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FGH60N60SMD

FGH60N60SMD FAIR/ON

FGH60N60SMDcvd.pdf
Produktcode: 60291
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Hersteller: FAIR/ON
Gehäuse: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung Vces, V: 600 V
Sättigungsspannung Vce, V: 1,9 V
Kollektorstrom Ic bei 25°C, A: 120 A
Kollektorstrom Ic bei 100°C, A: 60 A
Verlustleistung Pd bei 25°C, W: 300 W
Ein-/Ausschaltzeit td(on)/td(off) bei 100-150°C, ns: 18/115
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
FGH60N60SMD FGH60N60SMD ON Semiconductor fgh60n60smd-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 120A 600W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 390 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+6.69 EUR
120+5.55 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
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FGH60N60SMD FGH60N60SMD ON Semiconductor fgh60n60smd-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 120A 600W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 390 Stücke:
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FGH60N60SMD FGH60N60SMD ON Semiconductor fgh60n60smd-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 120A 600W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 2190 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+8.9 EUR
60+8.73 EUR
120+7.1 EUR
270+6.89 EUR
510+5.82 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
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FGH60N60SMD FGH60N60SMD ONSEMI FGH60N60SMD.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 284nC
Kind of package: tube
Collector current: 60A
Pulsed collector current: 180A
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate-emitter voltage: ±20V
auf Bestellung 64 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+8.91 EUR
15+5.9 EUR
30+5.55 EUR
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FGH60N60SMD FGH60N60SMD ON Semiconductor fgh60n60smd-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 120A 600W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 1560 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
14+12.67 EUR
24+7.27 EUR
120+6.31 EUR
510+5.93 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
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FGH60N60SMD FGH60N60SMD ON Semiconductor fgh60n60smd-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 120A 600W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 1560 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
14+12.69 EUR
24+7.13 EUR
120+6.08 EUR
510+5.62 EUR
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FGH60N60SMD FGH60N60SMD onsemi fgh60n60smd-d.pdf IGBTs 600V/60A Field Stop IGBT ver. 2
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FGH60N60SMD FGH60N60SMD onsemi fgh60n60smd-d.pdf Description: IGBT FIELD STOP 600V 120A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 39 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/104ns
Switching Energy: 1.26mJ (on), 450µJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 189 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
Power - Max: 600 W
auf Bestellung 21762 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+14.2 EUR
30+8.21 EUR
120+6.9 EUR
510+6.01 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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FGH60N60SMD FGH60N60SMD ON-Semiconductor info-tfgh60n60smd.pdf IGBT 600V 120A 600   FGH60N60SMD TFGH60N60smd
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 13 Stücke:
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FGH60N60SMD FGH60N60SMD ONSEMI ONSM-S-A0013215115-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FGH60N60SMD - IGBT, Universal, 120 A, 1.9 V, 600 W, 600 V, TO-247AB, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.9V
MSL: -
Verlustleistung: 600W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247AB
Dauerkollektorstrom: 120A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 1163 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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FGH60N60SMD
Hersteller: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 600V 120A 600W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 600V 120A 600W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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FGH60N60SMD
Hersteller: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 600V 120A 600W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 2190 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
30+8.9 EUR
60+8.73 EUR
120+7.1 EUR
270+6.89 EUR
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Mindestbestellmenge: 30 Stücke
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FGH60N60SMD
Hersteller: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 284nC
Kind of package: tube
Collector current: 60A
Pulsed collector current: 180A
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate-emitter voltage: ±20V
auf Bestellung 64 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10+8.91 EUR
15+5.9 EUR
30+5.55 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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FGH60N60SMD
Hersteller: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 600V 120A 600W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 1560 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
14+12.67 EUR
24+7.27 EUR
120+6.31 EUR
510+5.93 EUR
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FGH60N60SMD
Hersteller: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 600V 120A 600W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 1560 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
14+12.69 EUR
24+7.13 EUR
120+6.08 EUR
510+5.62 EUR
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FGH60N60SMD
Hersteller: onsemi
IGBTs 600V/60A Field Stop IGBT ver. 2
auf Bestellung 7738 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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FGH60N60SMD
Hersteller: onsemi
Description: IGBT FIELD STOP 600V 120A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 39 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/104ns
Switching Energy: 1.26mJ (on), 450µJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 189 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
Power - Max: 600 W
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Hersteller: ON-Semiconductor
IGBT 600V 120A 600   FGH60N60SMD TFGH60N60smd
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
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FGH60N60SMD
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FGH60N60SMD - IGBT, Universal, 120 A, 1.9 V, 600 W, 600 V, TO-247AB, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.9V
MSL: -
Verlustleistung: 600W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247AB
Dauerkollektorstrom: 120A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 1163 Stücke:
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FGH40N60SMD
Produktcode: 63296
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fgh40n60smd-d.pdf
FGH40N60SMD
Hersteller: FAIR/ON
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung Vces, V: 600 V
Sättigungsspannung Vce, V: 2,1 V
Kollektorstrom Ic bei 25°C, A: 80 A
Kollektorstrom Ic bei 100°C, A: 40 A
Verlustleistung Pd bei 25°C, W: 349 W
Ein-/Ausschaltzeit td(on)/td(off) bei 100-150°C, ns: 12/92
auf Bestellung 53 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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IR2110STRPBF
Produktcode: 45805
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description ir2110-56172.pdf
IR2110STRPBF
Hersteller: IR
IC > IC Transistoren-Treiber
Gehäuse: SOIC-16
Versorgungsspannung Uc, V: 600 V
Ausgangsstrom Io ±, A: 2/2 A
Ausgangsspannung Vout, V: 10-20 V
Ein-/Ausschaltzeit Ton/Toff, ns: 120/94 ns
Betriebstemperatur, °C: -40…+125 °C
Konfiguration: Halbbrücke
auf Bestellung 179 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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Щупи для тестера з голками (пара) 20A
Produktcode: 187368
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Щупи для тестера з голками (пара) 20A
Werkzeuge und Geräte > Werkzeug und Vorrichtungen: Zubehör
Typ: Щупи під мультиметр
Beschreibung: Messspitze für SMD-Bauteile. Nennstrom 20A. Buchsengröße "Banane" 4mm. Spannung 1000V CAT.III. Isolator aus Silikon. Kabellänge 90cm.
auf Bestellung 13 Paar:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 501 Paar:
500 Paar - erwartet 07.08.2026
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1000uF 25V EXR 13x21mm (low imp.) (EXR102M25B-Hitano) (Elektrolytkondensator, niedrige Impedanz)
Produktcode: 2456
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EXR_080421.pdf
1000uF 25V EXR 13x21mm (low imp.) (EXR102M25B-Hitano) (Elektrolytkondensator, niedrige Impedanz)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 1000 µF
Nennspannung: 25 V
Reihe: EXR
Typ: niedrige Impedanz
Temperaturbereich: -40...+105°C
Abmessungen: 13x21 mm
Lebensdauer: 5000 Stunden
Zolltarifnummer: 8532 22 00 00
auf Bestellung 3776 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+0.31 EUR
10+0.26 EUR
100+0.21 EUR
1000+0.19 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PC817A
Produktcode: 18418
10 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
pc817a.pdf
PC817A
Hersteller: Sharp
IC > Optokoppler (Optrone)
Gehause: DIP-4
Typ: Transistor
Isolationsspannung U-isol, kV: 5 kV
Strom ein/aus I-ein/I-aus, mA: 50/50 mA
Ausgangsspannung U-ausg, V: 35 V
Ein-/Ausschaltzeit Ton/Toff, µs: 18/18 µs
Betriebstemperatur, °C: -30…+100°C
Kanalanzahl: 8542 39 90 00
auf Bestellung 10122 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+0.3 EUR
10+0.14 EUR
100+0.1 EUR
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