Suchergebnisse für "FGH40N60SMD" : 23
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||
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FGH40N60SMD Produktcode: 63296
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Lieblingsprodukt
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FAIR/ON |
Transistoren > Transistoren IGBT, LeistungsmoduleGehäuse: TO-247 Kollektor-Emitter-Spannung Vces, V: 600 V Sättigungsspannung Vce, V: 2,1 V Kollektorstrom Ic bei 25°C, A: 80 A Kollektorstrom Ic bei 100°C, A: 40 A Verlustleistung Pd bei 25°C, W: 349 W Ein-/Ausschaltzeit td(on)/td(off) bei 100-150°C, ns: 12/92 |
auf Bestellung: 53 St.
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FGH40N60SMD | ONSEMI |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 174W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 40A Power dissipation: 174W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 120A Mounting: THT Gate charge: 180nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode |
auf Bestellung 333 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FGH40N60SMD | ON-Semiconductor |
IGBT 600V 80A 349W FGH40N60SMD TFGH40N60smdAnzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 80 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FGH40N60SMD | onsemi |
IGBTs 600V, 40A Field Stop IGBT |
auf Bestellung 5384 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FGH40N60SMD | onsemi |
Description: IGBT FIELD STOP 600V 80A TO247Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 36 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 40A Supplier Device Package: TO-247-3 IGBT Type: Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 12ns/92ns Switching Energy: 870µJ (on), 260µJ (off) Test Condition: 400V, 40A, 6Ohm, 15V Gate Charge: 119 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 349 W |
auf Bestellung 880 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FGH40N60SMD | ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 349W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 62037 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FGH40N60SMD | ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 349W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 450 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FGH40N60SMD | ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 349W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 62037 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FGH40N60SMD | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FGH40N60SMD - IGBT, 80 A, 1.9 V, 349 W, 600 V, TO-247AB, 3 Pin(s)tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.9V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 349W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-247AB Dauerkollektorstrom: 80A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 175°C |
auf Bestellung 590 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FGH40N60SMD-F085 | onsemi |
IGBTs 600V/40A FS Planar IGBT Gen 2 |
auf Bestellung 329 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FGH40N60SMD-F085 | onsemi |
Description: IGBT FIELD STOP 600V 80A TO247Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 47 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 40A Supplier Device Package: TO-247-3 IGBT Type: Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 18ns/110ns Switching Energy: 920µJ (on), 300µJ (off) Test Condition: 400V, 40A, 6Ohm, 15V Gate Charge: 180 nC Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 349 W Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 394 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FGH40N60SMD-F085 | ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 349W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101 |
auf Bestellung 210 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FGH40N60SMD-F085 | ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 349W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101 |
auf Bestellung 393 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FGH40N60SMDF | ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 349W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 220 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FGH40N60SMDF | ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 349W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 300 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FGH40N60SMDF | ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 349W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 300 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| Транзистор IGBT FGH40N60SMD 40A 600V TO-247 |
auf Bestellung 13 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||
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FGH40N60SMD | ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 349W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 450 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| FGH40N60SMD-F085 | ONSEMI |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 174W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 40A Power dissipation: 174W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 120A Mounting: THT Gate charge: 119nC Kind of package: tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||
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FGH40N60SMDF-F085 | onsemi |
Description: IGBT FIELD STOP 600V 80A TO247Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 90 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 40A Supplier Device Package: TO-247-3 IGBT Type: Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 18ns/110ns Switching Energy: 1.3mJ (on), 260µJ (off) Test Condition: 400V, 40A, 6Ohm, 15V Gate Charge: 122 nC Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 349 W Qualification: AEC-Q101 |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| FGH40N60SMD | ONS/FAI |
IGBT 600V 80A 349W TO-247 Транзистори |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||
| FGH40N60SMDF | Fairchild/ON Semiconductor |
Транзистор IGBT, Uceb, В = 600, Ic = 80 А, tз, мс = 0,012, Uce(on), В = 2,5, Р, Вт = 349, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = Вивідний, Uge(th), В = 15, td(off), нс = 92,... Транзистори Корпус: TO-247-3 Од. вим: штAnzahl je Verpackung: 450 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||
| FGH40N60SMDF | ONS/FAI |
IGBT 600V 80A 349W TO-247 Транзистори |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| FGH40N60SMD Produktcode: 63296
2
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Lieblingsprodukt
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Hersteller: FAIR/ON
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung Vces, V: 600 V
Sättigungsspannung Vce, V: 2,1 V
Kollektorstrom Ic bei 25°C, A: 80 A
Kollektorstrom Ic bei 100°C, A: 40 A
Verlustleistung Pd bei 25°C, W: 349 W
Ein-/Ausschaltzeit td(on)/td(off) bei 100-150°C, ns: 12/92
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung Vces, V: 600 V
Sättigungsspannung Vce, V: 2,1 V
Kollektorstrom Ic bei 25°C, A: 80 A
Kollektorstrom Ic bei 100°C, A: 40 A
Verlustleistung Pd bei 25°C, W: 349 W
Ein-/Ausschaltzeit td(on)/td(off) bei 100-150°C, ns: 12/92
auf Bestellung: 53 St.
