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FGH40N60SMD

FGH40N60SMD FAIR/ON

fgh40n60smd-d.pdf
Produktcode: 63296
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Hersteller: FAIR/ON
Gehäuse: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung Vces, V: 600 V
Sättigungsspannung Vce, V: 2,1 V
Kollektorstrom Ic bei 25°C, A: 80 A
Kollektorstrom Ic bei 100°C, A: 40 A
Verlustleistung Pd bei 25°C, W: 349 W
Ein-/Ausschaltzeit td(on)/td(off) bei 100-150°C, ns: 12/92
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
FGH40N60SMD FGH40N60SMD ON Semiconductor fgh40n60smdd.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 349W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 19704 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+5.84 EUR
39+4.39 EUR
120+3.87 EUR
510+3.56 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
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FGH40N60SMD FGH40N60SMD ON Semiconductor fgh40n60smdd.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 349W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 19704 Stücke:
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39+4.31 EUR
120+3.72 EUR
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FGH40N60SMD FGH40N60SMD ON Semiconductor fgh40n60smdd.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 349W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+7.14 EUR
120+5.7 EUR
270+5.52 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
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FGH40N60SMD FGH40N60SMD ON Semiconductor fgh40n60smdd.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 349W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 41387 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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33+5.03 EUR
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FGH40N60SMD FGH40N60SMD ON-Semiconductor info-tfgh40n60smd.pdf IGBT 600V 80A 349W   FGH40N60SMD TFGH40N60smd
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
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Lieferzeit 7-14 Tag (e)
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Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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FGH40N60SMD FGH40N60SMD onsemi fgh40n60smd-d.pdf IGBTs 600V, 40A Field Stop IGBT
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FGH40N60SMD FGH40N60SMD onsemi fgh40n60smd-d.pdf Description: IGBT FIELD STOP 600V 80A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 36 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/92ns
Switching Energy: 870µJ (on), 260µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 119 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 349 W
auf Bestellung 1125 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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FGH40N60SMD FGH40N60SMD ONSEMI 2304371.pdf Description: ONSEMI - FGH40N60SMD - IGBT, 80 A, 1.9 V, 349 W, 600 V, TO-247AB, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.9V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 349W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247AB
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 994 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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33+7.21 EUR
100+6.1 EUR
500+5.55 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
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FGH40N60SMD FGH40N60SMD ON Semiconductor fgh40n60smdd.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 349W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 226 Stücke:
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FGH40N60SMD FGH40N60SMD ONSEMI FGH40N60SMD.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 174W; TO247-3
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 600V
Power dissipation: 174W
Gate charge: 180nC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 120A
Type of transistor: IGBT
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
auf Bestellung 116 Stücke:
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FGH40N60SMD
Hersteller: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 349W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 19704 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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39+4.39 EUR
120+3.87 EUR
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FGH40N60SMD
Hersteller: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 349W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 19704 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 349W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
30+7.14 EUR
120+5.7 EUR
270+5.52 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 349W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 41387 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
21+8.59 EUR
33+5.03 EUR
120+4.08 EUR
510+3.5 EUR
1020+3.22 EUR
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FGH40N60SMD
Hersteller: ON-Semiconductor
IGBT 600V 80A 349W   FGH40N60SMD TFGH40N60smd
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 80 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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FGH40N60SMD
Hersteller: onsemi
IGBTs 600V, 40A Field Stop IGBT
auf Bestellung 5171 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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10+6.76 EUR
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FGH40N60SMD
Hersteller: onsemi
Description: IGBT FIELD STOP 600V 80A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 36 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/92ns
Switching Energy: 870µJ (on), 260µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 119 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 349 W
auf Bestellung 1125 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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FGH40N60SMD
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FGH40N60SMD - IGBT, 80 A, 1.9 V, 349 W, 600 V, TO-247AB, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.9V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 349W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247AB
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 994 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
19+13.67 EUR
33+7.21 EUR
100+6.1 EUR
500+5.55 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
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FGH40N60SMD
Hersteller: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 349W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 226 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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FGH40N60SMD
Hersteller: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 174W; TO247-3
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 600V
Power dissipation: 174W
Gate charge: 180nC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 120A
Type of transistor: IGBT
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
auf Bestellung 116 Stücke:
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FGH60N60SMD
Produktcode: 60291
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FGH60N60SMDcvd.pdf
FGH60N60SMD
Hersteller: FAIR/ON
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung Vces, V: 600 V
Sättigungsspannung Vce, V: 1,9 V
Kollektorstrom Ic bei 25°C, A: 120 A
Kollektorstrom Ic bei 100°C, A: 60 A
Verlustleistung Pd bei 25°C, W: 300 W
Ein-/Ausschaltzeit td(on)/td(off) bei 100-150°C, ns: 18/115
verfügbar: 1 St.
  • 1 St. - stock Köln
erwartet: 10 St.
  • 10 St. - erwartet
auf Bestellung: 47 St.
  • 47 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+7.25 EUR
10+6.74 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH40N60SFD (FGH40N60SFDTU)
Produktcode: 79400
1 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
fgh40n60sfd.pdf
FGH40N60SFD (FGH40N60SFDTU)
Hersteller: FAIR
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung Vces, V: 600 В
Sättigungsspannung Vce, V: 2,3 В
Kollektorstrom Ic bei 25°C, A: 80 А
Kollektorstrom Ic bei 100°C, A: 40 А
erwartet: 300 St.
  • 300 St. - erwartet
auf Bestellung: 106 St.
  • 106 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+6.46 EUR
10+5.95 EUR
100+5.45 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1 kOhm 1% 0,25W 200V 1206 (RC1206FR-1KR-Hitano) (Widerstand SMD)
Produktcode: 17832
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rc_series_20150401_1.pdf
1 kOhm 1% 0,25W 200V 1206 (RC1206FR-1KR-Hitano) (Widerstand SMD)
Hersteller: Hitano
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 1206
Nennwert: 1 kOhm
Toleranz: ±1% F
Nennleistung P, W: 0,25 W
Betriebsspannung U, V: 200 V
Bauform: 1206
Produkt ist nicht verfügbar
erwartet: 30000 St.
  • 30000 St. - erwartet 06.10.2026
AnzahlPrivatkunde
10+0.5 EUR
100+0.043 EUR
1000+0.011 EUR
10000+0.0086 EUR
Mindestbestellmenge: 10 St.
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BCP53-16,115 (SOT-223, Nexperia)
Produktcode: 25808
2 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
BCP51,52,53.pdf
BCP53-16,115 (SOT-223, Nexperia)
Hersteller: Nexperia
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: SOT-223
Grenzfrequenz fT, MHz: 114 MHz
Spannung Uce, V: 80 V
Spannung Ucb, V: 100 V
Strom Ic, A: 1 A
Stromverstärkung h21, max: 250
ZCODE: 8541 21 00 90
auf Bestellung: 560 St.
  • 560 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
6+0.2 EUR
10+0.15 EUR
100+0.14 EUR
1000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 6 St.
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-15ETH06PBF
Produktcode: 37108
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
VS-15ETH06PbF_FPPbF_VS-15ETH06-NE_FP-N3.pdf
Hersteller: Vishay
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Dioden superschnelle
Gehäuse: TO-220-2
Sperrspannung Vrr, V: 600 V
Mittlerer Strom Iav, A: 15 A
Sperrverzögerungszeit Trr, ns: 22 ns
Montage: THT
verfügbar: 12 St.
  • 12 St. - stock Köln
auf Bestellung: 190 St.
  • 190 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+1.49 EUR
10+1.36 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH