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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRFR5305PBF IRFR5305PBF
Produktcode: 2560
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IR irfr5305pbf.pdf Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: D-Pak
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Id, A: 25 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,065 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1200/63
Montage: SMD
auf Bestellung: 459 St.
  • 459 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+1.73 EUR
10+1.55 EUR
100+1.4 EUR
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IRFR5305TR IRFR5305TR
Produktcode: 185048
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Infineon Infineon-IRFR5305-DataSheet-v01_01-EN.pdf Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: D-Pak
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 В
Drain-Strom Id, A: 25 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,065 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1200/63
Montage: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
erwartet: 550 St.
  • 500 St. - erwartet 28.10.2026
  • 50 St. - erwartet
1+1.57 EUR
10+1.4 EUR
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FR5305 IR 04+
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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AUIRFR5305 AUIRFR5305 Infineon info-tauirfr5305.pdf MOSFET P-CH 55V 31A Automotive AUIRFR5305 International Rectifier TAUIRFR5305
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+6.66 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
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AUIRFR5305TR AUIRFR5305TR Infineon Technologies Infineon_AUIRFR5305TR_DataSheet_v01_00_EN.pdf MOSFETs AUTO -55V 1 P-CH HEXFET 65mOhms
auf Bestellung 7753 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.08 EUR
10+3.58 EUR
100+3.25 EUR
500+2.64 EUR
2000+2.51 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRFR5305TR AUIRFR5305TR Infineon Technologies auirfr5305.pdf?fileId=5546d462533600a4015355b5cb911494 Description: MOSFET P-CH 55V 31A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 321 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.03 EUR
10+4.61 EUR
50+3.56 EUR
100+3.22 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRFR5305TRL AUIRFR5305TRL Infineon Technologies auirfr5305.pdf MOSFETs AUTO -55V 1 P-CH HEXFET 65mOhms
auf Bestellung 421031 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.93 EUR
10+4.14 EUR
100+3.36 EUR
500+3 EUR
1000+2.48 EUR
3000+2.39 EUR
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IRFR5305 IRFR5305 SLKOR TIRFR5305_SLK_SLKOR_0001.pdf Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 40mOhm; 30A; 50W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFR5305; IRFR5305TRL; IRFR5305TR; IRFR5305TRR; SP001571570; SP001567854; SP001557082; SP001573302; IRFR5305 SLKOR TIRFR5305 SLK
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR5305 IRFR5305 JSMicro Semiconductor TIRFR5305_JSM_JSMICRO_0002.pdf Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 40mOhm; 50A; 113W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRFR5305; IRFR5305TRL; IRFR5305TR; IRFR5305TRR; SP001571570; SP001567854; SP001557082; SP001573302; IRFR5305 JSMICRO TIRFR5305 JSM
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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IRFR5305T IRFR5305T HXY MOSFET TIRFR5305_HXY_HXY_MOSFET_0001.pdf Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 100mOhm; 20A; 40W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFR5305; IRFR5305TRL; IRFR5305TR; IRFR5305TRR; SP001571570; SP001567854; SP001557082; SP001573302; IRFR5305T HXY MOSFET TIRFR5305 HXY
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 140 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR5305TR IRFR5305TR UMW TIRFR5305_UMW_UMW_0001.pdf Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 55mOhm; 30A; 60W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFR5305; IRFR5305TRL; IRFR5305TR; IRFR5305TRR; SP001571570; SP001567854; SP001557082; SP001573302; IRFR5305TR UMW TIRFR5305 UMW
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 55 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR5305TR IRFR5305TR Infineon info-tirfr5305.pdf Transistor P-MOSFET; 55V; 20V; 65mOhm; 31A; 110W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFR5305TR; IRFR5305; IRFR5305TRL; IRFR5305-GURT; IRFR5 IRFR5305TR TIRFR5305
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.4 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR5305TR IRFR5305TR Infineon info-tirfr5305.pdf Transistor P-MOSFET; 55V; 20V; 65mOhm; 31A; 110W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFR5305TR; IRFR5305; IRFR5305TRL; IRFR5305-GURT; IRFR5 IRFR5305TR TIRFR5305
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.4 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR5305TR IRFR5305TR UMW TIRFR5305_UMW_UMW_0001.pdf Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 55mOhm; 30A; 60W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFR5305; IRFR5305TRL; IRFR5305TR; IRFR5305TRR; SP001571570; SP001567854; SP001557082; SP001573302; IRFR5305TR UMW TIRFR5305 UMW
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 195 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR5305TR IRFR5305TR Infineon info-tirfr5305.pdf Transistor P-MOSFET; 55V; 20V; 65mOhm; 31A; 110W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFR5305TR; IRFR5305; IRFR5305TRL; IRFR5305-GURT; IRFR5 IRFR5305TR TIRFR5305
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 22913 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.4 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR5305TR IRFR5305TR JGSEMI info-tirfr5305.pdf Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 75mOhm; 20A; 25W; -55°C ~ 125°C; Equivalent: IRFR5305; IRFR5305TRL; IRFR5305TR; IRFR5305TRR; SP001571570; SP001567854; SP001557082; SP001573302; IRFR5305TR JGSEMI TIRFR5305 JGS
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR5305TR IRFR5305TR UMW TIRFR5305_UMW_UMW_0001.pdf Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 55mOhm; 30A; 60W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFR5305; IRFR5305TRL; IRFR5305TR; IRFR5305TRR; SP001571570; SP001567854; SP001557082; SP001573302; IRFR5305TR UMW TIRFR5305 UMW
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1 EUR
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR5305TR IRFR5305TR Infineon info-tirfr5305.pdf Transistor P-MOSFET; 55V; 20V; 65mOhm; 31A; 110W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFR5305TR; IRFR5305; IRFR5305TRL; IRFR5305-GURT; IRFR5 IRFR5305TR TIRFR5305
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 3240 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.4 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR5305TR IRFR5305TR UMW Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 55mOhm; 30A; 60W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFR5305; IRFR5305TRL; IRFR5305TR; IRFR5305TRR; SP001571570; SP001567854; SP001557082; SP001573302; IRFR5305TR UMW TIRFR5305 UMW
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR5305TRLPBF IRFR5305TRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfr5305pbf.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -28A; 89W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -28A
Power dissipation: 89W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 3345 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR5305TRLPBF IRFR5305TRLPBF Infineon Technologies Infineon-IRFR5305-DataSheet-v01_01-EN.pdf MOSFETs MOSFT PCh -55V -28A 65mOhm 42nC
auf Bestellung 22710 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.31 EUR
10+1.58 EUR
100+1.4 EUR
500+1.11 EUR
1000+1.07 EUR
3000+0.89 EUR
9000+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR5305TRLPBF IRFR5305TRLPBF Infineon Technologies infineon-irfr5305-datasheet-en.pdf Description: MOSFET P-CH 55V 31A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.89 EUR
9000+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR5305TRLPBF IRFR5305TRLPBF Infineon Technologies infineon-irfr5305-datasheet-en.pdf Description: MOSFET P-CH 55V 31A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
auf Bestellung 14733 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.31 EUR
11+2.08 EUR
50+1.57 EUR
100+1.4 EUR
500+1.11 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR5305TRPBF IRFR5305TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfr5305pbf.pdf description Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -28A; 89W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -28A
Power dissipation: 89W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 3642 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR5305TRPBF IRFR5305TRPBF Infineon Technologies infineon-irfr5305-datasheet-en.pdf description Description: MOSFET P-CH 55V 31A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
auf Bestellung 106000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+0.74 EUR
6000+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR5305TRPBF IRFR5305TRPBF Infineon Technologies infineon-irfr5305-datasheet-en.pdf description Description: MOSFET P-CH 55V 31A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
auf Bestellung 106274 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.7 EUR
13+1.71 EUR
50+1.27 EUR
100+1.13 EUR
500+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR5305TRPBF IRFR5305TRPBF Infineon Technologies infineon-irfr5305-datasheet-en.pdf description MOSFETs 1 P-CH -55V HEXFET 65mOhms 42nC
auf Bestellung 51647 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.75 EUR
10+1.29 EUR
100+1.14 EUR
500+0.89 EUR
1000+0.88 EUR
2000+0.75 EUR
4000+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UMWIRFR5305TR UMWIRFR5305TR UMW 22fc38bf31ffa65079289e5fa6f3ec60.pdf Description: MOSFET P-CH 55V 31A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 1645 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.78 EUR
12+1.76 EUR
50+1.31 EUR
100+1.17 EUR
500+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRFR5305TRL International Rectifier/Infineon Infineon-AUIRFR5305-DataSheet-vNA-EN.pdf P-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 31 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 1200, Qg, нКл = 63, Rds = 65 мОм, Ugs(th) = 4, Р, Вт = 110, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: D-PAK Очікується: 40 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
verfügbar 4 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR5305/PBF
auf Bestellung 5080 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR5305PBF International Rectifier/Infineon irfr5305pbf.pdf P-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 31 А, Ptot, Вт = 110, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 1200 @ 25, Qg, нКл = 63 @ 10 В, Rds = 65 мОм @ 16 А, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: D-PAK Очікується: 2 Од. вим: ш
Anzahl je Verpackung: 75 Stücke
verfügbar 200 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR5305PBF irfr5305pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535632522820ff IRFR5305PBF Транзисторы
auf Bestellung 109 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR5305TRLPBF International Rectifier/Infineon irfr5305pbf.pdf P-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 31 А, Ptot, Вт = 110, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 1200 @ 25, Qg, нКл = 63 @ 10 В, Rds = 65 мОм @ 16 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: D-PAK Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
verfügbar 15 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HYG450P06LA1D HYG450P06LA1D HUAYI THYG450p06la1d_0001.pdf Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 20A; 62mOhm; 37,5W; -55°C ~ 175°C; Similar to: IRFR5305; IRFR5305TRL; IRFR5305TR; IRFR5305TRR; IRFR9024N; IRFR9024NTRL; IRFR9024NTR; IRFR9024NTRR; HYG450P06LA1D HUAYI THYG450p06la1d
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 248 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR5305TRPBF IRFR5305TRPBF
Produktcode: 4177
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IR irfr5305.pdf description Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: D-Pak
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Id, A: 25 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,065 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1200/63
Montage: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
1+1.21 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRFR5305 AUIRFR5305 Infineon Technologies auirfr5305.pdf?fileId=5546d462533600a4015355b5cb911494 Description: MOSFET P-CH 55V 31A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRFR5305TR AUIRFR5305TR Infineon Technologies auirfr5305.pdf?fileId=5546d462533600a4015355b5cb911494 Description: MOSFET P-CH 55V 31A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRFR5305TRL AUIRFR5305TRL Infineon Technologies auirfr5305.pdf?fileId=5546d462533600a4015355b5cb911494 Description: MOSFET P-CH 55V 31A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRFR5305TRL AUIRFR5305TRL Infineon Technologies auirfr5305.pdf?fileId=5546d462533600a4015355b5cb911494 Description: MOSFET P-CH 55V 31A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR5305CPBF IRFR5305CPBF Infineon Technologies IRFR%20U5305.pdf Description: MOSFET P-CH 55V 31A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
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 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR5305PBF IRFR5305PBF Infineon Technologies irfr5305pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535632522820ff Description: MOSFET P-CH 55V 31A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR5305TRL IRFR5305TRL Infineon Technologies IRFR%2CU5305.pdf Description: MOSFET P-CH 55V 31A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR5305TRR IRFR5305TRR Infineon Technologies IRFR%2CU5305.pdf Description: MOSFET P-CH 55V 31A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR5305TRRPBF IRFR5305TRRPBF Infineon Technologies irfr5305pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535632522820ff Description: MOSFET P-CH 55V 31A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UMWIRFR5305TR UMWIRFR5305TR UMW 22fc38bf31ffa65079289e5fa6f3ec60.pdf Description: MOSFET P-CH 55V 31A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Інтегральна мікросхема AUIRFR5305TRL Infineon/IR Інтегральна мікросхема AUIRFR5305TRL Infineon/IR Infineon/IR ІМС MOSFET AUTO -55V 1 P-CH HEXFET 65mOhms Інтегральні мікросхеми
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Транзистор польовий IRFR5305TRPBF Infineon Транзистор польовий IRFR5305TRPBF Infineon Infineon Транз. Пол. ВП P-HEXFET D-PAK Udss=-55V; Id=31A; Pdmax=110W; Rds=0,065Ohm IRFR5305PBF.pdf Транзистори польові
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRFR5305 International Rectifier auirfr5305.pdf P-ch. DPAK Транзистори
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR5305PBF International Rectifier IRFR5305PBF-IRFU5305PBF.pdf P-ch. DPAK Транзистори
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR5305TRPBF International Rectifier/Infineon IRF5305.pdf description P-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 31 A, Ptot, Вт = 110, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 1200 пФ @ 25 В, Qg, нКл = 63 @ 10 В, Rds = 65 мОм @ 16 А, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: DPAK Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR5305TRPBF Infineon IRFR5305PBF-IRFU5305PBF.pdf description P-ch. DPAK TO-252 Транзистори
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AKS1048 AKS1048 AKYGA SEMI Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -30A; 50W; TO252
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -30A
Power dissipation: 50W
Case: TO252
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR5305PBF
Produktcode: 2560
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irfr5305pbf.pdf
IRFR5305PBF
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: D-Pak
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Id, A: 25 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,065 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1200/63
Montage: SMD
auf Bestellung: 459 St.
  • 459 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+1.73 EUR
10+1.55 EUR
100+1.4 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR5305TR
Produktcode: 185048
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Infineon-IRFR5305-DataSheet-v01_01-EN.pdf
IRFR5305TR
Hersteller: Infineon
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: D-Pak
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 В
Drain-Strom Id, A: 25 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,065 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1200/63
Montage: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
erwartet: 550 St.
  • 500 St. - erwartet 28.10.2026
  • 50 St. - erwartet
AnzahlPrivatkunde
1+1.57 EUR
10+1.4 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FR5305
Hersteller: IR
04+
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRFR5305 info-tauirfr5305.pdf
AUIRFR5305
Hersteller: Infineon
MOSFET P-CH 55V 31A Automotive AUIRFR5305 International Rectifier TAUIRFR5305
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
25+6.66 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRFR5305TR Infineon_AUIRFR5305TR_DataSheet_v01_00_EN.pdf
AUIRFR5305TR
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs AUTO -55V 1 P-CH HEXFET 65mOhms
auf Bestellung 7753 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+7.08 EUR
10+3.58 EUR
100+3.25 EUR
500+2.64 EUR
2000+2.51 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRFR5305TR auirfr5305.pdf?fileId=5546d462533600a4015355b5cb911494
AUIRFR5305TR
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 55V 31A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 321 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3+7.03 EUR
10+4.61 EUR
50+3.56 EUR
100+3.22 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRFR5305TRL auirfr5305.pdf
AUIRFR5305TRL
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs AUTO -55V 1 P-CH HEXFET 65mOhms
auf Bestellung 421031 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+4.93 EUR
10+4.14 EUR
100+3.36 EUR
500+3 EUR
1000+2.48 EUR
3000+2.39 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR5305 TIRFR5305_SLK_SLKOR_0001.pdf
IRFR5305
Hersteller: SLKOR
Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 40mOhm; 30A; 50W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFR5305; IRFR5305TRL; IRFR5305TR; IRFR5305TRR; SP001571570; SP001567854; SP001557082; SP001573302; IRFR5305 SLKOR TIRFR5305 SLK
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
50+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR5305 TIRFR5305_JSM_JSMICRO_0002.pdf
IRFR5305
Hersteller: JSMicro Semiconductor
Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 40mOhm; 50A; 113W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRFR5305; IRFR5305TRL; IRFR5305TR; IRFR5305TRR; SP001571570; SP001567854; SP001557082; SP001573302; IRFR5305 JSMICRO TIRFR5305 JSM
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
50+1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR5305T TIRFR5305_HXY_HXY_MOSFET_0001.pdf
IRFR5305T
Hersteller: HXY MOSFET
Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 100mOhm; 20A; 40W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFR5305; IRFR5305TRL; IRFR5305TR; IRFR5305TRR; SP001571570; SP001567854; SP001557082; SP001573302; IRFR5305T HXY MOSFET TIRFR5305 HXY
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 140 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
50+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR5305TR TIRFR5305_UMW_UMW_0001.pdf
IRFR5305TR
Hersteller: UMW
Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 55mOhm; 30A; 60W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFR5305; IRFR5305TRL; IRFR5305TR; IRFR5305TRR; SP001571570; SP001567854; SP001557082; SP001573302; IRFR5305TR UMW TIRFR5305 UMW
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 55 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
50+1 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR5305TR info-tirfr5305.pdf
IRFR5305TR
Hersteller: Infineon
Transistor P-MOSFET; 55V; 20V; 65mOhm; 31A; 110W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFR5305TR; IRFR5305; IRFR5305TRL; IRFR5305-GURT; IRFR5 IRFR5305TR TIRFR5305
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
50+1.4 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR5305TR info-tirfr5305.pdf
IRFR5305TR
Hersteller: Infineon
Transistor P-MOSFET; 55V; 20V; 65mOhm; 31A; 110W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFR5305TR; IRFR5305; IRFR5305TRL; IRFR5305-GURT; IRFR5 IRFR5305TR TIRFR5305
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
50+1.4 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR5305TR TIRFR5305_UMW_UMW_0001.pdf
IRFR5305TR
Hersteller: UMW
Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 55mOhm; 30A; 60W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFR5305; IRFR5305TRL; IRFR5305TR; IRFR5305TRR; SP001571570; SP001567854; SP001557082; SP001573302; IRFR5305TR UMW TIRFR5305 UMW
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 195 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
50+1 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR5305TR info-tirfr5305.pdf
IRFR5305TR
Hersteller: Infineon
Transistor P-MOSFET; 55V; 20V; 65mOhm; 31A; 110W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFR5305TR; IRFR5305; IRFR5305TRL; IRFR5305-GURT; IRFR5 IRFR5305TR TIRFR5305
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 22913 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
50+1.4 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR5305TR info-tirfr5305.pdf
IRFR5305TR
Hersteller: JGSEMI
Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 75mOhm; 20A; 25W; -55°C ~ 125°C; Equivalent: IRFR5305; IRFR5305TRL; IRFR5305TR; IRFR5305TRR; SP001571570; SP001567854; SP001557082; SP001573302; IRFR5305TR JGSEMI TIRFR5305 JGS
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
50+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR5305TR TIRFR5305_UMW_UMW_0001.pdf
IRFR5305TR
Hersteller: UMW
Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 55mOhm; 30A; 60W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFR5305; IRFR5305TRL; IRFR5305TR; IRFR5305TRR; SP001571570; SP001567854; SP001557082; SP001573302; IRFR5305TR UMW TIRFR5305 UMW
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
50+1 EUR
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR5305TR info-tirfr5305.pdf
IRFR5305TR
Hersteller: Infineon
Transistor P-MOSFET; 55V; 20V; 65mOhm; 31A; 110W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFR5305TR; IRFR5305; IRFR5305TRL; IRFR5305-GURT; IRFR5 IRFR5305TR TIRFR5305
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 3240 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
50+1.4 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR5305TR IRFR5305TR
Hersteller: UMW
Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 55mOhm; 30A; 60W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFR5305; IRFR5305TRL; IRFR5305TR; IRFR5305TRR; SP001571570; SP001567854; SP001557082; SP001573302; IRFR5305TR UMW TIRFR5305 UMW