- 53 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 7.44 EUR |
| 10+ | 6.85 EUR |
| FGH40N60SMD |
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Hersteller: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 174W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 174W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 174W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 174W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
auf Bestellung 333 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 14+ | 6.5 EUR |
| 16+ | 5.53 EUR |
| 19+ | 4.66 EUR |
| 30+ | 4.08 EUR |
| FGH40N60SMD |
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Hersteller: ON-Semiconductor
IGBT 600V 80A 349W FGH40N60SMD TFGH40N60smd
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
IGBT 600V 80A 349W FGH40N60SMD TFGH40N60smd
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 10+ | 8.91 EUR |
| FGH40N60SMD |
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Hersteller: onsemi
IGBTs 600V, 40A Field Stop IGBT
IGBTs 600V, 40A Field Stop IGBT
auf Bestellung 5384 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 11.22 EUR |
| 10+ | 6.39 EUR |
| 120+ | 5.32 EUR |
| FGH40N60SMD |
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Hersteller: onsemi
Description: IGBT FIELD STOP 600V 80A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 36 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/92ns
Switching Energy: 870µJ (on), 260µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 119 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 349 W
Description: IGBT FIELD STOP 600V 80A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 36 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/92ns
Switching Energy: 870µJ (on), 260µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 119 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 349 W
auf Bestellung 880 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 11.44 EUR |
| 30+ | 6.5 EUR |
| 120+ | 5.41 EUR |
| 510+ | 4.63 EUR |
| FGH40N60SMD |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 349W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 349W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 62037 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 30+ | 5.95 EUR |
| 39+ | 4.47 EUR |
| 120+ | 3.94 EUR |
| 510+ | 3.61 EUR |
| FGH40N60SMD |
![]() |
Hersteller: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 349W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 349W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 32+ | 5.5 EUR |
| 120+ | 4.99 EUR |
| 270+ | 4.62 EUR |
| FGH40N60SMD |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 349W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 349W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 62037 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 30+ | 5.93 EUR |
| 39+ | 4.37 EUR |
| 120+ | 3.78 EUR |
| 510+ | 3.4 EUR |
| FGH40N60SMD |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FGH40N60SMD - IGBT, 80 A, 1.9 V, 349 W, 600 V, TO-247AB, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.9V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 349W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247AB
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Description: ONSEMI - FGH40N60SMD - IGBT, 80 A, 1.9 V, 349 W, 600 V, TO-247AB, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.9V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 349W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247AB
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 590 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 22+ | 11.84 EUR |
| 37+ | 6.33 EUR |
| 100+ | 5.33 EUR |
| 500+ | 4.8 EUR |
| FGH40N60SMD-F085 |
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Hersteller: onsemi
IGBTs 600V/40A FS Planar IGBT Gen 2
IGBTs 600V/40A FS Planar IGBT Gen 2
auf Bestellung 329 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 13.97 EUR |
| 10+ | 8.08 EUR |
| FGH40N60SMD-F085 |
![]() |
Hersteller: onsemi
Description: IGBT FIELD STOP 600V 80A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 47 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/110ns
Switching Energy: 920µJ (on), 300µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 180 nC
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 349 W
Qualification: AEC-Q101
Description: IGBT FIELD STOP 600V 80A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 47 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/110ns
Switching Energy: 920µJ (on), 300µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 180 nC
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 349 W
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 394 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 14.22 EUR |
| 30+ | 8.23 EUR |
| 120+ | 7.44 EUR |
| FGH40N60SMD-F085 |
![]() |
Hersteller: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 349W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 349W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 210 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 21+ | 8.56 EUR |
| 28+ | 6.25 EUR |
| 100+ | 5.4 EUR |
| FGH40N60SMD-F085 |
![]() |
Hersteller: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 349W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 349W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 393 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 87+ | 7.6 EUR |
| 100+ | 7.13 EUR |
| FGH40N60SMDF |
![]() |
Hersteller: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 349W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 349W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 220 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 121+ | 5.45 EUR |
| FGH40N60SMDF |
![]() |
Hersteller: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 349W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 349W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 31+ | 5.8 EUR |
| 35+ | 5.02 EUR |
| 38+ | 4.58 EUR |
| 100+ | 4.26 EUR |
| FGH40N60SMDF |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 349W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 349W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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|---|---|
| 31+ | 5.8 EUR |
| 35+ | 4.9 EUR |
| 38+ | 4.41 EUR |
| 100+ | 4.03 EUR |
| Транзистор IGBT FGH40N60SMD 40A 600V TO-247 |
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| FGH40N60SMD |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 349W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 349W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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| FGH40N60SMD-F085 |
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Hersteller: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 174W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 174W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 119nC
Kind of package: tube
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 174W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 174W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 119nC
Kind of package: tube
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| FGH40N60SMDF-F085 |
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Hersteller: onsemi
Description: IGBT FIELD STOP 600V 80A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/110ns
Switching Energy: 1.3mJ (on), 260µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 122 nC
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 349 W
Qualification: AEC-Q101
Description: IGBT FIELD STOP 600V 80A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/110ns
Switching Energy: 1.3mJ (on), 260µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 122 nC
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 349 W
Qualification: AEC-Q101
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| FGH40N60SMD |
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Hersteller: ONS/FAI
IGBT 600V 80A 349W TO-247 Транзистори
IGBT 600V 80A 349W TO-247 Транзистори
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| FGH40N60SMDF |
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Hersteller: Fairchild/ON Semiconductor
Транзистор IGBT, Uceb, В = 600, Ic = 80 А, tз, мс = 0,012, Uce(on), В = 2,5, Р, Вт = 349, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = Вивідний, Uge(th), В = 15, td(off), нс = 92,... Транзистори Корпус: TO-247-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 450 Stücke
Транзистор IGBT, Uceb, В = 600, Ic = 80 А, tз, мс = 0,012, Uce(on), В = 2,5, Р, Вт = 349, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = Вивідний, Uge(th), В = 15, td(off), нс = 92,... Транзистори Корпус: TO-247-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 450 Stücke
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| FGH40N60SMDF |
![]() |
Hersteller: ONS/FAI
IGBT 600V 80A 349W TO-247 Транзистори
IGBT 600V 80A 349W TO-247 Транзистори
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