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IRF530NPBF IRF530NPBF
Produktcode: 50641
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IR irf530npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e386b1199a Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 100
Idd,A: 17
Rds(on), Ohm: 01.09.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 920/37
JHGF: THT
auf Bestellung 147 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+0.48 EUR
10+0.44 EUR
100+0.43 EUR
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IRF530NS IRF530NS
Produktcode: 117672
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Infineon-IRF530NS-DataSheet-v01_01-EN.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D2PAK (TO-263)
Uds,V: 100 V
Idd,A: 17 A
Rds(on), Ohm: 90 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 920/37
JHGF: SMD
auf Bestellung 10 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IRF530N JSMicro Semiconductor Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 38mOhm; 33A; 110W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF530; IRF530-BE3; IRF530N; SP001570120; IRF530N JSMICRO TIRF530n JSM
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 50
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IRF530N Infineon N-MOSFET 17A 100V 79W 0.11? IRF530 TIRF530n
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 50
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IRF530N-ML MOSLEADER Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 120mOhm; 15A; 45W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF530; IRF530-BE3; IRF530N; SP001570120; IRF530N-ML MOSLEADER TIRF530n MOS
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 50
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IRF530NPBF IRF530NPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E40FB7B4AF1A6F5005056AB5A8F&compId=irf530n.pdf?ci_sign=3fe7d72389eed6dc1666bcabcb3dc1c441724283 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17A; 79W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 17A
Power dissipation: 79W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 24.7nC
On-state resistance: 90mΩ
auf Bestellung 741 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
69+1.04 EUR
122+0.59 EUR
196+0.37 EUR
207+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 69
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IRF530NPBF IRF530NPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E40FB7B4AF1A6F5005056AB5A8F&compId=irf530n.pdf?ci_sign=3fe7d72389eed6dc1666bcabcb3dc1c441724283 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17A; 79W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 17A
Power dissipation: 79W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 24.7nC
On-state resistance: 90mΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 741 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
69+1.04 EUR
122+0.59 EUR
196+0.37 EUR
207+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 69
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IRF530NPBF IRF530NPBF Infineon Technologies irf530npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e386b1199a Description: MOSFET N-CH 100V 17A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 25 V
auf Bestellung 20373 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+1.71 EUR
17+1.06 EUR
100+0.9 EUR
500+0.7 EUR
1000+0.64 EUR
2000+0.59 EUR
5000+0.53 EUR
10000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 11
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IRF530NPBF IRF530NPBF Infineon Technologies Infineon_IRF530N_DataSheet_v01_01_EN-3362954.pdf MOSFETs MOSFT 100V 17A 90mOhm 24.7nC
auf Bestellung 8680 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.73 EUR
10+1.06 EUR
100+0.92 EUR
250+0.91 EUR
500+0.72 EUR
1000+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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IRF530NPBF IRF530NPBF Infineon Technologies infineon-irf530n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 3797 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
191+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 191
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF530NPBF IRF530NPBF INFINEON INFN-S-A0012827046-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF530NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.09 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 63W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 5766 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRF530NPBF IRF530NPBF Infineon Technologies infineon-irf530n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 62027 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
172+0.83 EUR
223+0.62 EUR
246+0.54 EUR
500+0.48 EUR
1000+0.42 EUR
2000+0.38 EUR
5000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 172
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IRF530NPBF IRF530NPBF Infineon Technologies infineon-irf530n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 63366 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
207+0.69 EUR
254+0.54 EUR
274+0.48 EUR
500+0.44 EUR
1000+0.39 EUR
2000+0.36 EUR
5000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 207
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IRF530NPBF IRF530NPBF Infineon Technologies infineon-irf530n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
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IRF530NPBF IRF530NPBF Infineon Technologies infineon-irf530n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
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IRF530NPBF IRF530NPBF Infineon Technologies infineon-irf530n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 62027 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
223+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 223
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IRF530NPBF IR irf530npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e386b1199a Транз. Пол. БМ N-HEXFET TO-220AB Udss=100V; Id=17A; Pdmax=70W; Rds=90mOhm
auf Bestellung 37 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+2.26 EUR
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IRF530NPBF IRF530NPBF Infineon Technologies infineon-irf530n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 3797 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
134+1.07 EUR
191+0.72 EUR
218+0.61 EUR
500+0.52 EUR
1000+0.48 EUR
2000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 134
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IRF530NPBF IRF530NPBF Infineon Technologies infineon-irf530n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 5496 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
179+0.8 EUR
233+0.59 EUR
500+0.4 EUR
1000+0.35 EUR
4000+0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 179
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF530NPBF IRF530NPBF Infineon Technologies infineon-irf530n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 63366 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
255+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 255
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF530NS International Rectifier irf530nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e38eb4199c N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 90mOhm; 17A; 70W; -55°C ~ 175°C; IRF530NS; IRF530NS-GURT; IRF530NSTRL; IRF530NS TIRF530 ns
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 45 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+2.5 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF530NSTRLPBF IRF530NSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F652E69C517F1A303005056AB0C4F&compId=irf530nspbf.pdf?ci_sign=8a181d6b2621f4efdd3d8325d333bc87a5af599c description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 17A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 436 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
54+1.33 EUR
59+1.23 EUR
124+0.58 EUR
131+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 54
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF530NSTRLPBF IRF530NSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F652E69C517F1A303005056AB0C4F&compId=irf530nspbf.pdf?ci_sign=8a181d6b2621f4efdd3d8325d333bc87a5af599c description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 17A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 436 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
54+1.33 EUR
59+1.23 EUR
124+0.58 EUR
131+0.55 EUR
1600+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 54
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF530NSTRLPBF IRF530NSTRLPBF Infineon Technologies irf530nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e38eb4199c description Description: MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 25 V
auf Bestellung 5117 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+1.9 EUR
12+1.49 EUR
100+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF530NSTRLPBF IRF530NSTRLPBF Infineon Technologies Infineon_IRF530NS_DataSheet_v01_01_EN-3362770.pdf description MOSFETs MOSFT 100V 17A 90mOhm 24.7nC
auf Bestellung 12214 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.9 EUR
10+1.5 EUR
25+1.37 EUR
100+1.05 EUR
250+1.04 EUR
500+0.98 EUR
800+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF530NSTRLPBF IRF530NSTRLPBF Infineon Technologies irf530nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e38eb4199c description Description: MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 25 V
auf Bestellung 4800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+0.74 EUR
1600+0.73 EUR
4000+0.72 EUR
Mindestbestellmenge: 800
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF530NSTRLPBF IRF530NSTRLPBF Infineon Technologies infineon-irf530ns-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 7200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 800
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF530NSTRLPBF IRF530NSTRLPBF Infineon Technologies infineon-irf530ns-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 7200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+0.57 EUR
4000+0.49 EUR
5600+0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 800
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF530NSTRLPBF IRF530NSTRLPBF Infineon Technologies infineon-irf530ns-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF530NSTRLPBF IRF530NSTRLPBF Infineon Technologies infineon-irf530ns-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 9219 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
171+0.84 EUR
190+0.73 EUR
216+0.62 EUR
500+0.52 EUR
1000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 171
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF530NSTRLPBF IRF530NSTRLPBF INFINEON INFN-S-A0012826255-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRF530NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.09 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 70W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2711 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF530NSTRLPBF IRF530NSTRLPBF INFINEON INFN-S-A0012826255-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRF530NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.09 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 70W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2711 Stücke:
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IRF530NSTRLPBF IRF530NSTRLPBF Infineon Technologies infineon-irf530ns-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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IRF530NPBF/IR IR 08+;
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IRF530NSTRR
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HIRF530N HXY MOSFET Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 120mOhm; 17A; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF530; IRF530-BE3; IRF530N; SP001570120; HIRF530N HXY MOSFET TIRF530n HXY
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
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PHAIRF530N.127 PHI 07+;
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Транзистор польовий IRF530NSTRLPBF 17A 100V N-ch D2PAK
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IRF530N
Produktcode: 30162
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Fairchild Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 100
Idd,A: 14
Rds(on), Ohm: 0.16
JHGF: THT
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IRF530NL
Produktcode: 121833
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irf530nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e38eb4199c Transistoren > MOSFET N-CH
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IRF530NSTRLPBF
Produktcode: 144837
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irf530nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e38eb4199c description Transistoren > MOSFET N-CH
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IRF530N IRF530N NXP Semiconductors MOSFETs RAIL IR
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IRF530N onsemi / Fairchild MOSFETs
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IRF530N,127 IRF530N,127 NXP USA Inc. DS_568_IRF530N.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 17A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 633 pF @ 25 V
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IRF530NL IRF530NL Infineon Technologies irf530nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e38eb4199c Description: MOSFET N-CH 100V 17A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 25 V
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IRF530NPBF IRF530NPBF Infineon Technologies infineon-irf530n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF530NS IRF530NS Infineon Technologies irf530nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e38eb4199c Description: MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 25 V
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IRF530NSPBF IRF530NSPBF Infineon Technologies irf530nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e38eb4199c description Description: MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 25 V
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IRF530NSTRLPBF IRF530NSTRLPBF Infineon Technologies infineon-irf530ns-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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IRF530NSTRRPBF IRF530NSTRRPBF Infineon Technologies irf530nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e38eb4199c Description: MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 25 V
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IRF530N_R4942 IRF530N_R4942 onsemi DS_261_IRF530N.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 22A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 22A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 25 V
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IRF530NPBF
Produktcode: 50641
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irf530npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e386b1199a
IRF530NPBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 100
Idd,A: 17
Rds(on), Ohm: 01.09.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 920/37
JHGF: THT
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Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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1+0.48 EUR
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IRF530NS
Produktcode: 117672
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Infineon-IRF530NS-DataSheet-v01_01-EN.pdf
IRF530NS
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D2PAK (TO-263)
Uds,V: 100 V
Idd,A: 17 A
Rds(on), Ohm: 90 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 920/37
JHGF: SMD
auf Bestellung 10 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IRF530N
Hersteller: JSMicro Semiconductor
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 38mOhm; 33A; 110W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF530; IRF530-BE3; IRF530N; SP001570120; IRF530N JSMICRO TIRF530n JSM
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
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Lieferzeit 7-14 Tag (e)
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50+0.9 EUR
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IRF530N
Hersteller: Infineon
N-MOSFET 17A 100V 79W 0.11? IRF530 TIRF530n
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
50+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 50
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IRF530N-ML
Hersteller: MOSLEADER
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 120mOhm; 15A; 45W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF530; IRF530-BE3; IRF530N; SP001570120; IRF530N-ML MOSLEADER TIRF530n MOS
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
50+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 50
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IRF530NPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E40FB7B4AF1A6F5005056AB5A8F&compId=irf530n.pdf?ci_sign=3fe7d72389eed6dc1666bcabcb3dc1c441724283
IRF530NPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17A; 79W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 17A
Power dissipation: 79W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 24.7nC
On-state resistance: 90mΩ
auf Bestellung 741 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
69+1.04 EUR
122+0.59 EUR
196+0.37 EUR
207+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 69
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IRF530NPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E40FB7B4AF1A6F5005056AB5A8F&compId=irf530n.pdf?ci_sign=3fe7d72389eed6dc1666bcabcb3dc1c441724283
IRF530NPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17A; 79W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 17A
Power dissipation: 79W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 24.7nC
On-state resistance: 90mΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 741 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
69+1.04 EUR
122+0.59 EUR
196+0.37 EUR
207+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 69
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IRF530NPBF irf530npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e386b1199a
IRF530NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 17A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 25 V
auf Bestellung 20373 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
11+1.71 EUR
17+1.06 EUR
100+0.9 EUR
500+0.7 EUR
1000+0.64 EUR
2000+0.59 EUR
5000+0.53 EUR
10000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 11
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IRF530NPBF Infineon_IRF530N_DataSheet_v01_01_EN-3362954.pdf
IRF530NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 100V 17A 90mOhm 24.7nC
auf Bestellung 8680 Stücke:
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2+1.73 EUR
10+1.06 EUR
100+0.92 EUR
250+0.91 EUR
500+0.72 EUR
1000+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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IRF530NPBF infineon-irf530n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF530NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 3797 Stücke:
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191+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 191
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IRF530NPBF INFN-S-A0012827046-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF530NPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF530NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.09 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 63W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 5766 Stücke:
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IRF530NPBF infineon-irf530n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF530NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 62027 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
172+0.83 EUR
223+0.62 EUR
246+0.54 EUR
500+0.48 EUR
1000+0.42 EUR
2000+0.38 EUR
5000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 172
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IRF530NPBF infineon-irf530n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF530NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 63366 Stücke:
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Anzahl Preis
207+0.69 EUR
254+0.54 EUR
274+0.48 EUR
500+0.44 EUR
1000+0.39 EUR
2000+0.36 EUR
5000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 207
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IRF530NPBF infineon-irf530n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF530NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
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IRF530NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
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IRF530NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 62027 Stücke:
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Anzahl Preis
223+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 223
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Hersteller: IR
Транз. Пол. БМ N-HEXFET TO-220AB Udss=100V; Id=17A; Pdmax=70W; Rds=90mOhm
auf Bestellung 37 Stücke:
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Anzahl Preis
1+2.26 EUR
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IRF530NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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134+1.07 EUR
191+0.72 EUR
218+0.61 EUR
500+0.52 EUR
1000+0.48 EUR
2000+0.4 EUR
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IRF530NPBF
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Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Anzahl Preis
179+0.8 EUR
233+0.59 EUR
500+0.4 EUR
1000+0.35 EUR
4000+0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 179
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF530NPBF infineon-irf530n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF530NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 63366 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
255+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 255
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF530NS irf530nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e38eb4199c
Hersteller: International Rectifier
N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 90mOhm; 17A; 70W; -55°C ~ 175°C; IRF530NS; IRF530NS-GURT; IRF530NSTRL; IRF530NS TIRF530 ns