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
25+1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR5305TRLPBF irfr5305pbf.pdf
IRFR5305TRLPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -28A; 89W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -28A
Power dissipation: 89W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 3345 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR5305TRLPBF Infineon-IRFR5305-DataSheet-v01_01-EN.pdf
IRFR5305TRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT PCh -55V -28A 65mOhm 42nC
auf Bestellung 22710 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+3.31 EUR
10+1.58 EUR
100+1.4 EUR
500+1.11 EUR
1000+1.07 EUR
3000+0.89 EUR
9000+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR5305TRLPBF infineon-irfr5305-datasheet-en.pdf
IRFR5305TRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 55V 31A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.89 EUR
9000+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR5305TRLPBF infineon-irfr5305-datasheet-en.pdf
IRFR5305TRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 55V 31A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
auf Bestellung 14733 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
7+3.31 EUR
11+2.08 EUR
50+1.57 EUR
100+1.4 EUR
500+1.11 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR5305TRPBF description irfr5305pbf.pdf
IRFR5305TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -28A; 89W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -28A
Power dissipation: 89W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 3642 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR5305TRPBF description infineon-irfr5305-datasheet-en.pdf
IRFR5305TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 55V 31A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
auf Bestellung 106000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2000+0.74 EUR
6000+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR5305TRPBF description infineon-irfr5305-datasheet-en.pdf
IRFR5305TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 55V 31A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
auf Bestellung 106274 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
8+2.7 EUR
13+1.71 EUR
50+1.27 EUR
100+1.13 EUR
500+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR5305TRPBF description infineon-irfr5305-datasheet-en.pdf
IRFR5305TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs 1 P-CH -55V HEXFET 65mOhms 42nC
auf Bestellung 51647 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+2.75 EUR
10+1.29 EUR
100+1.14 EUR
500+0.89 EUR
1000+0.88 EUR
2000+0.75 EUR
4000+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UMWIRFR5305TR 22fc38bf31ffa65079289e5fa6f3ec60.pdf
UMWIRFR5305TR
Hersteller: UMW
Description: MOSFET P-CH 55V 31A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 1645 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
8+2.78 EUR
12+1.76 EUR
50+1.31 EUR
100+1.17 EUR
500+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRFR5305TRL Infineon-AUIRFR5305-DataSheet-vNA-EN.pdf
Hersteller: International Rectifier/Infineon
P-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 31 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 1200, Qg, нКл = 63, Rds = 65 мОм, Ugs(th) = 4, Р, Вт = 110, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: D-PAK Очікується: 40 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
verfügbar 4 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR5305/PBF
auf Bestellung 5080 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR5305PBF irfr5305pbf.pdf
Hersteller: International Rectifier/Infineon
P-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 31 А, Ptot, Вт = 110, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 1200 @ 25, Qg, нКл = 63 @ 10 В, Rds = 65 мОм @ 16 А, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: D-PAK Очікується: 2 Од. вим: ш
Anzahl je Verpackung: 75 Stücke
verfügbar 200 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR5305PBF irfr5305pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535632522820ff
IRFR5305PBF Транзисторы
auf Bestellung 109 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR5305TRLPBF irfr5305pbf.pdf
Hersteller: International Rectifier/Infineon
P-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 31 А, Ptot, Вт = 110, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 1200 @ 25, Qg, нКл = 63 @ 10 В, Rds = 65 мОм @ 16 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: D-PAK Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
verfügbar 15 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HYG450P06LA1D THYG450p06la1d_0001.pdf
