Suchergebnisse für "FF300R12KS4" : 12

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FF300R12KS4 FF300R12KS4 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA9345B52A7BD1CC&compId=FF300R12KS4-dte.pdf?ci_sign=915a25c84faf5048f01515fc4bae1ba7d52cac62 Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 300A
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT half-bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 300A
Case: AG-62MM-1
Electrical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 600A
Power dissipation: 1.95kW
Mechanical mounting: screw
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+281.85 EUR
3+252.04 EUR
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FF300R12KS4 FF300R12KS4 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA9345B52A7BD1CC&compId=FF300R12KS4-dte.pdf?ci_sign=915a25c84faf5048f01515fc4bae1ba7d52cac62 Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 300A
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT half-bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 300A
Case: AG-62MM-1
Electrical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 600A
Power dissipation: 1.95kW
Mechanical mounting: screw
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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FF300R12KS4 FF300R12KS4 Infineon Technologies Infineon-FF300R12KS4-DS-v03_02-en_cn.pdf IGBT Modules ELECTRONIC COMPONENT
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FF300R12KS4HOSA1 FF300R12KS4HOSA1 Infineon Technologies infineonff300r12ks4dsenjp.pdf Trans IGBT Module N-CH 1200V 370A 1950W 7-Pin 62MM-1 Tray
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+226.83 EUR
5+196.44 EUR
10+177.07 EUR
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FF300R12KS4HOSA1 FF300R12KS4HOSA1 INFINEON INFNS28376-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - FF300R12KS4HOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 370 A, 3.2 V, 1.95 kW, 125 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 2 Fast
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 3.2V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.95kW
Bauform - Transistor: Modul
Dauerkollektorstrom: 370A
Produktpalette: 62mm C
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 36 Stücke:
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FF300R12KS4HOSA1 FF300R12KS4HOSA1 Infineon Technologies infineonff300r12ks4dsenjp.pdf Trans IGBT Module N-CH 1200V 370A 1950W 7-Pin 62MM-1 Tray
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Mindestbestellmenge: 3
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FF300R12KS4, EUPEC IGBT 300A1200V2U
auf Bestellung 36 Stücke:
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FF300R12KS4
Produktcode: 46572
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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
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FF300R12KS4HOSA1 FF300R12KS4HOSA1 Infineon Technologies infineonff300r12ks4dsenjp.pdf Trans IGBT Module N-CH 1200V 370A 1950W 7-Pin 62MM-1 Tray
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FF300R12KS4PHOSA1 FF300R12KS4PHOSA1 Infineon Technologies infineonff300r12ks4pdsv0200en.pdf Trans IGBT Module N-CH 1200V 300A 7-Pin Tray
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FF300R12KS4PHOSA1 FF300R12KS4PHOSA1 Infineon Technologies Infineon-FF300R12KS4P-DS-v02_00-CN.pdf IGBT Modules 1200 V, 300 A dual IGBT module
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FF300R12KS4 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA9345B52A7BD1CC&compId=FF300R12KS4-dte.pdf?ci_sign=915a25c84faf5048f01515fc4bae1ba7d52cac62
FF300R12KS4
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 300A
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT half-bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 300A
Case: AG-62MM-1
Electrical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 600A
Power dissipation: 1.95kW
Mechanical mounting: screw
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FF300R12KS4
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 300A
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT half-bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 300A
Case: AG-62MM-1
Electrical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 600A
Power dissipation: 1.95kW
Mechanical mounting: screw
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FF300R12KS4
Hersteller: Infineon Technologies
IGBT Modules ELECTRONIC COMPONENT
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FF300R12KS4HOSA1 infineonff300r12ks4dsenjp.pdf
FF300R12KS4HOSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans IGBT Module N-CH 1200V 370A 1950W 7-Pin 62MM-1 Tray
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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FF300R12KS4HOSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - FF300R12KS4HOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 370 A, 3.2 V, 1.95 kW, 125 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 2 Fast
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 3.2V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.95kW
Bauform - Transistor: Modul
Dauerkollektorstrom: 370A
Produktpalette: 62mm C
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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FF300R12KS4HOSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans IGBT Module N-CH 1200V 370A 1950W 7-Pin 62MM-1 Tray
auf Bestellung 8 Stücke:
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FF300R12KS4,
Hersteller: EUPEC IGBT
300A1200V2U
auf Bestellung 36 Stücke:
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FF300R12KS4HOSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans IGBT Module N-CH 1200V 370A 1950W 7-Pin 62MM-1 Tray
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FF300R12KS4PHOSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans IGBT Module N-CH 1200V 300A 7-Pin Tray
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FF300R12KS4PHOSA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBT Modules 1200 V, 300 A dual IGBT module
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