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IRF7313TRPBF IRF7313TRPBF
Produktcode: 23579
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IR irf7313 -datasheet.pdf description Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 V
Drain-Strom Idd, A: 6,5 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,29 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 650/22
Bemerkung: Zwei Transistoren in einem Gehäuse
Montage: SMD
verfügbar: 12 St.
  • 12 St. - stock Köln
auf Bestellung: 242 St.
  • 242 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+0.9 EUR
10+0.81 EUR
100+0.73 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7313TR IRF7313TR International Rectifier info-tirf7313.pdf Transistor 2xN-Channel MOSFET; 30V; 20V; 46mOhm; 6,5A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7313; IRF7313TR; IRF7313 smd TIRF7313
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7313TRPBF IRF7313TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf7313pbf.pdf description Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 6.5A; 2W; SO8
Mounting: SMD
Power dissipation: 2W
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Drain current: 6.5A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET x2
Kind of package: reel
Case: SO8
auf Bestellung 3374 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
65+1.31 EUR
113+0.76 EUR
140+0.61 EUR
250+0.57 EUR
500+0.56 EUR
1000+0.54 EUR
2000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 65 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7313TRPBF IRF7313TRPBF Infineon Technologies irf7313pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f560f81b26 description Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
auf Bestellung 32000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4000+0.55 EUR
12000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7313TRPBF IRF7313TRPBF Infineon Technologies irf7313pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f560f81b26 description Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
auf Bestellung 34730 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+2.12 EUR
16+1.32 EUR
50+0.98 EUR
100+0.87 EUR
500+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7313TRPBF IRF7313TRPBF International Rectifier irf7313pbf.pdf description SO-8 Транзистори
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7313TRPBF IRF7313TRPBF Infineon Technologies infineonirf7313datasheeten.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 30V 6.5A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 7115 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
123+1.44 EUR
187+0.9 EUR
500+0.68 EUR
1000+0.6 EUR
2000+0.52 EUR
4000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 123 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7313TRPBF IRF7313TRPBF Infineon Technologies infineonirf7313datasheeten.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 30V 6.5A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 7115 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
123+1.44 EUR
187+0.93 EUR
500+0.7 EUR
1000+0.63 EUR
2000+0.56 EUR
4000+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 123 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7313TRPBFXTMA1 IRF7313TRPBFXTMA1 Infineon Technologies irf7313pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f560f81b26 Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8DSO-902
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8-902
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4000+0.51 EUR
8000+0.48 EUR
12000+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7313TRPBFXTMA1 IRF7313TRPBFXTMA1 Infineon Technologies Infineon_IRF7313_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs PLANAR FET
auf Bestellung 7853 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.53 EUR
10+1.57 EUR
100+1.04 EUR
500+0.81 EUR
1000+0.69 EUR
2000+0.63 EUR
4000+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7313TRPBFXTMA1 IRF7313TRPBFXTMA1 Infineon Technologies irf7313pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f560f81b26 Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8DSO-902
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8-902
auf Bestellung 13998 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+2.12 EUR
16+1.32 EUR
100+0.87 EUR
500+0.67 EUR
1000+0.61 EUR
2000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7313TRPBFXTMA1 IRF7313TRPBFXTMA1 INFINEON 3980133.pdf Description: INFINEON - IRF7313TRPBFXTMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 30 V, 6.5 A, 0.029 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SO-8
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.029ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 3352 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
91+2.77 EUR
144+1.62 EUR
219+0.98 EUR
500+0.76 EUR
1000+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 91 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7313TRPBFXTMA1 IRF7313TRPBFXTMA1 INFINEON 3980133.pdf Description: INFINEON - IRF7313TRPBFXTMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 30 V, 6.5 A, 0.029 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SO-8
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.029ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 3352 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.77 EUR
144+1.62 EUR
219+0.98 EUR
500+0.76 EUR
1000+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7313TRPBFXTMA1 IRF7313TRPBFXTMA1 Infineon Technologies infineonirf7313datasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 6.5A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.54 EUR
8000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7313TRPBFXTMA1 IRF7313TRPBFXTMA1 Infineon Technologies infineonirf7313datasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 6.5A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.54 EUR
8000+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7313 IOR 09+ SO-8
auf Bestellung 44337 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7313PBF International Rectifier/Infineon irf7313pbf.pdf description 2N-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 6,5 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 650 @ 0, Qg, нКл = 22 @ 5,8 A, Rds = 0,032 Ом @ 4,7 A, 4,5 B, Ugs(th) = 1 В, Р, Вт = 2 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 95 Stücke
verfügbar 1 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7313QTRPBF IOR IRF7313QPbF.pdf
auf Bestellung 32500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7313TRPBF International Rectifier/Infineon Infineon-IRF7313-DataSheet-v01_01-EN.pdf description 2N-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 6,5 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 650 @ 25, Qg, нКл = 33 @ 10 В, Rds = 29 мОм @ 5,8 А, 10 В, Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА, Р, Вт = 2, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: 8-SOIC Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
verfügbar 70 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7313TRPBF irf7313pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f560f81b26 description IRF7313TRPBF Транзисторы HEXFET