HYG450P06LA1D
Hersteller: HUAYI
Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 20A; 62mOhm; 37,5W; -55°C ~ 175°C; Similar to: IRFR5305; IRFR5305TRL; IRFR5305TR; IRFR5305TRR; IRFR9024N; IRFR9024NTRL; IRFR9024NTR; IRFR9024NTRR; HYG450P06LA1D HUAYI THYG450p06la1d
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 248 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
50+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR5305TRPBF
Produktcode: 4177
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
description irfr5305.pdf
IRFR5305TRPBF
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: D-Pak
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Id, A: 25 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,065 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1200/63
Montage: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
AnzahlPrivatkunde
1+1.21 EUR
10+1.09 EUR
100+0.98 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRFR5305 auirfr5305.pdf?fileId=5546d462533600a4015355b5cb911494
AUIRFR5305
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 55V 31A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRFR5305TR auirfr5305.pdf?fileId=5546d462533600a4015355b5cb911494
AUIRFR5305TR
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 55V 31A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRFR5305TRL auirfr5305.pdf?fileId=5546d462533600a4015355b5cb911494
AUIRFR5305TRL
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 55V 31A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRFR5305TRL auirfr5305.pdf?fileId=5546d462533600a4015355b5cb911494
AUIRFR5305TRL
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 55V 31A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR5305CPBF IRFR%20U5305.pdf
IRFR5305CPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 55V 31A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR5305PBF irfr5305pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535632522820ff
IRFR5305PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 55V 31A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR5305TRL IRFR%2CU5305.pdf
IRFR5305TRL
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 55V 31A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR5305TRR IRFR%2CU5305.pdf
IRFR5305TRR
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 55V 31A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
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Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR5305TRRPBF irfr5305pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535632522820ff
IRFR5305TRRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 55V 31A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UMWIRFR5305TR 22fc38bf31ffa65079289e5fa6f3ec60.pdf
UMWIRFR5305TR
Hersteller: UMW
Description: MOSFET P-CH 55V 31A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
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Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Інтегральна мікросхема AUIRFR5305TRL Infineon/IR
Інтегральна мікросхема AUIRFR5305TRL Infineon/IR
Hersteller: Infineon/IR
ІМС MOSFET AUTO -55V 1 P-CH HEXFET 65mOhms Інтегральні мікросхеми
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Транзистор польовий IRFR5305TRPBF Infineon
Транзистор польовий IRFR5305TRPBF Infineon
Hersteller: Infineon
Транз. Пол. ВП P-HEXFET D-PAK Udss=-55V; Id=31A; Pdmax=110W; Rds=0,065Ohm IRFR5305PBF.pdf Транзистори польові
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRFR5305 auirfr5305.pdf
Hersteller: International Rectifier
P-ch. DPAK Транзистори
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR5305PBF IRFR5305PBF-IRFU5305PBF.pdf
Hersteller: International Rectifier
P-ch. DPAK Транзистори
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR5305TRPBF description IRF5305.pdf
Hersteller: International Rectifier/Infineon
P-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 31 A, Ptot, Вт = 110, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 1200 пФ @ 25 В, Qg, нКл = 63 @ 10 В, Rds = 65 мОм @ 16 А, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: DPAK Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
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IRFR5305TRPBF description IRFR5305PBF-IRFU5305PBF.pdf
Hersteller: Infineon
P-ch. DPAK TO-252 Транзистори
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AKS1048
AKS1048
Hersteller: AKYGA SEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -30A; 50W; TO252
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -30A
Power dissipation: 50W
Case: TO252
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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