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 45 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
20+2.5 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF530NSTRLPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F652E69C517F1A303005056AB0C4F&compId=irf530nspbf.pdf?ci_sign=8a181d6b2621f4efdd3d8325d333bc87a5af599c
IRF530NSTRLPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 17A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 436 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
54+1.33 EUR
59+1.23 EUR
124+0.58 EUR
131+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 54
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF530NSTRLPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F652E69C517F1A303005056AB0C4F&compId=irf530nspbf.pdf?ci_sign=8a181d6b2621f4efdd3d8325d333bc87a5af599c
IRF530NSTRLPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 17A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 436 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
54+1.33 EUR
59+1.23 EUR
124+0.58 EUR
131+0.55 EUR
1600+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 54
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF530NSTRLPBF description irf530nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e38eb4199c
IRF530NSTRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 25 V
auf Bestellung 5117 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+1.9 EUR
12+1.49 EUR
100+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF530NSTRLPBF description Infineon_IRF530NS_DataSheet_v01_01_EN-3362770.pdf
IRF530NSTRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 100V 17A 90mOhm 24.7nC
auf Bestellung 12214 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+1.9 EUR
10+1.5 EUR
25+1.37 EUR
100+1.05 EUR
250+1.04 EUR
500+0.98 EUR
800+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF530NSTRLPBF description irf530nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e38eb4199c
IRF530NSTRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 25 V
auf Bestellung 4800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
800+0.74 EUR
1600+0.73 EUR
4000+0.72 EUR
Mindestbestellmenge: 800
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF530NSTRLPBF description infineon-irf530ns-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF530NSTRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 7200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
800+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 800
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF530NSTRLPBF description infineon-irf530ns-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF530NSTRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 7200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
800+0.57 EUR
4000+0.49 EUR
5600+0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 800
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF530NSTRLPBF description infineon-irf530ns-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF530NSTRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF530NSTRLPBF description infineon-irf530ns-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF530NSTRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 9219 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
171+0.84 EUR
190+0.73 EUR
216+0.62 EUR
500+0.52 EUR
1000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 171
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF530NSTRLPBF description INFN-S-A0012826255-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF530NSTRLPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF530NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.09 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 70W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2711 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF530NSTRLPBF description INFN-S-A0012826255-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF530NSTRLPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF530NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.09 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 70W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2711 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF530NSTRLPBF description infineon-irf530ns-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF530NSTRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
107+1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 107
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF530NPBF/IR
Hersteller: IR
08+;
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF530NSTRR
auf Bestellung 440 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF530NSTRRPBF irf530nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e38eb4199c
Hersteller: IR
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HIRF530N
Hersteller: HXY MOSFET
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 120mOhm; 17A; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF530; IRF530-BE3; IRF530N; SP001570120; HIRF530N HXY MOSFET TIRF530n HXY
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
50+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PHAIRF530N.127
Hersteller: PHI
07+;
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Транзистор польовий IRF530NSTRLPBF 17A 100V N-ch D2PAK
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF530N
Produktcode: 30162
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Hersteller: Fairchild
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 100
Idd,A: 14
Rds(on), Ohm: 0.16
JHGF: THT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF530NL
Produktcode: 121833
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irf530nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e38eb4199c
Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF530NSTRLPBF
Produktcode: 144837
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description irf530nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e38eb4199c
Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF530N
IRF530N
Hersteller: NXP Semiconductors
MOSFETs RAIL IR
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF530N
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF530N,127 DS_568_IRF530N.pdf
IRF530N,127
Hersteller: NXP USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 100V 17A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 633 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF530NL irf530nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e38eb4199c
IRF530NL
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 17A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF530NPBF infineon-irf530n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF530NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF530NS irf530nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e38eb4199c
IRF530NS
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF530NSPBF description irf530nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e38eb4199c
IRF530NSPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF530NSTRLPBF description infineon-irf530ns-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF530NSTRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF530NSTRRPBF irf530nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e38eb4199c
IRF530NSTRRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF530N_R4942 DS_261_IRF530N.pdf
IRF530N_R4942
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 22A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 22A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH