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FGH60N60SMD

FGH60N60SMD FAIR

FGH60N60SMDcvd.pdf
Produktcode: 60291
Hersteller: FAIR
Gehäuse: TO-247
Vces: 600
Vce: 1,9
Ic 25: 120
Ic 100: 60
Pd 25: 300
td(on)/td(off) 100-150 Grad: 18/115
verfügbar 4 Stück:
1 Stück - stock Köln
3 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
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FGH60N60SMD FGH60N60SMD Hersteller : ON Semiconductor fgh60n60smd-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 120A 600W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 390 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
30+5.56 EUR
120+4.65 EUR
Mindestbestellmenge: 30
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FGH60N60SMD FGH60N60SMD Hersteller : ON Semiconductor fgh60n60smd-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 120A 600W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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FGH60N60SMD FGH60N60SMD Hersteller : ONSEMI FGH60N60SMD.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 60A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 180A
Mounting: THT
Gate charge: 284nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 171 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+7.49 EUR
16+4.66 EUR
Mindestbestellmenge: 10
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FGH60N60SMD FGH60N60SMD Hersteller : ONSEMI FGH60N60SMD.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 60A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 180A
Mounting: THT
Gate charge: 284nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
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FGH60N60SMD FGH60N60SMD Hersteller : onsemi fgh60n60smd-d.pdf Description: IGBT FIELD STOP 600V 120A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 39 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/104ns
Switching Energy: 1.26mJ (on), 450µJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 189 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
Power - Max: 600 W
auf Bestellung 1897 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+10.86 EUR
30+6.25 EUR
120+5.24 EUR
510+4.5 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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FGH60N60SMD FGH60N60SMD Hersteller : onsemi fgh60n60smd-d.pdf IGBTs 600V/60A Field Stop IGBT ver. 2
auf Bestellung 8376 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+10.91 EUR
10+6.28 EUR
120+5.24 EUR
510+5.17 EUR
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FGH60N60SMD FGH60N60SMD Hersteller : ON Semiconductor fgh60n60smd-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 120A 600000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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FGH60N60SMD FGH60N60SMD Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0013215115-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FGH60N60SMD - IGBT, Universal, 120 A, 1.9 V, 600 W, 600 V, TO-247AB, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.9V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 600W
Bauform - Transistor: TO-247AB
Dauerkollektorstrom: 120A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 561 Stücke:
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FGH60N60SMD Hersteller : ON-Semiconductor fgh60n60smd-d.pdf IGBT 600V 120A 600   FGH60N60SMD TFGH60N60smd
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
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FGH40N60SMD
Produktcode: 63296
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fgh40n60smd-d.pdf
FGH40N60SMD
Hersteller: FAIR
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-247
Vces: 600
Vce: 2,1
Ic 25: 80
Ic 100: 40
Pd 25: 349
td(on)/td(off) 100-150 Grad: 01.12.1992
auf Bestellung 69 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IR2110STRPBF
Produktcode: 45805
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description ir2110-56172.pdf
IR2110STRPBF
Hersteller: IR
IC > IC Transistoren-Treiber
Gehäuse: SOIC-16
Uc, V: 600
I o +/-, A: 2/2
V out, V: 10-20
T on/T off, ns: 120/94
Роб.темп.,°С: -40…+125°C
auf Bestellung 15 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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1000uF 25V EXR 13x21mm (EXR102M25B-Hitano)
Produktcode: 2456
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EXR_080421.pdf
1000uF 25V EXR 13x21mm (EXR102M25B-Hitano)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 1000uF
Nennspannung: 25V
Reihe: EXR-niedrige Impedanz
Temp.Bereich: -40...+105°C
Abmessungen: 13x21mm
Lebensdauer: 5000 Stunden
№ 8: 5000 годин
8532 22 00 00
Produkt ist nicht verfügbar
erwartet: 4000 Stück
4000 Stück - erwartet 05.06.2026
Anzahl Preis
1+0.26 EUR
10+0.22 EUR
100+0.18 EUR
1000+0.16 EUR
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STP10NK60ZFP
Produktcode: 4775
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description STP10NK60Z.pdf
STP10NK60ZFP
Hersteller: ST
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220FP
Uds,V: 600
Idd,A: 10
Rds(on), Ohm: 0.75
Bem.: Ізольований корпус
JHGF: THT
ZCODE: 8541290010
verfügbar: 423 Stück
3 Stück - stock Köln
420 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
1+0.76 EUR
10+0.72 EUR
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BC327-25
Produktcode: 15290
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bc327-datasheet.pdf
BC327-25
Hersteller: Fairchild
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-92
fT: 100 MHz
U, V: 45
U, V: 50
I, А: 0.8
h21,max: 450
ZCODE: 8541 21 00 90
verfügbar: 1629 Stück
215 Stück - stock Köln
1414 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
1+0.04 EUR
10+0.036 EUR
100+0.028 EUR
1000+0.02 EUR
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