68aec215fa828791c2
AUIRF7103QTR
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 50V; 3A; 2.4W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 3A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 2.4W
Gate-source voltage: ±20V
Technology: HEXFET®
Gate charge: 10nC
On-state resistance: 0.2Ω
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
59022-3-U-02-E 59022-reed-sensor-datasheet?assetguid=ca7a57bc-5951-44e8-8b8b-fea304c8a16b
59022-3-U-02-E
Hersteller: Littelfuse Inc.
Description: SENSOR REED SW SPDT WIRE LEADS
Packaging: Box
Package / Case: Barrel (Plastic Housed), Wire Leads
Output Type: SPDT
Type: Reed Switch
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Termination Style: Wire Leads with Connector
Must Operate: 6.50mm
Actuator Material: Magnet
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
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