auf Bestellung 995 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UMWIRF7313TR UMWIRF7313TR UMW 0bb04278a358ed88ff01c192e0e35f00.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
auf Bestellung 2921 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+2.05 EUR
17+1.29 EUR
100+0.83 EUR
500+0.64 EUR
1000+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7313PBF IRF7313PBF
Produktcode: 122873
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
IR irf7313-datasheet.pdf description Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 В
Drain-Strom Idd, A: 6,5 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,029 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 650/22
Bemerkung: Zwei Transistoren in einem Gehäuse
Montage: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
1+0.82 EUR
10+0.75 EUR
100+0.67 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7313PBF IRF7313PBF Infineon Technologies irf7313pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f560f81b26 description Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7313TRPBF IRF7313TRPBF Infineon Technologies infineonirf7313datasheeten.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 30V 6.5A 8-Pin SOIC N T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7313TRPBF-1 IRF7313TRPBF-1 Infineon Technologies IRF7313PbF-1_11-14-13.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7313TRPBFXTMA1 IRF7313TRPBFXTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES irf7313pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f560f81b26 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6.5A; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 6.5A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7313TRPBFXTMA1 IRF7313TRPBFXTMA1 Infineon Technologies infineonirf7313datasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 6.5A 8-Pin SOIC N T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7313 International Rectifier/Infineon N-канальный ПТ (Vds=30V, Id=6.5A@T=25C, Id=5,2A@T=70C, Rds=0.029 Ohm, P=2W, -55 to +150C).... Транзистори Корпус: SO-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7313PBF International Rectifier irf7313pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f560f81b26 description SO8 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7313TR International Rectifier/Infineon a3da941078b4667d1f6ccda751cd6ccf.pdf N-канальный ПТ (Vds=30V, Id=6.5A@T=25C, Id=5,2A@T=70C, Rds=0.029 Ohm, P=2W, -55 to +150C).... Транзистори Корпус: SO-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7313TR International Rectifier a3da941078b4667d1f6ccda751cd6ccf.pdf SO-8 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRF7313Q AUIRF7313Q Infineon Technologies auirf7313q.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ad20ab13d6 Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8SOIC
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 755pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 6.9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRF7313QTR AUIRF7313QTR Infineon Technologies auirf7313q.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ad20ab13d6 Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 755pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 6.9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Last Time Buy
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UMWIRF7313TR UMWIRF7313TR UMW 0bb04278a358ed88ff01c192e0e35f00.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7313TRPBF
Produktcode: 23579
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
description irf7313 -datasheet.pdf
IRF7313TRPBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 V
Drain-Strom Idd, A: 6,5 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,29 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 650/22
Bemerkung: Zwei Transistoren in einem Gehäuse
Montage: SMD
verfügbar: 12 St.
  • 12 St. - stock Köln
auf Bestellung: 242 St.
  • 242 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+0.9 EUR
10+0.81 EUR
100+0.73 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7313TR info-tirf7313.pdf
IRF7313TR
Hersteller: International Rectifier
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 30V; 20V; 46mOhm; 6,5A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7313; IRF7313TR; IRF7313 smd TIRF7313
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
50+1 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7313TRPBF description irf7313pbf.pdf
IRF7313TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 6.5A; 2W; SO8
Mounting: SMD
Power dissipation: 2W
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Drain current: 6.5A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET x2
Kind of package: reel
Case: SO8
auf Bestellung 3374 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
65+1.31 EUR
113+0.76 EUR
140+0.61 EUR
250+0.57 EUR
500+0.56 EUR
1000+0.54 EUR
2000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 65 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7313TRPBF description irf7313pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f560f81b26
IRF7313TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
auf Bestellung 32000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4000+0.55 EUR
12000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7313TRPBF description irf7313pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f560f81b26
IRF7313TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
auf Bestellung 34730 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10+2.12 EUR
16+1.32 EUR
50+0.98 EUR
100+0.87 EUR
500+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7313TRPBF description irf7313pbf.pdf
IRF7313TRPBF
Hersteller: International Rectifier
SO-8 Транзистори
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
6+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7313TRPBF description infineonirf7313datasheeten.pdf
IRF7313TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 6.5A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 7115 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
123+1.44 EUR
187+0.9 EUR
500+0.68 EUR
1000+0.6 EUR
2000+0.52 EUR
4000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 123 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7313TRPBF description infineonirf7313datasheeten.pdf
IRF7313TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 6.5A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 7115 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
123+1.44 EUR
187+0.93 EUR
500+0.7 EUR
1000+0.63 EUR
2000+0.56 EUR
4000+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 123 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7313TRPBFXTMA1 irf7313pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f560f81b26
IRF7313TRPBFXTMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8DSO-902
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8-902
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4000+0.51 EUR
8000+0.48 EUR
12000+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7313TRPBFXTMA1 Infineon_IRF7313_DataSheet_v01_01_EN.pdf
IRF7313TRPBFXTMA1
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs PLANAR FET
auf Bestellung 7853 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+2.53 EUR
10+1.57 EUR
100+1.04 EUR
500+0.81 EUR
1000+0.69 EUR
2000+0.63 EUR
4000+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7313TRPBFXTMA1 irf7313pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f560f81b26
IRF7313TRPBFXTMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8DSO-902
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8-902
auf Bestellung 13998 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10+2.12 EUR
16+1.32 EUR
100+0.87 EUR
500+0.67 EUR
1000+0.61 EUR
2000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7313TRPBFXTMA1 3980133.pdf
IRF7313TRPBFXTMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7313TRPBFXTMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 30 V, 6.5 A, 0.029 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SO-8
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.029ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 3352 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
91+2.77 EUR
144+1.62 EUR
219+0.98 EUR
500+0.76 EUR
1000+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 91 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7313TRPBFXTMA1 3980133.pdf
IRF7313TRPBFXTMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7313TRPBFXTMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 30 V, 6.5 A, 0.029 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SO-8
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.029ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 3352 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.77 EUR
144+1.62 EUR
219+0.98 EUR
500+0.76 EUR
1000+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7313TRPBFXTMA1 infineonirf7313datasheeten.pdf
IRF7313TRPBFXTMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 6.5A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4000+0.54 EUR
8000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7313TRPBFXTMA1 infineonirf7313datasheeten.pdf
IRF7313TRPBFXTMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 6.5A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4000+0.54 EUR
8000+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7313
Hersteller: IOR
09+ SO-8
auf Bestellung 44337 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7313PBF description irf7313pbf.pdf
Hersteller: International Rectifier/Infineon
2N-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 6,5 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 650 @ 0, Qg, нКл = 22 @ 5,8 A, Rds = 0,032 Ом @ 4,7 A, 4,5 B, Ugs(th) = 1 В, Р, Вт = 2 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 95 Stücke
verfügbar 1 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7313QTRPBF IRF7313QPbF.pdf
Hersteller: IOR
auf Bestellung 32500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7313TRPBF description Infineon-IRF7313-DataSheet-v01_01-EN.pdf
Hersteller: International Rectifier/Infineon
2N-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 6,5 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 650 @ 25, Qg, нКл = 33 @ 10 В, Rds = 29 мОм @ 5,8 А, 10 В, Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА, Р, Вт = 2, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: 8-SOIC Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
verfügbar 70 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7313TRPBF description irf7313pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f560f81b26
IRF7313TRPBF Транзисторы HEXFET
auf Bestellung 995 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UMWIRF7313TR 0bb04278a358ed88ff01c192e0e35f00.pdf
UMWIRF7313TR
Hersteller: UMW
Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
auf Bestellung 2921 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
11+2.05 EUR
17+1.29 EUR
100+0.83 EUR
500+0.64 EUR
1000+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7313PBF
Produktcode: 122873
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
description irf7313-datasheet.pdf
IRF7313PBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 В
Drain-Strom Idd, A: 6,5 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,029 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 650/22
Bemerkung: Zwei Transistoren in einem Gehäuse
Montage: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
AnzahlPrivatkunde
1+0.82 EUR
10+0.75 EUR
100+0.67 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7313PBF description irf7313pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f560f81b26
IRF7313PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7313TRPBF description infineonirf7313datasheeten.pdf
IRF7313TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 6.5A 8-Pin SOIC N T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7313TRPBF-1 IRF7313PbF-1_11-14-13.pdf
IRF7313TRPBF-1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7313TRPBFXTMA1 irf7313pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f560f81b26
IRF7313TRPBFXTMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6.5A; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 6.5A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7313TRPBFXTMA1 infineonirf7313datasheeten.pdf
IRF7313TRPBFXTMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 6.5A 8-Pin SOIC N T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7313
Hersteller: International Rectifier/Infineon
N-канальный ПТ (Vds=30V, Id=6.5A@T=25C, Id=5,2A@T=70C, Rds=0.029 Ohm, P=2W, -55 to +150C).... Транзистори Корпус: SO-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7313PBF description irf7313pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f560f81b26
Hersteller: International Rectifier
SO8 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7313TR a3da941078b4667d1f6ccda751cd6ccf.pdf
Hersteller: International Rectifier/Infineon
N-канальный ПТ (Vds=30V, Id=6.5A@T=25C, Id=5,2A@T=70C, Rds=0.029 Ohm, P=2W, -55 to +150C).... Транзистори Корпус: SO-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
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IRF7313TR a3da941078b4667d1f6ccda751cd6ccf.pdf
Hersteller: International Rectifier
SO-8 Транзистори
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AUIRF7313Q auirf7313q.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ad20ab13d6
AUIRF7313Q
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8SOIC
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 755pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 6.9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
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AUIRF7313QTR auirf7313q.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ad20ab13d6
AUIRF7313QTR
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 755pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 6.9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Last Time Buy
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UMWIRF7313TR 0bb04278a358ed88ff01c192e0e35f00.pdf
UMWIRF7313TR
Hersteller: UMW
Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH