FGH40N60SMD FAIR/ON
Produktcode: 63296
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Lieblingsprodukt
Hersteller: FAIR/ON
Gehäuse: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung Vces, V: 600 V
Sättigungsspannung Vce, V: 2,1 V
Kollektorstrom Ic bei 25°C, A: 80 A
Kollektorstrom Ic bei 100°C, A: 40 A
Verlustleistung Pd bei 25°C, W: 349 W
Ein-/Ausschaltzeit td(on)/td(off) bei 100-150°C, ns: 12/92
Produktrezensionen
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Weitere Produktangebote FGH40N60SMD nach Preis ab 3.39 EUR bis 11.22 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||
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FGH40N60SMD | ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 349W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 62037 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FGH40N60SMD | ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 349W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 62037 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FGH40N60SMD | ONSEMI |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 174W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 40A Power dissipation: 174W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 120A Mounting: THT Gate charge: 180nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode |
auf Bestellung 426 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FGH40N60SMD | ON-Semiconductor |
IGBT 600V 80A 349W FGH40N60SMD TFGH40N60smdAnzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 80 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FGH40N60SMD | ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 349W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 450 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FGH40N60SMD | onsemi |
Description: IGBT FIELD STOP 600V 80A TO247Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 36 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 40A Supplier Device Package: TO-247-3 IGBT Type: Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 12ns/92ns Switching Energy: 870µJ (on), 260µJ (off) Test Condition: 400V, 40A, 6Ohm, 15V Gate Charge: 119 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 349 W |
auf Bestellung 882 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FGH40N60SMD | onsemi |
IGBTs 600V, 40A Field Stop IGBT |
auf Bestellung 5630 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FGH40N60SMD | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FGH40N60SMD - IGBT, 80 A, 1.9 V, 349 W, 600 V, TO-247AB, 3 Pin(s)tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.9V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 349W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-247AB Dauerkollektorstrom: 80A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 175°C |
auf Bestellung 610 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| FGH40N60SMD |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 349W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 349W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 62037 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 30+ | 5.91 EUR |
| 39+ | 4.45 EUR |
| 120+ | 3.92 EUR |
| 510+ | 3.58 EUR |
| FGH40N60SMD |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 349W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 349W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 62037 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 30+ | 5.91 EUR |
| 39+ | 4.36 EUR |
| 120+ | 3.77 EUR |
| 510+ | 3.39 EUR |
| FGH40N60SMD |
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Hersteller: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 174W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 174W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 174W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 174W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
auf Bestellung 426 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 14+ | 6.5 EUR |
| 16+ | 5.53 EUR |
| 19+ | 4.66 EUR |
| 30+ | 4.08 EUR |
| FGH40N60SMD |
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Hersteller: ON-Semiconductor
IGBT 600V 80A 349W FGH40N60SMD TFGH40N60smd
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
IGBT 600V 80A 349W FGH40N60SMD TFGH40N60smd
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 10+ | 9.09 EUR |
| FGH40N60SMD |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 349W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 349W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 30+ | 10.81 EUR |
| 120+ | 9.06 EUR |
| 270+ | 8.13 EUR |
| FGH40N60SMD |
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Hersteller: onsemi
Description: IGBT FIELD STOP 600V 80A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 36 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/92ns
Switching Energy: 870µJ (on), 260µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 119 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 349 W
Description: IGBT FIELD STOP 600V 80A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 36 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/92ns
Switching Energy: 870µJ (on), 260µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 119 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 349 W
auf Bestellung 882 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 11.19 EUR |
| 30+ | 6.35 EUR |
| 120+ | 5.3 EUR |
| 510+ | 4.52 EUR |
| FGH40N60SMD |
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Hersteller: onsemi
IGBTs 600V, 40A Field Stop IGBT
IGBTs 600V, 40A Field Stop IGBT
auf Bestellung 5630 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 11.22 EUR |
| 10+ | 6.39 EUR |
| 120+ | 5.45 EUR |
| FGH40N60SMD |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FGH40N60SMD - IGBT, 80 A, 1.9 V, 349 W, 600 V, TO-247AB, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.9V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 349W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247AB
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Description: ONSEMI - FGH40N60SMD - IGBT, 80 A, 1.9 V, 349 W, 600 V, TO-247AB, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.9V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 349W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247AB
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 610 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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| FGH60N60SMD Produktcode: 60291
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Hersteller: FAIR/ON
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung Vces, V: 600 V
Sättigungsspannung Vce, V: 1,9 V
Kollektorstrom Ic bei 25°C, A: 120 A
Kollektorstrom Ic bei 100°C, A: 60 A
Verlustleistung Pd bei 25°C, W: 300 W
Ein-/Ausschaltzeit td(on)/td(off) bei 100-150°C, ns: 18/115
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung Vces, V: 600 V
Sättigungsspannung Vce, V: 1,9 V
Kollektorstrom Ic bei 25°C, A: 120 A
Kollektorstrom Ic bei 100°C, A: 60 A
Verlustleistung Pd bei 25°C, W: 300 W
Ein-/Ausschaltzeit td(on)/td(off) bei 100-150°C, ns: 18/115
verfügbar: 98 St.
- 1 St. - stock Köln
- 97 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 3.57 EUR |
| FGH40N60SFD (FGH40N60SFDTU) Produktcode: 79400
1
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Lieblingsprodukt
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Hersteller: FAIR
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung Vces, V: 600 V
Sättigungsspannung Vce, V: 2,3 V
Kollektorstrom Ic bei 25°C, A: 80 A
Kollektorstrom Ic bei 100°C, A: 40 A
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung Vces, V: 600 V
Sättigungsspannung Vce, V: 2,3 V
Kollektorstrom Ic bei 25°C, A: 80 A
Kollektorstrom Ic bei 100°C, A: 40 A
auf Bestellung 288 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 2.93 EUR |
| 1 kOhm 1% 0,25W 200V 1206 (RC1206FR-1KR-Hitano) (SMD-Widerstand) Produktcode: 17832
1
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Lieblingsprodukt
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Hersteller: Hitano
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 1206
Nennwert: 1 kOhm
Toleranz: ±1% F
Nennleistung P, W: 0,25 W
Betriebsspannung U, V: 200 V
Bauform: 1206
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 1206
Nennwert: 1 kOhm
Toleranz: ±1% F
Nennleistung P, W: 0,25 W
Betriebsspannung U, V: 200 V
Bauform: 1206
auf Bestellung 2095 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 30000 St.:
30000 St. - erwartet| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 10+ | 0.5 EUR |
| 100+ | 0.043 EUR |
| 1000+ | 0.0033 EUR |
| BDX54C (Bipolartransistor PNP) Produktcode: 25170
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Lieblingsprodukt
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Hersteller: ST
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-220
Spannung Uce, V: 100 V
Spannung Ucb, V: 100 V
Strom Ic, A: 8 A
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-220
Spannung Uce, V: 100 V
Spannung Ucb, V: 100 V
Strom Ic, A: 8 A
auf Bestellung 109 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 0.48 EUR |
| 10+ | 0.44 EUR |
| PC817A Produktcode: 18418
10
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Lieblingsprodukt
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Hersteller: Sharp
IC > Optokoppler (Optrone)
Gehause: DIP-4
Typ: Transistor
Isolationsspannung U-isol, kV: 5 kV
Strom ein/aus I-ein/I-aus, mA: 50/50 mA
Ausgangsspannung U-ausg, V: 35 V
Ein-/Ausschaltzeit Ton/Toff, µs: 18/18 µs
Betriebstemperatur, °C: -30…+100°C
Kanalanzahl: 8542 39 90 00
IC > Optokoppler (Optrone)
Gehause: DIP-4
Typ: Transistor
Isolationsspannung U-isol, kV: 5 kV
Strom ein/aus I-ein/I-aus, mA: 50/50 mA
Ausgangsspannung U-ausg, V: 35 V
Ein-/Ausschaltzeit Ton/Toff, µs: 18/18 µs
Betriebstemperatur, °C: -30…+100°C
Kanalanzahl: 8542 39 90 00
auf Bestellung 10126 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 0.3 EUR |
| 10+ | 0.14 EUR |
| 100+ | 0.1 EUR |








